JPH03270054A - 高周波高出力半導体装置 - Google Patents
高周波高出力半導体装置Info
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- JPH03270054A JPH03270054A JP2070123A JP7012390A JPH03270054A JP H03270054 A JPH03270054 A JP H03270054A JP 2070123 A JP2070123 A JP 2070123A JP 7012390 A JP7012390 A JP 7012390A JP H03270054 A JPH03270054 A JP H03270054A
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- Japan
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- package
- impedance matching
- matching circuit
- layer ceramic
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用針！ｆ１
本発明は、高周波高出力半導体装置に関し、特にインピ
ーダンス整合用回路を内蔵する高周波高出力半導体装置
に関する。
ーダンス整合用回路を内蔵する高周波高出力半導体装置
に関する。
［従来の技術］
従来、この種のインピーダンス整合用回路を内蔵する高
周波高出力半導体装置は、側壁を周縁にもつ箱型のパッ
ケージ内に、半導体素子の他にインピーダンス整合用回
路基板、インピーダンス整合用チップコンデンサを内蔵
する構造となっていた。
周波高出力半導体装置は、側壁を周縁にもつ箱型のパッ
ケージ内に、半導体素子の他にインピーダンス整合用回
路基板、インピーダンス整合用チップコンデンサを内蔵
する構造となっていた。
その１例を第２図に示す。この断面図に示すように、放
熱用金属板２１がパッケージのベースになっていて、こ
の周縁に外部リード２３が貫通するリード絶縁用ガラス
部分２４を設けた筒枠状の側壁２２が融着されている。
熱用金属板２１がパッケージのベースになっていて、こ
の周縁に外部リード２３が貫通するリード絶縁用ガラス
部分２４を設けた筒枠状の側壁２２が融着されている。
放熱用金属板２１上に、半導体素子２５．インピーダン
ス整合用回路基板２６．インピーダンス整合用チップコ
ンデンサ２７を融着して、内部結線を図に示すようにワ
イヤでなした後、キャップ２８を側壁２２に封止するこ
とで半導体装置を完成していた。
ス整合用回路基板２６．インピーダンス整合用チップコ
ンデンサ２７を融着して、内部結線を図に示すようにワ
イヤでなした後、キャップ２８を側壁２２に封止するこ
とで半導体装置を完成していた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の高周波高出力半導体装置は、インピーダ
ンス整合用回路基板とパッケージ本体とは別個に形成さ
れており、またパッケージの側壁部材も必要となり、半
導体装置を構成する部品の点数が多く、組立工程が複雑
でコスト高となってしまう欠点があった。
ンス整合用回路基板とパッケージ本体とは別個に形成さ
れており、またパッケージの側壁部材も必要となり、半
導体装置を構成する部品の点数が多く、組立工程が複雑
でコスト高となってしまう欠点があった。
［課題を解決するための手段］
本発明による高周波高出力半導体装置は、上記課題を解
決するためになされたもので、半導体素子が融着される
放熱用金属板に、パッケージベースとなる単層セラミッ
ク板が接着され、前記単層セラミ・ｌり板の周縁にパッ
ケージキャップを封着したパッケージ構造を有し、前記
単層セラミック板のパッケージ内にある部分の表面に、
インピーダンス整合用回路を設け、このインピーダンス
整合用回路を含めてパッケージ内の内部結線がなされる
とともに、前記単層セラミック板の裏面から引出される
外部リード線と前記内部結線との接続が前記単層セラミ
ック板を貫通してなされるようにしたものである。
決するためになされたもので、半導体素子が融着される
放熱用金属板に、パッケージベースとなる単層セラミッ
ク板が接着され、前記単層セラミ・ｌり板の周縁にパッ
ケージキャップを封着したパッケージ構造を有し、前記
単層セラミック板のパッケージ内にある部分の表面に、
インピーダンス整合用回路を設け、このインピーダンス
整合用回路を含めてパッケージ内の内部結線がなされる
とともに、前記単層セラミック板の裏面から引出される
外部リード線と前記内部結線との接続が前記単層セラミ
ック板を貫通してなされるようにしたものである。
ｆ 作 用 Ｊ
単層セラミック板は、その表面にインピーダンス整合用
回路を設けであるが、同時にパッケージのベースになっ
ている。インピーダンス整合用回路、放熱用金属板は一
体にあらかじめ用意しておく。この単層セラミック板の
周縁にパッケージキャップを封着し、外部リード線は単
層セラミック板の裏面から引出される。このパッケージ
構造により、従来の、絶縁用ガラスを貫通した外部リー
ド線を取りつけたパッケージ側壁は不要となり、封止用
部品としては簡単なパッケージのみで充分となる。
回路を設けであるが、同時にパッケージのベースになっ
ている。インピーダンス整合用回路、放熱用金属板は一
体にあらかじめ用意しておく。この単層セラミック板の
周縁にパッケージキャップを封着し、外部リード線は単
層セラミック板の裏面から引出される。このパッケージ
構造により、従来の、絶縁用ガラスを貫通した外部リー
ド線を取りつけたパッケージ側壁は不要となり、封止用
部品としては簡単なパッケージのみで充分となる。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図はこの実施例の縦断面図である。放熱用金属
板１２にはパッケージベースを構成する単層セラミック
基板１３が接合されてあり、単層セラミック基板１３の
一部にはインピーダンス整合用回路１３ａが形成されて
いる。そしてインピーダンス整合用回路１３ａは４電材
で充填された貫通孔１３ｂを介して、単層セラミック基
板１３の裏面の導電部材１３ｃに接続されている。外部
リードＩ４はこの導電部材１３ｃに半田付けすることで
外部に引出されるが、内部結線との接続が貫通孔１３ｂ
、導電部材１３ｃを介してとられる。
る。第１図はこの実施例の縦断面図である。放熱用金属
板１２にはパッケージベースを構成する単層セラミック
基板１３が接合されてあり、単層セラミック基板１３の
一部にはインピーダンス整合用回路１３ａが形成されて
いる。そしてインピーダンス整合用回路１３ａは４電材
で充填された貫通孔１３ｂを介して、単層セラミック基
板１３の裏面の導電部材１３ｃに接続されている。外部
リードＩ４はこの導電部材１３ｃに半田付けすることで
外部に引出されるが、内部結線との接続が貫通孔１３ｂ
、導電部材１３ｃを介してとられる。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明は単層セラミック基板にイ
ンピーダンス整合用回路を形成するととも番こ、この単
層セラミック基板をパッケージのベースとして用いてい
る。これによりパッケージＩｊＩ造を単純化し部品点数
をへらし、組立工程が簡単で製造コストの安い高周波高
出力半導体装置を提供できるという効果がある。
ンピーダンス整合用回路を形成するととも番こ、この単
層セラミック基板をパッケージのベースとして用いてい
る。これによりパッケージＩｊＩ造を単純化し部品点数
をへらし、組立工程が簡単で製造コストの安い高周波高
出力半導体装置を提供できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来例
の縦断面図である。 ＩＩ・・・半導体素子、 １２・・・放熱用金属板
、１３・・・単層セラミック基板、 １３ａ・・・インピーダンス整合用回路、＋３ｂ−・・
貫通孔、 １３ｃ・・−導電部材。 １４・・・外部リード、 １５・・・インピーダンス整合用チップコンデンサ。 １６・・・キャップ。
の縦断面図である。 ＩＩ・・・半導体素子、 １２・・・放熱用金属板
、１３・・・単層セラミック基板、 １３ａ・・・インピーダンス整合用回路、＋３ｂ−・・
貫通孔、 １３ｃ・・−導電部材。 １４・・・外部リード、 １５・・・インピーダンス整合用チップコンデンサ。 １６・・・キャップ。
Claims (1)
- 半導体素子が融着される放熱用金属板に、パッケージ
ベースとなる単層セラミック板が接着され、前記単層セ
ラミック板の周縁にパッケージキャップを封着したパッ
ケージ構造を有し、前記単層セラミック板のパッケージ
内にある部分の表面に、インピーダンス整合用回路を設
け、このインピーダンス整合用回路を含めてパッケージ
内の内部結線がなされるとともに、前記単層セラミック
板の裏面から引出される外部リード線と前記内部結線と
の接続が前記単層セラミック板を貫通してなされること
を特徴とする高周波高出力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070123A JPH03270054A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 高周波高出力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070123A JPH03270054A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 高周波高出力半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270054A true JPH03270054A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13422462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2070123A Pending JPH03270054A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 高周波高出力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270054A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251488A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ |
| JP2014175319A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波半導体モジュール |
| JP2016201576A (ja) * | 2016-09-05 | 2016-12-01 | 日本電信電話株式会社 | 高周波半導体モジュール |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2070123A patent/JPH03270054A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251488A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ |
| JP2014175319A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波半導体モジュール |
| JP2016201576A (ja) * | 2016-09-05 | 2016-12-01 | 日本電信電話株式会社 | 高周波半導体モジュール |
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