JPH0422159A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発胡は、半導体集積回路装置およびその製造技術に関
し、特に樹脂封止形ＬＳＩパッケージの熱抵抗の低減に
適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体集積回路装置の高集積化、高速化に伴って半導体
チップに供給する電力量が増大するととに、チップのサ
イズも大形化しているため、動作時にチップから発生す
る熱量が著しく増大しつつある。そのため、上記チップ
を封止したＬＳＩパッケージを基板に実装するに際して
は、チップから発生する熱を如何に効率良くパッケージ
の外部に逃がすかが重要な対策となる。

ＬＳＩパッケージの放熱対策の一つに、リードフレーム
のタブ（グイバット部）を大形化し、その一部をＬＳＩ
パッケージの外部に延在させることによって、これを放
熱板として利用した低熱抵抗パッケージが知られている
。この低熱抵抗パッケージについては、技研情報センタ
ー　１９９０年１月１７日発行の’９（ＩＶＬｓＩパッ
ケージの最新動向とその設計技術」Ｐｌｌに記載されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記した低熱抵抗パッケージは、リードフレ
ームのタブを通常のサイズよりも大形に形成する必要が
あるため、専用のリードフレームを製造しなければなら
ない。また、パッケージ本体をモールドした後にリード
フレームを切断したり、リードを成形したりする際も、
タブの一部がパッケージの外部に延在しているため、従
来の工程を大幅に変更しなければならない。このような
理由から、上記低熱抵抗パッケージは、その製造コスト
が高くなってしまうという欠点があった。

本発明は上記した問題点に着目してなされたものであり
、その目的は熱抵抗の低い樹脂封止形ＬＳＩパッケージ
を安価に提供することのできる技術を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本願の一発明は、リードフレームのタブに搭載した半導
体チップを樹脂封止した後、パッケージ本体の外部に延
在するリードを前記リードフレームから切断する際に、
前記リードフレームの枠部を切断、除去することなく残
しておき、これを放熱板として利用する樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージである。

〔作用〕

上記した手段によれば、低熱抵抗の樹脂封止形ＬＳＩパ
ッケージを製造する際、従来のリードフレームを設計変
更することなくそのまま利用し、かつパッケージ本体を
モールドした後のリードフレーム切断工程やリード成形
工程を大幅に変更することもないので、低熱抵抗の樹脂
封止形ＬＳＩパッケージを安価に提供することができる
。

〔実施例〕

第１図は、本実施例の樹脂封止形ＬＳＩパッケージの斜
視図、第２図は、第１図の■−Ｈ線における断面図であ
る。

本実施例の樹脂封止形ＬＳＩパッケージは、ビン挿入形
ＬＳＩパッケージの一種のＤ　Ｉ　Ｐ　（’ＤｕａｌＩ
ｎ−１ｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）　ｌである。ＤＩＰＩ
のパッケージ本体２は、例えばシリコンフィラーを充填
したエポキシ系の樹脂をトランスファ・モールドしたも
のであり、その内部には所定の集積回路を形成した半導
体チップ３と、ＤＩＰＩの外部端子を構成するリード４
の一部とが封止されている。上記チップ３は、タブ５の
上面に接合されており、チップ３のポンディングパッド
６とリード４とは、Ａｕ、ＣｕまたはＡＡからなるボン
ディングワイヤ７を通じて電気的に接続されている。

上記ＤＩＰＩのパッケージ本体２の短辺側には、放熱板
８が設けられている。上記放熱板８は、タブ吊りリード
９を介してパッケージ本体２内のタブ５に接続されてい
る。すなわち、上記ＤＩＰＩは、動作時に半導体チップ
３から発生する熱の一部がタブ５、タブ吊りリード９を
通じて放熱板８に伝達されるようになっており、そのた
め、上記放熱板８を有しない従来のＤＩＰに比べて熱抵
抗の低いパッケージ構造となっている。

上記ＤＩＰＩを製造するには、まず第３図に示すような
リードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は
、公知のＤＩＰ用リードフレームであり、その中央部に
は半導体チップ３を搭載する矩形のタブ５が設けられて
いる。タブ５は、タブ吊りリード９を介してリードフレ
ーム１０の外枠部１１に接続されている。タブ５の周囲
には、多数本のリード４がタブ５の長辺に沿って配設さ
れている。リード４の中途部には、リード４を支持する
ダム１２が形成されている。ダム１２の両端部は、外枠
部１１に接続されている。リード４は、パッケージ本体
２の内部に封止される領域をインナーリード４ａ、外部
に露出する領域をアウターリード４ｂとそれぞれ称して
おり、アウターリード４ｂの一端側はリードフレーム１
０の内枠部１３に接続されている。上記タブ５、リード
４、タブ吊りリード９、ダム１２、外枠部１１および内
枠部１３の各部は、４２７０イあるいはＣｕｔどの導電
材料からなるフープ材をプレス加工してパターン形成さ
れる。上記リードフレーム１０は上記した各部によって
構成される単位フレームを一方向に複数個連設してなり
、外枠部１１には、リードフレーム１０を搬送する際の
ガイドとなるガイド孔１４が設けられている。

次に、常法に従って上記リードフレーム１０のタブ５上
に半導体チップ３を接合し、続いて半導体チップ３のポ
ンディングパッド６とリード４との間にボンディングワ
イヤ７を接続した後、第４図に示すように、パッケージ
本体２をモールドしてその内部に半導体チップ３を封止
する。

次に、第４図に示すＡ−Ａ’線に沿ってリードフレーム
１０をプレスで切断し、パッケージ本体２の外部に延在
するリード４を内枠部１３から切り離す。また、同時に
ダム１２をリード４から切り離す。このとき、従来技術
においては、同時に外枠部１１をパッケージ本体２の外
部に延在するタブ吊りリード９から切り離すが、本実施
例の製造方法では、上記外枠部１１をタブ吊りリード９
に接続したまま残しておき、これを放熱板８として利用
する。最後に、パッケージ本体２の外部に延在するリー
ド４を成形することにより、前記第１図に示すＤＩＰＩ
が完成する。

以上のような本実施例によれば、従来から使用されてい
るリードフレーム１０を設計変更することなくそのまま
利用してＤＩＰＩを製造することができる。また、パッ
ケージ本体２をモールドした後のリードフレーム１０の
切断工程やリード４を成形する工程も従来方式から大幅
に変更する必要がない。従って、低熱抵抗のＤＩＰＩを
安価に製造することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

前記実施例では、本発明をＤＩＰに適用した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、各種の
樹脂封止形ＬＳＩパッケージに広く適用することができ
る。例えばパッケージ本体０４辺からリードが延在して
いるＱ　Ｆ　Ｐ　（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇ
ｅ）　　に適用した場合には、パッケージ本体の４辺に
放熱板を備えた低熱抵抗ＱＦＰを安価に製造することが
できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

リードフレームのタブに搭載した半導体チップを樹脂封
止した後、パッケージ本体の外部に延在するリードを前
記リードフレームから切断する工程において、前記リー
ドフレームの枠部を切断、除去することなく残して応き
、これを放熱板として利用する本発明の半導体集積回路
装置の製造方法によれば、従来のリードフレームを設計
変更することなくそのまま利用し、かつパッケージ本体
成形後のリードフレーム切断工程やリード成形工程を大
幅に変更することなく低熱抵抗の樹脂封止形ＬＳＩパッ
ケージを製造することができるので、上記低熱抵抗の樹
脂封止形ＬＳＩパッケージを安価に製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の斜視図、 第２図は、第１図の■−■線における断面図、第３図は
、この半導体集積回路装置の製造方法において用いるリ
ードフレームの要部平面図、第４図は、この半導体集積
回路装置の製造方法の一部を示すリードフレームの平面
図である。 １・・・ＤＩＰ−，２・・・パッケージ本体、３・・・
半導体チップ、４・・・リード、４ａ・・・インナーリ
ード、４ｂ・・・アウターリード、５・・・タブ、６・
・・ポンディングパッド、７・・・ボンディングワイヤ
、８・・・放熱板、９・・・タブ吊りリード、１０・　
・・リードフレーム、１１・・・外枠部、１２・・・ダ
ム、１３・・・内枠部、１４・・・ガイド孔。 代理人　弁理士　筒　井　大　和

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを封止した樹脂封止形ＬＳＩパッケー
   ジの外部に、リードフレームの枠部によって構成された
   放熱板を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。 ２、リードフレームのタブに搭載した半導体チップを樹
   脂封止した後、パッケージ本体の外部に延在するリード
   を前記リードフレームから切断する工程において、前記
   リードフレームの枠部を切断、除去することなく残して
   おくことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
   置の製造方法。