JPS5833859A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用パツケ−ジ

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Publication number
JPS5833859A
JPS5833859A JP13237381A JP13237381A JPS5833859A JP S5833859 A JPS5833859 A JP S5833859A JP 13237381 A JP13237381 A JP 13237381A JP 13237381 A JP13237381 A JP 13237381A JP S5833859 A JPS5833859 A JP S5833859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
package
heat pipe
die pad
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13237381A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Osedo
大施戸 治郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP13237381A priority Critical patent/JPS5833859A/ja
Publication of JPS5833859A publication Critical patent/JPS5833859A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置用パッケージの改良に関するもの
である。
第1図は従来の半導体装置用パッケージの代表的例を示
す断面図で、f1+はパッケージ本体、(2)はその中
央底部に形成されたダイパッド部、(3)は内側周縁部
に形成されたインナーリード部、(4)はインナーリー
ド部(3)からパッケージ本体filの外部へ引出され
た外部リード、(6)はパッケージのふた、(6)はダ
イパッド部(2)にマウントされた半導体素子、(7)
は半導体素子(6)の表面電極とインナーリード(3)
とを接続する金属細線である。
この従来のパッケージでは半導体素子(6)のマウント
、およびその表面電極とインナーリード(3)との金属
細線(7)による接続が完了すると、半導体素子(6)
を保護するために、パッケージ本体filの上部をふた
(6)で密封する。しかもパッケージ本体C1+は通常
セラミックで構成されており、半導体素子(6)が動作
中に発生する熱の放散が不十分で、別途放熱装置を取9
つけるにしても効果的ではなかった〇この発明は以上の
ような点に鑑みてなされたもので、ダイパッド部をヒー
トパイプ構造とすることによって、放熱特性のすぐれた
半導体装置用パッケージを提供することを目的としてい
る。
第2図はこの発明の一実施例を示す断面図で、以下従来
例と同等部分は同一符号で示し、その説明の重複を避け
る。図において1.(la)はパッケージ本体、(8)
はパッケージ本体(1a)の中央部に底部を貫通して固
着されたヒートパイプ、(2a)はヒートパイプ(8)
の上面に設けられたダイパッド部である。ヒートパイプ
(8)自体の構造社周知であるので、詳述しない。
この実施例では、半導体素子(6)のマウント%および
接続形態並びにふた(5)による保護形態は第1図の従
来例と同一であるが、半導体素子(6)がヒートパイプ
(8)の上にマウントされているので、放熱効果は極め
て太きい。
第3図はこの発明の他の実施例を示す断面図で、この実
施例では、ヒートパイプ(8)の上面に設けられたダイ
パッド部(2a)へ半導体素子(6)をマウントした後
、その表面電極と外部リード(4)とを金属細線(7)
で接続し、ヒートパイプ(8)の上部、半導体素子(6
)、金属細線(7)、および外部リード(4)の金属細
線(7)との接続部を樹脂(9)でモールドしたもので
、この実施例も第2図の実施例と同様、すぐれた放熱特
性を有している。
以上説明したように、この発明になるノ;ツケージでは
半導体素子をヒートパイプの一方の端面にマウントし、
そのヒートパイプの他端を外部に露出させる構造とした
ので、極めて良好な放熱特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置用パッケージを示す断面図、
W、2図はこの発明の一実施例を示す断面図、第3図は
この発明の他の実施例を示す断面図である。 図において、(la)はパッケージ本体、(2a)はダ
イパッド部、(4)は外部リード、+6)はふた、(6
)は半導体素子、(7)は接続用金属細線、(8)はヒ
ートノ(イブ、(9)はモールド樹脂である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0 代理人   葛 野 信 −(外1名)第1図 第2図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 +1)半導体素子を収容し、上記半導体素子の所要部分
    に電気的に接続された外部リードが引出されるものにお
    いて、上記半導体素子がマウントされるダイパッド部が
    他端が外部に露出したヒートパイプの一方の端面に形成
    されてなることを特徴とする半導体装置用パッケージ。 (2)半導体素子を収容する容器が、セラミックパッケ
    ージ本体とふたとからなり、ヒートノ(イブは上記セラ
    ミックパッケージ本体にその底部を貫通して固着された
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装
    置用パッケージ。 (3)半導体素子、この半導体素子がマウントされたヒ
    ートパイプの一方の端面部、及び外部リードと上記半導
    体素子との接続部が樹脂で一体にモールドされてなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置
    用パッケージ0
JP13237381A 1981-08-21 1981-08-21 半導体装置用パツケ−ジ Pending JPS5833859A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296710A (en) * 1991-06-11 1994-03-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Infrared radiation detector
KR100370231B1 (ko) * 2000-06-13 2003-01-29 페어차일드코리아반도체 주식회사 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지
GB2393329A (en) * 2002-09-17 2004-03-24 Hewlett Packard Development Co Heat sink with heat pipe in direct contact with component
US6894900B2 (en) 2002-09-17 2005-05-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink with heat pipe and base fins
US7143819B2 (en) 2002-09-17 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink with angled heat pipe

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50151477A (ja) * 1974-05-24 1975-12-05
JPS5418280A (en) * 1977-07-11 1979-02-10 Mitsubishi Electric Corp Resin sealed semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50151477A (ja) * 1974-05-24 1975-12-05
JPS5418280A (en) * 1977-07-11 1979-02-10 Mitsubishi Electric Corp Resin sealed semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296710A (en) * 1991-06-11 1994-03-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Infrared radiation detector
KR100370231B1 (ko) * 2000-06-13 2003-01-29 페어차일드코리아반도체 주식회사 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지
GB2393329A (en) * 2002-09-17 2004-03-24 Hewlett Packard Development Co Heat sink with heat pipe in direct contact with component
US6894900B2 (en) 2002-09-17 2005-05-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink with heat pipe and base fins
GB2393329B (en) * 2002-09-17 2006-05-03 Hewlett Packard Development Co Heat sink with heat pipe in direct contact with component
US7140422B2 (en) 2002-09-17 2006-11-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink with heat pipe in direct contact with component
US7143819B2 (en) 2002-09-17 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink with angled heat pipe

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