JPH0341751A - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
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- JPH0341751A JPH0341751A JP17668889A JP17668889A JPH0341751A JP H0341751 A JPH0341751 A JP H0341751A JP 17668889 A JP17668889 A JP 17668889A JP 17668889 A JP17668889 A JP 17668889A JP H0341751 A JPH0341751 A JP H0341751A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用容器に関する。
従来、この種の半導体装置用容器は第５図に示すように
、例えばセラミック材より成る上面が平坦な柱状の半導
体装置用ケースＩＣの底面に外部リード端子２Ｃがロー
付は材３Ｃによりロー付けされており、このケースＩＣ
の上面には外部リード端子２０に電気的に接続された内
部電極メタライズ４ｃが構成され、所定の位置に半導体
ペレット５Ｃがマウントされ、半導体ペレット５Ｃと内
部電極メタライズ４Ｃとがボンディング線により接続さ
れている。
、例えばセラミック材より成る上面が平坦な柱状の半導
体装置用ケースＩＣの底面に外部リード端子２Ｃがロー
付は材３Ｃによりロー付けされており、このケースＩＣ
の上面には外部リード端子２０に電気的に接続された内
部電極メタライズ４ｃが構成され、所定の位置に半導体
ペレット５Ｃがマウントされ、半導体ペレット５Ｃと内
部電極メタライズ４Ｃとがボンディング線により接続さ
れている。
このケースＩＣのキャップ６ｃに結合すべき領域９Ｃに
アルミナ絶縁膜７ ｃが形成され、半導体ペレット５Ｃ
開に凹状キャップ６Ｃがその領ｊ！！！ｉ９Ｃに低融点
ガラス封止材８ｃにより接続される構造になっていた。
アルミナ絶縁膜７ ｃが形成され、半導体ペレット５Ｃ
開に凹状キャップ６Ｃがその領ｊ！！！ｉ９Ｃに低融点
ガラス封止材８ｃにより接続される構造になっていた。
しかしながら、上述した従来の半導体装置用容器は、キ
ャップ６Ｃとケース１ｃを封止材８ｃにて結合する場合
、接続領域９Ｃからキャップ６ｃにより容器外部に封止
材８ｃの一部が押し出され、押し出された封止材８ｃが
横方向に盛り上がり、突起物１１ｃとなり、また、封止
材８Ｃの量を少なくすると、ケースＩＣとキャップ６Ｃ
の気密性が保てなくなるという問題がある。
ャップ６Ｃとケース１ｃを封止材８ｃにて結合する場合
、接続領域９Ｃからキャップ６ｃにより容器外部に封止
材８ｃの一部が押し出され、押し出された封止材８ｃが
横方向に盛り上がり、突起物１１ｃとなり、また、封止
材８Ｃの量を少なくすると、ケースＩＣとキャップ６Ｃ
の気密性が保てなくなるという問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置用容器を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体装置用容器に対し、本発明は半導
体装置用ケースとキャップとを結合する場合、容器外へ
の封止材の突出を抑制させるという相違点を有する。
体装置用ケースとキャップとを結合する場合、容器外へ
の封止材の突出を抑制させるという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置用容
器は、半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有するものである。
器は、半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す拡大断面図である。
図において、平坦な六角柱状のセラミックよりなるケー
ス１ａの上面中央部にＧａＡｓＦＥＴペレット５ａが実
装、ボンディングされている。２ａは外部リード端子、
３ａはリードロー付は材、４ａは内部型、極メタライス
、７ａは絶縁層、１１ａはボンディング線接続部であり
、これらの構成は従来と同じである。
ス１ａの上面中央部にＧａＡｓＦＥＴペレット５ａが実
装、ボンディングされている。２ａは外部リード端子、
３ａはリードロー付は材、４ａは内部型、極メタライス
、７ａは絶縁層、１１ａはボンディング線接続部であり
、これらの構成は従来と同じである。
本発明では半導体ペレット５ａを被覆するセラミックか
らなるキャップ６ａの側壁１０ａの底部に、ケース１ａ
とキャップ６ａの結合面９ａからキャップＩＩＩＩＪ壁
外面に渡って断面形状がくさび形の切欠き１１を設けで
ある。ケース１ａとキャップ６ａは封止材８ａとしての
低融点ガラス材にて結合しである。このくさび形の切欠
き１１により結合−面９ａより容器外部へ押し出される
封止材８ａの縦方向へ拡がる比率を大きくすることがで
きることにより、封止材８ａの横方向への盛り上がり（
拡散）を抑制することができる。
らなるキャップ６ａの側壁１０ａの底部に、ケース１ａ
とキャップ６ａの結合面９ａからキャップＩＩＩＩＪ壁
外面に渡って断面形状がくさび形の切欠き１１を設けで
ある。ケース１ａとキャップ６ａは封止材８ａとしての
低融点ガラス材にて結合しである。このくさび形の切欠
き１１により結合−面９ａより容器外部へ押し出される
封止材８ａの縦方向へ拡がる比率を大きくすることがで
きることにより、封止材８ａの横方向への盛り上がり（
拡散）を抑制することができる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す拡大断面図である。
本実施例ではキャップ６ａのＩＩＩＩ壁１０ａの底部に
、ケース１ａとキャップ６ａの結合面９ａからキャヅプ
開壁外部面に渡って断面形状が扇形の切欠き１２を設け
たものである０本実施例によれば、切欠き１２が扇形で
あるため、横方向への盛り上がり（拡散）をより良好に
抑制することができるという利点がある。
、ケース１ａとキャップ６ａの結合面９ａからキャヅプ
開壁外部面に渡って断面形状が扇形の切欠き１２を設け
たものである０本実施例によれば、切欠き１２が扇形で
あるため、横方向への盛り上がり（拡散）をより良好に
抑制することができるという利点がある。
（実施例３）
第３図は本発明の実施例３を示す拡大断面図である。
本実施例は超高周波用Ｇ ａ Ａ ｓ Ｆ Ｅ Ｔにつ
いて適用した例である。
いて適用した例である。
平坦な八角柱状のセラミックより成る半導体装置用ケー
ス１ａの上面中央部にＧａＡｓＦＥＴペレット５ａを搭
載しており、ケース１ａの下面にリードロー付は材３ａ
により外部リード端子２ａをロー付けしてあり、外部リ
ード端子２ａと内部電極メタライズ４ａは電気的に接続
してあり、このペレット５ａは内部電極メタライズ４ａ
にボンディング線により接続しである。
ス１ａの上面中央部にＧａＡｓＦＥＴペレット５ａを搭
載しており、ケース１ａの下面にリードロー付は材３ａ
により外部リード端子２ａをロー付けしてあり、外部リ
ード端子２ａと内部電極メタライズ４ａは電気的に接続
してあり、このペレット５ａは内部電極メタライズ４ａ
にボンディング線により接続しである。
半導体ペレット５ａを被覆するキャップ６ａの側壁１０
ａの底部に、ケース１ａとキャップ６ａとの結合面９ａ
からキャラ７１）Ｉｆ壁内面に渡って断面形状がくさび
形の切欠き１１を設けである。
ａの底部に、ケース１ａとキャップ６ａとの結合面９ａ
からキャラ７１）Ｉｆ壁内面に渡って断面形状がくさび
形の切欠き１１を設けである。
ケース１ａとキャップ６ａは封止材８ａとして低融点ガ
ラスにて結合しである。くさび形の切欠き１１により、
結合面９ａより容器内方向へはみ出す封止材８ａの縦方
向へ拡がる比率を大きくすることができることにより、
横方向への封止材８ａの拡がりを抑制することができる
。
ラスにて結合しである。くさび形の切欠き１１により、
結合面９ａより容器内方向へはみ出す封止材８ａの縦方
向へ拡がる比率を大きくすることができることにより、
横方向への封止材８ａの拡がりを抑制することができる
。
（実施例４）
第４図は本発明の実施例４を示す拡大断面図である。
本実施例では、キャップ側壁１（ｌａの底部に、ケース
１ａとキャップ６ａとの結合面９ａからキャップ側壁内
面に渡って断面形状が扇形の切欠き１２を設けたもので
ある。
１ａとキャップ６ａとの結合面９ａからキャップ側壁内
面に渡って断面形状が扇形の切欠き１２を設けたもので
ある。
以上説明したように本発明はケースとキャップの結合面
から容器内外方向へはみ出す封止材の拡散を抑制するこ
とができ、容器の小型化に伴うボンディング線と内部電
極メタライズとの接続部までの封止材の流れ込みが効果
的に抑制され、半導体装置の不良率の低減、品質を向上
することができる効果を有する。
から容器内外方向へはみ出す封止材の拡散を抑制するこ
とができ、容器の小型化に伴うボンディング線と内部電
極メタライズとの接続部までの封止材の流れ込みが効果
的に抑制され、半導体装置の不良率の低減、品質を向上
することができる効果を有する。
第１図〜第４図は本発明の各実施例を示す拡大断面図、
第５図は従来の半導体装置用容器を示す拡大断面図であ
る。 ！ａ、ｌｃ・・・半導体装置用ケース ２ａ、２ｃ・・・外部リード端子 ３ａ、３ｃ・・・リードロー付は材 ４ａ、４ｃ・・・内部電極メタライズ ５ａ、５ｃ・・・半導体ペレット ６ａ、６ｃ・・・キャップ ７ａ、７ｃ・・・絶縁層 ８ａ、８ｃ・・・封止材 ９ａ、９ｃ・・・結合面 １０ａ、 １０ｃ・・・キャップ開型 第１図 第２図 第３図 第４図
第５図は従来の半導体装置用容器を示す拡大断面図であ
る。 ！ａ、ｌｃ・・・半導体装置用ケース ２ａ、２ｃ・・・外部リード端子 ３ａ、３ｃ・・・リードロー付は材 ４ａ、４ｃ・・・内部電極メタライズ ５ａ、５ｃ・・・半導体ペレット ６ａ、６ｃ・・・キャップ ７ａ、７ｃ・・・絶縁層 ８ａ、８ｃ・・・封止材 ９ａ、９ｃ・・・結合面 １０ａ、 １０ｃ・・・キャップ開型 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有することを特徴とする半導体
装置用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668889A JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668889A JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341751A true JPH0341751A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16017989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17668889A Pending JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341751A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226493A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-09-03 | Nec Corp | ガラス封止型集積回路 |
| JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
| WO2019093269A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 蓋体および電子装置 |
| WO2019116783A1 (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17668889A patent/JPH0341751A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226493A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-09-03 | Nec Corp | ガラス封止型集積回路 |
| JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
| WO2019093269A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 蓋体および電子装置 |
| WO2019116783A1 (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
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