JPH0227816B2 - - Google Patents
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- JPH0227816B2 JPH0227816B2 JP60190268A JP19026885A JPH0227816B2 JP H0227816 B2 JPH0227816 B2 JP H0227816B2 JP 60190268 A JP60190268 A JP 60190268A JP 19026885 A JP19026885 A JP 19026885A JP H0227816 B2 JPH0227816 B2 JP H0227816B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームに関するものである。
（従来の技術とその問題点）
樹脂封止型半導体装置においては、樹脂封止後
プリント基板等とのはんだ付け性を確保する目的
でリードフレームの外部リード部に、錫めつき、
はんだめつき、あるいははんだ浸漬処理が施され
て製品化される。
プリント基板等とのはんだ付け性を確保する目的
でリードフレームの外部リード部に、錫めつき、
はんだめつき、あるいははんだ浸漬処理が施され
て製品化される。
しかしながら上記のめつきを施す場合、樹脂封
止された半導体装置は半導体素子接合およびワイ
ヤボンデイング等の過程で生じたリードフレーム
の酸化膜を除去するため前処理液に浸漬するウエ
ツトプロセスがめつき工程の他にさらに必要とな
り、湿気を嫌う半導体素子の信頼性を低下させる
おそれがある。
止された半導体装置は半導体素子接合およびワイ
ヤボンデイング等の過程で生じたリードフレーム
の酸化膜を除去するため前処理液に浸漬するウエ
ツトプロセスがめつき工程の他にさらに必要とな
り、湿気を嫌う半導体素子の信頼性を低下させる
おそれがある。
またはんだ浸漬を行う場合は、上記の酸化膜を
除去するための強いフラツクス、すなわちハロゲ
ン価（特に塩素）の高いフラツクスによる処理が
必要である。このためフラツクスに起因するハロ
ゲンイオンにより、半導体素子上のアルミニウム
配線回路が損傷を受けやすく、やはり半導体素子
の信頼性を低下させる要因となる。
除去するための強いフラツクス、すなわちハロゲ
ン価（特に塩素）の高いフラツクスによる処理が
必要である。このためフラツクスに起因するハロ
ゲンイオンにより、半導体素子上のアルミニウム
配線回路が損傷を受けやすく、やはり半導体素子
の信頼性を低下させる要因となる。
上記問題点を解決するためには、錫めつき、は
んだめつきあるいははんだ付け（はんだ浸漬処
理）の下地を、半導体装置製造時の熱工程を経て
も容易に酸化膜が形成されないだけの耐熱性に優
れ、さらにはんだ付け性の良好な下地とする必要
がある。
んだめつきあるいははんだ付け（はんだ浸漬処
理）の下地を、半導体装置製造時の熱工程を経て
も容易に酸化膜が形成されないだけの耐熱性に優
れ、さらにはんだ付け性の良好な下地とする必要
がある。
このような下地として、無電解めつきによるニ
ツケル−ホウ素合金めつき皮膜を施すことが知ら
れている（特開昭51−140839号公報）。このめつ
き皮膜はニツケルめつき皮膜などに比して格段に
耐熱性に優れ、酸化膜がほとんど形成されず、し
たがつてまた良好なはんだ付け性が得られる。
ツケル−ホウ素合金めつき皮膜を施すことが知ら
れている（特開昭51−140839号公報）。このめつ
き皮膜はニツケルめつき皮膜などに比して格段に
耐熱性に優れ、酸化膜がほとんど形成されず、し
たがつてまた良好なはんだ付け性が得られる。
しかし、上記のようにニツケル−ホウ素合金め
つきは従来無電解めつきによるものしか知られて
おらず、電解めつきによつては良好な皮膜が得ら
れなかつた。
つきは従来無電解めつきによるものしか知られて
おらず、電解めつきによつては良好な皮膜が得ら
れなかつた。
一般に無電解めつき皮膜は結晶化が進んでおら
ず、電解めつき皮膜よりも膜質が劣る。上記無電
解めつきによるニツケル−ホウ素合金めつき皮膜
も同様で、耐熱性、はんだ付け性においていま一
歩満足できないものがあつた。
ず、電解めつき皮膜よりも膜質が劣る。上記無電
解めつきによるニツケル−ホウ素合金めつき皮膜
も同様で、耐熱性、はんだ付け性においていま一
歩満足できないものがあつた。
本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、耐熱性、はん
だ付け性を満足できるリードフレーム提供するに
ある。
であり、その目的とするところは、耐熱性、はん
だ付け性を満足できるリードフレーム提供するに
ある。
（発明の概要）
上記目的は本発明によれば、半導体装置に用い
るリードフレームにおいて、その少なくとも外部
リード部に、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜を形成して成るリードフレームによつて達成さ
れる。
るリードフレームにおいて、その少なくとも外部
リード部に、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜を形成して成るリードフレームによつて達成さ
れる。
本発明では、ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜
を初めて電解めつきによつて形成している。
を初めて電解めつきによつて形成している。
この電解めつきによるニツケル−ホウ素合金め
つき皮膜は緻密であり、無電解によるものと比し
て耐熱性、はんだ付け性に一段と優れる。
つき皮膜は緻密であり、無電解によるものと比し
て耐熱性、はんだ付け性に一段と優れる。
したがつて、外部リード部に電解ニツケル−ホ
ウ素合金めつき皮膜を形成したことにより、半導
体装置製造時の熱工程を経ても該めつき皮膜上に
金属酸化膜が生じず、錫めつき、はんだめつきを
行う場合にこのような金属酸化膜除去のためのウ
エツトプロセスが不要となり、半導体装置の信頼
性が一層向上する。またはんだ浸漬処理を行うに
当たつても、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜がはんだ濡れ性に一段と優れることから、低ハ
ロゲン価のフラツクスを用いても十分なはんだ付
けができ、半導体素子に与える影響を極力低減で
きるリードフレームが提供された。
ウ素合金めつき皮膜を形成したことにより、半導
体装置製造時の熱工程を経ても該めつき皮膜上に
金属酸化膜が生じず、錫めつき、はんだめつきを
行う場合にこのような金属酸化膜除去のためのウ
エツトプロセスが不要となり、半導体装置の信頼
性が一層向上する。またはんだ浸漬処理を行うに
当たつても、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜がはんだ濡れ性に一段と優れることから、低ハ
ロゲン価のフラツクスを用いても十分なはんだ付
けができ、半導体素子に与える影響を極力低減で
きるリードフレームが提供された。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は樹脂封止型半導体装置に用いるリード
フレーム１０を示す。
フレーム１０を示す。
図において、１２はステージ部であり、金ある
いは銀めつきが施されており、金−シリコン共晶
合金等によつて半導体素子が固定される部位であ
る。
いは銀めつきが施されており、金−シリコン共晶
合金等によつて半導体素子が固定される部位であ
る。
１４は、ステージ部１２を囲んで設けられた内
部リード部であり、これの先端には同じく金ある
いは銀めつきが施されており、ステージ部１２に
搭載された半導体素子とワイヤーによつて接続さ
れる。
部リード部であり、これの先端には同じく金ある
いは銀めつきが施されており、ステージ部１２に
搭載された半導体素子とワイヤーによつて接続さ
れる。
１６は内部リード部１４に続く外部リード部で
あり、後述するように、電解ニツケル−ホウ素合
金めつきが施されている。
あり、後述するように、電解ニツケル−ホウ素合
金めつきが施されている。
１８はダムバーであり、樹脂の堰止めをする。
２０は外枠である。
図上破線で示すのは、樹脂モールド領域であ
る。
る。
第２図乃至第４図に示すものは、めつきの種類
およびめつきの被着範囲を示す種々の実施例であ
る。
およびめつきの被着範囲を示す種々の実施例であ
る。
第２図に示すものは、リードフレーム１０の全
範囲に亘り、ニツケルめつき皮膜２２が形成さ
れ、ステージ部１２および内部リード部１４先端
に、銀めつき皮膜（あるいは金めつき皮膜）２４
が部分めつきされている。そして外部リード部１
６上に、ニツケルめつき皮膜２２の上に電解ニツ
ケル−ホウ素合金めつき皮膜２６が形成されて成
る。
範囲に亘り、ニツケルめつき皮膜２２が形成さ
れ、ステージ部１２および内部リード部１４先端
に、銀めつき皮膜（あるいは金めつき皮膜）２４
が部分めつきされている。そして外部リード部１
６上に、ニツケルめつき皮膜２２の上に電解ニツ
ケル−ホウ素合金めつき皮膜２６が形成されて成
る。
第３図に示すものは、ステージ部１２および内
部リード部１４先端に銀めつき皮膜（あるいは金
めつき皮膜）２４が部分めつきされ、また外部リ
ード部１６上に、樹脂モールド範囲（破線）内に
若干及ぶように、電解ニツケル−ホウ素合金めつ
き皮膜２６が部分めつきされて成る。
部リード部１４先端に銀めつき皮膜（あるいは金
めつき皮膜）２４が部分めつきされ、また外部リ
ード部１６上に、樹脂モールド範囲（破線）内に
若干及ぶように、電解ニツケル−ホウ素合金めつ
き皮膜２６が部分めつきされて成る。
第４図に示すものは、リードフレーム１０全体
に亘つて電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜２
６が形成され、さらにステージ部１２および内部
リード部１４先端に、電解ニツケル−ホウ素合金
めつき皮膜２６の上に銀めつき皮膜（あるいは金
めつき皮膜）２４が部分めつきされて成る。
に亘つて電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜２
６が形成され、さらにステージ部１２および内部
リード部１４先端に、電解ニツケル−ホウ素合金
めつき皮膜２６の上に銀めつき皮膜（あるいは金
めつき皮膜）２４が部分めつきされて成る。
本発明においては、要するに、ステージ部１２
および内部リード部１４先端の外表面に銀あるい
は金めつき皮膜等の必要なめつき皮膜が部分めつ
きされ、外部リード部１６表面に電解ニツケル−
ホウ素合金めつき皮膜が形成されていればよい。
および内部リード部１４先端の外表面に銀あるい
は金めつき皮膜等の必要なめつき皮膜が部分めつ
きされ、外部リード部１６表面に電解ニツケル−
ホウ素合金めつき皮膜が形成されていればよい。
しかして、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜２６は、耐熱性に優れているから、以後の工
程、すなわち、金−シリコン共晶合金によるステ
ージ部１２上への半導体素子の固定の際、およ
び、この半導体素子と内部リード部１４先端との
ワイヤーボンデイングの際の熱履歴、および樹脂
モールド時の熱履歴を経ても、電解ニツケル−ホ
ウ素合金めつき皮膜２６は極めて安定であり、金
属酸化膜が形成されることはない。
膜２６は、耐熱性に優れているから、以後の工
程、すなわち、金−シリコン共晶合金によるステ
ージ部１２上への半導体素子の固定の際、およ
び、この半導体素子と内部リード部１４先端との
ワイヤーボンデイングの際の熱履歴、および樹脂
モールド時の熱履歴を経ても、電解ニツケル−ホ
ウ素合金めつき皮膜２６は極めて安定であり、金
属酸化膜が形成されることはない。
したがつて、従来におけるはんだ付け前処理と
しての酸化膜除去工程は全く不要となりウエツト
プロセスを経ることによる半導体素子の信頼性低
下の問題を解消しえた。
しての酸化膜除去工程は全く不要となりウエツト
プロセスを経ることによる半導体素子の信頼性低
下の問題を解消しえた。
さらに電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜２
６に対するはんだ濡れ性は極めて良好である。し
たがつて、はんだ付け前処理のフラツクス処理は
全く不要というわけにはいかないが、従来の高ハ
ロゲン価のフラツクスに替えて、低ハロゲン価の
フラツクスを用いることができ、ハロゲンイオン
による半導体素子への悪影響を極力抑えることが
できる。
６に対するはんだ濡れ性は極めて良好である。し
たがつて、はんだ付け前処理のフラツクス処理は
全く不要というわけにはいかないが、従来の高ハ
ロゲン価のフラツクスに替えて、低ハロゲン価の
フラツクスを用いることができ、ハロゲンイオン
による半導体素子への悪影響を極力抑えることが
できる。
実施例 １
硫酸ニツケル 30ｇ／
マロン酸ナトリウム 35ｇ／
ジメチルアミンボラン 3.4ｇ／
硫酸タリウム 0.1ｇ／
PH 6.5
浴 温 50℃
上記のめつき浴により50℃前後の低温条件で、
42合金製のリードフレームの外部リード部に（他
の部位はマスキングした）、電流密度1A／ｄm2で
めつきした。厚さ0.1ｍの耐熱性、はんだ付け性
に優れる電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜が
得られた。
42合金製のリードフレームの外部リード部に（他
の部位はマスキングした）、電流密度1A／ｄm2で
めつきした。厚さ0.1ｍの耐熱性、はんだ付け性
に優れる電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜が
得られた。
ステージ部、内部リード部には銅ストライクめ
つきを部分めつきし、さらにその上に銀めつきを
施した。
つきを部分めつきし、さらにその上に銀めつきを
施した。
実施例 ２
硫酸ニツケル 300ｇ／
ホウ酸 40ｇ／
塩化ニツケル 40ｇ／
トリメチルアミンボラン 0.5ｇ／
チオグリコール酸ナトリウム 10ppm
PH 5.5
浴 温 45℃
上記のめつき浴により、ステージ部および内部
リード部をマスキングして、銅合金のリードフレ
ームに電流密度5.0A／ｄm2で0.1μｍの電解ニツケ
ル−ホウ素合金めつきを施した。
リード部をマスキングして、銅合金のリードフレ
ームに電流密度5.0A／ｄm2で0.1μｍの電解ニツケ
ル−ホウ素合金めつきを施した。
その後ステージ部および内部リード部に銅スト
ライクめつきを部分めつきし、さらにその上に
6μｍの部分銀めつきを施した。
ライクめつきを部分めつきし、さらにその上に
6μｍの部分銀めつきを施した。
実施例１、実施例２において、ジメチルアミン
ボラン、トリメチルアミンボランを代表とするア
ミン付加形水素化ホウ素化合物はニツケルイオン
の強力な還元剤として作用する。通常の無電解め
つきにおいては、比較的高温条件下で水素化ホウ
素化合物が触媒活性を有する被めつき面において
自己分解すると同時に、ニツケルイオンを還元
し、金属ニツケルとして素材上に析出させる。ま
た、その際に、微量ながら、ホウ素が金属ニツケ
ル中に取り込まれ、ニツケル−ホウ素合金として
ものめつき皮膜が形成されるのである。
ボラン、トリメチルアミンボランを代表とするア
ミン付加形水素化ホウ素化合物はニツケルイオン
の強力な還元剤として作用する。通常の無電解め
つきにおいては、比較的高温条件下で水素化ホウ
素化合物が触媒活性を有する被めつき面において
自己分解すると同時に、ニツケルイオンを還元
し、金属ニツケルとして素材上に析出させる。ま
た、その際に、微量ながら、ホウ素が金属ニツケ
ル中に取り込まれ、ニツケル−ホウ素合金として
ものめつき皮膜が形成されるのである。
上記実施例においては、浴温を、無電解めつき
反応がわずかに起こるかまたは全く起こらない温
度条件である、50℃前後の低温条件に設定し、こ
の状態の下に電解めつき処理を行つた。すると非
電解条件下では金属膜の析出が起こらないもの
が、この通電により金属ニツケル膜の析出が起こ
り、同時に微量のホウ素が共析することが確認さ
れた。この場合電流密度が1A／ｄm2前後の低電
流密度で良好な金属膜の析出が得られた。これ
は、通電により、ニツケルの析出が起こると同時
にめつき面の電位が無電解による金属析出反応が
同時に進行するレベルにまで到達したためと考え
られる。
反応がわずかに起こるかまたは全く起こらない温
度条件である、50℃前後の低温条件に設定し、こ
の状態の下に電解めつき処理を行つた。すると非
電解条件下では金属膜の析出が起こらないもの
が、この通電により金属ニツケル膜の析出が起こ
り、同時に微量のホウ素が共析することが確認さ
れた。この場合電流密度が1A／ｄm2前後の低電
流密度で良好な金属膜の析出が得られた。これ
は、通電により、ニツケルの析出が起こると同時
にめつき面の電位が無電解による金属析出反応が
同時に進行するレベルにまで到達したためと考え
られる。
なお、発明者は、次の実施例３に示すように通
常の電解ニツケルめつき浴である、ワツトニツケ
ルめつき浴あるいはスルフアミンニツケルめつき
浴に、上記の還元剤たるアミン付加形水素化ホウ
素化合物を添加して、低温かつ通電条件下でやは
りニツケル−ホウ素合金めつき皮膜が得られるこ
とを見出した。
常の電解ニツケルめつき浴である、ワツトニツケ
ルめつき浴あるいはスルフアミンニツケルめつき
浴に、上記の還元剤たるアミン付加形水素化ホウ
素化合物を添加して、低温かつ通電条件下でやは
りニツケル−ホウ素合金めつき皮膜が得られるこ
とを見出した。
実施例 ３
スルフアミン酸ニツケル 400ｇ／
ホウ酸 40ｇ／
臭化ニツケル ５ｇ／
メチルモルホリンボラン ５ｇ／
Ｐ−ヨードアニリン 1ppm
PH 5.5
浴 温 45℃
上記のめつき浴により、ステージ部および内部
リード部をマスキングして、42合金製のリードフ
レームに電流密度5.0A／ｄm2で0.05μｍの電解ニ
ツケル−ホウ素合金めつきを施した。
リード部をマスキングして、42合金製のリードフ
レームに電流密度5.0A／ｄm2で0.05μｍの電解ニ
ツケル−ホウ素合金めつきを施した。
その後ステージ部および内部リード部に銅スト
ライクめつきを部分めつきし、その上に3μｍの
部分銀めつきを施した。
ライクめつきを部分めつきし、その上に3μｍの
部分銀めつきを施した。
以上の実施例により、ステージ部および内部リ
ード部に通常の銀めつきが施され、外部リード部
に耐熱性、はんだ付け性に優れた、電解ニツケル
−ホウ素合金めつきを施したリードフレームを得
た。
ード部に通常の銀めつきが施され、外部リード部
に耐熱性、はんだ付け性に優れた、電解ニツケル
−ホウ素合金めつきを施したリードフレームを得
た。
また、実施例１、２、３において銅ストライク
めつきを全体に施し、ステージ部および内部リー
ド部に部分銀めつきを施し、その後部分銀めつき
を施した部分を除く銅ストライクめつきを剥離す
るという工程をとつた場合も、剥離工程を経てい
ない電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜に比較
して、耐熱性、はんだ付け性に有意差はみられな
かつた。
めつきを全体に施し、ステージ部および内部リー
ド部に部分銀めつきを施し、その後部分銀めつき
を施した部分を除く銅ストライクめつきを剥離す
るという工程をとつた場合も、剥離工程を経てい
ない電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜に比較
して、耐熱性、はんだ付け性に有意差はみられな
かつた。
またこれらの実施例において、電流密度0.1〜
10A／ｄm2の範囲で電流密度を変え、電解ニツケ
ル−ホウ素合金めつきを施したが、いずれも良好
なめつき皮膜が得られ、この範囲では、耐熱性、
はんだ付け性に関して有意差はみられなかつた。
10A／ｄm2の範囲で電流密度を変え、電解ニツケ
ル−ホウ素合金めつきを施したが、いずれも良好
なめつき皮膜が得られ、この範囲では、耐熱性、
はんだ付け性に関して有意差はみられなかつた。
また、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜の
膜厚は、リードフレームの素材が42合金などの鉄
−ニツケル系の場合は0.005μｍ以上、銅系の場合
には0.05μｍ以上あれば、空気中で450℃５分加熱
しても変色はみられず、低ハロゲン系のフラツク
スを使用しても充分なはんだ付け性が得られた。
膜厚は、リードフレームの素材が42合金などの鉄
−ニツケル系の場合は0.005μｍ以上、銅系の場合
には0.05μｍ以上あれば、空気中で450℃５分加熱
しても変色はみられず、低ハロゲン系のフラツク
スを使用しても充分なはんだ付け性が得られた。
なお、本発明は樹脂封止型半導体装置用リード
フレームに限られるものではなく、半導体装置組
立ての過程で熱履歴を経る他のリードフレームに
も適用し得るものである。
フレームに限られるものではなく、半導体装置組
立ての過程で熱履歴を経る他のリードフレームに
も適用し得るものである。
（発明の効果）
本発明では、ニツケル−ホウ素合金めつき皮膜
を初めて電解めつきによつて形成している。
を初めて電解めつきによつて形成している。
この電解めつきによるニツケル−ホウ素合金め
つき皮膜は緻密であり、無電解によるものと比し
て耐熱性、はんだ付け性に一段と優れる。
つき皮膜は緻密であり、無電解によるものと比し
て耐熱性、はんだ付け性に一段と優れる。
したがつて、外部リード部に電解ニツケル−ホ
ウ素合金めつき皮膜を形成したことにより、半導
体装置製造時の熱工程を経ても該めつき皮膜上に
金属酸化膜が生じず、錫めつき、はんだめつきを
行う場合にこのような金属酸化膜除去のためのウ
エツトプロセスが不要となり、半導体装置の信頼
性が一層向上する。またはんだ浸漬処理を行うに
当たつても、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜がはんだ濡れ性に一段と優れることから、低ハ
ロゲン価のフラツクスを用いても十分なはんだ付
けができ、半導体素子に与える影響を極力低減で
きるリードフレームが提供された。
ウ素合金めつき皮膜を形成したことにより、半導
体装置製造時の熱工程を経ても該めつき皮膜上に
金属酸化膜が生じず、錫めつき、はんだめつきを
行う場合にこのような金属酸化膜除去のためのウ
エツトプロセスが不要となり、半導体装置の信頼
性が一層向上する。またはんだ浸漬処理を行うに
当たつても、電解ニツケル−ホウ素合金めつき皮
膜がはんだ濡れ性に一段と優れることから、低ハ
ロゲン価のフラツクスを用いても十分なはんだ付
けができ、半導体素子に与える影響を極力低減で
きるリードフレームが提供された。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
第１図はリードフレームの説明図、第２図乃至
第４図はめつきの種類およびその被着範囲を示す
種々の実施例を示す断面説明図である。 １０……リードフレーム、１２……ステージ
部、１４……内部リード部、１６……外部リード
部、１８……ダムバー、２０……外枠、２２……
ニツケルめつき皮膜、２４……銀めつき皮膜（金
めつき皮膜）、２６……電解ニツケル−ホウ素合
金めつき皮膜。
第４図はめつきの種類およびその被着範囲を示す
種々の実施例を示す断面説明図である。 １０……リードフレーム、１２……ステージ
部、１４……内部リード部、１６……外部リード
部、１８……ダムバー、２０……外枠、２２……
ニツケルめつき皮膜、２４……銀めつき皮膜（金
めつき皮膜）、２６……電解ニツケル−ホウ素合
金めつき皮膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置に用いるリードフレームにおい
て、 その少なくとも外部リード部に、電解ニツケル
−ホウ素合金めつき皮膜を形成して成るリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19026885A JPS6249646A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19026885A JPS6249646A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249646A JPS6249646A (ja) | 1987-03-04 |
| JPH0227816B2 true JPH0227816B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=16255319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19026885A Granted JPS6249646A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6249646A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280456A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置に用いるリードフレーム |
| JP4556895B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140839A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-04 | Nippon Electric Co | Method of forming coatings of different metals |
| JPS594062A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Toshiba Corp | 電子部品外囲器及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP19026885A patent/JPS6249646A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140839A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-04 | Nippon Electric Co | Method of forming coatings of different metals |
| JPS594062A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Toshiba Corp | 電子部品外囲器及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6249646A (ja) | 1987-03-04 |
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