JPS5852858A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5852858A JPS5852858A JP56150984A JP15098481A JPS5852858A JP S5852858 A JPS5852858 A JP S5852858A JP 56150984 A JP56150984 A JP 56150984A JP 15098481 A JP15098481 A JP 15098481A JP S5852858 A JPS5852858 A JP S5852858A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本96BAは絶縁基板九半導体素子t−取付け、さらに
壁部材により半導体素子を取り囲み、蓋をしてf該半纏
体素子を内部に密封した高周波用の半導体装置に関する
。
壁部材により半導体素子を取り囲み、蓋をしてf該半纏
体素子を内部に密封した高周波用の半導体装置に関する
。
一般に高周波用の半導体装置では、良好な高脚波神性を
得る次めに、半導体素子から外部取出し用リード部まで
の接続線のインダクタンスを出来るだけ小さくしなけn
ばならない。そのため、上記のような、絶縁基板上に半
導体菓子を取付は壁部材で囲んだ半導体装置においても
、装置全体、すなわち、絶縁基板は小さく設計さnてき
た。したがって、半導体素子と壁部材との距離が近いた
め、絶に基板上の金属化層と半導体菓子の電極とを熱圧
層で接続する全綱細線が、結線作業中に加熱さrしてい
る壁部材の上面一杯に形成さ3ている金属化層に付層し
、絶縁基板上の金属化層と壁部材上面の金属化層が無用
の4通状態になったV。
得る次めに、半導体素子から外部取出し用リード部まで
の接続線のインダクタンスを出来るだけ小さくしなけn
ばならない。そのため、上記のような、絶縁基板上に半
導体菓子を取付は壁部材で囲んだ半導体装置においても
、装置全体、すなわち、絶縁基板は小さく設計さnてき
た。したがって、半導体素子と壁部材との距離が近いた
め、絶に基板上の金属化層と半導体菓子の電極とを熱圧
層で接続する全綱細線が、結線作業中に加熱さrしてい
る壁部材の上面一杯に形成さ3ている金属化層に付層し
、絶縁基板上の金属化層と壁部材上面の金属化層が無用
の4通状態になったV。
前記金!I4細線の切熾しが壁部材の上面から垂n下る
などの障害が発生していた。また、奪部材上四に気密対
土用の蓋部材をろう付けするとき、ろう付は幀まつやろ
う流nが封止容器内にfgn下るという欠点もあった。
などの障害が発生していた。また、奪部材上四に気密対
土用の蓋部材をろう付けするとき、ろう付は幀まつやろ
う流nが封止容器内にfgn下るという欠点もあった。
本発明の目的は、このような従来の半導体装置の欠点を
取除いた信頼性の高い半導体装置を提供するにある。
取除いた信頼性の高い半導体装置を提供するにある。
本発明の半導体装置は、絶縁基板と、この肥縁基板上に
城付けら′rL九半導体素子と、この半導体素子をl1
ij、v囲んで前記絶縁基板に設けらnた壁部材とを有
し、かつ、この壁部材上面の内側部を除すた外@部に1
部材取付けのための金属化層が設けらnている構成を有
する。
城付けら′rL九半導体素子と、この半導体素子をl1
ij、v囲んで前記絶縁基板に設けらnた壁部材とを有
し、かつ、この壁部材上面の内側部を除すた外@部に1
部材取付けのための金属化層が設けらnている構成を有
する。
つぎに本発明を実施例に19説明する。
第1図は本発明の一実施例における蓋部材を取除い友平
面図、第2図は蓋部材を含めた第1図A−A断面図であ
る。こnらの図において、アルミナセラミックまたはべ
りリャセラン、りの絶縁基板11Z)上面には、半導体
素子1例えばトランジスタ素子7.及び半導体装置内部
を気密にするための一部材2が取付けらn、、絶縁基板
lの下面には。
面図、第2図は蓋部材を含めた第1図A−A断面図であ
る。こnらの図において、アルミナセラミックまたはべ
りリャセラン、りの絶縁基板11Z)上面には、半導体
素子1例えばトランジスタ素子7.及び半導体装置内部
を気密にするための一部材2が取付けらn、、絶縁基板
lの下面には。
外部に柩出さnるリード6が取付けら−rL、トランジ
スタ凧子7のエミ、り、コレクタ、ペース電極のi外へ
の導出は、絶縁基板lの上面とJ金属化層5を設け、外
部取出しリード6に接続する。
スタ凧子7のエミ、り、コレクタ、ペース電極のi外へ
の導出は、絶縁基板lの上面とJ金属化層5を設け、外
部取出しリード6に接続する。
一部材2の上面は気密封止用蓋部材lOとのろう付部分
の金属化層4を、壁部材2の上面の内側部は産出させて
外一部にだけ形成してbる。
の金属化層4を、壁部材2の上面の内側部は産出させて
外一部にだけ形成してbる。
このような本cA明の半導体装置において、トランジス
タ素子7を基板lにろう付しトランジスタ素子7のエミ
ッタ、コレクタ、ベース電極と外部取出し用リード6と
の結線には、金ki4細線8を便用して、トランジスタ
素子のエミッタ、コレクタ。
タ素子7を基板lにろう付しトランジスタ素子7のエミ
ッタ、コレクタ、ベース電極と外部取出し用リード6と
の結線には、金ki4細線8を便用して、トランジスタ
素子のエミッタ、コレクタ。
ベースij1mと絶縁基板l上の金属化層3とを熱加熱
の圧着法で行う。しかしながら、この場合壁部材2の上
面の金属化層4’tP′3Hに施さず外側のみとし、且
つ、内側は壁部材2の材質が繕出し、この部分に金属m
f1M8が付層しない。また、気′tR封止用蓋部材l
Oとのろう付で%生するろう付層まつやろう流しとなっ
て半導体装置内に垂扛下ることも発生しない。
の圧着法で行う。しかしながら、この場合壁部材2の上
面の金属化層4’tP′3Hに施さず外側のみとし、且
つ、内側は壁部材2の材質が繕出し、この部分に金属m
f1M8が付層しない。また、気′tR封止用蓋部材l
Oとのろう付で%生するろう付層まつやろう流しとなっ
て半導体装置内に垂扛下ることも発生しない。
なお、上記実施例では、半導体素子の例としてバイポー
ラトランジスタを挙げたが、こnは電界効果トランジス
タでもよいし、ま友、その他の高周波用半導体素子でも
よい。
ラトランジスタを挙げたが、こnは電界効果トランジス
タでもよいし、ま友、その他の高周波用半導体素子でも
よい。
第1図は本発明の一実施例における蓋部材を取り除いた
平面図、#G2図は*i部材を含め次第1図のA−A断
面に対応する断面図である。 l・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・壁部材、3・
・・・・・絶縁基板面の金属化層s4・・・・−壁部材
上面の金属化層、5・・・・・・絶縁基板側向の金属化
層、6・・・・・・外部取出しリード、7・・・・・・
トランジスタ素子、8・・・・・・金属軸−19・・・
・・・ろう材、10・・・・・・蓋部材。 銅 1 図 第 7 凶
平面図、#G2図は*i部材を含め次第1図のA−A断
面に対応する断面図である。 l・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・壁部材、3・
・・・・・絶縁基板面の金属化層s4・・・・−壁部材
上面の金属化層、5・・・・・・絶縁基板側向の金属化
層、6・・・・・・外部取出しリード、7・・・・・・
トランジスタ素子、8・・・・・・金属軸−19・・・
・・・ろう材、10・・・・・・蓋部材。 銅 1 図 第 7 凶
Claims (1)
- 絶縁基板と、咳絶縁基板上に取付けらnた半導体菓子と
、この半導体素子を取り囲むように取付けた一部材とを
有し、前記壁部軟土面の内側部゛を除い几外側部に蓋部
材取付けのための金属化層が設けらnていることt−特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56150984A JPS5852858A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56150984A JPS5852858A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5852858A true JPS5852858A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15508739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56150984A Pending JPS5852858A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5852858A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825282A (en) * | 1985-01-30 | 1989-04-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor package having side walls, earth-bonding terminal, and earth lead formed in a unitary structure |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS537173A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Hitachi Ltd | Solder-sealed ceramic package |
JPS5339165U (ja) * | 1976-09-07 | 1978-04-05 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56150984A patent/JPS5852858A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS537173A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Hitachi Ltd | Solder-sealed ceramic package |
JPS5339165U (ja) * | 1976-09-07 | 1978-04-05 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825282A (en) * | 1985-01-30 | 1989-04-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor package having side walls, earth-bonding terminal, and earth lead formed in a unitary structure |
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