JPH0888312A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0888312A JPH0888312A JP6244920A JP24492094A JPH0888312A JP H0888312 A JPH0888312 A JP H0888312A JP 6244920 A JP6244920 A JP 6244920A JP 24492094 A JP24492094 A JP 24492094A JP H0888312 A JPH0888312 A JP H0888312A
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- suspender
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢ方式樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
工程において、アイランドやＴＡＢテープのサスペンダ
が移動することのないようにする。 【構成】 ＩＣチップ５はアイランド２上に搭載され、
ＩＣチップ５とＬＦリード１間は、サスペンダ３に支持
されたＴＡＢリード４により接続され、全体は封止樹脂
７により封止されている。ここで、アイランド上面から
サスペンダ下面までの距離ＨM と、サスペンダ上面から
樹脂パッケージの上面までの距離ＨU と、アイランド下
面から樹脂パッケージの下面までの距離ＨL とはほぼ等
しくなされている。即ち、ＨM ≒ＨU ≒ＨL 。 【効果】 注入樹脂の流通経路が同等の抵抗をもつよう
になるので、樹脂は均等に流れ、サスペンダ等が移動す
ることはなくなる。
工程において、アイランドやＴＡＢテープのサスペンダ
が移動することのないようにする。 【構成】 ＩＣチップ５はアイランド２上に搭載され、
ＩＣチップ５とＬＦリード１間は、サスペンダ３に支持
されたＴＡＢリード４により接続され、全体は封止樹脂
７により封止されている。ここで、アイランド上面から
サスペンダ下面までの距離ＨM と、サスペンダ上面から
樹脂パッケージの上面までの距離ＨU と、アイランド下
面から樹脂パッケージの下面までの距離ＨL とはほぼ等
しくなされている。即ち、ＨM ≒ＨU ≒ＨL 。 【効果】 注入樹脂の流通経路が同等の抵抗をもつよう
になるので、樹脂は均等に流れ、サスペンダ等が移動す
ることはなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特にＴＡＢテープを用いて、ＩＣチップとリー
ドフレームのインナーリード間を接続し、モールド樹脂
にて封止してなる半導体装置に関するものである。
に関し、特にＴＡＢテープを用いて、ＩＣチップとリー
ドフレームのインナーリード間を接続し、モールド樹脂
にて封止してなる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従前の樹脂封止型半導体装置は、リード
フレームのアイランドにＩＣチップをダイボンドし、Ｉ
Ｃチップのボンディングパッドとリードフレームのイン
ナーリード間をボンディングワイヤにより接続した後、
モールド樹脂にて封止することにより製造されるもので
あった。
フレームのアイランドにＩＣチップをダイボンドし、Ｉ
Ｃチップのボンディングパッドとリードフレームのイン
ナーリード間をボンディングワイヤにより接続した後、
モールド樹脂にて封止することにより製造されるもので
あった。
【０００３】しかし、この方式では、ＩＣチップが高機
能化、大規模化してパッド数が増加し、パッドピッチが
狭くなった場合には、 パッド間間隔が狭くなることにより、ワイヤボンダ
ーのキャピラリ（あるいはウエッジ）と繋線済みのワイ
ヤとの接触が発生し、信頼性の高いボンディングが困難
になる、 ボンディング時間がパッド数の増加に比例して長期
化する、 等の問題が起こる。そこで、ＴＡＢ（Tape Automated B
onding）方式を利用してＩＣチップ−リードフレーム間
を接続するパッケージ方式が開発され、実用化されてき
ている。
能化、大規模化してパッド数が増加し、パッドピッチが
狭くなった場合には、 パッド間間隔が狭くなることにより、ワイヤボンダ
ーのキャピラリ（あるいはウエッジ）と繋線済みのワイ
ヤとの接触が発生し、信頼性の高いボンディングが困難
になる、 ボンディング時間がパッド数の増加に比例して長期
化する、 等の問題が起こる。そこで、ＴＡＢ（Tape Automated B
onding）方式を利用してＩＣチップ−リードフレーム間
を接続するパッケージ方式が開発され、実用化されてき
ている。
【０００４】図３（ａ）、（ｂ）は、この種従来のＴＡ
Ｂ方式樹脂封止型半導体装置の透視平面図と、透視断面
図である。図３に示されるように、ＩＣチップ５は、マ
ウント材６によりリードフレームのアイランド２上にダ
イボンディングされており、ＩＣチップ５の電極端子
と、パッケージ外周部に配置されたＬＦリード１間はテ
ープキャリアのサスペンダ３により支持されたＴＡＢリ
ード４により接続されている。すなわち、ＴＡＢリード
４のインナーリード部４ａはＩＣチップ５の電極端子と
接続され、そのアウターリード部４ｂは、ＬＦリード１
のインナーリード部１ａに接続されている。これら全体
は、ＬＦリード１のアウターリード部１ｂを除いて封止
樹脂７により封止されている。
Ｂ方式樹脂封止型半導体装置の透視平面図と、透視断面
図である。図３に示されるように、ＩＣチップ５は、マ
ウント材６によりリードフレームのアイランド２上にダ
イボンディングされており、ＩＣチップ５の電極端子
と、パッケージ外周部に配置されたＬＦリード１間はテ
ープキャリアのサスペンダ３により支持されたＴＡＢリ
ード４により接続されている。すなわち、ＴＡＢリード
４のインナーリード部４ａはＩＣチップ５の電極端子と
接続され、そのアウターリード部４ｂは、ＬＦリード１
のインナーリード部１ａに接続されている。これら全体
は、ＬＦリード１のアウターリード部１ｂを除いて封止
樹脂７により封止されている。
【０００５】このパッケージング方式によれば、ＩＣチ
ップ５に対するインナーリードボンディングが、ボンデ
ィングツールによる一括ボンディングによって可能であ
り、ボンダーのキャピラリやウエッジとワイヤとの干渉
を排除することができるため、多ピン、狭ピッチ化に対
応が可能である。また、電極パッド数が増加してもボン
ディング工数が増加することがないため、パッド数が増
加するほどワイヤボンディング方式に対する効率化のメ
リットが増加する。
ップ５に対するインナーリードボンディングが、ボンデ
ィングツールによる一括ボンディングによって可能であ
り、ボンダーのキャピラリやウエッジとワイヤとの干渉
を排除することができるため、多ピン、狭ピッチ化に対
応が可能である。また、電極パッド数が増加してもボン
ディング工数が増加することがないため、パッド数が増
加するほどワイヤボンディング方式に対する効率化のメ
リットが増加する。
【０００６】而して、従来のＴＡＢ方式樹脂封止型半導
体装置においては、アイランド２やサスペンダ３等のパ
ッケージ内における位置関係については格別の配慮はな
されてこなかった。そのため、パッケージ下面からアイ
ランド下面までの距離ＨL 、アイランド上面からサスペ
ンダ下面までの距離ＨM 、サスペンダ上面からパッケー
ジ上面までの距離ＨU の関係は、例えば、図示されるよ
うに、 ＨM ＞ＨU ＞ＨL となっていた。
体装置においては、アイランド２やサスペンダ３等のパ
ッケージ内における位置関係については格別の配慮はな
されてこなかった。そのため、パッケージ下面からアイ
ランド下面までの距離ＨL 、アイランド上面からサスペ
ンダ下面までの距離ＨM 、サスペンダ上面からパッケー
ジ上面までの距離ＨU の関係は、例えば、図示されるよ
うに、 ＨM ＞ＨU ＞ＨL となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＡＢ方式樹脂
封止型半導体装置においては、アイランド２やサスペン
ダ３等のパッケージ内における位置関係については格別
の配慮はなされてこなかったため、パッケージ内でのバ
ランスが悪く、トランスファモールド工程において、樹
脂の流動が均等に行われず、アイランドやサスペンダの
シフトを招いていた。以下、そのメカニズムについて説
明する。
封止型半導体装置においては、アイランド２やサスペン
ダ３等のパッケージ内における位置関係については格別
の配慮はなされてこなかったため、パッケージ内でのバ
ランスが悪く、トランスファモールド工程において、樹
脂の流動が均等に行われず、アイランドやサスペンダの
シフトを招いていた。以下、そのメカニズムについて説
明する。
【０００８】トランスファモールド工程において、キャ
ビティ内に注入（ここでは、図３（ｂ）の右側より樹脂
が注入されるものとする）された樹脂は、金型−アイ
ランド間、アイランド−サスペンダ間、サスペンダ
−金型間、の３つの流路を経て右端に達しキャビティ内
を満たす。この流動の過程において、例えば図３に示さ
れるように、アイランドとサスペンダが、 ＨM ＞ＨU ＞ＨL の関係をもって配置されているとき、上記流路の内、
が最も抵抗が低いため、ここでの樹脂流動が最も速くな
り、また、最も狭いの流路の樹脂流は最も遅くなる。
ビティ内に注入（ここでは、図３（ｂ）の右側より樹脂
が注入されるものとする）された樹脂は、金型−アイ
ランド間、アイランド−サスペンダ間、サスペンダ
−金型間、の３つの流路を経て右端に達しキャビティ内
を満たす。この流動の過程において、例えば図３に示さ
れるように、アイランドとサスペンダが、 ＨM ＞ＨU ＞ＨL の関係をもって配置されているとき、上記流路の内、
が最も抵抗が低いため、ここでの樹脂流動が最も速くな
り、また、最も狭いの流路の樹脂流は最も遅くなる。
【０００９】アイランドあるいはサスペンダの上下にお
いて樹脂の流速に差があるとき、アイランドやサスペン
ダには上下よりアンバランスな圧力が作用するようにな
る。そのため、樹脂注入の過程においてアイランドやサ
スペンダがシフトする。これらがキャビティ内でシフト
するとき、以下のような不具合が発生する。
いて樹脂の流速に差があるとき、アイランドやサスペン
ダには上下よりアンバランスな圧力が作用するようにな
る。そのため、樹脂注入の過程においてアイランドやサ
スペンダがシフトする。これらがキャビティ内でシフト
するとき、以下のような不具合が発生する。
【００１０】（ａ）ＴＡＢリード４間あるいはＴＡＢリ
ードとチップ間にショートが発生する。 （ｂ）アイランド２、サスペンダ３やＴＡＢリード４が
封止樹脂表面に露出する。また露出しないまでもその部
分の樹脂被覆が薄くなる。 （ｃ）封止後の樹脂収縮が不均一となり、ＩＣチップに
曲げ応力が作用するようになる。 （ｄ）パッケージに反りが発生しやすくなり、アウター
リードのコプラナリティ確保が困難になる。
ードとチップ間にショートが発生する。 （ｂ）アイランド２、サスペンダ３やＴＡＢリード４が
封止樹脂表面に露出する。また露出しないまでもその部
分の樹脂被覆が薄くなる。 （ｃ）封止後の樹脂収縮が不均一となり、ＩＣチップに
曲げ応力が作用するようになる。 （ｄ）パッケージに反りが発生しやすくなり、アウター
リードのコプラナリティ確保が困難になる。
【００１１】また、上述したアイランドのシフトはアイ
ランドが大きくなるほど起こりやすくなるため、アイラ
ンドサイズの大型化によって半導体装置の熱抵抗の低減
化を図ることができなかった。本発明は、以上の状況に
鑑みてなされたものであって、その目的とするところ
は、樹脂封止工程において、樹脂流動にアンバランスが
生じないようにして、アイランド、サスペンダ等の構成
要素のパッケージ内でのシフトが起こらないようにする
ことである。
ランドが大きくなるほど起こりやすくなるため、アイラ
ンドサイズの大型化によって半導体装置の熱抵抗の低減
化を図ることができなかった。本発明は、以上の状況に
鑑みてなされたものであって、その目的とするところ
は、樹脂封止工程において、樹脂流動にアンバランスが
生じないようにして、アイランド、サスペンダ等の構成
要素のパッケージ内でのシフトが起こらないようにする
ことである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームのアイランドにＩ
Ｃチップが搭載され、サスペンダに支持されたＴＡＢリ
ードのインナーリード部が前記ＩＣチップの電極に接続
され、そのアウターリード部がリードフレームのインナ
ーリード部に接続され、全体がモールド樹脂によって封
止されている樹脂封止型半導体装置において、アイラン
ド上面からサスペンダ下面までの距離ＨMがサスペンダ
上面からモールド樹脂の上面までの距離ＨU とほぼ等し
いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置、が提供され
る。
め、本発明によれば、リードフレームのアイランドにＩ
Ｃチップが搭載され、サスペンダに支持されたＴＡＢリ
ードのインナーリード部が前記ＩＣチップの電極に接続
され、そのアウターリード部がリードフレームのインナ
ーリード部に接続され、全体がモールド樹脂によって封
止されている樹脂封止型半導体装置において、アイラン
ド上面からサスペンダ下面までの距離ＨMがサスペンダ
上面からモールド樹脂の上面までの距離ＨU とほぼ等し
いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置、が提供され
る。
【００１３】また、好ましくは、アイランド上面からサ
スペンダ下面までの距離ＨM がアイランド下面からモー
ルド樹脂の下面までの距離ＨL とほぼ等しくなされる。
さらに、前記サスペンダの幅ＷS および奥行ＬS が、そ
れぞれ前記アイランドの幅ＷI および奥行ＬI にほぼ等
しくすることができる。
スペンダ下面までの距離ＨM がアイランド下面からモー
ルド樹脂の下面までの距離ＨL とほぼ等しくなされる。
さらに、前記サスペンダの幅ＷS および奥行ＬS が、そ
れぞれ前記アイランドの幅ＷI および奥行ＬI にほぼ等
しくすることができる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、（１）アイランド上面からサ
スペンダ下面までの距離ＨM がサスペンダ上面からモー
ルド樹脂の上面までの距離ＨU とほぼ等しくなされ、さ
らに、（２）ＨM がアイランド下面からモールド樹脂の
下面までの距離ＨL とほぼ等しくなされる。その結果、
トランスファモールド時に形成される３つの樹脂流路、
金型−アイランド間、アイランド−サスペンダ間、
サスペンダ−金型間、の断面積がほぼ等しくなり、そ
の抵抗がほぼ等しくなるため、ゲートよりキャビティ内
へ注入された樹脂は、それぞれの流路をほぼ等しい速さ
で進行する。したがって、サスペンダあるいはアイラン
ドでの上下の圧力差は生じなくなりサスペンダやアイラ
ンドのシフトは抑制される。また、サスペンダの幅ＷS
および奥行ＬS を、それぞれアイランドの幅ＷI および
奥行ＬI にほぼ等しくすることにより、アイランドを大
面積化することができるようになり、パッケージの熱抵
抗を低減化することができる。
スペンダ下面までの距離ＨM がサスペンダ上面からモー
ルド樹脂の上面までの距離ＨU とほぼ等しくなされ、さ
らに、（２）ＨM がアイランド下面からモールド樹脂の
下面までの距離ＨL とほぼ等しくなされる。その結果、
トランスファモールド時に形成される３つの樹脂流路、
金型−アイランド間、アイランド−サスペンダ間、
サスペンダ−金型間、の断面積がほぼ等しくなり、そ
の抵抗がほぼ等しくなるため、ゲートよりキャビティ内
へ注入された樹脂は、それぞれの流路をほぼ等しい速さ
で進行する。したがって、サスペンダあるいはアイラン
ドでの上下の圧力差は生じなくなりサスペンダやアイラ
ンドのシフトは抑制される。また、サスペンダの幅ＷS
および奥行ＬS を、それぞれアイランドの幅ＷI および
奥行ＬI にほぼ等しくすることにより、アイランドを大
面積化することができるようになり、パッケージの熱抵
抗を低減化することができる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実
施例の半導体装置の透視平面図と透視断面図である。図
１において、１は、リードフレームから切断・分離され
たＬＦリードであり、パッケージ内先端部がインナーリ
ード部１ａ、パッケージ外部がアウターリード部１ｂに
なされている。２は、吊りピン２ａによりリードフレー
ムのフレーム部に支持されていたアイランド、３は、テ
ープキャリアから切り離された、環状でポリイミド製の
サスペンダである。４は、サスペンダ３により支持され
たＴＡＢリードであり、サスペンダの内側部がインナー
リード部４ａに、またサスペンダの外側部がアウターリ
ード部４ｂになされている。５は、ＩＣチップであり、
Ａｇペースト等のマウント材６を介してアイランド２上
にマウントされている。７は、トランスファモールド法
により形成された、全体を封止する封止樹脂である。
て説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実
施例の半導体装置の透視平面図と透視断面図である。図
１において、１は、リードフレームから切断・分離され
たＬＦリードであり、パッケージ内先端部がインナーリ
ード部１ａ、パッケージ外部がアウターリード部１ｂに
なされている。２は、吊りピン２ａによりリードフレー
ムのフレーム部に支持されていたアイランド、３は、テ
ープキャリアから切り離された、環状でポリイミド製の
サスペンダである。４は、サスペンダ３により支持され
たＴＡＢリードであり、サスペンダの内側部がインナー
リード部４ａに、またサスペンダの外側部がアウターリ
ード部４ｂになされている。５は、ＩＣチップであり、
Ａｇペースト等のマウント材６を介してアイランド２上
にマウントされている。７は、トランスファモールド法
により形成された、全体を封止する封止樹脂である。
【００１６】本実施例において、図１（ｂ）に示すよう
に、パッケージ下面からアイランド下面までの距離をＨ
L 、アイランド上面からサスペンダ下面までの距離をＨ
M 、サスペンダ上面からパッケージ上面までの距離をＨ
U とするとき、 ＨU ≒ＨM ≒ＨL ・・・（１） の関係が成り立つようになされている。
に、パッケージ下面からアイランド下面までの距離をＨ
L 、アイランド上面からサスペンダ下面までの距離をＨ
M 、サスペンダ上面からパッケージ上面までの距離をＨ
U とするとき、 ＨU ≒ＨM ≒ＨL ・・・（１） の関係が成り立つようになされている。
【００１７】上記（１）式を満たすようにするには、Ｔ
ＡＢリード４のインナーリード部４ａおよびアウターリ
ード部４ｂの長さを調整するとともにＴＡＢリードのイ
ンナーボンディング時とアウターボンディング時にサス
ペンダの高さを調整し、さらにアイランド２のディンプ
ル量Ｄを適切に設定することにより可能である。トラン
スファモールド工程において、ＩＣチップ５の搭載され
たリードフレームは上下金型間に配置される。このと
き、上下金型によって形成されるキャビティのほぼ中央
にＩＣチップ５が配置されるようにする。そして、上下
ゲート方式にてキャビティ内に樹脂を注入する。上下ゲ
ート方式とは、リードフレームの上部分と下部分の双方
から樹脂を注入する方式である。
ＡＢリード４のインナーリード部４ａおよびアウターリ
ード部４ｂの長さを調整するとともにＴＡＢリードのイ
ンナーボンディング時とアウターボンディング時にサス
ペンダの高さを調整し、さらにアイランド２のディンプ
ル量Ｄを適切に設定することにより可能である。トラン
スファモールド工程において、ＩＣチップ５の搭載され
たリードフレームは上下金型間に配置される。このと
き、上下金型によって形成されるキャビティのほぼ中央
にＩＣチップ５が配置されるようにする。そして、上下
ゲート方式にてキャビティ内に樹脂を注入する。上下ゲ
ート方式とは、リードフレームの上部分と下部分の双方
から樹脂を注入する方式である。
【００１８】ＨM ≒ＨU になされたことにより、樹脂封
止工程時に、両樹脂流路における流動抵抗が均衡するこ
とから、サスペンダ上下での樹脂の流れが均等になり、
サスペンダのシフトが抑制される。また、ＨM ≒ＨL に
なされたことにより、同様の理由によりアイランドのシ
フトも抑制される。そのため、ＴＡＢリード間やＴＡＢ
リードとチップ間のショートが防止される。さらに、樹
脂が均等に充填されたことにより、封止後の樹脂収縮が
均等化されＩＣチップへの曲げ応力が残ることもなくな
る。また、パッケージの反りも低減されるため、アウタ
ーリードのコプラナリティが改善され、特に薄型のＱＦ
Ｐ等での表面実装時の不良発生を防止することができ
る。
止工程時に、両樹脂流路における流動抵抗が均衡するこ
とから、サスペンダ上下での樹脂の流れが均等になり、
サスペンダのシフトが抑制される。また、ＨM ≒ＨL に
なされたことにより、同様の理由によりアイランドのシ
フトも抑制される。そのため、ＴＡＢリード間やＴＡＢ
リードとチップ間のショートが防止される。さらに、樹
脂が均等に充填されたことにより、封止後の樹脂収縮が
均等化されＩＣチップへの曲げ応力が残ることもなくな
る。また、パッケージの反りも低減されるため、アウタ
ーリードのコプラナリティが改善され、特に薄型のＱＦ
Ｐ等での表面実装時の不良発生を防止することができ
る。
【００１９】図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実
施例の半導体装置の透視平面図と透視断面図である。図
２において、図１に示した第１の実施例の部分と対応す
る部分には同一の参照番号が付せられているので重複す
る説明は省略する。本実施例においても、パッケージ下
面からアイランド下面までの距離ＨL と、アイランド上
面からサスペンダ下面までの距離ＨM と、サスペンダ上
面からパッケージ上面までの距離ＨUとは、第１の実施
例の場合と同様にほぼ等しくなされている。
施例の半導体装置の透視平面図と透視断面図である。図
２において、図１に示した第１の実施例の部分と対応す
る部分には同一の参照番号が付せられているので重複す
る説明は省略する。本実施例においても、パッケージ下
面からアイランド下面までの距離ＨL と、アイランド上
面からサスペンダ下面までの距離ＨM と、サスペンダ上
面からパッケージ上面までの距離ＨUとは、第１の実施
例の場合と同様にほぼ等しくなされている。
【００２０】それに加え、本実施例においては、アイラ
ンド２の幅をＷI 、その奥行をＬIとし、サスペンダ４
の幅をＷS 、その奥行をＬS として、 ＷI ≒ＷS および ＬI ≒ＬS が成り立つようになされている。その結果、樹脂封止工
程における樹脂の流れは、第１の実施例の場合よりも一
層均等化され、第１の実施例の効果はより強化される。
ンド２の幅をＷI 、その奥行をＬIとし、サスペンダ４
の幅をＷS 、その奥行をＬS として、 ＷI ≒ＷS および ＬI ≒ＬS が成り立つようになされている。その結果、樹脂封止工
程における樹脂の流れは、第１の実施例の場合よりも一
層均等化され、第１の実施例の効果はより強化される。
【００２１】さらに、ＷI ≒ＷS 、ＬI ≒ＬS としたこ
とにより、アイランドの大面積化が可能となり、樹脂封
止型半導体装置の放熱性を向上させることができる。す
なわち、従来例で４９℃／Ｗであった熱抵抗を、本実施
例により２９℃／Ｗにまで低減化することができる。
とにより、アイランドの大面積化が可能となり、樹脂封
止型半導体装置の放熱性を向上させることができる。す
なわち、従来例で４９℃／Ｗであった熱抵抗を、本実施
例により２９℃／Ｗにまで低減化することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂封止時に樹脂がキャビティ内のサスペンダおよびア
イランドによって仕切られた、サスペンダ上、サスペン
ダ−アイランド間およびアイランド下の３つの空間をバ
ランスよく均等に充填されるため、サスペンダおよびア
イランド等のシフトを防止することができる。したがっ
て、本発明によれば、ＴＡＢリード間や、ＴＡＢリード
とチップとのショートを防止することができ、また封止
後にＩＣチップに曲げ応力が加わったり、パッケージに
反りが発生したりすることがすることがなくなる。その
ため、後工程でのアウターリード成形時のコプラナリテ
ィも大きく改善できる。また、サスペンダ等の部品がパ
ッケージ表面に露出したりその部分の樹脂被覆が薄くな
ったりすることがなくなり、製造歩留りを向上させ、製
品の信頼性を向上させることができる。さらに、アイラ
ンドを大面積化することもできるようになり、樹脂封止
型半導体装置の熱抵抗を低減化することができる。
樹脂封止時に樹脂がキャビティ内のサスペンダおよびア
イランドによって仕切られた、サスペンダ上、サスペン
ダ−アイランド間およびアイランド下の３つの空間をバ
ランスよく均等に充填されるため、サスペンダおよびア
イランド等のシフトを防止することができる。したがっ
て、本発明によれば、ＴＡＢリード間や、ＴＡＢリード
とチップとのショートを防止することができ、また封止
後にＩＣチップに曲げ応力が加わったり、パッケージに
反りが発生したりすることがすることがなくなる。その
ため、後工程でのアウターリード成形時のコプラナリテ
ィも大きく改善できる。また、サスペンダ等の部品がパ
ッケージ表面に露出したりその部分の樹脂被覆が薄くな
ったりすることがなくなり、製造歩留りを向上させ、製
品の信頼性を向上させることができる。さらに、アイラ
ンドを大面積化することもできるようになり、樹脂封止
型半導体装置の熱抵抗を低減化することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の透視平面図と透視断面
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例の透視平面図と透視断面
図。
図。
【図３】従来例の透視平面図と透視断面図。
１ ＬＦリード １ａ インナーリード部 １ｂ アウターリード部 ２ アイランド ２ａ 吊りピン ３ サスペンダ ４ ＴＡＢリード ４ａ インナーリード部 ４ｂ アウターリード部 ５ ＩＣチップ ６ マウント材 ７ 封止樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームのアイランドにＩＣチッ
プが搭載され、サスペンダに支持されたＴＡＢリードの
インナーリード部が前記ＩＣチップの電極に接続され、
そのアウターリード部がリードフレームのインナーリー
ド部に接続され、全体がモールド樹脂によって封止され
ている樹脂封止型半導体装置において、アイランド上面
からサスペンダ下面までの距離ＨM がサスペンダ上面か
ら樹脂パッケージの上面までの距離ＨU とほぼ等しいこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 アイランド上面からサスペンダ下面まで
の距離ＨM がアイランド下面から樹脂パッケージの下面
までの距離ＨL とほぼ等しいことを特徴とする請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記サスペンダの幅ＷS および奥行ＬS
が、それぞれ前記アイランドの幅ＷI および奥行ＬI に
ほぼ等しいことを特徴とする請求項１または２記載の樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6244920A JPH0888312A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
| KR1019950029997A KR0172020B1 (ko) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Tab 시스템의 플라스틱 봉지 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6244920A JPH0888312A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888312A true JPH0888312A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17125946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6244920A Pending JPH0888312A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888312A (ja) |
| KR (1) | KR0172020B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8170336B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus, image forming apparatus, image processing method and computer-readable recording medium |
| US8532725B2 (en) | 2007-02-09 | 2013-09-10 | American Superconductor Corporation | Parallel connected HTS utility device and method of using same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218129A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-08-27 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0661406A (ja) * | 1991-02-08 | 1994-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及びテ−プキャリア |
| JPH06177283A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6244920A patent/JPH0888312A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-14 KR KR1019950029997A patent/KR0172020B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661406A (ja) * | 1991-02-08 | 1994-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及びテ−プキャリア |
| JPH05218129A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-08-27 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH06177283A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8532725B2 (en) | 2007-02-09 | 2013-09-10 | American Superconductor Corporation | Parallel connected HTS utility device and method of using same |
| US8170336B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus, image forming apparatus, image processing method and computer-readable recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960012436A (ko) | 1996-04-20 |
| KR0172020B1 (ko) | 1999-02-01 |
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