KR0132405Y1 - 반도체 패키지 - Google Patents

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안희영
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문정환
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Abstract

본 고안은 반도체 패키지에 관한 것으로, 종래의 패키지는 반도체 칩이 작동시 열방출이 되도록 히트-싱크를 설치하였으나, 그 크기가 작아 충분한 열방출이 되지 못하는 문제점이 있었다. 본 고안은 패들(10)의 하부에 히트-싱크(11)가 부착되고, 그 패들(10)의 상부에 반도체 칩(12)이 부착되며, 반도체 칩(12)을 포함하는 일정면적이 몰딩되는 몸체(15)로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 히트-싱크(11)는 패키지의 하부를 감싸도록 연결설치되어 열방출이 잘되도록 한 것을 특징으로 하며, 반도체 칩이 작동시 발생하는 열이 히트-싱크를 통하여 분산, 방출되도록 함으로써 패키지의 성능 및 신뢰성이 저하되는 것을 방지하는 효과가 있는 것이다.

Description

반도체 패키지
제1도는 종래 반도체 패키지의 구성을 보인 단면도.
제2도는 본 고안 반도체 패키지의 구성을 보인 단면도.
제3도는 본 고안 반도에 패키지에 부착되는 히트-싱크를 보인 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 패들 11 : 히트-싱크
12 : 반도체 칩 13 : 리드 프레임
15 : 몸체
본 고안은 반도체 패키지에 관한 것으로, 리드프레임의 패들 하부에 부착되는 히드-싱크(Heat-Sink)를 패키지 하부를 감싸도록 연결 설치하여 열방출이 향상되도록 한 반도체 패키지에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 패키지의 구성을 보인 단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 종래 반도체 패키지는 패들(1)의 하부에는 힝트-싱크(2)가 부착되고, 상기 패들(1)의 상부에는 페이스트(Paste)(1a)에 의해 반도체 칩(3)이 부착되어 있으며, 상기 반도체 칩(3)은 리드 프레이(4)의 인너리드(4a)와 금속 와이어(5)로 전기적인 접속이 됨과 아울러, 상기 반도체 칩(3), 히트-싱크(2), 인너리드(4a)를 포함하는 일정면적이 에폭시(Epoxy)로 몰딩되어 잇는 몸체(6)로 구성되어 있다.
도면중 미설명부호 4b는 아웃리드이다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래의 반도체 패키지는 패들(1)의 하부에 히트-싱크(2)를 부착하고, 상기 패들(1)의 상부에 반도체 칩(3)을 부착하는 다이본딩공정을 수행하며, 상기 반도체 칩(3)과 리드 프레임(4)의 인너리드(4a)를 금속 와이어(5)로 연결하는 와이어 본딩공정을 수행한 후, 상기 반도체 칩(3), 히트-싱크(2), 인너리드(4a)를 포함한 일정면적을 에폭시로 몰딩하는 몰딩공정의 순서로 제조된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 패키지는 작동시 반동체 칩(3)에서 발생하는 열을 하부로 방출하기 위해 히트-싱크(2)를 설치하엿으나 크기가 작아 충분한 열방출을 하지 못하여 패키지의 성능 및 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.
이를 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 반도체 패키지기 작동시 반도체 칩에서 발생하는 열이 외부로 충분한 방출이 이루어질 수 있는 반도체 패키지를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 리드 프레임의 패들 하부에 히트-싱크가 부착되고, 그 패들의 상부에 반도체 칩이 부착되며, 반도체 칩을 포함하는 일정면적이 몰딩되는 몸체로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 히트-싱크는 몸체의 하면을 감싸도록 설치됨과 아울러 양단부에 내측으로 절곡한 걸개부를 형성하여 이탈이 방지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안을 첨부된 도면에 의거하여 보다 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안 반도체 패키지의 구성을 보인 단면도이고, 제3도는 본 고안 반도체 패키지에 부착되는 히트-싱크를 보인 사시도로서, 이에 도시된 바와 같이, 본 고안의 반도체 패키지는 패들(10)의 하부에 히트-싱크(11)가 부착되고, 상기 패들(10)의 상부에는 페이스트(10a)에 의해 반도체 칩(12)이 부착되어 있으며, 상기 반도체 칩(12)은 리드 프레임(13)의 인너리드(13a)와 금속 와이어(14)로 전기적인 접속이 됨과 아울러, 상기 반도체 칩(12), 히트-싱크(11), 인너리드(13a)를 포함하는 일정면적이 에폭시로 몰딩되는 몸체(15)로 구성되어 있는 구조를 종래와 동일하다.
여기서 본 고안은 상기의 히트-싱크(11)가 몸체(15)의 하면을 감싸도록 크게 연결설치되어 있어서 본도체 칩(12)이 작동시 발생하는 열이 히트-싱크(11)를 통하여 외부로 잘 방출되도록 한 것이다.
또한, 상기 히트-싱크(11)의 양단부는 내측방향의 일정각도로 절곡하여 걸개부(11a)를 형성하고, 그 걸개부(11a)가 몰딩시 몸체(15)와 같이 몰딩되도록 하여, 몸체(15)에서 히트-싱크(11)가 이탈되지 않도록 하였다.
도면중 미설명부호 13b는 아웃리드이다.
상기와 같이 구성되는 본 고안의 반도체 패키지는 다이본딩 공정과 와이어 본딩 공정을 실시한 후, 몰드 캐비디(Mold Cavity)의 보틈 다이(Bottom Die) 형상에 맞도록 되어 있는 히트-싱크(11)를 보틈 다이위에 올려놓고, 그 히트-싱크(11)의 상부에 다이본딩과 와이어 본딩이 완료된 리드 프레임(13)의 패들(10)에 올려놓은 다음, 몰딩을 하면 되는 것이다.
이와 같은 반도체 패키지는 반도체 칩(12)이 작동시 발생하는 열이 열 전도성 페이스트(10a)와 리드 프레임(13)의 패들(10)에 전달되고, 그 패들(10)에 접촉하고 있는 넓은 히트-싱크(11)를 통하여 외부로 분산, 방출되는 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안의 반도체 패키지는 패키지의 하부에 설치되는 히트-싱크를 몸체 하면을 감싸도록 넓게 설치하여 반도체 칩이 작동시 발생하는 열이 히트-싱크를 통하여 분산, 방출되도록 함으로써 패키지의 성능 및 신뢰성이 저하되는 것을 방지하는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 리드 프레임의 패들 하부에 히트-싱크가 부착되고, 그 패들의 상부에 반도체 칩이 부착되며, 반도체 칩을 포함하는 일정면적이 몰딩 되는 몸체로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 히트-싱크는 몸체의 하면을 감싸도록 설치됨과 아울러 양단부에 내측으로 절곡한 걸개부를 형성하여 이탈이 방지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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