JPH04329660A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH04329660A JPH04329660A JP12854291A JP12854291A JPH04329660A JP H04329660 A JPH04329660 A JP H04329660A JP 12854291 A JP12854291 A JP 12854291A JP 12854291 A JP12854291 A JP 12854291A JP H04329660 A JPH04329660 A JP H04329660A
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Landscapes
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレームとその製造方法に関し、特に、半導体素子固着
用のメッキがその搭載部に形成されたリードフレームと
その製造方法に関する。
フレームとその製造方法に関し、特に、半導体素子固着
用のメッキがその搭載部に形成されたリードフレームと
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームは、中央部に半導体素子を搭載する
アイランドと、このアイランドの周縁を囲むようにして
配設された複数本のリードからなるリード部が金属薄板
から一体形成されている。前記リードフレームを用いた
半導体装置を製造するには、まずアイランドに半導体素
子を固着し、この半導体素子の電極とリードの先端部と
をワイヤで接続した後、樹脂で封止している。従来、こ
のようなリードフレームは、鉄、鉄合金、銅、銅合金等
の薄板を素材とし、この素材をプレスによる打ち抜き、
あるいはエッチングによって不用部分をくり抜いた後、
半導体素子固着部とリードの所定の範囲に部分メッキを
行うことにより製造していた。
れるリードフレームは、中央部に半導体素子を搭載する
アイランドと、このアイランドの周縁を囲むようにして
配設された複数本のリードからなるリード部が金属薄板
から一体形成されている。前記リードフレームを用いた
半導体装置を製造するには、まずアイランドに半導体素
子を固着し、この半導体素子の電極とリードの先端部と
をワイヤで接続した後、樹脂で封止している。従来、こ
のようなリードフレームは、鉄、鉄合金、銅、銅合金等
の薄板を素材とし、この素材をプレスによる打ち抜き、
あるいはエッチングによって不用部分をくり抜いた後、
半導体素子固着部とリードの所定の範囲に部分メッキを
行うことにより製造していた。
【０００３】上記部分メッキ方法の例が特開昭６０−１
８３７５６号公報に開示されている。この公報に開示さ
れている部分メッキ方法を図６〜図８を用いて説明する
。図６は、従来の部分メッキ方法の一例を示す要部切欠
断面図で、図７は図６におけるＣ−Ｃ線断面図、図８は
この方法によるリードフレームのメッキ状態を示す平面
図である。これらの図において、６１は半導体用リード
フレーム素体、６２は半導体素子（チップ）を取り付け
るアイランド、６３はアイランドの周囲に放射状に配列
されているリードで６３ｉはパッケージの外部リード線
の内方部に相当するインナーリード、６３ｏはリード線
の外方部に相当するアウターリード、６４はフレーム枠
、６５はインナーリード６３ｉの間隔を維持するための
連結部であるダムバー、６６はアイランド６２とフレー
ム枠６４間を連結しているタイバーである。点線６７で
囲まれた領域はチップボンディングエリアとワイヤボン
ディングとを含む領域６８で、ここに金、銀、錫、アル
ミニウムなどのボンディング用金属がメッキされる。 ７２は非導電性弾性体、７３は押さえ板、７４は陽極、
７５はメッキ液、７６は非導電性物質で構成されていて
所定のパターンの開口部（メッキする部分）をもつ孔あ
きマスクである。
８３７５６号公報に開示されている。この公報に開示さ
れている部分メッキ方法を図６〜図８を用いて説明する
。図６は、従来の部分メッキ方法の一例を示す要部切欠
断面図で、図７は図６におけるＣ−Ｃ線断面図、図８は
この方法によるリードフレームのメッキ状態を示す平面
図である。これらの図において、６１は半導体用リード
フレーム素体、６２は半導体素子（チップ）を取り付け
るアイランド、６３はアイランドの周囲に放射状に配列
されているリードで６３ｉはパッケージの外部リード線
の内方部に相当するインナーリード、６３ｏはリード線
の外方部に相当するアウターリード、６４はフレーム枠
、６５はインナーリード６３ｉの間隔を維持するための
連結部であるダムバー、６６はアイランド６２とフレー
ム枠６４間を連結しているタイバーである。点線６７で
囲まれた領域はチップボンディングエリアとワイヤボン
ディングとを含む領域６８で、ここに金、銀、錫、アル
ミニウムなどのボンディング用金属がメッキされる。 ７２は非導電性弾性体、７３は押さえ板、７４は陽極、
７５はメッキ液、７６は非導電性物質で構成されていて
所定のパターンの開口部（メッキする部分）をもつ孔あ
きマスクである。
【０００４】従来の部分メッキ方法においては、図６に
示すように、半導体用リードフレーム素体６１が孔あき
マスク７６の上に設置され、この背面から非導電性弾性
体７２を介して押さえ板７３によって圧着支持され、前
記半導体リードフレーム素体６１を陰極とし、不溶性電
極を陽極７４として、下方よりメッキ液７５を噴流させ
ながら通電してメッキを行っていた。この方法によって
得られた部分メッキ状態は図８に示されるようなパター
ンであり、半導体用リードフレーム素体のチップ固着部
およびインナーリード部の必要最小限の領域に、一回の
操作で効率的、かつ経済的に部分メッキしていた。すな
わち、ワイヤボンドの信頼性を高く保つため、かつ過剰
のメッキを防ぐためにインナーリード先端部のスポット
メッキとチップボンディングエリアのメッキを同時に行
っていた。
示すように、半導体用リードフレーム素体６１が孔あき
マスク７６の上に設置され、この背面から非導電性弾性
体７２を介して押さえ板７３によって圧着支持され、前
記半導体リードフレーム素体６１を陰極とし、不溶性電
極を陽極７４として、下方よりメッキ液７５を噴流させ
ながら通電してメッキを行っていた。この方法によって
得られた部分メッキ状態は図８に示されるようなパター
ンであり、半導体用リードフレーム素体のチップ固着部
およびインナーリード部の必要最小限の領域に、一回の
操作で効率的、かつ経済的に部分メッキしていた。すな
わち、ワイヤボンドの信頼性を高く保つため、かつ過剰
のメッキを防ぐためにインナーリード先端部のスポット
メッキとチップボンディングエリアのメッキを同時に行
っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、リー
ドフレームに半導体素子固着用のメッキエリアを形成す
るための部分メッキ方法は、数分程度のメッキ時間が必
要であり、また、マスキングによって所定の領域にメッ
キ層を形成していたので、治具の位置ずれ、エアの付着
等によるメッキ厚の不均一、ピンホールの発生といった
問題があった。本発明は所望の領域に短時間で、かつ経
済的にメッキエリアを形成し、高信頼性を有する半導体
装置が製造可能なリードフレームとその製造方法を提供
することを目的とする。
ドフレームに半導体素子固着用のメッキエリアを形成す
るための部分メッキ方法は、数分程度のメッキ時間が必
要であり、また、マスキングによって所定の領域にメッ
キ層を形成していたので、治具の位置ずれ、エアの付着
等によるメッキ厚の不均一、ピンホールの発生といった
問題があった。本発明は所望の領域に短時間で、かつ経
済的にメッキエリアを形成し、高信頼性を有する半導体
装置が製造可能なリードフレームとその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、上記問題点を解決するため、半導体素子を搭載し固
着するためのメッキ層が中央部に設けられたアイランド
と、このアイランドの周縁を囲むようにして配設された
複数本のリードからなるリード部とを有するリードフレ
ームにおいて、前記アイランドは、前記メッキ層が設け
られるメッキエリアに貫通穴が形成され、メッキ層が形
成された部材を前記貫通穴に嵌入させた構造を有するよ
うにしたものである。本発明は、好ましくは、前記メッ
キエリアを、前記アイランド面から突出あるいは陥没さ
せたものである。本発明によるリードフレームの他の形
態としては、前記アイランドが、前記メッキエリアに設
けられた半導体素子固着用の第１のメッキ層と、このメ
ッキエリア以外の部分に設けられた第２のメッキ層とを
有するようにしたものがある。また、本発明の製造方法
は、半導体素子を搭載し固着するためのメッキ層が中央
部に設けられたアイランドと、このアイランドの周縁を
囲むようにして配設された複数本のリードからなるリー
ド部とを有するリードフレームの製造方法において、半
導体素子固着用材料がメッキされた転写材フレームのメ
ッキ面とリードフレーム材を当接し、前記転写材フレー
ムおよびリードフレーム材のメッキエリアとなる部分に
プレス加工を同時に施すことによって、前記リードフレ
ーム材のメッキエリアのみを打ち抜き、リードフレーム
材にメッキ面を有する転写材が嵌入したメッキエリアを
形成するようにしたものである。本発明の製造方法は、
好ましくは、前記メッキエリアを形成する工程が、リー
ドフレームパターンを形成するリードフレームの打ち抜
き工程と同時になされるようにしたものである。
は、上記問題点を解決するため、半導体素子を搭載し固
着するためのメッキ層が中央部に設けられたアイランド
と、このアイランドの周縁を囲むようにして配設された
複数本のリードからなるリード部とを有するリードフレ
ームにおいて、前記アイランドは、前記メッキ層が設け
られるメッキエリアに貫通穴が形成され、メッキ層が形
成された部材を前記貫通穴に嵌入させた構造を有するよ
うにしたものである。本発明は、好ましくは、前記メッ
キエリアを、前記アイランド面から突出あるいは陥没さ
せたものである。本発明によるリードフレームの他の形
態としては、前記アイランドが、前記メッキエリアに設
けられた半導体素子固着用の第１のメッキ層と、このメ
ッキエリア以外の部分に設けられた第２のメッキ層とを
有するようにしたものがある。また、本発明の製造方法
は、半導体素子を搭載し固着するためのメッキ層が中央
部に設けられたアイランドと、このアイランドの周縁を
囲むようにして配設された複数本のリードからなるリー
ド部とを有するリードフレームの製造方法において、半
導体素子固着用材料がメッキされた転写材フレームのメ
ッキ面とリードフレーム材を当接し、前記転写材フレー
ムおよびリードフレーム材のメッキエリアとなる部分に
プレス加工を同時に施すことによって、前記リードフレ
ーム材のメッキエリアのみを打ち抜き、リードフレーム
材にメッキ面を有する転写材が嵌入したメッキエリアを
形成するようにしたものである。本発明の製造方法は、
好ましくは、前記メッキエリアを形成する工程が、リー
ドフレームパターンを形成するリードフレームの打ち抜
き工程と同時になされるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、あらかじめ半導体素子固着用
の金属メッキが施された転写材フレームとリードフレー
ム材を当接させ、プレス加工を行うことによって、アイ
ランドの中央部（メッキエリア）に当接しているリード
フレーム材を押し抜き除去し、金属メッキが施された転
写材をリードフレーム材に嵌入させる。その後、このリ
ードフレーム材から、メッキエリア以外の部分に接して
いる転写材フレームを除去する。このようにして、リー
ドフレーム材のアイランドエリアの中に部分的にメッキ
が施されたメッキエリアが形成される。前記プレス加工
時に、不要部分をくり抜くリードフレームの打ち抜き加
工を同時に行えば、前述したリードフレーム材への転写
材の嵌入とともに、所定のパターンを有するリードフレ
ームの成形加工がなされる。金属メッキが施された転写
材をリードフレーム材に嵌入させる際、その嵌入深さを
制御することによって、あるいはそれぞれの材料の厚さ
を選択することによって、メッキエリアをアイランド面
から突出あるいは陥没させることができる。
の金属メッキが施された転写材フレームとリードフレー
ム材を当接させ、プレス加工を行うことによって、アイ
ランドの中央部（メッキエリア）に当接しているリード
フレーム材を押し抜き除去し、金属メッキが施された転
写材をリードフレーム材に嵌入させる。その後、このリ
ードフレーム材から、メッキエリア以外の部分に接して
いる転写材フレームを除去する。このようにして、リー
ドフレーム材のアイランドエリアの中に部分的にメッキ
が施されたメッキエリアが形成される。前記プレス加工
時に、不要部分をくり抜くリードフレームの打ち抜き加
工を同時に行えば、前述したリードフレーム材への転写
材の嵌入とともに、所定のパターンを有するリードフレ
ームの成形加工がなされる。金属メッキが施された転写
材をリードフレーム材に嵌入させる際、その嵌入深さを
制御することによって、あるいはそれぞれの材料の厚さ
を選択することによって、メッキエリアをアイランド面
から突出あるいは陥没させることができる。
【０００８】
【実施例】図１〜図５を用いて本発明の実施例を説明す
る。図４および図５は、それぞれ本発明による部分メッ
キエリアをリードフレームに形成する方法の一工程を示
す断面図である。これらの図において、１はＦｅ−Ｎｉ
合金からなる転写材フレーム、２はその表面に形成され
たＡｕメッキ層２、点線３で囲まれた領域はアイランド
エリア、４は銅合金からなるリードフレーム材、５はメ
ッキエリア、６はアイランドに転写材フレーム１から残
される転写材、７はプレス加工によって除去される押し
出し除去部である。図４に示すように、まず、転写材フ
レーム１のＡｕメッキ層２とリードフレーム材４とが当
接される。次に、図示しないプレス機によって、転写材
フレーム１とリードフレーム材４のメッキエリア５の部
分が同時にプレス加工され、これによって、図５に示す
ように、リードフレーム材４のメッキエリア部分、すな
わち、押し出し除去部７が押し抜かれるとともに、これ
により生じた穴に転写材６のメッキエリア部分が嵌入す
るような加工処理が施される。この際、リードフレーム
材４の押し出し除去部７はリードフレーム材４から離脱
する。以上の工程においては、リードフレームの所定の
パターンを形成する（不要部を打ち抜く）プレス加工も
同時になされる。
る。図４および図５は、それぞれ本発明による部分メッ
キエリアをリードフレームに形成する方法の一工程を示
す断面図である。これらの図において、１はＦｅ−Ｎｉ
合金からなる転写材フレーム、２はその表面に形成され
たＡｕメッキ層２、点線３で囲まれた領域はアイランド
エリア、４は銅合金からなるリードフレーム材、５はメ
ッキエリア、６はアイランドに転写材フレーム１から残
される転写材、７はプレス加工によって除去される押し
出し除去部である。図４に示すように、まず、転写材フ
レーム１のＡｕメッキ層２とリードフレーム材４とが当
接される。次に、図示しないプレス機によって、転写材
フレーム１とリードフレーム材４のメッキエリア５の部
分が同時にプレス加工され、これによって、図５に示す
ように、リードフレーム材４のメッキエリア部分、すな
わち、押し出し除去部７が押し抜かれるとともに、これ
により生じた穴に転写材６のメッキエリア部分が嵌入す
るような加工処理が施される。この際、リードフレーム
材４の押し出し除去部７はリードフレーム材４から離脱
する。以上の工程においては、リードフレームの所定の
パターンを形成する（不要部を打ち抜く）プレス加工も
同時になされる。
【０００９】図１は、リードフレームのアイランド８部
近傍を示す縦断面図であり、図２は図１の平面図である
。これらの図において示されているリードフレームは、
上述したプレス加工により押し出し除去部７が除去され
、これにより生じた穴に転写材６のメッキエリア部分が
嵌入した図５に示されるリードフレーム材４から、メッ
キエリア５以外の部分に接している転写材フレーム１を
除去したものである。また、樹脂封止型半導体装置に用
いられるリードフレームは、図８に示されているリード
フレームと同様、アイランド８の周囲にインナーリード
、アウターリードおよびフレーム枠が形成された所定の
パターンを有しているが、ここではアイランド８以外の
部分については省略する。図１および図２において、８
はアイランド、９はアイランド８を支持するアイランド
サポートで、アイランド８はアイランドサポート９を介
してフレーム枠（図示せず）に固定されている。 これらの図に示されるように、リードフレームのアイラ
ンド８の中央部には穴が形成されており、この穴には転
写材６が嵌入され、その表面には、メッキエリア５を形
成する半導体素子固着用のＡｕメッキ層２が形成されて
いる。半導体素子は、このＡｕメッキ層２上に載置され
、半導体素子の裏面のシリコンを加熱し圧着することに
よりリードフレームに固定されることになる。
近傍を示す縦断面図であり、図２は図１の平面図である
。これらの図において示されているリードフレームは、
上述したプレス加工により押し出し除去部７が除去され
、これにより生じた穴に転写材６のメッキエリア部分が
嵌入した図５に示されるリードフレーム材４から、メッ
キエリア５以外の部分に接している転写材フレーム１を
除去したものである。また、樹脂封止型半導体装置に用
いられるリードフレームは、図８に示されているリード
フレームと同様、アイランド８の周囲にインナーリード
、アウターリードおよびフレーム枠が形成された所定の
パターンを有しているが、ここではアイランド８以外の
部分については省略する。図１および図２において、８
はアイランド、９はアイランド８を支持するアイランド
サポートで、アイランド８はアイランドサポート９を介
してフレーム枠（図示せず）に固定されている。 これらの図に示されるように、リードフレームのアイラ
ンド８の中央部には穴が形成されており、この穴には転
写材６が嵌入され、その表面には、メッキエリア５を形
成する半導体素子固着用のＡｕメッキ層２が形成されて
いる。半導体素子は、このＡｕメッキ層２上に載置され
、半導体素子の裏面のシリコンを加熱し圧着することに
よりリードフレームに固定されることになる。
【００１０】本実施例においては、図１に示すように、
メッキエリア５のＡｕメッキ層２がアイランド８面から
突出（半導体素子固着面から見て）するように転写材６
をリードフレーム材４に嵌入させ、Ａｕ−Ｓｉ共晶量を
確保しやすくしている。図３は、アイランド８の斜視図
であり、転写材６の表面に形成したＡｕメッキ層２を上
にした状態を示している。この図に示すように、転写材
６をアイランド８面から突出させるには、リードフレー
ム材４への嵌入を十分に深くしてもよいし、転写材フレ
ーム１の厚さをリードフレーム材４より厚くしてもよい
。
メッキエリア５のＡｕメッキ層２がアイランド８面から
突出（半導体素子固着面から見て）するように転写材６
をリードフレーム材４に嵌入させ、Ａｕ−Ｓｉ共晶量を
確保しやすくしている。図３は、アイランド８の斜視図
であり、転写材６の表面に形成したＡｕメッキ層２を上
にした状態を示している。この図に示すように、転写材
６をアイランド８面から突出させるには、リードフレー
ム材４への嵌入を十分に深くしてもよいし、転写材フレ
ーム１の厚さをリードフレーム材４より厚くしてもよい
。
【００１１】リードフレーム材４よりも転写材フレーム
１を厚くし、アイランド８とメッキエリア５がほぼ平面
になるように加工すれば、半導体素子固着後、アイラン
ド８の裏面が封止樹脂外殻表面に接近した配置になるた
め、放熱効果が期待できる。また、アイランド８の表面
、裏面あるいは両面の望ましい位置に、転写材６に形成
されたメッキ以外の適切な材料のメッキを施せば、封止
樹脂との密着性を向上させることができる。さらに、ア
イランドに形成されたメッキエリアは以上のようにして
形成されるため、このメッキ厚とインナーリード部への
メッキ厚とを異ならせることもできる。インナーリード
部のメッキ厚は比較的薄くてもよいため、マスクを用い
て部分メッキによりインナーリード部にメッキを施し、
アイランドエリアのメッキを本発明のようにプレス加工
によって形成してもよい。
１を厚くし、アイランド８とメッキエリア５がほぼ平面
になるように加工すれば、半導体素子固着後、アイラン
ド８の裏面が封止樹脂外殻表面に接近した配置になるた
め、放熱効果が期待できる。また、アイランド８の表面
、裏面あるいは両面の望ましい位置に、転写材６に形成
されたメッキ以外の適切な材料のメッキを施せば、封止
樹脂との密着性を向上させることができる。さらに、ア
イランドに形成されたメッキエリアは以上のようにして
形成されるため、このメッキ厚とインナーリード部への
メッキ厚とを異ならせることもできる。インナーリード
部のメッキ厚は比較的薄くてもよいため、マスクを用い
て部分メッキによりインナーリード部にメッキを施し、
アイランドエリアのメッキを本発明のようにプレス加工
によって形成してもよい。
【００１２】以上、本発明を実施例に基き具体的に説明
したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることはいうまでもない。たとえば、実施例において
は、半導体素子固着用の金属メッキをＡｕメッキとした
が、これはシリコンチップをアイランドに固着する際、
Ａｕ−Ｓｉ共晶合金を作って固着するものであり、Ａｕ
のほかシリコンを共晶合金を作るＡｇ等の金属のメッキ
でもよい。メッキエリア５の形状も半導体素子の大きさ
によって適当に選べば良く、その形状、形状個数、メッ
キ厚さについては特に限定されない。その形状は、円形
、楕円形、短冊型など種々考えられる。また、複数のメ
ッキエリアを形成することも可能である。転写材フレー
ム１およびリードフレーム材４の材質についても、実施
例に限定されない。
したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることはいうまでもない。たとえば、実施例において
は、半導体素子固着用の金属メッキをＡｕメッキとした
が、これはシリコンチップをアイランドに固着する際、
Ａｕ−Ｓｉ共晶合金を作って固着するものであり、Ａｕ
のほかシリコンを共晶合金を作るＡｇ等の金属のメッキ
でもよい。メッキエリア５の形状も半導体素子の大きさ
によって適当に選べば良く、その形状、形状個数、メッ
キ厚さについては特に限定されない。その形状は、円形
、楕円形、短冊型など種々考えられる。また、複数のメ
ッキエリアを形成することも可能である。転写材フレー
ム１およびリードフレーム材４の材質についても、実施
例に限定されない。
【００１３】実施例においてはメッキエリア５はアイラ
ンド８面から突出するように形成したが、アイランド８
面とほぼ水平になるように形成してもよいし、アイラン
ド８面から陥没するように形成してもよい。これは、リ
ードフレーム材４への転写材６の嵌入の深さを制御する
ことによって所望のメッキエリア面を形成してもよいし
、転写材フレームおよびリードフレーム材の厚さの組み
合わせを適当に選ぶことによってもよい。たとえば、リ
ードフレーム材より転写材フレームを厚くして嵌入させ
れば、アイランド８の面に対して転写材６の突出量のコ
ントロールが容易である。転写材フレームよりリードフ
レーム材を厚くしてもよいのはいうまでもない。
ンド８面から突出するように形成したが、アイランド８
面とほぼ水平になるように形成してもよいし、アイラン
ド８面から陥没するように形成してもよい。これは、リ
ードフレーム材４への転写材６の嵌入の深さを制御する
ことによって所望のメッキエリア面を形成してもよいし
、転写材フレームおよびリードフレーム材の厚さの組み
合わせを適当に選ぶことによってもよい。たとえば、リ
ードフレーム材より転写材フレームを厚くして嵌入させ
れば、アイランド８の面に対して転写材６の突出量のコ
ントロールが容易である。転写材フレームよりリードフ
レーム材を厚くしてもよいのはいうまでもない。
【００１４】以上のように、転写材のリードフレーム材
への嵌入量、アイランド面からメッキエリアの突出量の
コントロール、あるいは材料の厚さのコントロールによ
って、アイランド８に各種の機能を持たせることが可能
となる。たとえば、嵌入量を少なくし、メッキエリアを
アイランドエリアよりもへこんだ状態にすれば、半導体
素子のエリアを固定できるとともに、Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金が流出するエリアを固定する機能が得られる。また、
実施例においては、メッキエリアを形成するためのプレ
ス加工と所定のパターンを有するリードフレーム成形を
同時に行ったが、メッキエリアを形成した後、マスクを
用いてエッチングによってリードフレームの成形を行う
こともできる。
への嵌入量、アイランド面からメッキエリアの突出量の
コントロール、あるいは材料の厚さのコントロールによ
って、アイランド８に各種の機能を持たせることが可能
となる。たとえば、嵌入量を少なくし、メッキエリアを
アイランドエリアよりもへこんだ状態にすれば、半導体
素子のエリアを固定できるとともに、Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金が流出するエリアを固定する機能が得られる。また、
実施例においては、メッキエリアを形成するためのプレ
ス加工と所定のパターンを有するリードフレーム成形を
同時に行ったが、メッキエリアを形成した後、マスクを
用いてエッチングによってリードフレームの成形を行う
こともできる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のリ
ードフレーム及びその製造方法によれば、半導体素子固
着用のメッキエリアを短時間で、かつ経済的に形成でき
るとともに、信頼性の高い半導体装置の製造が可能とな
る。
ードフレーム及びその製造方法によれば、半導体素子固
着用のメッキエリアを短時間で、かつ経済的に形成でき
るとともに、信頼性の高い半導体装置の製造が可能とな
る。
【図１】リードフレームのアイランド８部近傍を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の斜視図である。
【図４】本発明による部分メッキエリアをリードフレー
ムに形成する方法の一工程を示す断面図である。
ムに形成する方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明による部分メッキエリアをリードフレー
ムに形成する方法の一工程を示す断面図である。
ムに形成する方法の一工程を示す断面図である。
【図６】従来の部分メッキ方法の一例を示す要部切欠断
面図である。
面図である。
【図７】図６におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図８】従来の部分メッキ方法によるリードフレームの
メッキ状態を示す平面図である。
メッキ状態を示す平面図である。
１ 転写材フレーム
２ Ａｕメッキ層
３ アイランドエリア
４ リードフレーム材
５ メッキエリア
６ 転写材
７ 押し出し除去部
８ アイランド
９ アイランドサポート
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載し固着するためのメ
ッキ層が中央部に設けられたアイランドと、このアイラ
ンドの周縁を囲むようにして配設された複数本のリード
からなるリード部とを有するリードフレームにおいて、
前記アイランドは、前記メッキ層が設けられるメッキエ
リアに貫通穴が形成され、メッキ層が形成された部材を
前記貫通穴に嵌入させた構造を有することを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】 前記メッキエリアは、前記アイランド
の他の面から突出あるいは陥没していることを特徴とす
る請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記アイランドは、前記メッキエリア
に設けられた半導体素子固着用の第１のメッキ層と、こ
のメッキエリア以外の部分に設けられた第２のメッキ層
とを有することを特徴とする請求項１記載のリードフレ
ーム。 - 【請求項４】 半導体素子を搭載し固着するためのメ
ッキ層が中央部に設けられたアイランドと、このアイラ
ンドの周縁を囲むようにして配設された複数本のリード
からなるリード部とを有するリードフレームの製造方法
において、半導体素子固着用材料がメッキされた転写材
フレームのメッキ面とリードフレーム材を当接し、前記
転写材フレームおよびリードフレーム材のメッキエリア
となる部分にプレス加工を同時に施すことによって、前
記リードフレーム材のメッキエリアのみを打ち抜き、リ
ードフレーム材にメッキ面を有する転写材が嵌入したメ
ッキエリアを形成することを特徴とするリードフレーム
の製造方法。 - 【請求項５】 前記メッキエリアを形成する工程は、
リードフレームパターンを形成するリードフレームの打
ち抜き工程と同時になされることを特徴とする請求項４
記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12854291A JPH04329660A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12854291A JPH04329660A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329660A true JPH04329660A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14987338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12854291A Pending JPH04329660A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04329660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012092994A1 (de) * | 2011-01-05 | 2012-07-12 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische baugruppe mit verbessertem thermo-management |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12854291A patent/JPH04329660A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012092994A1 (de) * | 2011-01-05 | 2012-07-12 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische baugruppe mit verbessertem thermo-management |
| JP2014502059A (ja) * | 2011-01-05 | 2014-01-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | サーマルマネージメントを向上させた電子アセンブリ |
| US8933546B2 (en) | 2011-01-05 | 2015-01-13 | Robert Bosch Gmbh | Electronic assembly with improved thermal management |
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