JPS6125252Y2 - - Google Patents
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- JPS6125252Y2 JPS6125252Y2 JP8120180U JP8120180U JPS6125252Y2 JP S6125252 Y2 JPS6125252 Y2 JP S6125252Y2 JP 8120180 U JP8120180 U JP 8120180U JP 8120180 U JP8120180 U JP 8120180U JP S6125252 Y2 JPS6125252 Y2 JP S6125252Y2
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Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はパワートランジスタ用ステムなどに使
用される気密端子に関するものである。
用される気密端子に関するものである。
例えば、パワートランジスタ用ステムに使用さ
れる気密端子は第１図及び第２図に示すものが一
般的である。この第１図及び第２図に於て、１は
Fe製のステム基板、２，２はステム基板１に穿
設したリード封着孔、３はステム基板１の略中央
部に穿設した孔４に嵌合してロウ付けしたCu製
のヒートシンク部、５，５はステム基板１を放熱
器や外部機器に取付けるための取付孔である。
又、６，６はリード封着孔２，２を貫通してソー
ダ系のガラス７，７で封止されたFe−Ni合金の
リード線である。前記ヒートシンク部３はCu製
にすることにより、この上マウントされるパワー
トランジスタのペレツトの放熱性を良くし、又導
電性を良くして電流容量を大きくしている。
れる気密端子は第１図及び第２図に示すものが一
般的である。この第１図及び第２図に於て、１は
Fe製のステム基板、２，２はステム基板１に穿
設したリード封着孔、３はステム基板１の略中央
部に穿設した孔４に嵌合してロウ付けしたCu製
のヒートシンク部、５，５はステム基板１を放熱
器や外部機器に取付けるための取付孔である。
又、６，６はリード封着孔２，２を貫通してソー
ダ系のガラス７，７で封止されたFe−Ni合金の
リード線である。前記ヒートシンク部３はCu製
にすることにより、この上マウントされるパワー
トランジスタのペレツトの放熱性を良くし、又導
電性を良くして電流容量を大きくしている。
このようなヒートシンク部３によるトランジス
タのハイパワー化に比べ、リード線６，６は細
く、而もFe−Ni合金製であるため、リード線
６．６の電流容量が大きくとれず、結果的にトラ
ンジスタのハイパワー化が難しかつた。尚、リー
ド線６，６をCu製にして電流容量を大きくする
ことが可能だが、Cu製だとガラス７，７との熱
膨張係数が大きく相違して、ガラス封着界面で密
着不良を起し、気密性が極めて悪くなる問題点が
あつた。
タのハイパワー化に比べ、リード線６，６は細
く、而もFe−Ni合金製であるため、リード線
６．６の電流容量が大きくとれず、結果的にトラ
ンジスタのハイパワー化が難しかつた。尚、リー
ド線６，６をCu製にして電流容量を大きくする
ことが可能だが、Cu製だとガラス７，７との熱
膨張係数が大きく相違して、ガラス封着界面で密
着不良を起し、気密性が極めて悪くなる問題点が
あつた。
本考案は上記従来の問題点に鑑み、これを解決
したもので、リード線をCu製にし、このリード
線をFe−Ni合金等の中間金属環を介してステム
基板のリード封着孔にガラスで封止した気密端子
を提供する。以下、本考案の構成を各実施例でも
つて説明する。
したもので、リード線をCu製にし、このリード
線をFe−Ni合金等の中間金属環を介してステム
基板のリード封着孔にガラスで封止した気密端子
を提供する。以下、本考案の構成を各実施例でも
つて説明する。
例えば上記パワートランジスタ用ステムの気密
端子に適用した第１実施例を第３図に示すと、８
は金属外環の一例としてのFe製のステム基板、
９はCu製のヒートシンク部、１０はリード封着
孔、１１は取付孔、１２はリード封止用のソーダ
系のガラスで、以上は従来と同様でよい。本考案
はリード線１３をCu製にし、このリード線１３
の上端部周面に熱膨張係数がCuよりも小さい金
属、例えばFe−Ni合金のパイプ状中間金属環１
４を嵌挿してAgやNi−Ｐ合金のロウ材１６でロ
ウ付けし、一方この中間金属環１４をガラス１２
で封止する。このようにするとガラス封着界面に
密着不良を生じることがなく、ガラス１２にクラ
ツクが入る心配が完全に無くなる。尚、中間金属
環１４の内径d1と外径d2の比d2/d1は約２程度に
することができる。又、リード線１３の頂部を図
面では偏平に成形しているが、このようにする
と、リード線１３と中間金属環１４とのロウ材１
５による固着面積が増大して、ロウ付けの信頼性
が向上すると共に、リード線１３の頂部の面積が
増大するため、この頂部へのワイヤのボンデイン
グ作業が容易かつ確実になる利点がある。
端子に適用した第１実施例を第３図に示すと、８
は金属外環の一例としてのFe製のステム基板、
９はCu製のヒートシンク部、１０はリード封着
孔、１１は取付孔、１２はリード封止用のソーダ
系のガラスで、以上は従来と同様でよい。本考案
はリード線１３をCu製にし、このリード線１３
の上端部周面に熱膨張係数がCuよりも小さい金
属、例えばFe−Ni合金のパイプ状中間金属環１
４を嵌挿してAgやNi−Ｐ合金のロウ材１６でロ
ウ付けし、一方この中間金属環１４をガラス１２
で封止する。このようにするとガラス封着界面に
密着不良を生じることがなく、ガラス１２にクラ
ツクが入る心配が完全に無くなる。尚、中間金属
環１４の内径d1と外径d2の比d2/d1は約２程度に
することができる。又、リード線１３の頂部を図
面では偏平に成形しているが、このようにする
と、リード線１３と中間金属環１４とのロウ材１
５による固着面積が増大して、ロウ付けの信頼性
が向上すると共に、リード線１３の頂部の面積が
増大するため、この頂部へのワイヤのボンデイン
グ作業が容易かつ確実になる利点がある。
第５図の第２実施例は第１実施例の中間金属環
１４を変形したもので、この第２実施例は第６図
に示すように中間金属環１６を薄肉のパイプ部１
６ａと、このパイプ部１６ａの上端より内方に一
体に形成したフランジ部１６ｂとで形成する。そ
して、フランジ部１６ｂをCu製のリード線１３
に嵌挿してロウ材１５でロウ付けし、パイプ部１
６ａガラス１２で封止する。この場合、中間金属
環１６のパイプ部１６ａの内径d3と外径d4の比d
４／ｄ３は約1.4程度になるよう設定することがで
き、この中間金属環１６をプレス加工で製作する
ことが可能になり、第１実施例の中間金属環１４
の切削による加工に比べて加工が容易になり、コ
ストダウン化が図れる。又、第２実施例の場合、
リード線１３と中間金属環１６のパイプ部１６ａ
との間に空間ｍが形成されるため、ロウ材１５の
量が多過ぎた場合は余分なロウ材１５が前記空間
ｍに流れ込み、ガラス１２と中間金属環１６との
封止界面に流れてガラス封止強度が低下したりガ
ラスクラツク等が発生する心配がなくなる。
１４を変形したもので、この第２実施例は第６図
に示すように中間金属環１６を薄肉のパイプ部１
６ａと、このパイプ部１６ａの上端より内方に一
体に形成したフランジ部１６ｂとで形成する。そ
して、フランジ部１６ｂをCu製のリード線１３
に嵌挿してロウ材１５でロウ付けし、パイプ部１
６ａガラス１２で封止する。この場合、中間金属
環１６のパイプ部１６ａの内径d3と外径d4の比d
４／ｄ３は約1.4程度になるよう設定することがで
き、この中間金属環１６をプレス加工で製作する
ことが可能になり、第１実施例の中間金属環１４
の切削による加工に比べて加工が容易になり、コ
ストダウン化が図れる。又、第２実施例の場合、
リード線１３と中間金属環１６のパイプ部１６ａ
との間に空間ｍが形成されるため、ロウ材１５の
量が多過ぎた場合は余分なロウ材１５が前記空間
ｍに流れ込み、ガラス１２と中間金属環１６との
封止界面に流れてガラス封止強度が低下したりガ
ラスクラツク等が発生する心配がなくなる。
尚、本考案はパワートランジスタ用ステムの気
密端子に限らず、他の電子部品用の気密端子にも
十分に適用し得る。
密端子に限らず、他の電子部品用の気密端子にも
十分に適用し得る。
又、上記各実施例は、いずれもFe製の金属外
環のリード封着孔にソーダ系のガラスを介して
Fe−Ni合金製の中間金属環を封着した圧縮封止
型気密端子の場合について説明したが、中間金属
環の材質はFe−Cr合金やFe−Ni−Cr合金等であ
つてもよい。又、金属外環と中間金属環とをコバ
ール（Fe−Ni−Co合金）製とし、これらをコバ
ールと熱膨張係数が同程度であるホウケイ酸ガラ
スを介して封着した整合封止型気密端子であつて
もよい。
環のリード封着孔にソーダ系のガラスを介して
Fe−Ni合金製の中間金属環を封着した圧縮封止
型気密端子の場合について説明したが、中間金属
環の材質はFe−Cr合金やFe−Ni−Cr合金等であ
つてもよい。又、金属外環と中間金属環とをコバ
ール（Fe−Ni−Co合金）製とし、これらをコバ
ールと熱膨張係数が同程度であるホウケイ酸ガラ
スを介して封着した整合封止型気密端子であつて
もよい。
以上説明したように、本考案によればCu製の
リード線が使用できるため、電流容量が大きくと
れ、トランジスタ等のハイパワー化が容易にな
る。又、Cu製のリード線Fe−Ni合金等の中間金
属環を介してガラス封止したから、クリープを起
す心配がなく、シール性が良好になる。
リード線が使用できるため、電流容量が大きくと
れ、トランジスタ等のハイパワー化が容易にな
る。又、Cu製のリード線Fe−Ni合金等の中間金
属環を介してガラス封止したから、クリープを起
す心配がなく、シール性が良好になる。
更に、リード線の頂部を偏平に成形したので、
ロウ付けの信頼性が向上すると共に、頂部へワイ
ヤをボンデイングする場合は、ボンデイング作業
が容易かつ確実になる利点がある。
ロウ付けの信頼性が向上すると共に、頂部へワイ
ヤをボンデイングする場合は、ボンデイング作業
が容易かつ確実になる利点がある。
第１図は従来の気密端子（パワートランジスタ
用ステム）の一例を示す平面図、第２図は第１図
Ａ−Ａ線に沿う側断面図、第３図は本考案の第１
実施例を示す側断面図、第４図は第３図に示す中
間金属環の拡大斜視図、第５図は本考案の第２実
施例を示す側断面図、第６図は第５図に示す中間
金属環の拡大斜視図である。 ８……金属外環（ステム基板）、１０……リー
ド封着孔、１２……ガラス、１３……銅製のリー
ド線、１４，１６……中間金属環。
用ステム）の一例を示す平面図、第２図は第１図
Ａ−Ａ線に沿う側断面図、第３図は本考案の第１
実施例を示す側断面図、第４図は第３図に示す中
間金属環の拡大斜視図、第５図は本考案の第２実
施例を示す側断面図、第６図は第５図に示す中間
金属環の拡大斜視図である。 ８……金属外環（ステム基板）、１０……リー
ド封着孔、１２……ガラス、１３……銅製のリー
ド線、１４，１６……中間金属環。
Claims (1)
- 金属外環のリード封着孔に銅製でかつ頂部が偏
平状に成形されたリード線と、該リード線にロウ
付けされかつ熱膨張係数が銅よりも小さい中間金
属環を介してガラスで封止したことを特徴とする
気密端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8120180U JPS6125252Y2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8120180U JPS6125252Y2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS574235U JPS574235U (ja) | 1982-01-09 |
| JPS6125252Y2 true JPS6125252Y2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=29443608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8120180U Expired JPS6125252Y2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6125252Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118341B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1995-12-18 | 三菱電機株式会社 | 貫通端子 |
| JP6290154B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2018-03-07 | ショット日本株式会社 | 気密端子 |
| JPWO2023145008A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 |
-
1980
- 1980-06-10 JP JP8120180U patent/JPS6125252Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS574235U (ja) | 1982-01-09 |
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