JPH03129870A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH03129870A JPH03129870A JP26961689A JP26961689A JPH03129870A JP H03129870 A JPH03129870 A JP H03129870A JP 26961689 A JP26961689 A JP 26961689A JP 26961689 A JP26961689 A JP 26961689A JP H03129870 A JPH03129870 A JP H03129870A
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Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置のリードフレームに関し
、特に異種の材料で形成されたリードフレームに関する
。
、特に異種の材料で形成されたリードフレームに関する
。
従来、この種のリードフレームは全体が同一の合金で作
られていた。リードフレームに搭載する半導体装置の特
性により、熱放散性や導電性を強く求める場合は、銅合
金のリードフレームが用いられ、逆に、リードの強度や
耐腐食性が強く求められる場合は、鉄合金あるいはニッ
ケル合金のリードフレームが用いられていた。
られていた。リードフレームに搭載する半導体装置の特
性により、熱放散性や導電性を強く求める場合は、銅合
金のリードフレームが用いられ、逆に、リードの強度や
耐腐食性が強く求められる場合は、鉄合金あるいはニッ
ケル合金のリードフレームが用いられていた。
第３図は従来の一例を示すリードフレームの平面図であ
る。このリードフレームは、同図に示すように、帯状の
銅合金の板にプレス加工で打抜き、短形状のリードフレ
ーム領域と並べて製作したものである。この一つのリー
ドフレーム領域には、中央に半導体チップを搭載するア
イランド１が設けられ、そして、このアイランド１の周
囲にはり−ド２が複数本設けられている。また、アイラ
ンド１を支える吊りリード４が外縁から伸び、複数本の
リード２はタイバ３によって連結され、折り曲げられな
いように補強されている。さらに、このリードフレーム
のアイランド１に半導体チップを搭載し、リードと半導
体チップの電極パッドとを金属細線で接続し、樹脂封止
領域７を樹脂封止して組立を完了する。
る。このリードフレームは、同図に示すように、帯状の
銅合金の板にプレス加工で打抜き、短形状のリードフレ
ーム領域と並べて製作したものである。この一つのリー
ドフレーム領域には、中央に半導体チップを搭載するア
イランド１が設けられ、そして、このアイランド１の周
囲にはり−ド２が複数本設けられている。また、アイラ
ンド１を支える吊りリード４が外縁から伸び、複数本の
リード２はタイバ３によって連結され、折り曲げられな
いように補強されている。さらに、このリードフレーム
のアイランド１に半導体チップを搭載し、リードと半導
体チップの電極パッドとを金属細線で接続し、樹脂封止
領域７を樹脂封止して組立を完了する。
上述したように、従来のリードフレームはそれに搭載す
る半導体装置によって金属を選定するのが通常であるが
これには下記の様な問題がある。
る半導体装置によって金属を選定するのが通常であるが
これには下記の様な問題がある。
ひとつには、同一の外形をもつ半導体装置を異種金属か
らなる複数品種のリードフレームで製造しようとした場
合に、その各々のリードフレームの熱膨張率が異なるた
め、封止工程での温度に対して異なる膨張を起し、結果
として半導体装置の寸法が各々のリードフレームによっ
て異なるという不具合を生じる。このため、リードフレ
ームの材質に応じて種々のリード成形金型及び樹脂封止
金型が必要とする問題がある。また、更には半導体装置
として最適なリードフレームを考慮した際は良好な導電
性熱放散性、そして十分なリード強度と耐腐食性の両者
を満足したいわけであるが、単一の合金でリードフレー
ムが構成されている場合には、これら両方の要求を満足
できないという問題も残っている。
らなる複数品種のリードフレームで製造しようとした場
合に、その各々のリードフレームの熱膨張率が異なるた
め、封止工程での温度に対して異なる膨張を起し、結果
として半導体装置の寸法が各々のリードフレームによっ
て異なるという不具合を生じる。このため、リードフレ
ームの材質に応じて種々のリード成形金型及び樹脂封止
金型が必要とする問題がある。また、更には半導体装置
として最適なリードフレームを考慮した際は良好な導電
性熱放散性、そして十分なリード強度と耐腐食性の両者
を満足したいわけであるが、単一の合金でリードフレー
ムが構成されている場合には、これら両方の要求を満足
できないという問題も残っている。
本発明の目的は、一種類のリード成形金型及び樹脂封止
金型で適用出来、また良好な導電性及び熱放散性をもつ
とともにリード強度と耐腐食性をもつリードフレームを
提供することである。
金型で適用出来、また良好な導電性及び熱放散性をもつ
とともにリード強度と耐腐食性をもつリードフレームを
提供することである。
本発明のリードフレームは、少なくともアイランドが銅
を主体とする合金から成り、残りの他の部分が鉄を主体
とする合金から成るということを特徴としている。
を主体とする合金から成り、残りの他の部分が鉄を主体
とする合金から成るということを特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例を示すリードフレームの平面図であ
る。このリードフレームは、第１図で示すように、斜線
で示した部分であるアイランド１と吊りリード４は銅合
金からなり、その他の部分であるリードフレーム枠部１
、リード２、タイバー３は鉄・ニッケル合金からなり、
両者はろう材６により結合されている。ここで、−例と
して銅合金にＭＰ２０２合金を用いた場合、その熱膨張
率は１７．ＯＸ １０−６／’Ｃであり、代表的な鉄・
ニッケル合金である４１合金の熱膨張率７ Ｘ １０−
６／℃の２．４倍の熱膨張率をもっている。このことは
、例えば従来のように、単一のＭＦ２０２合金からなる
リードフレームの場合、４２合金用に封入金型やリード
成形金型を設計した時にはＭＰ２０２合金のリードフレ
ームは寸法が合わず使用できないし、逆にＭＦ２０２合
金用に金型を設計した時には、４２合金で作られたリー
ドフレームには使用できない。そこで本発明の実施例で
は、リード部を鉄・ニッケル合金である４２合金で作成
されているので、４２合金用として設計された封入金型
やリード成形金型が適用できるうえに、発熱体である半
導体チップの乗せるアイランド１が０Ｆ２０２合金での
長所である高い熱伝導度や高い電気伝導度が確保できる
という利点がある。
は本発明の一実施例を示すリードフレームの平面図であ
る。このリードフレームは、第１図で示すように、斜線
で示した部分であるアイランド１と吊りリード４は銅合
金からなり、その他の部分であるリードフレーム枠部１
、リード２、タイバー３は鉄・ニッケル合金からなり、
両者はろう材６により結合されている。ここで、−例と
して銅合金にＭＰ２０２合金を用いた場合、その熱膨張
率は１７．ＯＸ １０−６／’Ｃであり、代表的な鉄・
ニッケル合金である４１合金の熱膨張率７ Ｘ １０−
６／℃の２．４倍の熱膨張率をもっている。このことは
、例えば従来のように、単一のＭＦ２０２合金からなる
リードフレームの場合、４２合金用に封入金型やリード
成形金型を設計した時にはＭＰ２０２合金のリードフレ
ームは寸法が合わず使用できないし、逆にＭＦ２０２合
金用に金型を設計した時には、４２合金で作られたリー
ドフレームには使用できない。そこで本発明の実施例で
は、リード部を鉄・ニッケル合金である４２合金で作成
されているので、４２合金用として設計された封入金型
やリード成形金型が適用できるうえに、発熱体である半
導体チップの乗せるアイランド１が０Ｆ２０２合金での
長所である高い熱伝導度や高い電気伝導度が確保できる
という利点がある。
第２図は本発明の他の実施例を示すリードフレームの平
面図である。この実施例では、斜線で示した部分である
アイランド４のみが銅合金からなり、その他の部分であ
るリードフレーム枠部１゜リード２．タイバー３．つり
ピン４が鉄・ニッケル合金からなり、両者はろう材６に
より結合されている。この実施例では封入金型で型締め
される部分にろう材６の結合部をもてきていないため型
締めが容易にできるという利点を有する。
面図である。この実施例では、斜線で示した部分である
アイランド４のみが銅合金からなり、その他の部分であ
るリードフレーム枠部１゜リード２．タイバー３．つり
ピン４が鉄・ニッケル合金からなり、両者はろう材６に
より結合されている。この実施例では封入金型で型締め
される部分にろう材６の結合部をもてきていないため型
締めが容易にできるという利点を有する。
以上説明したように本発明は、アイランドもしくはアイ
ランドとつりピン部分を銅合金で、その他の部分を鉄合
金で形成することにより、封入金型あるいはリード成形
金型を複数種類設計することなく、しかも搭載する半導
体チップに対しては良好な熱放散性を有し、かつリード
に対しては十分なリード強度と耐腐食性を有するリード
フレームが得られるという効果がある。
ランドとつりピン部分を銅合金で、その他の部分を鉄合
金で形成することにより、封入金型あるいはリード成形
金型を複数種類設計することなく、しかも搭載する半導
体チップに対しては良好な熱放散性を有し、かつリード
に対しては十分なリード強度と耐腐食性を有するリード
フレームが得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの平面
図、第２図は他の実施例を示すリードフレームの平面図
、第３図は従来の一例を示すリードフレームの平面図で
ある。 １・・・アイランド、２・・・リード、３・・・タイバ
、４・・・吊りリード、 ５・・・欠番、 ６・・・ろう材、 ７・・・樹脂 封止領域。
図、第２図は他の実施例を示すリードフレームの平面図
、第３図は従来の一例を示すリードフレームの平面図で
ある。 １・・・アイランド、２・・・リード、３・・・タイバ
、４・・・吊りリード、 ５・・・欠番、 ６・・・ろう材、 ７・・・樹脂 封止領域。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおいて、少
なくともアイランドが銅を主体とする合金から成り、残
りの他の部分が鉄を主体とする合金から成ることを特徴
とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26961689A JPH03129870A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26961689A JPH03129870A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129870A true JPH03129870A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17474833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26961689A Pending JPH03129870A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129870A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661336A (en) * | 1994-05-03 | 1997-08-26 | Phelps, Jr.; Douglas Wallace | Tape application platform and processes therefor |
| US5681663A (en) * | 1995-06-09 | 1997-10-28 | Ford Motor Company | Heatspreader carrier strip |
| KR100799200B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-01-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및 그것의 제조 방법 |
| US7332804B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2015138796A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-30 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2015138795A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-30 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2017191954A (ja) * | 2017-07-27 | 2017-10-19 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155159A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-04 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS60164347A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Hitachi Cable Ltd | Ｉｃ用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
| JPS60193365A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP26961689A patent/JPH03129870A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JP2015138796A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-30 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
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| JP2017191954A (ja) * | 2017-07-27 | 2017-10-19 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
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