JPH05190709A - マルチチップパッケージ - Google Patents
マルチチップパッケージInfo
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- JPH05190709A JPH05190709A JP4024747A JP2474792A JPH05190709A JP H05190709 A JPH05190709 A JP H05190709A JP 4024747 A JP4024747 A JP 4024747A JP 2474792 A JP2474792 A JP 2474792A JP H05190709 A JPH05190709 A JP H05190709A
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- gold wire
- molding
- gel
- wire
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド時、モールド樹脂の液圧により金線
が切れるのを防ぐ。 【構成】 モールド前にIC2及び金線6をゲル状の樹
脂7で覆って保護した。
が切れるのを防ぐ。 【構成】 モールド前にIC2及び金線6をゲル状の樹
脂7で覆って保護した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、マルチチップパッケ
ージにおいて樹脂封止されるIC及び金線の保護対策に
関するものである。
ージにおいて樹脂封止されるIC及び金線の保護対策に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3、図4はマルチチップパッケージを
示すもので、図において、1はリードフレーム、2はI
C、3はチップ抵抗、4はパワーTr、5はAl線、6は金
線、7はモールド樹脂である。
示すもので、図において、1はリードフレーム、2はI
C、3はチップ抵抗、4はパワーTr、5はAl線、6は金
線、7はモールド樹脂である。
【0003】ここで、パワーTr4は、その電流容量を考
慮して比較的太い(例えば300μmφ)Al線5で接続
されており、従って樹脂モールド時の液圧によるワイヤ
ー倒れや、ワイヤー切れが発生することは無いが、同一
パッケージに搭載されて、同一の樹脂モールド液圧が加
わるところのIC2の金線6(例えば30μmφ)は、
その危険性が大である。従って、樹脂モールド液圧を金
線6の耐久力に合わせて小さくする必要があり、このた
めモールド樹脂7がパッケージ全体に行きわたらない等
のおそれがある。
慮して比較的太い(例えば300μmφ)Al線5で接続
されており、従って樹脂モールド時の液圧によるワイヤ
ー倒れや、ワイヤー切れが発生することは無いが、同一
パッケージに搭載されて、同一の樹脂モールド液圧が加
わるところのIC2の金線6(例えば30μmφ)は、
その危険性が大である。従って、樹脂モールド液圧を金
線6の耐久力に合わせて小さくする必要があり、このた
めモールド樹脂7がパッケージ全体に行きわたらない等
のおそれがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のマルチチップパ
ッケージは以上のように構成されているので、樹脂モー
ルド時にモールド樹脂の液圧により金線が切れることが
あるなどの問題点があった。
ッケージは以上のように構成されているので、樹脂モー
ルド時にモールド樹脂の液圧により金線が切れることが
あるなどの問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、金線が切れるのを防いだマルチ
チップパッケージを得ることを目的とする。
ためになされたもので、金線が切れるのを防いだマルチ
チップパッケージを得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマルチチ
ップパッケージは、モールド前の状態においてICと金
線をゲル状の樹脂で保護したものである。
ップパッケージは、モールド前の状態においてICと金
線をゲル状の樹脂で保護したものである。
【0007】
【作用】この発明においては、ICと金線をゲル状の樹
脂で保護することにより、モールド時の液圧により金線
の切れるのを防ぐことができる。
脂で保護することにより、モールド時の液圧により金線
の切れるのを防ぐことができる。
【0008】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1、図2において、1〜7は上記従
来例と同様のものであり、8はIC2と金線6を保護す
るように覆ったゲル状の樹脂で、モールド時、金線が切
れるのを防いでいる。
ついて説明する。図1、図2において、1〜7は上記従
来例と同様のものであり、8はIC2と金線6を保護す
るように覆ったゲル状の樹脂で、モールド時、金線が切
れるのを防いでいる。
【0009】以上のようにして、IC2及び金線6を予
めゲル状の樹脂8で保護したので、モールド時にモール
ド樹脂7の液圧によって金線が切れるのを防ぐことがで
きる。
めゲル状の樹脂8で保護したので、モールド時にモール
ド樹脂7の液圧によって金線が切れるのを防ぐことがで
きる。
【0010】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ゲル状
樹脂によってIC及び金線を保護したので、モールド
時、モールド樹脂の液圧による金線の切れるのを防ぐ効
果がある。
樹脂によってIC及び金線を保護したので、モールド
時、モールド樹脂の液圧による金線の切れるのを防ぐ効
果がある。
【図1】この発明の一実施例によるマルチチップパッケ
ージの上面図である。
ージの上面図である。
【図2】図1の断面図である。
【図3】従来のマルチチップパッケージの上面図であ
る。
る。
【図4】図3の断面図である。
1 リードフレーム 2 IC 3 チップ抵抗 4 パワーTr 5 Alワイヤ 6 金線 7 モールド樹脂 8 ゲル状の樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも2個以上の半導体チ
ップが搭載され、樹脂封止されるマルチチップパッケー
ジにおいて、上記基板上の半導体チップのうち比較的細
い金属線で接続されている半導体チップが搭載されてい
る部位に上記半導体チップと金属線とを覆って保護する
ゲル状の樹脂が施されていることを特徴とするマルチチ
ップパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4024747A JPH05190709A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | マルチチップパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4024747A JPH05190709A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | マルチチップパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05190709A true JPH05190709A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12146741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4024747A Pending JPH05190709A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | マルチチップパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05190709A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273570A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
CN113707563A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-26 | 深圳群芯微电子有限责任公司 | 一种高集成度的集成电路封装装置及其使用方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4024747A patent/JPH05190709A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273570A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
CN113707563A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-26 | 深圳群芯微电子有限责任公司 | 一种高集成度的集成电路封装装置及其使用方法 |
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