JPH11251488A - セラミックパッケージ - Google Patents
セラミックパッケージInfo
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- JPH11251488A JPH11251488A JP10073585A JP7358598A JPH11251488A JP H11251488 A JPH11251488 A JP H11251488A JP 10073585 A JP10073585 A JP 10073585A JP 7358598 A JP7358598 A JP 7358598A JP H11251488 A JPH11251488 A JP H11251488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- component mounting
- ceramic substrate
- lead pad
- mounting portion
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの小型化を図ることができ，かつ
電気特性に優れたセラミックパッケージを提供する。 【解決手段】 セラミック基板３に設けた電子部品搭載
部３６と，電子部品搭載部の周囲に設けたキャップ接合
用のコバーリング１と，リード２を接合するためのリー
ドパッド５２と，電子部品搭載部に搭載される電子部品
６とリードパッド５２との間の電気的接続を行うための
導体パターン５及びビアホール５３とからなる。リード
パッド５２は，セラミック基板３におけるコバーリング
１を設けた側と反対側に設けられている。リードパッド
５２の内周端はコバーリング１の外周端よりも電子部品
搭載部３６に近い位置に設けられている。
電気特性に優れたセラミックパッケージを提供する。 【解決手段】 セラミック基板３に設けた電子部品搭載
部３６と，電子部品搭載部の周囲に設けたキャップ接合
用のコバーリング１と，リード２を接合するためのリー
ドパッド５２と，電子部品搭載部に搭載される電子部品
６とリードパッド５２との間の電気的接続を行うための
導体パターン５及びビアホール５３とからなる。リード
パッド５２は，セラミック基板３におけるコバーリング
１を設けた側と反対側に設けられている。リードパッド
５２の内周端はコバーリング１の外周端よりも電子部品
搭載部３６に近い位置に設けられている。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，リードを接合したセラミックパ
ッケージに関する。
ッケージに関する。
【０００２】
【従来技術】従来，セラミックパッケージとしては，例
えば，図７，図８に示すごとく，セラミック基板９３に
設けた凹状の電子部品搭載部９３６と，導体パターン９
５とを有するものがある。セラミック基板９３の上面に
は，セラミック枠９１１によりキャップ接合用のコバー
リング９１が設けられている。また，導体パターン９５
は，電子部品搭載部９３６の周縁からセラミック基板９
３の基板周縁まで延設されている。そして，導体パター
ン９５は，セラミック基板９３の基板周縁において，リ
ード９２を接合するための幅広のリードパッド９５２を
設けている。
えば，図７，図８に示すごとく，セラミック基板９３に
設けた凹状の電子部品搭載部９３６と，導体パターン９
５とを有するものがある。セラミック基板９３の上面に
は，セラミック枠９１１によりキャップ接合用のコバー
リング９１が設けられている。また，導体パターン９５
は，電子部品搭載部９３６の周縁からセラミック基板９
３の基板周縁まで延設されている。そして，導体パター
ン９５は，セラミック基板９３の基板周縁において，リ
ード９２を接合するための幅広のリードパッド９５２を
設けている。
【０００３】セラミック基板９３の下面には，電子部品
搭載部９３６の底部を覆うようにして，ヒートスラグ９
７が接合されている。電子部品搭載部９３６には，電子
部品９６が搭載されている。電子部品９６は，導体パタ
ーン９５とボンディングワイヤー９６１により電気的に
接続されている。電子部品搭載部９３６は，コバーリン
グ９１に接合されたキャップにより封止される。
搭載部９３６の底部を覆うようにして，ヒートスラグ９
７が接合されている。電子部品搭載部９３６には，電子
部品９６が搭載されている。電子部品９６は，導体パタ
ーン９５とボンディングワイヤー９６１により電気的に
接続されている。電子部品搭載部９３６は，コバーリン
グ９１に接合されたキャップにより封止される。
【０００４】近年，セラミックパッケージの小型化の傾
向の中，リードをセラミック基板９３の周縁部ではな
く，それよりも内方に接合して，セラミックパッケージ
を小さくすることが望まれている。
向の中，リードをセラミック基板９３の周縁部ではな
く，それよりも内方に接合して，セラミックパッケージ
を小さくすることが望まれている。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来のセ
ラミックパッケージにおいては，セラミック基板９３の
上面に設けたコバーリング９１が障害となり，リードパ
ッド９５２をコバーリング９１よりも内部に設けること
ができなかった。このため，リード９２の接合箇所が制
限され，セラミックパッケージの小型化が制約されてい
た。
ラミックパッケージにおいては，セラミック基板９３の
上面に設けたコバーリング９１が障害となり，リードパ
ッド９５２をコバーリング９１よりも内部に設けること
ができなかった。このため，リード９２の接合箇所が制
限され，セラミックパッケージの小型化が制約されてい
た。
【０００６】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，パッケージの小型化を図ることができる
セラミックパッケージを提供しようとするものである。
されたもので，パッケージの小型化を図ることができる
セラミックパッケージを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題の解決手段】本発明は，セラミック基板と，該セ
ラミック基板に設けた電子部品搭載部と，該電子部品搭
載部の周囲に設けたキャップ接合用のコバーリングと，
リードを接合するためのリードパッドと，上記電子部品
搭載部に搭載される電子部品と上記リードパッドとの間
の電気的接続を行うための導体回路とからなるセラミッ
クパッケージにおいて，上記リードパッドは，上記セラ
ミック基板における上記コバーリングを設けた側と反対
側に設けられ，かつ上記リードパッドの内周端は上記コ
バーリングの外周端よりも電子部品搭載部に近い位置に
設けられていることを特徴とするセラミックパッケージ
である。
ラミック基板に設けた電子部品搭載部と，該電子部品搭
載部の周囲に設けたキャップ接合用のコバーリングと，
リードを接合するためのリードパッドと，上記電子部品
搭載部に搭載される電子部品と上記リードパッドとの間
の電気的接続を行うための導体回路とからなるセラミッ
クパッケージにおいて，上記リードパッドは，上記セラ
ミック基板における上記コバーリングを設けた側と反対
側に設けられ，かつ上記リードパッドの内周端は上記コ
バーリングの外周端よりも電子部品搭載部に近い位置に
設けられていることを特徴とするセラミックパッケージ
である。
【０００８】本発明のセラミックパッケージには，セラ
ミック基板におけるコバーリングを設けた側と反対側に
リードパッドが設けられている。そのため，コバーリン
グに制約されることなく，リードパッドをセラミック基
板における電子部品搭載部に近い位置に設けることがで
きる。このため，リードパッドの内周端を，コバーリン
グの外周端よりも電子部品搭載部に近い部位に配置する
ことができ，パッケージサイズの小型化を図ることがで
きる。
ミック基板におけるコバーリングを設けた側と反対側に
リードパッドが設けられている。そのため，コバーリン
グに制約されることなく，リードパッドをセラミック基
板における電子部品搭載部に近い位置に設けることがで
きる。このため，リードパッドの内周端を，コバーリン
グの外周端よりも電子部品搭載部に近い部位に配置する
ことができ，パッケージサイズの小型化を図ることがで
きる。
【０００９】次に，本発明の詳細について説明する。リ
ードパッドは，セラミック基板におけるコバーリング接
合側と反対側に設けられている。リードパッドの内周端
は，コバーリングの外周端よりも電子部品搭載部に近い
部位に設けられている。リードパッドは，リードが接合
される部位であり，他の導体回路よりも若干幅広の形状
を有していることが多い。
ードパッドは，セラミック基板におけるコバーリング接
合側と反対側に設けられている。リードパッドの内周端
は，コバーリングの外周端よりも電子部品搭載部に近い
部位に設けられている。リードパッドは，リードが接合
される部位であり，他の導体回路よりも若干幅広の形状
を有していることが多い。
【００１０】上記セラミック基板は，単層又は複数層で
ある。上記セラミック基板は，例えば，セラミックス粉
を主成分とするグリーンシートを焼成した基板である。
上記電子部品搭載部とは，集積回路基板，半導体などの
電子部品が搭載される部位をいい，セラミック基板の表
面又は凹部に設けられている。
ある。上記セラミック基板は，例えば，セラミックス粉
を主成分とするグリーンシートを焼成した基板である。
上記電子部品搭載部とは，集積回路基板，半導体などの
電子部品が搭載される部位をいい，セラミック基板の表
面又は凹部に設けられている。
【００１１】上記導体パターンは，電子部品搭載部に搭
載した電子部品と電気の導出入を行うための導体回路を
いい，セラミック基板の表面又は内部に設けられてい
る。導体回路には，導体パターン，ビアホールなどの構
造のものがあり，これらは信号用，接地用，電源用など
に用いられる。
載した電子部品と電気の導出入を行うための導体回路を
いい，セラミック基板の表面又は内部に設けられてい
る。導体回路には，導体パターン，ビアホールなどの構
造のものがあり，これらは信号用，接地用，電源用など
に用いられる。
【００１２】導体パターンは，一般に，導電性のよい材
料，例えば銅，銀，パラジウムなどを用いて，めっき
法，印刷法，金属箔のエッチングなどにより形成され
る。ビアホールは，例えば，セラミック基板焼成前にパ
ンチング法により孔明けし，焼成した後に印刷法などに
より孔内に導体を充填して形成される。
料，例えば銅，銀，パラジウムなどを用いて，めっき
法，印刷法，金属箔のエッチングなどにより形成され
る。ビアホールは，例えば，セラミック基板焼成前にパ
ンチング法により孔明けし，焼成した後に印刷法などに
より孔内に導体を充填して形成される。
【００１３】コバーリングは，キャップを接合するため
の部材であり，一般に，電子部品搭載部の周囲を囲むよ
うに枠状に設けられている。キャップは，電子部品を搭
載した電子部品搭載部を封止して保護するための部材で
ある。
の部材であり，一般に，電子部品搭載部の周囲を囲むよ
うに枠状に設けられている。キャップは，電子部品を搭
載した電子部品搭載部を封止して保護するための部材で
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例に係るセラミックパッケージについ
て，図１〜図６を用いて説明する。本例のセラミックパ
ッケージは，図１に示すごとく，セラミック基板３と，
セラミック基板３に設けた凹状の電子部品搭載部３６及
び導体パターン５と，電子部品搭載部３６の周囲に設け
たキャップ接合用のコバーリング１とからなる。セラミ
ック基板３におけるコバーリング１を設けた側と反対側
には，リードパッド５２が設けられている。リードパッ
ド５２は，コバーリング１よりも電子部品搭載部３６側
に近い位置に設けられている。リードパッド５２とコバ
ーリング１の外周壁との間の距離Ｌは，約１．１ｍｍで
ある。リードパッド５２には，リード２がろう付けされ
ている。
て，図１〜図６を用いて説明する。本例のセラミックパ
ッケージは，図１に示すごとく，セラミック基板３と，
セラミック基板３に設けた凹状の電子部品搭載部３６及
び導体パターン５と，電子部品搭載部３６の周囲に設け
たキャップ接合用のコバーリング１とからなる。セラミ
ック基板３におけるコバーリング１を設けた側と反対側
には，リードパッド５２が設けられている。リードパッ
ド５２は，コバーリング１よりも電子部品搭載部３６側
に近い位置に設けられている。リードパッド５２とコバ
ーリング１の外周壁との間の距離Ｌは，約１．１ｍｍで
ある。リードパッド５２には，リード２がろう付けされ
ている。
【００１５】また，導体パターン５は，電子部品搭載部
３６の周囲にボンディングパッド５１を有している。ボ
ンディングパッド５１は，電子部品搭載部３６に搭載さ
れる電子部品とボンディングワイヤー６１で電気的に接
続される。ボンディングワイヤー６１の長さを短くして
電気特性を高めるために，電子部品搭載部３６は，電子
部品６の頭部がボンディングパッド５１とほぼ同じ高さ
に位置させる程度の深さを有する。
３６の周囲にボンディングパッド５１を有している。ボ
ンディングパッド５１は，電子部品搭載部３６に搭載さ
れる電子部品とボンディングワイヤー６１で電気的に接
続される。ボンディングワイヤー６１の長さを短くして
電気特性を高めるために，電子部品搭載部３６は，電子
部品６の頭部がボンディングパッド５１とほぼ同じ高さ
に位置させる程度の深さを有する。
【００１６】導体パターン５は，図２，図３に示すごと
く，電子部品へ信号を供給（ＩＮＰＵＴ）したり電子部
品から信号を取出す（ＯＵＴＰＵＴ）ための信号用パタ
ーン５ｓと，電子部品を接地するための接地用パターン
５ｇと，電子部品に電気を供給する（ＰＯＷＥＲ）ため
の電源用パターン５ｐとからなる。
く，電子部品へ信号を供給（ＩＮＰＵＴ）したり電子部
品から信号を取出す（ＯＵＴＰＵＴ）ための信号用パタ
ーン５ｓと，電子部品を接地するための接地用パターン
５ｇと，電子部品に電気を供給する（ＰＯＷＥＲ）ため
の電源用パターン５ｐとからなる。
【００１７】信号用パターン５ｓ，電源用パターン５ｐ
は，それぞれセラミック基板３の上面から信号用ビアホ
ール５３ｓ，５３ｐを通じて下面へ細帯状に続き，下面
に設けたリードパッド５２においてリード２に電気的に
接続している。接地用パターン５ｇは，セラミック基板
３の上面及び下面において，ほぼ全面に形成されてお
り，上面と下面のそれは接地用ビアホール５３ｇにより
電気的に接続されている。下面の接地用パターン５ｇ
は，リードパッド５２においてリード２に電気的に接続
されている。
は，それぞれセラミック基板３の上面から信号用ビアホ
ール５３ｓ，５３ｐを通じて下面へ細帯状に続き，下面
に設けたリードパッド５２においてリード２に電気的に
接続している。接地用パターン５ｇは，セラミック基板
３の上面及び下面において，ほぼ全面に形成されてお
り，上面と下面のそれは接地用ビアホール５３ｇにより
電気的に接続されている。下面の接地用パターン５ｇ
は，リードパッド５２においてリード２に電気的に接続
されている。
【００１８】図４に示すごとく，信号用パターン５ｓの
幅ｘは０．１２５ｍｍであり，周囲を囲む接地用パター
ン５ｇと０．１４ｍｍの絶縁間隔ｗを有している。ま
た，セラミック基板３の厚みｔは０．１５ｍｍであり，
その両面に設けた接地用パターン５ｇは該厚みｔと同一
間隔で隔離されている。そして，上記ｘ，ｗ，ｔは，信
号用パターン５ｓの特性インピーダンスは，５０Ωにな
るように調整されている。
幅ｘは０．１２５ｍｍであり，周囲を囲む接地用パター
ン５ｇと０．１４ｍｍの絶縁間隔ｗを有している。ま
た，セラミック基板３の厚みｔは０．１５ｍｍであり，
その両面に設けた接地用パターン５ｇは該厚みｔと同一
間隔で隔離されている。そして，上記ｘ，ｗ，ｔは，信
号用パターン５ｓの特性インピーダンスは，５０Ωにな
るように調整されている。
【００１９】また，図２，図５に示すごとく，セラミッ
ク基板３には，信号用パターン５ｓ，接地用パターン５
ｇとそれぞれ電気的に接続された，信号用ビアホール５
３ｓ，接地用ビアホール５３ｇを設けている。信号用ビ
アホール５３ｓと接地用ビアホール５３ｇとの距離ｚ
は，信号用ビアホール５３ｓの特性インピーダンスが５
０Ωになるように調整されている。
ク基板３には，信号用パターン５ｓ，接地用パターン５
ｇとそれぞれ電気的に接続された，信号用ビアホール５
３ｓ，接地用ビアホール５３ｇを設けている。信号用ビ
アホール５３ｓと接地用ビアホール５３ｇとの距離ｚ
は，信号用ビアホール５３ｓの特性インピーダンスが５
０Ωになるように調整されている。
【００２０】また，図１に示すごとく，セラミック基板
３の下面には，電子部品搭載部３６の底部を被覆するよ
うにヒートスラグ７が接着されている。ヒートスラグ７
は，銅とタングステンとからなる金属部材である。セラ
ミック基板３は，約７ｍｍ平方の正方形である。コバー
リング１は，セラミック基板３の外周側壁に沿って枠状
に接着されている。コバーリング１の幅は，約０．３ｍ
ｍである。
３の下面には，電子部品搭載部３６の底部を被覆するよ
うにヒートスラグ７が接着されている。ヒートスラグ７
は，銅とタングステンとからなる金属部材である。セラ
ミック基板３は，約７ｍｍ平方の正方形である。コバー
リング１は，セラミック基板３の外周側壁に沿って枠状
に接着されている。コバーリング１の幅は，約０．３ｍ
ｍである。
【００２１】セラミック基板３は，１枚のグリーンシー
ト，または複数枚のグリーンシートからなる積層体より
なり，これらは，ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3系ガラスとα−アルミナとよりなる混合物，ＰｂＯ
−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとα−アルミナまたはム
ライトよりなる混合物，或いはＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系結晶化ガラス等を用いている。
ト，または複数枚のグリーンシートからなる積層体より
なり，これらは，ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3系ガラスとα−アルミナとよりなる混合物，ＰｂＯ
−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとα−アルミナまたはム
ライトよりなる混合物，或いはＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系結晶化ガラス等を用いている。
【００２２】セラミック基板３の上面には上記コバーリ
ング１が接着されている。セラミック基板３の上面及び
下面には上記導体パターン５が，また内部には上記ビア
ホール５３が設けられている。導体パターン５は，Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ系などの導体が用いられている。ビアホ
ール５３には，Ａｇ−Ｐｄ系，Ｗ−Ｓｂ2 Ｏ3 系等の導
体が充填されている。
ング１が接着されている。セラミック基板３の上面及び
下面には上記導体パターン５が，また内部には上記ビア
ホール５３が設けられている。導体パターン５は，Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ系などの導体が用いられている。ビアホ
ール５３には，Ａｇ−Ｐｄ系，Ｗ−Ｓｂ2 Ｏ3 系等の導
体が充填されている。
【００２３】次に，本例の作用及び効果について説明す
る。本例のセラミックパッケージにおいては，図１，図
６（ａ）に示すごとく，コバーリング１を設けた側と反
対側にリードパッド５２が設けられている。そのため，
コバーリング１に制約されることなく，リードパッド５
２をセラミック基板３の電子部品搭載部３６側に近い位
置に設けることができる。
る。本例のセラミックパッケージにおいては，図１，図
６（ａ）に示すごとく，コバーリング１を設けた側と反
対側にリードパッド５２が設けられている。そのため，
コバーリング１に制約されることなく，リードパッド５
２をセラミック基板３の電子部品搭載部３６側に近い位
置に設けることができる。
【００２４】従って，本例のセラミックパッケージにお
いては，図６（ｂ）の比較例に示すコバーリング１の外
周にリードパッド５２の内周端を配置する場合よりも，
該内周端を電子部品搭載部３６に幅Ｓ分だけ近づけるこ
とができ，これにより，コバーリング１の外周に設けら
れるリードパッド５２の占有幅が減少し，パッケージの
小型化を図ることができる。なお，図６（ｂ）に示す符
号９１１はセラミック枠である。
いては，図６（ｂ）の比較例に示すコバーリング１の外
周にリードパッド５２の内周端を配置する場合よりも，
該内周端を電子部品搭載部３６に幅Ｓ分だけ近づけるこ
とができ，これにより，コバーリング１の外周に設けら
れるリードパッド５２の占有幅が減少し，パッケージの
小型化を図ることができる。なお，図６（ｂ）に示す符
号９１１はセラミック枠である。
【００２５】
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，パッケ
ージの小型化を図ることができ，かつ電気特性に優れた
セラミックパッケージを提供することができる。
ージの小型化を図ることができ，かつ電気特性に優れた
セラミックパッケージを提供することができる。
【図１】実施形態例１のセラミックパッケージの断面
図。
図。
【図２】実施形態例１のセラミックパッケージの平面
図。
図。
【図３】実施形態例１のセラミックパッケージの裏面
図。
図。
【図４】実施形態例１の信号回路，接地回路の配置状態
を示すためのセラミックパッケージの要部断面図。
を示すためのセラミックパッケージの要部断面図。
【図５】実施形態例１の信号用ビアホールと接地用ビア
ホールとの配置状態を示すためのセラミックパッケージ
の要部平面図。
ホールとの配置状態を示すためのセラミックパッケージ
の要部平面図。
【図６】実施形態例１（ａ）の作用及び効果を示すため
の，比較例（ｂ）との対比説明図。
の，比較例（ｂ）との対比説明図。
【図７】従来例のセラミックパッケージの平面図。
【図８】従来例のセラミックパッケージの断面図。
１．．．コバーリング， ２．．．リード， ３．．．セラミック基板， ３６．．．電子部品搭載部， ５．．．導体パターン， ５ｓ．．．信号用パターン， ５ｇ．．．接地用パターン， ５ｐ．．．電源用パターン， ５１．．．ボンディングパッド， ５２．．．リードパッド， ５３．．．ビアホール， ５３ｓ．．．信号用ビアホール， ５３ｇ．．．接地用ビアホール， ５３ｐ．．．電源用ビアホール， ６．．．電子部品， ６１．．．ボンディングワイヤー， ７．．．ヒートスラグ，
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック基板と，該セラミック基板に
設けた電子部品搭載部と，該電子部品搭載部の周囲に設
けたキャップ接合用のコバーリングと，リードを接合す
るためのリードパッドと，上記電子部品搭載部に搭載さ
れる電子部品と上記リードパッドとの間の電気的接続を
行うための導体回路とからなるセラミックパッケージに
おいて，上記リードパッドは，上記セラミック基板にお
ける上記コバーリングを設けた側と反対側に設けられ，
かつ上記リードパッドの内周端は上記コバーリングの外
周端よりも電子部品搭載部に近い位置に設けられている
ことを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073585A JPH11251488A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073585A JPH11251488A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | セラミックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251488A true JPH11251488A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13522542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10073585A Pending JPH11251488A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251488A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190540A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2004031822A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 高周波回路部品搭載用基板、高周波半導体パッケージ、およびそれらの実装構造 |
| JP2014175319A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波半導体モジュール |
| JP2016201576A (ja) * | 2016-09-05 | 2016-12-01 | 日本電信電話株式会社 | 高周波半導体モジュール |
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Citations (13)
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