JPS6236290Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236290Y2 JPS6236290Y2 JP19648381U JP19648381U JPS6236290Y2 JP S6236290 Y2 JPS6236290 Y2 JP S6236290Y2 JP 19648381 U JP19648381 U JP 19648381U JP 19648381 U JP19648381 U JP 19648381U JP S6236290 Y2 JPS6236290 Y2 JP S6236290Y2
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- Japan
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- insulating substrate
- fixed
- external connection
- semiconductor element
- semiconductor device
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- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(1) 考案の技術分野
本考案は半導体装置に関し、特に高周波用半導
体装置の容器構造に関するものである。
体装置の容器構造に関するものである。
(2) 考案の背影
高周波半導体装置、例えばマイクロ液回路に適
用される半導体装置にあつては、当該半導体装置
と、これに接続される外部回路との電気的整合
（マツチング）を容易化するために、半導体素子
収容用容器部分のより小型化が図られつつある。
用される半導体装置にあつては、当該半導体装置
と、これに接続される外部回路との電気的整合
（マツチング）を容易化するために、半導体素子
収容用容器部分のより小型化が図られつつある。
(3) 従来技術と問題点
前記マイクロ液用半導体装置、特にマイクロ液
用トランジスタ装置の素子収容容器は、従来第１
図に示される構成を有している。同図ｂはａのＸ
−X′断面を示す。
用トランジスタ装置の素子収容容器は、従来第１
図に示される構成を有している。同図ｂはａのＸ
−X′断面を示す。
同図において、１１は例えば銅（Cu）から構
成され放熱体を兼ねる容器基体、１２は前記容器
基体１１上に固着された例えばアルミナセラミツ
クからなる絶縁基板、１３は前記絶縁基板１２上
に配設された例えばアルミナセラミツクからなる
絶縁物枠である。また、１４は、前記絶縁基板１
２のほぼ中央に設けられた開口１２を貫通する如
く突出された金属基体１１の突部１１′上に固着
された半導体素子である。
成され放熱体を兼ねる容器基体、１２は前記容器
基体１１上に固着された例えばアルミナセラミツ
クからなる絶縁基板、１３は前記絶縁基板１２上
に配設された例えばアルミナセラミツクからなる
絶縁物枠である。また、１４は、前記絶縁基板１
２のほぼ中央に設けられた開口１２を貫通する如
く突出された金属基体１１の突部１１′上に固着
された半導体素子である。
また、１５，１５′は、前記絶縁基板１２の表
面に形成された金属化層（メタシイズ層）１６，
１６′に対して前記絶縁物枠１３の外側におい
て、例えば銀３３等のろう材により固着された板
状外部接続端子であり、１７，１７′は前記半導
体素子１４の電極と前記金属化層１６，１６′と
をそれぞれ接続するリード細線である。
面に形成された金属化層（メタシイズ層）１６，
１６′に対して前記絶縁物枠１３の外側におい
て、例えば銀３３等のろう材により固着された板
状外部接続端子であり、１７，１７′は前記半導
体素子１４の電極と前記金属化層１６，１６′と
をそれぞれ接続するリード細線である。
更に、１８は前記絶縁物枠１３上に固着され半
導体素子１４を気密封止する蓋（キヤツプ）であ
り、１９は前記金属基体１１に設けられた外部取
付用穴である。
導体素子１４を気密封止する蓋（キヤツプ）であ
り、１９は前記金属基体１１に設けられた外部取
付用穴である。
ここで前記金属基体１１は、半導体素子１４の
接地電極を構成し、外部接続端子１５及び１５′
は、半導体素子１４の入力端子及び出力端子を構
成する。
接地電極を構成し、外部接続端子１５及び１５′
は、半導体素子１４の入力端子及び出力端子を構
成する。
このような半導体装置においては、前述の如く
外部回路との電気的整合を容易とするために、小
型化、特に入出力端子間の距離Ｌをより小とする
ことが要求される。
外部回路との電気的整合を容易とするために、小
型化、特に入出力端子間の距離Ｌをより小とする
ことが要求される。
かかる要求を満そうとして、一つに絶縁物枠１
３の小形化を図ろうとするが、これはリード線１
７，１７′の接続を実施するうえで限度があり、
また絶縁物枠１３の幅（肉厚）を狭く（薄く）す
ることは気密性を維持するうえで限度がある。
３の小形化を図ろうとするが、これはリード線１
７，１７′の接続を実施するうえで限度があり、
また絶縁物枠１３の幅（肉厚）を狭く（薄く）す
ることは気密性を維持するうえで限度がある。
このため、前記入出力端子間の距離Ｌを小とす
るためには、絶縁基板１２上における外部接続端
子１５，１５′の固着部分の距離ｌを小とするこ
とが必要であり且つまた有効な手段である。しか
しながら、このような構成によれば、外部接続端
子１５，１５′の固着面積が小さなため、該外部
接続端子１５，１５′の固着強度が低く、十分な
引張り強度を有することができない。
るためには、絶縁基板１２上における外部接続端
子１５，１５′の固着部分の距離ｌを小とするこ
とが必要であり且つまた有効な手段である。しか
しながら、このような構成によれば、外部接続端
子１５，１５′の固着面積が小さなため、該外部
接続端子１５，１５′の固着強度が低く、十分な
引張り強度を有することができない。
また、製造上のバラツキから該外部接続端子を
必要な固着面積をもつて固着することが更に困難
となる。
必要な固着面積をもつて固着することが更に困難
となる。
(4) 考案の目的
本考案は、このような従来の半導体装置におけ
る問題点を解決し、より小型化を図りながら外部
接続端子を十分な固着強度を有して固着すること
ができる半導体装置を提供しようとするものであ
る。
る問題点を解決し、より小型化を図りながら外部
接続端子を十分な固着強度を有して固着すること
ができる半導体装置を提供しようとするものであ
る。
(5) 考案の構成
このため、本考案によれば、絶縁基板と、前記
絶縁基板の表面に形成され一端に半導体素子の電
極が接続され他端に外部接続端子が固着される金
属化層と前記絶縁基板上に配設されて前記半導体
素子を囲む絶縁物枠とを有する半導体装置におい
て、前記外部接続リードの被固着部は略Ｌ字状と
されて前記絶縁基板表面と絶縁物枠とにおいて固
着されてなる半導体装置が提供される。
絶縁基板の表面に形成され一端に半導体素子の電
極が接続され他端に外部接続端子が固着される金
属化層と前記絶縁基板上に配設されて前記半導体
素子を囲む絶縁物枠とを有する半導体装置におい
て、前記外部接続リードの被固着部は略Ｌ字状と
されて前記絶縁基板表面と絶縁物枠とにおいて固
着されてなる半導体装置が提供される。
(6) 考案の実施例
以下本考案を実施例をもつて詳細に説明する。
第２図は、本考案による半導体装置の要部を示
す。同図ｂはａのＸ−X′断面である。
第２図は、本考案による半導体装置の要部を示
す。同図ｂはａのＸ−X′断面である。
同図において、２１は例えば銅（Cu）から構
成され放熱体を兼ねる容器本体、２２は前記容器
基体２１上に固着された例えばアルミナセラミツ
クからなる絶縁基板、２３は前記絶縁基板２２上
に配設された例えばアルミナセラミツクからなる
絶縁物枠である。また２４は、前記絶縁基板２２
のほぼ中央に設けられた開口２２′を貫通する如
く突出された金属基体２１の突部２１′上に固着
された半導体素子である。
成され放熱体を兼ねる容器本体、２２は前記容器
基体２１上に固着された例えばアルミナセラミツ
クからなる絶縁基板、２３は前記絶縁基板２２上
に配設された例えばアルミナセラミツクからなる
絶縁物枠である。また２４は、前記絶縁基板２２
のほぼ中央に設けられた開口２２′を貫通する如
く突出された金属基体２１の突部２１′上に固着
された半導体素子である。
また、２５，２５′は、前記絶縁基板１２の表
面に形成された金属化層（メタライズ層）２６，
２６′並びに前記絶縁物枠２３の外側面に形成さ
れた金属化層２７，２７′に対して、当該絶縁物
枠２３の外側において、例えば銀ろう等のろう材
により固着された板状外部接続端子であり、２
８，２８′は前記半導体素子１４の電極と前記金
属化層２６，２６′とをそれぞれ接続するリード
細線である。
面に形成された金属化層（メタライズ層）２６，
２６′並びに前記絶縁物枠２３の外側面に形成さ
れた金属化層２７，２７′に対して、当該絶縁物
枠２３の外側において、例えば銀ろう等のろう材
により固着された板状外部接続端子であり、２
８，２８′は前記半導体素子１４の電極と前記金
属化層２６，２６′とをそれぞれ接続するリード
細線である。
更に、２９は前記絶縁物枠２３上に固着され半
導体素子２４を気密封止する蓋（キヤツプ）であ
り、３０は前記金属基体２１に設けられた外部取
付用穴である。
導体素子２４を気密封止する蓋（キヤツプ）であ
り、３０は前記金属基体２１に設けられた外部取
付用穴である。
ここで、前記金属基体２１は半導体素子２４の
接地電極を構成し、外部接続端子２５及び２５′
は半導体素子２４の入力端子及び出力端子を構成
する。
接地電極を構成し、外部接続端子２５及び２５′
は半導体素子２４の入力端子及び出力端子を構成
する。
すなわち、本考案にあつては、外部接続端子２
５，２５′は、その固着部がＬ字状に曲げられ
て、該Ｌ字状部が当接する絶縁基板２２の表面の
金属化層２６，２６′並びに絶縁物枠２３の外側
面の金属化層２７，２７′において固着される。
したがつて、絶縁基板２２表面における固着面積
の低下を絶縁物枠２３への固着によつて補うこと
ができ、外部接続端子２５，２５′は十分な固着
面積、従つて十分な固着強度をもつて固着するこ
とができる。例えば、前記外部接続端子の幅を
0.5〔mm〕とし、金属化層２６，２６′及び２７，
２７′との接触長さをそれぞれ0.2〔mm〕とした場
合、矢印方向に１〔Kg〕以上の引張強度を有す
る。
５，２５′は、その固着部がＬ字状に曲げられ
て、該Ｌ字状部が当接する絶縁基板２２の表面の
金属化層２６，２６′並びに絶縁物枠２３の外側
面の金属化層２７，２７′において固着される。
したがつて、絶縁基板２２表面における固着面積
の低下を絶縁物枠２３への固着によつて補うこと
ができ、外部接続端子２５，２５′は十分な固着
面積、従つて十分な固着強度をもつて固着するこ
とができる。例えば、前記外部接続端子の幅を
0.5〔mm〕とし、金属化層２６，２６′及び２７，
２７′との接触長さをそれぞれ0.2〔mm〕とした場
合、矢印方向に１〔Kg〕以上の引張強度を有す
る。
(7) 考案の効果
以上のように、本考案によれば、半導体装置の
外部接続端子の固着強度を高めつつ、当該半導体
装置の小型化を行なうことができる。
外部接続端子の固着強度を高めつつ、当該半導体
装置の小型化を行なうことができる。
第１図は、従来の半導体装置の構造を示す平面
図及び断面図、第２図は、本考案による半導体装
置の構成を示す平面図及び断面図である。 図において、１１，２１……金属基体、１２，
２２……絶縁基板、１３，２３……絶縁物枠、１
４，２４……半導体素子、１５，１５′，２５，
２５′……外部接続端子、１６，１６′，２６，２
６′，２７，２７′……金属化層。
図及び断面図、第２図は、本考案による半導体装
置の構成を示す平面図及び断面図である。 図において、１１，２１……金属基体、１２，
２２……絶縁基板、１３，２３……絶縁物枠、１
４，２４……半導体素子、１５，１５′，２５，
２５′……外部接続端子、１６，１６′，２６，２
６′，２７，２７′……金属化層。
Claims (1)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に形成され一
端に半導体素子の電極が接続され他端に外部接続
端子が固着される金属化層と、前記絶縁基板上に
配設されて前記半導体素子を囲む絶縁物枠とを有
する半導体装置において、前記外部接続リードの
被固着部は略Ｌ字状とされて前記絶縁基板表面と
絶縁物枠とにおいて固着されてなることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19648381U JPS5899841U (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19648381U JPS5899841U (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899841U JPS5899841U (ja) | 1983-07-07 |
| JPS6236290Y2 true JPS6236290Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=30109723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19648381U Granted JPS5899841U (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899841U (ja) |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP19648381U patent/JPS5899841U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5899841U (ja) | 1983-07-07 |
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