KR200198470Y1 - 반도체 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 반도체 패키지에 관한 것으로, 패들(11)에 회로선(14)들을 형성하여 칩(13)의 칩패드(13a)들과 일단부를 연결하고, 상면 가장자리에 형성된 회로선(14)들의 타단부는 패드(15)가 형성되어 인너리드(16)들에 금속와이어(17)들로 각각 와이어링되도록 함으로써, 종래와 같이 칩의 칩패드들과 인너리드들을 와이어링하는 경우보다 금속와이어의 길이가 짧아지게 되어 원가가 절감되는 효과가 있다.

Description

반도체 패키지
본 고안은 반도체 패키지에 관한 것으로, 특히 금속와이어의 연결길이를 짧게 형성하여 원가절감을 이루도록 하는데 적합한 반도체 패키지에 관한 것이다.
도 1은 종래 반도체 패키지의 구성을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 패키지는 리드프레임(1)의 패들(1a) 상면에 접착제(2)로 반도체 칩(3)이 고정부착되어 있고, 그 칩(3)의 주변에는 다수개의 인너리드(1b)들이 나열설치되어 있으며, 그 인너리드(1b)들과 칩(3)의 상면에 형성된 칩패드(3a)들은 각각 금속와이어(4)로 연결되어 있고, 상기 칩(3), 금속와이어(4), 패들(1a)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 봉지체(5)가 형성되어 있으며, 상기 인너리드(1b)들에 각각 연결됨과 아울러 봉지체(5)의 외측으로 돌출되도록 아웃리드(1c)들이 돌출형성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 패키지는 리드프레임(1)의 패들(1a) 상면에 접착제(2)로 반도체 칩(3)을 고정부착하고, 그 칩(3)의 칩패드(3a)들과 리드프레임(1)의 인너리드(1b)들을 각각 금속와이어(4)로 연결하며, 상기 칩(3), 금속와이어(4), 패들(1a)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 몰딩하여 봉지체(5)를 형성하고, 트리밍/포밍작업을 실시하여 패키지를 완성한다.
그러나, 상기와 같은 종래 반도체 패키지는 칩(3)의 칩패드(3a)들과 인너리드(1b)들을 각각 연결하는 금속와이어(4)는 고가의 금재질로서 일정높이와 길이로 와이어링되어야 하기 때문에 금속와이어(4)의 길이감소에 따른 원가절감에 한계가 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 금속와이어들의 길이를 짧게 형성하여 원가절감을 실현하도록 하는데 적합한 반도체 패키지를 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 패키지의 구성을 보인 종단면도.
도 2는 본 고안 반도체 패키지의 일실시예를 보인 종단면도.
도 3은 본 고안의 패들구조를 보인 사시도.
도 4는 본 고안의 패들구조를 보인 평면도.
도 5는 도 4의 A-A'를 절취하여 보인 단면도.
도 6은 본 고안 반도체 패키지의 다른 실시예를 보인 종단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 패들 11a : 칩안착부
13 : 칩 13a : 칩패드
14 : 회로선 15 : 패드
16 : 인너리드 17 : 금속와이어
18 : 봉지체 19 : 아웃리드
20 : 칩 얼라인 라인 32 : 히트-싱크
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 반도체 칩과; 그 칩이 안착될 수 있도록 일정깊이의 칩안착부가 형성되어 있고, 그 칩안착부에 장착되는 칩의 칩패드들과 일단부가 연결되는 다수개의 회로선이 형성되어 있는 패들과; 그 패들의 외측에 나열설치되어 있는 다수개의 인너리드들과; 그 인너리드들과 상기 회로선들의 타단부에 형성된 패드들이 각각 전기적으로 연결되어 있는 금속와이어들과; 상기 칩, 금속와이어, 패들, 인너리드들의 일정부분을 에폭시로 몰딩하여 형성된 봉지체와; 상기 인너리드들에 각각 연결됨과 아울러 봉지체의 외측으로 돌출되어 있는 다수개의 아웃리드들을 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 패키지를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안 반도체 패키지의 일실시예를 보인 종단면도이고, 도 3은 본 고안의 패들구조를 보인 사시도이며, 도 4는 본 고안의 패들구조를 보인 평면도이고, 도 5는 도 4의 A-A'를 절취하여 보인 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 패키지는 중앙에 일정 깊이의 칩안착부(11a)가 형성되어 있는 비전도성재질인 패들(11)의 칩안착부(11a)에 칩(13)이 뒤집어서 설치되어 있고, 그 칩(13)의 칩패드(13a)에 일단부가 각각 연결도록 패들(11)의 상면에 방사형으로 회로선(14)들이 형성되어 있으며, 그 회로선(14)들의 타단부는 패들(11)의 외측 상면에 형성된 패드(15)에 각각 연결되어 있다.
그리고, 상기 패들(11)의 외측에는 인너리드(16)들이 일정간격으로 다수개 나열설치되어 있고, 그 인너리드(16)들은 상기 패들(11)에 형성된 패드(15)에 각각 금속와이어(17)로 연결되어 있으며, 상기 칩(13), 금속와이어(17), 인너리드(16)의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 봉지체(18)가 형성되어 있고, 상기 인너리드(16)들에 각각 연결됨과 아울러 봉지체(18)의 외측으로 돌출되도록 다수개의 아웃리드(19)들이 형성되어 있다.
상기 패들(11)은 정사각형의 판체로 되어 있고, 칩안착부(11a)에는 칩(13)이 정확히 부착될 수 있도록 각기 다른 사이즈의 수개의 칩 얼라인 라인(CHIP ALIGN LINE)(20)들이 형성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안의 반도체 패키지는 패들(11)에 형성되어 있는 회로선(14)의 일단부에 칩(13)의 칩패드(13a)들이 연결되도록 칩(13)을 뒤집어서 패들(11)의 칩안착부(11a)에 탑재하고, 상기 회로선(14)의 타단부에 연결되도록 패들(11)의 상면 가장자리에 형성된 패드(15)들과 패들(11)의 주변에 설치되어 있는 다수개의 인너리드(16)들을 각각 금속와이어(17)로 연결하며, 상기 칩(13), 금속와이어(17), 패들(11), 인너리드(16)들의 일정부분을 감싸도록 에폭시로 봉지체(18)를 형성하고, 그 봉지체(18)의 외측으로 돌출된 아웃리드(19)들을 가공하는 트리밍/포밍을 실시하여 패키지를 완성한다.
도 6은 본 고안 반도체 패키지의 다른 실시예를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 기본적인 구조는 도 2의 일실시예와 동일하며, 다만 패들(11)의 상,하면에 절연성양면테이프(31)를 이용하여 히트-싱크(HEAT SINK)(32)를 고정부착하여 패키지의 사용시 칩(13)에서 발생되는 열이 외부로 충분히 방출될 수 있도록 한 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 패키지는 패들에 회로선들을 형성하여 칩의 칩패드들과 일단부를 연결하고, 상면 가장자리에 형성된 회로선들의 타단부는 패드가 형성되어 인너리드들에 금속와이어들로 각각 와이어링되도록 함으로써, 종래와 같이 칩의 칩패드들과 인너리드들을 와이어링하는 경우보다 금속와이어의 길이가 짧아지게 되어 원가가 절감되는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 칩과; 그 칩이 안착될 수 있도록 일정깊이의 칩안착부가 형성되어 있고, 그 칩안착부에 장착되는 칩의 칩패드들과 일단부가 연결되는 다수개의 회로선이 형성되어 있는 패들과; 그 패들의 외측에 나열설치되어 있는 다수개의 인너리드들과; 그 인너리드들과 상기 회로선들의 타단부에 형성된 패드들이 각각 전기적으로 연결되어 있는 금속와이어들과; 상기 칩, 금속와이어, 패들, 인너리드들의 일정부분을 에폭시로 몰딩하여 형성된 봉지체와; 상기 인너리드들에 각각 연결됨과 아울러 봉지체의 외측으로 돌출되어 있는 다수개의 아웃리드들을 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 패들의 칩안착부 상면에는 칩을 정확히 얼라인 시키기 위한 각기 크기가 다른 수개의 칩 얼라인 라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 패들의 상,하면에 열방출용 히트-싱크가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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