JPS62205653A - リ−ドフレ−ムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムおよび半導体装置の製造方法

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JPS62205653A
JPS62205653A JP61049196A JP4919686A JPS62205653A JP S62205653 A JPS62205653 A JP S62205653A JP 61049196 A JP61049196 A JP 61049196A JP 4919686 A JP4919686 A JP 4919686A JP S62205653 A JPS62205653 A JP S62205653A
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Mitsui High Tec Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームおよび半導体装置の製造方法に
関する。
〔従来の技術］ ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置は、第４図に示すように帯
状鋼板を打抜きまたはエツチングすることによって形成
だリードフレーム１０のパッド１１やインナーリード１
２の先端等に適宜メッキを施した後、パッド１１に半導
体素子を固着し。
この半導体素子の端子とインナーリード１１の先端とを
金線等を用いてワイヤボンディングすることにより電気
的に接続し、更にこれらを樹脂封止し、トリム＆ホーミ
ングによってリード間のタイバー１３を切り落して完成
する。
なお、リードフレーム１０におけるタイバー１３は、ア
ウターリード１４を組立完了まで安定させるとともに、
樹脂封止の際に樹脂の流れ止めとして作用する。また、
パッド１１は枠体１５から延出するサポートパー１６に
よって支持されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、上記半導体装置の製造に際して、半導体素子の
パッド１１への固着は熱圧着等によって行なっているた
め、パッド１１およびその周囲の温度が上昇しく約４０
０〜５００’Ｃ）、例えばインナーリード先端に融点の
低い金属メッキが施されている場合にはメッキが溶けて
しまうという不具合があった。また、熱による材料の変
形によってインナーリードの間隔等がばらつき、ワイヤ
ボンデングを行なう際に問題となる場合があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたちので、半導体素子
固着工程における温度上昇の影響を受けないようにした
リードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、リードフレームの゛ト尋体索子をｉ置
するためのパッド部と、このパッド部を除くリードフレ
ーム構成部とを別体形成するとともに、両者を互いに嵌
合可能に形成するようにしている。また、このリードフ
レームを用いて、前記パッド部に半導体をｕ、置したの
ち当該パッドを前記パッド部を除くリードフレーム構成
部に嵌装し、その後ワイヤボンディング工程および樹脂
封止工程を経て半導体装置を製造するようにしている。
〔作　用〕
温度上４ｔに伴うパッド部への半導体素子の固着作業を
、パッド部を除くリードフレーム構成部とは異なる場所
で行なうことができ゛るため、固着作業時に発生ずる熱
の影響をパッド部を除くリードフレーム構成部に及ぼさ
ないようにすることができる。また、パッド部の材質や
板厚をパッド部を除くリードフレーム構成部とＷならせ
ることもでき、これによって固着作業時における温度上
昇の影響を低減することができる。
（実施例） 以下、本発明を添伺図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明に係るリードフレームの一実施例を示す
平面図である。このリードフレーム２０は、パッド２１
Ｊ３よびサポートパー２６のパッド部と、インナーリー
ド２２、タイバー２３、アウターリード２４および枠体
２５などの前記パッド部を除くリードフレーム構成部と
が別体形成されており、また、パッド部はパッド部を除
くリードフレーム構成部に対して嵌合し得るようになっ
ている。
すなわら、第２図および第３図に示すようにパッド部２
０ａおよびパッド部を除くリードフレーム構成部２０ｂ
を打抜きまたはエツチングによってそれぞれ別体形成す
る。ここで、サポートパー２６および枠体２５には、パ
ッド部２０ａとリードフレーム構成部２０ｂとが互いに
嵌合し得るようにそれぞれ凸部２６ａおよび凹部２５ａ
を形成しておく。第１図のリードフレーム２ｏは、この
第２図のパッド部２０ａを第３図のリードフレーム構成
部２０ｂに嵌装した場合に関して示している。
このようにしてリードフレーム２０を構成するようにし
たため、パッド部２０ａとこのパッド部を除くリードフ
レーム構成部２　Ｑ　ｂとをイれぞれ異なる材質あるい
は異なる板厚で形成づることができる。特に、半導体素
子の固着工程時に発生する熱の影響を低減するためには
、パッド部は熱膨張係数が小さく硬度の高い材質で形成
し、パッド部を除くリードフレーム構成部は導電性、メ
ッキ性の良い材質で形成するのが好ましい。更には、パ
ッド部の板厚の方を厚くすることにより放熱効果を高め
ることも可能である。
また、パッド部２０ａとこのパッド部を除くリードフレ
ーム構成部２０ｂとを同一材質、同一板厚で形成しても
よい。この場合、半導体素子の固着工程時に発生する熱
の影響を除去するためには、以下の１頃序で半導体装置
を製造すればよい。
すなわち、パッド部２０ａをリードフレーム構成部２０
ｂから離脱した状態でパッド２１に半導体素子を固着し
、半導体素子の固着を終えたパッド部２０ａをリードフ
レーム構成部２０ｂ１．：嵌装する。その後は従来と同
様にワインボンディング工程、樹脂封止工程、トリム＆
ホーミング工程を経て半導体装置を製造する。この製造
方法は、パッド部とこのパッド部を除くリードフレーム
構成部との材質や板厚が異なる場合にも適用できること
は勿論である。
なお、本実施例ではパッドとリボ−１−バーをパッド部
としたが、パッドのみをパッド部としてもよい。この場
合、パッドとサポートバーとが互いに嵌合し１するよう
にそれぞれ凹凸部を形成すればよい。また、嵌合部の形
状は１円形に限らず、例えばクサビ形や角形であっても
よい。
さらに、本発明は実施例のデュアルライン形のリードフ
レームに限らず、クワッド（ＱＵＡＤ）形のリードフレ
ームにも適用できるものである。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体素子の（［
時に発生する熱の影響を低減または回避することができ
るため、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
また、パッドサイズの異なるものにも容易上対応でき、
さらにはインナーリード部のみにメッキを行なう場合に
もパッド部のマスーングが不要となり、メツギ作朶が容
易になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの一実施例を示す
平面図、第２図は第１図のパッド部を示す斜視図、第３
図は第１図のパッド部を除くリードフレーム構成部を示
す平面図、第４図は従来のリードフレームの平面図であ
る。 ２ｏ・・・リードフレーム、２０ａ・・・パッド部、２
０ｂ・・・リードフレーム構成部、２１・・・パッド、
２２・・・インナーリード、２３・・・タイバー、２４
・・・アウターリード、２５・・・枠体、２６・・・サ
ポートバー　〇 リーに７レーへ Ｏ ／−一 第４図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体装置の製造に用いるリードフレームにおい
    て、半導体素子を載置するためのパッド部と、このパッ
    ド部を除くリードフレーム構成部とを別体形成するとと
    もに、両者を互いに嵌合可能に形成したことを特徴とす
    るリードフレーム。
  2. （２）前記パッド部とこのパッド部を除くリードフレー
    ム構成部とは、材質および板厚のうち少なくと一方が異
    なる特許請求の範囲第（１）項記載のリードフレーム。
  3. （３）前記パッド部は熱膨張係数が小さく、硬度の高い
    材質で形成し、前記パッド部を除くリードフレーム構成
    部は導電性が良くメッキ性の良い材質で形成してなる特
    許請求の範囲第（２）項記載のリードフレーム。
  4. （４）前記パッド部は、その板厚が前記パッド部を除く
    リードフレーム構成部の板厚よりも厚い特許請求の範囲
    第（２）項記載のリードフレーム。
  5. （５）リードフレームの半導体素子を載置するためのパ
    ッド部と、このパッド部を除く他のリードフレーム構成
    部とを別体形成するとともに、両者を互いに嵌合可能に
    形成し、前記パッド部に半導体素子を載置したのち当該
    パッド部を前記パッド部を除くリードフレーム構成部に
    嵌装し、その後ワイヤボンデング工程および樹脂封止工
    程を経て半導体装置を製造することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
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