KR0152948B1 - 반도체 패키지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 종래 반도체 패키지는 열 방출이 잘되도록 패키지의 하부에 히트-싱크를 부착하였으나 자재비 및 설치공정에 따른 생산비가 상승하는 문제점이 있었던 바, 본 발명은 패들(10)의 상부에 반도체 칩(11)이 부착되어 있고, 그 반도체 칩(11)의 상부에 형성된 칩 패드(11a)와 리드 프레임(12)이 인너 리드(12a)가 금속 와이어(13)로 연결되어 있으며, 상기 반도체 칩(11)과 인너 리드(12a)를 포함하는 일정면적이 에폭시로 몰딩되는 이엠시(14)로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 패들(10)을 연장형성하고, 그 연장형성된 패들(10)이 이엠시(14)의 하면에 설치되도록 하여 패키지 작동시 외부로의 열방출 경로가 되도록 함으로써 히트-싱크를 배제하는데 따른 생산비의 절감효과가 있는 것이다.

Description

반도체 패키지

제1도는 종래 반도체 패키지의 구성을 보인 종단면도.

제2도는 종래 반도체 패키지에 히트-싱크가 설치되어 있는 상태를 보인 저면도.

제3도는 본 발명에 의한 반도체 패키지의 구성을 보인 종단면도.

제4도는 본 발명에 의한 반도체 패키지의 패들이 외부에 노출된 상태를 보인 저면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 패들 11 : 반도체 칩

11a : 칩 패드 12 : 리드 프레임

12a : 인너 리드 13 : 금속 와이어

14 : 이엠시(EMC)

본 발명은 반도체 패키지(PACKAGE)에 관한 것으로, 특히 패들(PADDLE)의 양측을 연장 형성하고, 그 연장 형성된 패들부분이 에폭시로 몰딩되어 패키지의 몸체를 이루는 이엠시의 하면에 외부로 노출이 되도록 설치하여 열방출이 잘되도록 한 반도체 패키지에 관한 것이다.

일반적인 반도체 패키지는 작동시 패키지의 내부에서 발생하는 열이 외부로의 연결단자인 리드 프레임을 통하여 주로 열방출이 이루어지게 되어 충분한 열방출이 이루어지지 못함에 따라 패키지의 오동작이나 심하면 응력발생부분의 크랙 또는 파손이 발생하는 문제점이 있었다.

이러한 문제점 때문에 패키지의 상부 혹은 하부에 열방출 기구인 히트-싱크(HEAD SINK)를 설치하여 패키지의 내부에서 발생하는 열이 패키지의 외부로 방출되도록 하였다.

이러한, 종래 반도체 패키지의 하부에 히트-싱크가 설치된 실시례를 제1도에 도시하였다.

도시한 바와 같이, 종래의 반도체 패키지는 패들(1)의 상부에는 반도체 칩(2)이 접착제(도시되어 있지 않음)에 의해 부착되어 있고, 상기 패들(1)의 하부에는 히트-싱크(3)가 설치되어 있으며, 상기 반도체 칩(2)의 상부에 형성되어 있는 칩 패드(2a)와 리드 프레임(4)의 인너 리드(4a)가 금속 와이어(5)로 접속되어 있을 뿐 아니라, 상기 반도체 칩(2), 히트-싱크(3), 인너 리드(4a)를 포함하는 일정면적이 에폭시로 몰딩되어 있는 이엠시(EPOXY MOLDING COMPOUND)(6)로 구성되어 있다.

미설명부호 4b는 아웃 리드이다.

이와 같은 종래의 반도체 패키지는 패들(1)의 상부에 접착제를 이용하여 반도체 칩(2)을 부착하는 단계와, 그 반도체 칩(2)이 부착되어 있는 패들(1)을 인너 리드(4a)면 보다 낮게 내리는 다운 셋팅(DOWN SETTING) 공정을 수행하는 단계와, 상기 패들(1)의 하부에 히트-싱크(3)를 부착하는 단계와, 상기 반도체 칩(2)의 상부에 형성된 칩 패드(2a)와 리드 프레임(4)의 인너 리드(4a)를 금속 와이어(5)로 연결하는 와이어 본딩(WIRE BONDING)을 수행하는 단계와, 상기 반도체 칩(2), 히트-싱크(3), 인너 리드(4a)를 포함하는 일정면적을 에폭시로 몰딩하는 단계와, 댐바제거 및 트리밍/포밍 공정을 진행하는 순서로 제조된다.

이와 같이 제조된 반도체 패키지는 제2도에 도시된 바와 같이 패키지의 하부에 히트-싱크(3)가 외부로 노출되도록 설치되어 있어 패키지가 작동시 히트-싱크(3)를 통하여 열방출이 이루어지는 것이다.

그러나, 이러한 종래의 반도체 패키지는 히트-싱크(3)를 설치하는 데 따른 별도의 자재비가 소요되고, 또한 패들(1)의 하부에 히트-싱크(3)를 부착하는 공정이 필수적이고 필요하므로 그에 따른 생산비용이 상승되는 문제점이 있었다.

이를 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 열방출 기구인 히트-싱크의 설치를 배제함으로써 자재비용이 절감되고, 다운 셋팅시 패들의 연장면을 패키지의 하부에 설치되도록 하여 열방출경로가 되도록 함으로써 히트-싱크의 설치공정이 배제되는데 따른 생산비가 절감되는 반도체 패키지를 제공함에 있다.

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 패들의 상부에 반도체 칩이 부착되어 있고, 그 반도체 칩의 상부에 형성된 칩 패드와 리드 프레임의 인너 리드가 금속 와이어로 연결되어 있으며, 상기 반도체 칩과 인너 리드를 포함하는 일정면적이 에폭시로 몰딩되는 이엠시로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 패들을 연장형성 하고, 그 연장형성된 패들이 이엠시의 하면에 설치되도록 하여 패키지 작동시 외부로의 열방출 경로가 되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되어 있는 반도체 패키지를 첨부된 도면에 의거하여 보다 상세히 설명한다.

제3도는 본 발명에 의한 반도체 패키지의 구성을 보인 종단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 패키지는 패들(10)의 상부에 반도체 칩(11) 부착되고, 그 반도체 칩(11)의 상부에 형성되어 있는 칩 패드(11a)와 리드 프레임(12)의 인너 리드(12a)가 금속 와이어(13)로 접속되어 있으며, 상기 반도체 칩(11)과 인너 리드(12a)를 포함하는 일정면적이 에폭시로 모링되는 이엠시(14)로 구성되어 있는 기본 구조는 종래와 동일하다.

여기서, 본 발명은 상기 패들(10)을 반도체 칩(11)이 부착되는 면보다 넓게 연장형성하고, 그 연장면이 이엠시(14)의 하면에 설치되도록 다운 셋팅하여 외부로 노출이 되도록 함으로써 패키지 작동시 열방출의 경로가 되는 구조로 되어 있는 것이다.

도면중 미설명부호 12b는 아웃 리드이다.

상기와 같은 본 발명은 패들(10)의 상부에 반도체 칩을 부착하는 다이 본딩 공정과, 상기 반도체 칩(11)이 부착되어 있는 패들(10)을 인너 리드(12a)면보다 낮게 내리는 동시에 패들(10)의 연장면을 이엠시의 하면에 설치되도록 낮게 내리는 다운 셋팅 공정과, 상기 반도체 칩(11)의 칩 패드(11a)와 리드 프레임(12)의 인너 리드(12a)를 금속 와이어(13)로 연결하여 외부로의 전기적인 접속경로를 이루도록 하는 와이어 본딩 공정과, 상기 반도체 칩(11)과 인너 리드(12a)를 포함하는 일정면적을 에폭시로 몰딩하는 몰딩 공정과, 마지막으로 댐바 제거 및 트리밍/포밍의 공정의 순서로 제조되는 것이다.

이와 같이 제조되는 반도체 패키지는 연장형성된 패들(10)이 제4도에 도시된 바와 같이 반도체 패키지의 하면에 노출되어 있어 패키지가 작동시 외부로의 열방출 경로가 되는 것이다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 반도체 패키지는 반도체 칩이 부착되는 패들을 연장형성하고, 그 패들의 연장면을 다운 셋팅시 패키지의 몸체인 이엠시의 하며에 오도록 설치하여, 패키지가 작동시 외부로의 열방출 경로가 되도록 함으로써 조앨 열방출 기구로 사용하던 히트-싱크의 설치를 배제하는 데 따른 생산비용의 절감효과를 있는 것이다.

Claims (1)

1. 패들의 상부에 반도체 칩이 부착되어 있고, 그 반도체 칩의 상부에 형성된 칩 패드와 리드 프레임의 인너 리드가 금속 와이어로 연결되어 있으며, 상기 반도체 칩과 인너 리드를 포함하는 일정면적이 에폭시로 몰딩되는 이엠시로 구성되어 있는 반도체 패키지에 있어서, 상기 패들을 연장형성하고, 그 연장형성된 패들이 이엠시의 하면에 설치되도록 하여 패키지 작동시 외부로의 열방출 경로가 되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.