JPS6379351A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6379351A JPS6379351A JP61225369A JP22536986A JPS6379351A JP S6379351 A JPS6379351 A JP S6379351A JP 61225369 A JP61225369 A JP 61225369A JP 22536986 A JP22536986 A JP 22536986A JP S6379351 A JPS6379351 A JP S6379351A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に外部リードをガラスで
封着してなる気密封止、半導体装置の構造に関するもの
である。
封着してなる気密封止、半導体装置の構造に関するもの
である。
従来の気密封止半導体装瞳には、金属ステムベースに設
けられた貫通孔に、外部リードをガラスで封着した構造
を有する金属容器が多く用いられている。
けられた貫通孔に、外部リードをガラスで封着した構造
を有する金属容器が多く用いられている。
第3図は、その−例を示すものである。
第3図に於いて、301は鉄あるいはコバー(Fe −
Ni−Co合金)よシなる金属ステムベースで、この金
属ステムベース301に設けられた貫通孔に、鉄、鉄−
ニッケル合金、あるいはコバールよシなる外部リード3
02か挿通され、ガラス303で封着されている。
Ni−Co合金)よシなる金属ステムベースで、この金
属ステムベース301に設けられた貫通孔に、鉄、鉄−
ニッケル合金、あるいはコバールよシなる外部リード3
02か挿通され、ガラス303で封着されている。
半導体素子304は、金属ステムベース301にベリリ
アセラミックあるいはモリブデン、銅等よシなる高熱伝
導性を有する支持部材305を介し、低融点のろう材を
用いて固着される。半導体素子304の電極は、金、ア
ルミニウム等の金属細線306で外部リード302の頂
部と電気的に接続されている。しかる汝、鉄、ちるいは
コバーよυなる金属キャップ307が金属ステムベース
301に溶接等により内部が気密になるよう取付けられ
ている。
アセラミックあるいはモリブデン、銅等よシなる高熱伝
導性を有する支持部材305を介し、低融点のろう材を
用いて固着される。半導体素子304の電極は、金、ア
ルミニウム等の金属細線306で外部リード302の頂
部と電気的に接続されている。しかる汝、鉄、ちるいは
コバーよυなる金属キャップ307が金属ステムベース
301に溶接等により内部が気密になるよう取付けられ
ている。
このような従来の半導体装置に於いては、半導体素子3
04を低融点のろう材で固着している為、金属細線30
6と半導体素子304の電極及び、外部リード302と
の接合には接合部を高温にする必要のない超音波ボンデ
ィングが用いられている。しかるに、従来のこのような
半導体装置に於ては、外部リード302のガラス303
による封着部よシ、接合Sまでの距離が長い為、超音波
ボンディングの際に超音波エネルギーが、外部リード3
02で吸収され、外部リード302と金属細線306の
良好かつ安定した接合が得難いという欠点を有している
。
04を低融点のろう材で固着している為、金属細線30
6と半導体素子304の電極及び、外部リード302と
の接合には接合部を高温にする必要のない超音波ボンデ
ィングが用いられている。しかるに、従来のこのような
半導体装置に於ては、外部リード302のガラス303
による封着部よシ、接合Sまでの距離が長い為、超音波
ボンディングの際に超音波エネルギーが、外部リード3
02で吸収され、外部リード302と金属細線306の
良好かつ安定した接合が得難いという欠点を有している
。
また放熱性に優れ、かつ小型の半導体装置を提供するに
は、金属ステムベース301の厚さを薄くすることが効
果的であるが、金属ステムベース301の厚さを薄くす
るとガラス303の封止距離が短かくなシ、キャップ3
07取付けの際の熱的、機械的応力により、ガラスにク
ラックを生じ、気密性を損う危険がある為、厚さを薄く
するにも制限を受けるといった欠点を有している。
は、金属ステムベース301の厚さを薄くすることが効
果的であるが、金属ステムベース301の厚さを薄くす
るとガラス303の封止距離が短かくなシ、キャップ3
07取付けの際の熱的、機械的応力により、ガラスにク
ラックを生じ、気密性を損う危険がある為、厚さを薄く
するにも制限を受けるといった欠点を有している。
上述した従来の半導体装置に対し、本発明は外部リード
のガラス封止部から、金属細線との接合部までの距離を
短かくシ、かつ金属ステムベースの厚さに係らず、ガラ
ス封止距離を長くとれる構造を適用することにより、従
来の半導体装置の欠点を除去し、放熱性に讃れ、小型で
かつ、信頼度の高い半導体装置を提供するものである。
のガラス封止部から、金属細線との接合部までの距離を
短かくシ、かつ金属ステムベースの厚さに係らず、ガラ
ス封止距離を長くとれる構造を適用することにより、従
来の半導体装置の欠点を除去し、放熱性に讃れ、小型で
かつ、信頼度の高い半導体装置を提供するものである。
即ち、本発明の半導体装fは、外mIJ−ドのガラス封
止部を金属ステムベース上面よシ、突出させたことを特
徴とするもので、このような本発明の半導体装置によれ
は、外部リードのガラス封着部から金属細線、接合部ま
での距離を短かくし、同時に、金属ステムベースの厚さ
に関係なく、ガラス封止距離を長くとることが可能とな
る。
止部を金属ステムベース上面よシ、突出させたことを特
徴とするもので、このような本発明の半導体装置によれ
は、外部リードのガラス封着部から金属細線、接合部ま
での距離を短かくし、同時に、金属ステムベースの厚さ
に関係なく、ガラス封止距離を長くとることが可能とな
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明を冒周波半導体装置に通用した一実施
例を示す、縦断面図であり、第2図は、本発明を光半導
体装置に適用した一実施例を示す縦断面図である。第1
図に於いて、101は鉄あるいはコバールよシなる金属
ステムベースで、外部リード102 t−封5Mするた
めの貫通孔を有し、かつ貫通孔の周囲には、金属ステム
ベース101の上面よシ突出する段部108が設けられ
ている。
例を示す、縦断面図であり、第2図は、本発明を光半導
体装置に適用した一実施例を示す縦断面図である。第1
図に於いて、101は鉄あるいはコバールよシなる金属
ステムベースで、外部リード102 t−封5Mするた
めの貫通孔を有し、かつ貫通孔の周囲には、金属ステム
ベース101の上面よシ突出する段部108が設けられ
ている。
外部リード102は金属ステムベース1010貫通孔に
神通さ扛、ガラス103で封着されている。
神通さ扛、ガラス103で封着されている。
半導体素子104は金ルもステムベース101の上面に
固着された放熱性に優れた支持部材105に列えはAu
−8n等の低融点のろう材を用いて取付けられ、半導体
素子104の[極と外部リード102 とが金属細線1
06で超音波ボンディングにより接続される。この後、
鉄あるいはコバーよりなる金属キャップ107か抵抗溶
接等により、金属ステムベース101に取り付けられて
いる。
固着された放熱性に優れた支持部材105に列えはAu
−8n等の低融点のろう材を用いて取付けられ、半導体
素子104の[極と外部リード102 とが金属細線1
06で超音波ボンディングにより接続される。この後、
鉄あるいはコバーよりなる金属キャップ107か抵抗溶
接等により、金属ステムベース101に取り付けられて
いる。
このような本発明の半導体装置に於ては、外部リード1
02は金属ステムベース101 よシ上面に突出した段
着部108でガラス103により封着さnているので、
金属細線106と接合される外部リード102の頂部か
ら、封着部までの距離を短かくすることができる。従っ
て金属細線106を外部リード103に超音波ボンディ
ングにより接合する際、外部リード103で超音波エネ
ルギーが吸収されるのを抑止することができ、良好で安
定した、金属軸iv!!11106と外部リード102
との接合を得ることができる。
02は金属ステムベース101 よシ上面に突出した段
着部108でガラス103により封着さnているので、
金属細線106と接合される外部リード102の頂部か
ら、封着部までの距離を短かくすることができる。従っ
て金属細線106を外部リード103に超音波ボンディ
ングにより接合する際、外部リード103で超音波エネ
ルギーが吸収されるのを抑止することができ、良好で安
定した、金属軸iv!!11106と外部リード102
との接合を得ることができる。
また本発明の半導体装置によれは、外部リード102と
金属ステムベース101との封止距離は従来の半導体装
置が金属ステムベース101の版厚と同じになるのに対
し、金、(4ステムベ一ス101上面より突出した段着
部108に相幽する鉛層だけ長くすることができる。従
って、気密性を損うことなく、従来の半導体装置に比べ
、金属ステムベース101の厚さを薄くすることが可能
となり、放熱性に浚れ、かつ、小型の半導体装置を提供
することが可能となる。
金属ステムベース101との封止距離は従来の半導体装
置が金属ステムベース101の版厚と同じになるのに対
し、金、(4ステムベ一ス101上面より突出した段着
部108に相幽する鉛層だけ長くすることができる。従
って、気密性を損うことなく、従来の半導体装置に比べ
、金属ステムベース101の厚さを薄くすることが可能
となり、放熱性に浚れ、かつ、小型の半導体装置を提供
することが可能となる。
次に本発明を光半導体装置に通用した、もう一つの実施
例につき、図面を参照して説明する。
例につき、図面を参照して説明する。
第2図に於いて、201は鉄あるいはコバールよジなシ
、外部リード202を導出する為の貫通孔を有する金属
ステムベースで、貫通孔には、封着リング209に外部
リード202が、ガラス203により気密封着された、
封着体が押通されろう付等により取り付けられている。
、外部リード202を導出する為の貫通孔を有する金属
ステムベースで、貫通孔には、封着リング209に外部
リード202が、ガラス203により気密封着された、
封着体が押通されろう付等により取り付けられている。
なお、この封着体は、金属ステムベース201の厚さよ
り厚くすることにより、金属ステムベース201の上面
よシ突出するよう取付けることができる。また金属ステ
ムベース201上面には銅等の高熱伝導性を有する金属
よりなる支持部材205が、ろう付等により、取υ付け
られてお9半導体素子204は支持部材205の上端0
III而部に、ベリリア等の高熱伝導性2有するヒート
シンク210を介し、Au−8n等の低融点ろう材を用
いて携り付けられ、半導体素子204の電極は、金属細
線206で、外部リード202の上部に形成された平坦
部とを、超音波ボンディング接合することによりミ気的
に接続される。
り厚くすることにより、金属ステムベース201の上面
よシ突出するよう取付けることができる。また金属ステ
ムベース201上面には銅等の高熱伝導性を有する金属
よりなる支持部材205が、ろう付等により、取υ付け
られてお9半導体素子204は支持部材205の上端0
III而部に、ベリリア等の高熱伝導性2有するヒート
シンク210を介し、Au−8n等の低融点ろう材を用
いて携り付けられ、半導体素子204の電極は、金属細
線206で、外部リード202の上部に形成された平坦
部とを、超音波ボンディング接合することによりミ気的
に接続される。
しかる後、中央部に元を透過するガラス部材211を有
するキャップ213が金属ステムベース201に抵抗溶
接等により取シ付けられている。
するキャップ213が金属ステムベース201に抵抗溶
接等により取シ付けられている。
このような本発明の半導体装置に於ては、外部リード2
02の封着部を省属ステムベース201の上面よシ突出
させることにより、外部リード202のボンディング部
から封着部までの距離を短かくすることができ、また金
属ステムベース201の厚さによらず、外部リード20
2の対土距離を長くすることができる。従って先の実施
例で述べたと同様に、金属細線206 と外部リード2
02との接合性に優れ、かつ高放熱性を有する小型の半
導体装置全提供することが可能である。
02の封着部を省属ステムベース201の上面よシ突出
させることにより、外部リード202のボンディング部
から封着部までの距離を短かくすることができ、また金
属ステムベース201の厚さによらず、外部リード20
2の対土距離を長くすることができる。従って先の実施
例で述べたと同様に、金属細線206 と外部リード2
02との接合性に優れ、かつ高放熱性を有する小型の半
導体装置全提供することが可能である。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図であシ、第2
図は、本発明のもう一つの実施例を示す縦断面図である
。 第3図は従来の半導体装置の縦断面図である。 101.201,301 ・・・・・・金属ステムベー
ス、102.202,302 ・・・・・・外部リー
ド、l O3゜203.303・・・・・・ガラス(封
着用)、1.04,204゜304・・・・・・半導体
素子、105,205,305・・・・・・支持部材、
106,206,306 ・・・・・・金属細線、10
7.207,307 ・・・・・・キャップ、108・
・・・・・金属ステムベース段差部、209・・・・・
・@着すング、210・・・・・・ヒートシンク、21
工・・・・・・ガラス部材。 代理人 弁理士 内 原 昔、;「心(、′・、
:′ (、−/ 躬3図
図は、本発明のもう一つの実施例を示す縦断面図である
。 第3図は従来の半導体装置の縦断面図である。 101.201,301 ・・・・・・金属ステムベー
ス、102.202,302 ・・・・・・外部リー
ド、l O3゜203.303・・・・・・ガラス(封
着用)、1.04,204゜304・・・・・・半導体
素子、105,205,305・・・・・・支持部材、
106,206,306 ・・・・・・金属細線、10
7.207,307 ・・・・・・キャップ、108・
・・・・・金属ステムベース段差部、209・・・・・
・@着すング、210・・・・・・ヒートシンク、21
工・・・・・・ガラス部材。 代理人 弁理士 内 原 昔、;「心(、′・、
:′ (、−/ 躬3図
Claims (1)
- ガラスにより封着された外部リードと金属ステムベース
を有し、半導体素子が金属ステムベースに固着された支
持部材に載置されてなる半導体装置に於いて、外部リー
ドのガラス封着部が金属ステムベース上面よりも突出し
ていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61225369A JPS6379351A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61225369A JPS6379351A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379351A true JPS6379351A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16828270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61225369A Pending JPS6379351A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6379351A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014027307A (ja) * | 2011-11-30 | 2014-02-06 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61225369A patent/JPS6379351A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014027307A (ja) * | 2011-11-30 | 2014-02-06 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光装置 |
US9059569B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-06-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting system |
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