JP2001111152A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JP2001111152A JP2001111152A JP28608999A JP28608999A JP2001111152A JP 2001111152 A JP2001111152 A JP 2001111152A JP 28608999 A JP28608999 A JP 28608999A JP 28608999 A JP28608999 A JP 28608999A JP 2001111152 A JP2001111152 A JP 2001111152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat sink
- stem
- leads
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップサイズが大きく発熱量の大きいレーザ
チップの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特
性を向上させながら、外径の小さい半導体レーザおよび
それを用いた薄型の光ピックアップを提供する。 【解決手段】 少なくとも２本のリード１４、１６が両
側に突出するように固定されるステム１の一方の底部
（ベース１１）側に支持部１２が設けられている。そし
て、その支持部１２の上部で前述の突出する２本のリー
ド１４、１６側に延びるように幅広にヒートシンク部１
３が形成されている。このヒートシンク部１３にレーザ
チップ２がマウントされている。
チップの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特
性を向上させながら、外径の小さい半導体レーザおよび
それを用いた薄型の光ピックアップを提供する。 【解決手段】 少なくとも２本のリード１４、１６が両
側に突出するように固定されるステム１の一方の底部
（ベース１１）側に支持部１２が設けられている。そし
て、その支持部１２の上部で前述の突出する２本のリー
ド１４、１６側に延びるように幅広にヒートシンク部１
３が形成されている。このヒートシンク部１３にレーザ
チップ２がマウントされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤ（デジタル
ビデオディスク）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピックアップ
用光源に用いるのにとくに適した、小形で安価な半導体
レーザに関する。さらに詳しくは、ＤＶＤ用などのレー
ザチップが大きくなっても、小さな外形で形成し得るス
テムタイプの半導体レーザに関する。
ビデオディスク）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピックアップ
用光源に用いるのにとくに適した、小形で安価な半導体
レーザに関する。さらに詳しくは、ＤＶＤ用などのレー
ザチップが大きくなっても、小さな外形で形成し得るス
テムタイプの半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＤ用のピックアップなどに用い
られるステムタイプの半導体レーザは、図７に示される
ような構造になっている。すなわち、鉄などの金属材料
を冷間鍛造法により成形して、ベース２１の中心部の一
部を盛り上げてヒートシンク部２２を形成し、リード２
３、２５をガラス２６などにより固定したステム２０が
用いられ、このヒートシンク部２２にレーザチップ３１
がシリコン基板などからなるサブマウント３４を介して
マウントされ、一方の電極（チップ３１の裏面電極）が
サブマウント３４の中継部３８を介してワイヤ３３によ
りリード２３と電気的に接続され、他方の電極はワイヤ
３３を介してサブマウント３４に接続され、その裏面を
介してヒートシンク部２２およびベース２１を経てコモ
ンリード２４と電気的に接続されている。なお、３２は
モニター用の受光素子で、一方の電極はワイヤ３３を介
してリード２５と、他方の電極はサブマウント３４、ヒ
ートシンク部２２およびベース２１を介してコモンリー
ド２４とそれぞれ電気的に接続されている。そしてその
周囲にキャップ３５が被せられることにより形成されて
いる。キャップ３５の頂部中央部にはレーザチップ３１
により発光する光が透過するように貫通孔３５ａが設け
られ、ガラス板３６が接着剤３７により封着されてい
る。
られるステムタイプの半導体レーザは、図７に示される
ような構造になっている。すなわち、鉄などの金属材料
を冷間鍛造法により成形して、ベース２１の中心部の一
部を盛り上げてヒートシンク部２２を形成し、リード２
３、２５をガラス２６などにより固定したステム２０が
用いられ、このヒートシンク部２２にレーザチップ３１
がシリコン基板などからなるサブマウント３４を介して
マウントされ、一方の電極（チップ３１の裏面電極）が
サブマウント３４の中継部３８を介してワイヤ３３によ
りリード２３と電気的に接続され、他方の電極はワイヤ
３３を介してサブマウント３４に接続され、その裏面を
介してヒートシンク部２２およびベース２１を経てコモ
ンリード２４と電気的に接続されている。なお、３２は
モニター用の受光素子で、一方の電極はワイヤ３３を介
してリード２５と、他方の電極はサブマウント３４、ヒ
ートシンク部２２およびベース２１を介してコモンリー
ド２４とそれぞれ電気的に接続されている。そしてその
周囲にキャップ３５が被せられることにより形成されて
いる。キャップ３５の頂部中央部にはレーザチップ３１
により発光する光が透過するように貫通孔３５ａが設け
られ、ガラス板３６が接着剤３７により封着されてい
る。
【０００３】この構造では、リード２３、２５間にヒー
トシンク部２２を形成しなければならないにも拘わら
ず、リード２３、２５をガラス２６などにより封着しな
ければならないため、ステム２０の径を小さくすること
ができない。そのため、従来は外形が５.６ｍｍφ程度
のものしか作られていない。
トシンク部２２を形成しなければならないにも拘わら
ず、リード２３、２５をガラス２６などにより封着しな
ければならないため、ステム２０の径を小さくすること
ができない。そのため、従来は外形が５.６ｍｍφ程度
のものしか作られていない。
【０００４】一方、図８に示されるように、板状体を絞
り加工してリング２７およびヒートシンクとする台座部
２８を一体に形成し、そのリング２７内にガラス２９な
どによりリード２３、２５を直接封着してステム２０を
形成し、キャップ３５をそのステム２０の外周に圧入に
より被せるタイプのものもある。このような構造にする
ことにより、ステムのベースに直接ヒートシンク部を形
成する必要がなく、また、キャップを溶接するスペース
を必要としないため、３.３ｍｍφ程度のものが製造さ
れている。なお、図８と同じ部分には同じ符号を付して
その説明を省略する。
り加工してリング２７およびヒートシンクとする台座部
２８を一体に形成し、そのリング２７内にガラス２９な
どによりリード２３、２５を直接封着してステム２０を
形成し、キャップ３５をそのステム２０の外周に圧入に
より被せるタイプのものもある。このような構造にする
ことにより、ステムのベースに直接ヒートシンク部を形
成する必要がなく、また、キャップを溶接するスペース
を必要としないため、３.３ｍｍφ程度のものが製造さ
れている。なお、図８と同じ部分には同じ符号を付して
その説明を省略する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＤ用などのピ
ックアップに用いる光源としては、レーザチップの大き
さも０.２５ｍｍ角程度であり、また動作電流も小さい
ため、前述の図８に示される構造の半導体レーザを用い
ても、発熱量も少なく差し支えないが、ＤＶＤ用のレー
ザチップは０.２５ｍｍ×０.５ｍｍ角程度と大きく、動
作電流もＣＤ用の２倍程度と大きくなり、放熱が充分で
ないとレーザチップが発光しなくなるという問題があ
る。そのため、ヒートシンク部をできるだけ大きくし
て、放熱を向上させることが必要となる。さらに、図８
に示される構造では、キャップが圧入によりはめ込まれ
ているため、ステム表面にハンダメッキなどを厚く形成
する必要があり、リードにもハンダメッキが厚く付い
て、ワイヤボンディングをしにくいとい問題もある。
ックアップに用いる光源としては、レーザチップの大き
さも０.２５ｍｍ角程度であり、また動作電流も小さい
ため、前述の図８に示される構造の半導体レーザを用い
ても、発熱量も少なく差し支えないが、ＤＶＤ用のレー
ザチップは０.２５ｍｍ×０.５ｍｍ角程度と大きく、動
作電流もＣＤ用の２倍程度と大きくなり、放熱が充分で
ないとレーザチップが発光しなくなるという問題があ
る。そのため、ヒートシンク部をできるだけ大きくし
て、放熱を向上させることが必要となる。さらに、図８
に示される構造では、キャップが圧入によりはめ込まれ
ているため、ステム表面にハンダメッキなどを厚く形成
する必要があり、リードにもハンダメッキが厚く付い
て、ワイヤボンディングをしにくいとい問題もある。
【０００６】一方において、ＣＤやＤＶＤなどの信号検
出に用いるピックアップは、最近のノート型パソコンな
どに代表されるように電子機器の軽薄短小化に伴い、非
常に薄型のものが要求され、ピックアップでは横向きに
して用いられる半導体レーザはその外径の小さいものが
要求され、前述のＤＶＤ用などでチップサイズが大きく
なり、放熱をよくする必要のあるものでも、外径を３.
３ｍｍφ程度以下にすることが望まれている。
出に用いるピックアップは、最近のノート型パソコンな
どに代表されるように電子機器の軽薄短小化に伴い、非
常に薄型のものが要求され、ピックアップでは横向きに
して用いられる半導体レーザはその外径の小さいものが
要求され、前述のＤＶＤ用などでチップサイズが大きく
なり、放熱をよくする必要のあるものでも、外径を３.
３ｍｍφ程度以下にすることが望まれている。
【０００７】本発明はこのような状況に鑑みなされたも
ので、チップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチッ
プの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特性を
向上させながら、外径の小さい半導体レーザを提供する
ことを目的とする。
ので、チップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチッ
プの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特性を
向上させながら、外径の小さい半導体レーザを提供する
ことを目的とする。
【０００８】本発明の他の目的は、ノート型パソコンな
どに用いられるような光ピックアップを薄型化し、電子
機器の薄型化を達成することができる光ピックアップ装
置を提供することにある。
どに用いられるような光ピックアップを薄型化し、電子
機器の薄型化を達成することができる光ピックアップ装
置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザは、少なくとも２本のリードが両側に突出するように
固定されるステムと、該ステムの一方の底部（リードの
固定部）側に設けられる支持部と、該支持部の上部で前
記突出する２本のリード側に延びるように幅広に形成さ
れるヒートシンク部と、該ヒートシンク部に固着される
レーザチップとからなっている。
ザは、少なくとも２本のリードが両側に突出するように
固定されるステムと、該ステムの一方の底部（リードの
固定部）側に設けられる支持部と、該支持部の上部で前
記突出する２本のリード側に延びるように幅広に形成さ
れるヒートシンク部と、該ヒートシンク部に固着される
レーザチップとからなっている。
【００１０】ここにリード側に延びるように幅広に形成
されるとは、２本のリードの間に設けられる支持部がリ
ードの幅方向に延びる場合、およびリードの後ろ側に設
けられる支持部が前方のリード側（リードの幅方向と垂
直方向）に延びる場合の一方または両方を含む意味であ
る。なお、幅広に形成される部分は、リード先端の上部
を覆うように幅広にされてもよいし、リードの先端は覆
われないが、リードを固着するガラス部分を覆う程度の
幅広でもよい。
されるとは、２本のリードの間に設けられる支持部がリ
ードの幅方向に延びる場合、およびリードの後ろ側に設
けられる支持部が前方のリード側（リードの幅方向と垂
直方向）に延びる場合の一方または両方を含む意味であ
る。なお、幅広に形成される部分は、リード先端の上部
を覆うように幅広にされてもよいし、リードの先端は覆
われないが、リードを固着するガラス部分を覆う程度の
幅広でもよい。
【００１１】この構造にすることにより、平面的に見て
（ステムを上面から見て）、支持部はリード間隔などに
より狭く制約されても、ヒートシンク部とリード（リー
ドを固着するガラス部を含む）とが重なる構造になって
いるため、狭いリードの間隔にしても充分にヒートシン
ク部の体積を確保することができる。その結果、３.３
ｍｍφの外径とするための狭いリード間隔にしても、熱
放散に充分なヒートシンク部を設けることができ、ＤＶ
Ｄ用のようにチップサイズが大きくて発熱の大きいレー
ザチップでも小形のパッケージにすることができる。す
なわち、従来のこの種の半導体レーザでは、ヒートシン
ク部と支持部とが同じ幅で形成され、平面的に見て、ヒ
ートシンク部とリードとが並ぶように配置するという発
想であったため、ステムにおけるリードの間隔に制約を
受けたり、ヒートシンク部を大きくすることができない
という制約を受けていた。しかし、平面的に見てリード
と重なるようにヒートシンク部を広げて大きくするとい
う発想にしたことにより、小さな外形でチップサイズが
大きく発熱の大きいＤＶＤ用の半導体レーザでも外形が
３.３ｍｍφ程度の小形に形成することができた。
（ステムを上面から見て）、支持部はリード間隔などに
より狭く制約されても、ヒートシンク部とリード（リー
ドを固着するガラス部を含む）とが重なる構造になって
いるため、狭いリードの間隔にしても充分にヒートシン
ク部の体積を確保することができる。その結果、３.３
ｍｍφの外径とするための狭いリード間隔にしても、熱
放散に充分なヒートシンク部を設けることができ、ＤＶ
Ｄ用のようにチップサイズが大きくて発熱の大きいレー
ザチップでも小形のパッケージにすることができる。す
なわち、従来のこの種の半導体レーザでは、ヒートシン
ク部と支持部とが同じ幅で形成され、平面的に見て、ヒ
ートシンク部とリードとが並ぶように配置するという発
想であったため、ステムにおけるリードの間隔に制約を
受けたり、ヒートシンク部を大きくすることができない
という制約を受けていた。しかし、平面的に見てリード
と重なるようにヒートシンク部を広げて大きくするとい
う発想にしたことにより、小さな外形でチップサイズが
大きく発熱の大きいＤＶＤ用の半導体レーザでも外形が
３.３ｍｍφ程度の小形に形成することができた。
【００１２】前記ステムが、金属性ベースの貫通孔に絶
縁体を介して前記２本のリードが固定されることにより
形成され、前記支持部が該ベースと一体に形成され、該
支持部上に前記ヒートシンク部が接着される構造にする
ことにより、ヒートシンク部として、熱伝導のよい銅材
などを使用することができる。
縁体を介して前記２本のリードが固定されることにより
形成され、前記支持部が該ベースと一体に形成され、該
支持部上に前記ヒートシンク部が接着される構造にする
ことにより、ヒートシンク部として、熱伝導のよい銅材
などを使用することができる。
【００１３】前記ステムが、金属性ベースの貫通孔に絶
縁体を介して前記２本のリードが固定されることにより
形成され、前記支持部およびヒートシンク部が該ベース
と一体に形成されることにより、寸法精度がよくなり、
組立も容易になる。
縁体を介して前記２本のリードが固定されることにより
形成され、前記支持部およびヒートシンク部が該ベース
と一体に形成されることにより、寸法精度がよくなり、
組立も容易になる。
【００１４】前記支持部およびヒートシンク部が金属性
板材により一体物に形成され、該一体物の前記支持部が
前記ステムのベースに固着される構造にすることによ
り、ステムの製造工程が非常に容易になる。
板材により一体物に形成され、該一体物の前記支持部が
前記ステムのベースに固着される構造にすることによ
り、ステムの製造工程が非常に容易になる。
【００１５】前記ステムが、円筒状のリング内に絶縁体
を介して前記少なくとも２本のリードが封着されること
により形成されるタイプでも、幅広に形成され、熱放散
のよいヒートシンク部が設けられることにより、ＤＶＤ
用などのチップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチ
ップを有する半導体レーザを製造することもできる。
を介して前記少なくとも２本のリードが封着されること
により形成されるタイプでも、幅広に形成され、熱放散
のよいヒートシンク部が設けられることにより、ＤＶＤ
用などのチップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチ
ップを有する半導体レーザを製造することもできる。
【００１６】本発明による光ピックアップ装置は、半導
体レーザと、回折格子と、前記半導体レーザから出射す
る光と反射して戻る光とを分離するビームスプリッタ
と、前記半導体レーザからのビームを平行光とするコリ
メートレンズと、前記半導体レーザからのビームを直角
方向に曲げる反射鏡と、前記ビームをディスク上に焦点
を結ばせる対物レンズと、前記ディスクからの反射光を
前記ビームスプリッタにより分離して検出する光検出器
とからなり、前記半導体レーザが請求項１記載の半導体
レーザからなっている。
体レーザと、回折格子と、前記半導体レーザから出射す
る光と反射して戻る光とを分離するビームスプリッタ
と、前記半導体レーザからのビームを平行光とするコリ
メートレンズと、前記半導体レーザからのビームを直角
方向に曲げる反射鏡と、前記ビームをディスク上に焦点
を結ばせる対物レンズと、前記ディスクからの反射光を
前記ビームスプリッタにより分離して検出する光検出器
とからなり、前記半導体レーザが請求項１記載の半導体
レーザからなっている。
【００１７】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体レーザについて説明をする。本発明による半
導体レーザは、その一実施形態の断面説明図ならびにそ
のステム部の斜視および平面説明図が図１（ａ）〜
（ｃ）にそれぞれ示されるように、少なくとも２本のリ
ード１４、１６が両側に突出するように固定されるステ
ム１の一方の底部（ベース１１）側に支持部１２が設け
られている。そして、その支持部１２の上部で前述の突
出する２本のリード１４、１６側に延びるように幅広に
ヒートシンク部１３が形成されている。このヒートシン
ク部１３にレーザチップ２がマウントされている。
明の半導体レーザについて説明をする。本発明による半
導体レーザは、その一実施形態の断面説明図ならびにそ
のステム部の斜視および平面説明図が図１（ａ）〜
（ｃ）にそれぞれ示されるように、少なくとも２本のリ
ード１４、１６が両側に突出するように固定されるステ
ム１の一方の底部（ベース１１）側に支持部１２が設け
られている。そして、その支持部１２の上部で前述の突
出する２本のリード１４、１６側に延びるように幅広に
ヒートシンク部１３が形成されている。このヒートシン
ク部１３にレーザチップ２がマウントされている。
【００１８】ステム１は、ベース１１、支持部１２、ヒ
ートシンク部１３およびベース１１に設けられた貫通孔
に軟質ガラス１７などにより封着されたリード１４、１
６と、ベース１１に直接溶接などにより設けられたリー
ド１５とからなっている。図１に示される例では、ベー
ス１１と支持部１２とは一体で、たとえば鉄板を冷間鍛
造法によりその中心部に支持部１２とする突起部を形成
することにより形成されており、ベース１１の厚さがた
とえば１ｍｍ程度で、その径が３.３ｍｍφ程度に、ま
た、支持部１２は、図１（ｃ）の平面説明図に破線で示
されるように、リード１４、１６に挟まれる部分ではベ
ース１１の貫通孔で挟まれる幅と同程度またはそれより
若干狭く、リード１４、１６の後ろ側では１.１ｍｍ程
度（リード１４、１６の中心間距離と同程度）と広く形
成されている。なお、リード１４、１６を固着する貫通
孔の径は、たとえば０.７５ｍｍφ程度で、その間隔は
１.１ｍｍφ程度に形成される。
ートシンク部１３およびベース１１に設けられた貫通孔
に軟質ガラス１７などにより封着されたリード１４、１
６と、ベース１１に直接溶接などにより設けられたリー
ド１５とからなっている。図１に示される例では、ベー
ス１１と支持部１２とは一体で、たとえば鉄板を冷間鍛
造法によりその中心部に支持部１２とする突起部を形成
することにより形成されており、ベース１１の厚さがた
とえば１ｍｍ程度で、その径が３.３ｍｍφ程度に、ま
た、支持部１２は、図１（ｃ）の平面説明図に破線で示
されるように、リード１４、１６に挟まれる部分ではベ
ース１１の貫通孔で挟まれる幅と同程度またはそれより
若干狭く、リード１４、１６の後ろ側では１.１ｍｍ程
度（リード１４、１６の中心間距離と同程度）と広く形
成されている。なお、リード１４、１６を固着する貫通
孔の径は、たとえば０.７５ｍｍφ程度で、その間隔は
１.１ｍｍφ程度に形成される。
【００１９】リード１４、１６は、たとえば０.３ｍｍ
φ程度のＦｅ-Ｎｉ合金棒などからなり、軟質ガラス１
７などからなるガラスビーズによりベース１１の貫通孔
に封着されている。コモンリード１５も同じ材料からな
っているが、ベース１１と電気的に接続するため直接ベ
ース１１に溶接などにより固着されている。
φ程度のＦｅ-Ｎｉ合金棒などからなり、軟質ガラス１
７などからなるガラスビーズによりベース１１の貫通孔
に封着されている。コモンリード１５も同じ材料からな
っているが、ベース１１と電気的に接続するため直接ベ
ース１１に溶接などにより固着されている。
【００２０】ヒートシンク部１３は、図１に示される例
では、支持部１２とは別体に形成され、たとえば銅ブロ
ックなどからなり、図１（ｃ）に平面説明図が示される
ように、支持部１２よりリード１４、１６側にはみ出す
ように幅広部が形成され、並列するリード１４、１６の
並ぶ方向の幅Ａが、たとえば１.４ｍｍ程度に、高さＢ
が１.１ｍｍ程度に形成され、支持部１２にロウ付けな
どにより固着されている。すなわち、支持部１２だけで
は、その前面の幅が、貫通孔の間隙部である０.４ｍｍ
程度しかないが、ヒートシンク部１３の前面の幅は１.
４ｍｍ程度に広がっている。そのため、レーザチップを
ボンディングするサブマウントを確実に固着することが
できると共に、サブマウントに伝わるレーザチップの熱
を効率よく放散することができる。
では、支持部１２とは別体に形成され、たとえば銅ブロ
ックなどからなり、図１（ｃ）に平面説明図が示される
ように、支持部１２よりリード１４、１６側にはみ出す
ように幅広部が形成され、並列するリード１４、１６の
並ぶ方向の幅Ａが、たとえば１.４ｍｍ程度に、高さＢ
が１.１ｍｍ程度に形成され、支持部１２にロウ付けな
どにより固着されている。すなわち、支持部１２だけで
は、その前面の幅が、貫通孔の間隙部である０.４ｍｍ
程度しかないが、ヒートシンク部１３の前面の幅は１.
４ｍｍ程度に広がっている。そのため、レーザチップを
ボンディングするサブマウントを確実に固着することが
できると共に、サブマウントに伝わるレーザチップの熱
を効率よく放散することができる。
【００２１】図１に示される例では、リード１４、１６
が並ぶ方向（横方向）にヒートシンク部１３の幅を支持
部１２の幅より広げて幅広に形成したが、たとえば図２
に示されるように、リード１４、１６の後ろ側に広い幅
で支持部１２を形成しておき、ヒートシンク部１３を支
持部１２よりリード側（図２のＣ方向）に広げて、幅広
に形成されてもよいし、リードの並ぶ方向と共に両方に
幅広に形成されてもよい。要は、ヒートシンク部１３の
平面で見た面積が、支持部１２より大きく形成されると
共に、マウントするレーザチップの発光部がステムの中
心部に位置するように広い面積で形成されていることに
特徴がある。また、前述の例では、ヒートシンク部１３
が支持部１２と別体に形成されていたが、後述するよう
に支持部１２と一体、またはベース１１および支持部１
２と一体に形成されてもよい。
が並ぶ方向（横方向）にヒートシンク部１３の幅を支持
部１２の幅より広げて幅広に形成したが、たとえば図２
に示されるように、リード１４、１６の後ろ側に広い幅
で支持部１２を形成しておき、ヒートシンク部１３を支
持部１２よりリード側（図２のＣ方向）に広げて、幅広
に形成されてもよいし、リードの並ぶ方向と共に両方に
幅広に形成されてもよい。要は、ヒートシンク部１３の
平面で見た面積が、支持部１２より大きく形成されると
共に、マウントするレーザチップの発光部がステムの中
心部に位置するように広い面積で形成されていることに
特徴がある。また、前述の例では、ヒートシンク部１３
が支持部１２と別体に形成されていたが、後述するよう
に支持部１２と一体、またはベース１１および支持部１
２と一体に形成されてもよい。
【００２２】レーザチップ２は、レーザ光を出射するよ
うに形成されているが、その大きさはＣＤ用では２５０
μｍ×２５０μｍ程度であるが、ＤＶＤ用では２５０μ
ｍ×５００μｍ程度と大きくなる。しかし、それでも非
常に小さく、その取扱を容易にし、さらに放熱性を確保
するため、通常０.８ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさのシリ
コン基板などからなるサブマウント３上にボンディング
されている。そして、一方の電極はサブマウント３に金
線８などのワイヤボンディングにより接続されてその裏
面から導電性接着剤、ヒートシンク部１３、支持部１
２、ベース１１を介してコモンリード１５に接続され、
他方の電極（裏面電極）はサブマウント３上の接続部３
ａを介して金線８などのワイヤボンディングによりリー
ド１４と接続されている。
うに形成されているが、その大きさはＣＤ用では２５０
μｍ×２５０μｍ程度であるが、ＤＶＤ用では２５０μ
ｍ×５００μｍ程度と大きくなる。しかし、それでも非
常に小さく、その取扱を容易にし、さらに放熱性を確保
するため、通常０.８ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさのシリ
コン基板などからなるサブマウント３上にボンディング
されている。そして、一方の電極はサブマウント３に金
線８などのワイヤボンディングにより接続されてその裏
面から導電性接着剤、ヒートシンク部１３、支持部１
２、ベース１１を介してコモンリード１５に接続され、
他方の電極（裏面電極）はサブマウント３上の接続部３
ａを介して金線８などのワイヤボンディングによりリー
ド１４と接続されている。
【００２３】このレーザチップ２がボンディングされた
サブマウント３は吸着コレットにより搬送され、ヒート
シンク部１３にマウントされる。また、レーザチップ２
の発光出力をモニターするための受光素子４が同様にサ
ブマウント３に設けられ、その一方の電極はヒートシン
ク部１３などを介してコモンリード１５に接続され、他
方の電極は金線８などのワイヤボンディングによりリー
ド１６と電気的に接続されている。なお、この受光素子
４は、サブマウント３とは別のところに設けられてもよ
い。
サブマウント３は吸着コレットにより搬送され、ヒート
シンク部１３にマウントされる。また、レーザチップ２
の発光出力をモニターするための受光素子４が同様にサ
ブマウント３に設けられ、その一方の電極はヒートシン
ク部１３などを介してコモンリード１５に接続され、他
方の電極は金線８などのワイヤボンディングによりリー
ド１６と電気的に接続されている。なお、この受光素子
４は、サブマウント３とは別のところに設けられてもよ
い。
【００２４】レーザチップ２の周囲には、キャップ（シ
ェル）５がステム１に溶接されることにより設けられて
いる。すなわち、キャップ５の底面（ステム１１と接す
る部分）にプロジェクション（突起部）が全周に亘って
設けられ、その部分に電流が集中するようにして抵抗溶
接などにより全周がハーメティックに封着されている。
キャップ５は銅などの熱伝導のよい材料からなっている
のが好ましいが、鉄やコバルトなどの溶接性の良好な金
属でもよい。また、無光沢銀メッキなどが施されている
ことが、内面で光の乱反射を防止しやすいため好まし
い。なお、キャップ５の頂部の中心部には、レーザ光が
通過する窓部（貫通孔）５９が設けられており、その窓
部５ａにガラスなどの透明板６が低融点ガラスなどの接
着剤７により貼着されている。
ェル）５がステム１に溶接されることにより設けられて
いる。すなわち、キャップ５の底面（ステム１１と接す
る部分）にプロジェクション（突起部）が全周に亘って
設けられ、その部分に電流が集中するようにして抵抗溶
接などにより全周がハーメティックに封着されている。
キャップ５は銅などの熱伝導のよい材料からなっている
のが好ましいが、鉄やコバルトなどの溶接性の良好な金
属でもよい。また、無光沢銀メッキなどが施されている
ことが、内面で光の乱反射を防止しやすいため好まし
い。なお、キャップ５の頂部の中心部には、レーザ光が
通過する窓部（貫通孔）５９が設けられており、その窓
部５ａにガラスなどの透明板６が低融点ガラスなどの接
着剤７により貼着されている。
【００２５】本発明の半導体レーザによれば、ヒートシ
ンク部が支持部より幅広に形成されているため、ステム
のリード間隔が狭くても（リード間隔に拘わらず）、熱
放散を充分にし得る大きなヒートシンクにレーザチップ
をマウントすることができる。その結果、ＤＶＤ用のチ
ップサイズが大きくて、動作電流が大きく発熱の大きい
レーザチップでも、外径の小さいステムにマウントする
ことができる。また、従来のＣＤ用の比較的小さいチッ
プで発熱量の小さいチップでも、外径を３.３ｍｍφに
形成するためには、冷間鍛造によるステムタイプのもの
では、リードを固着するガラスの径や、キャップを溶接
する部分を形成するためのスペースなどが必要で、小型
化を達成することができず、円筒状リングを用いたもの
でしか小型化できなかったが、本発明によれば、冷間鍛
造によるステムタイプのものでも３.３ｍｍφ程度の小
型のものを製造することができる。
ンク部が支持部より幅広に形成されているため、ステム
のリード間隔が狭くても（リード間隔に拘わらず）、熱
放散を充分にし得る大きなヒートシンクにレーザチップ
をマウントすることができる。その結果、ＤＶＤ用のチ
ップサイズが大きくて、動作電流が大きく発熱の大きい
レーザチップでも、外径の小さいステムにマウントする
ことができる。また、従来のＣＤ用の比較的小さいチッ
プで発熱量の小さいチップでも、外径を３.３ｍｍφに
形成するためには、冷間鍛造によるステムタイプのもの
では、リードを固着するガラスの径や、キャップを溶接
する部分を形成するためのスペースなどが必要で、小型
化を達成することができず、円筒状リングを用いたもの
でしか小型化できなかったが、本発明によれば、冷間鍛
造によるステムタイプのものでも３.３ｍｍφ程度の小
型のものを製造することができる。
【００２６】この金属性のステムを用いることができる
ことにより、前述のようにキャップをステムに抵抗溶接
により設けることができる。その結果、機密性を大幅に
向上させることができると共に、圧入をするために必要
とされるハンダメッキが不要となり、リードにハンダメ
ッキがつかなくなるため、ワイヤボンディング性が非常
に向上する。
ことにより、前述のようにキャップをステムに抵抗溶接
により設けることができる。その結果、機密性を大幅に
向上させることができると共に、圧入をするために必要
とされるハンダメッキが不要となり、リードにハンダメ
ッキがつかなくなるため、ワイヤボンディング性が非常
に向上する。
【００２７】前述の例では、ヒートシンク部１３を支持
部１２とは別の材料により別体で作製し、支持部１２上
にロウ付けなどにより固着する例であった。このような
別体により形成すれば、とくに熱伝導の良好な銅ブロッ
クなどを用いることができるため好ましいが、図３にス
テム部の斜視説明図が示されるように、鉄板などから冷
間鍛造法によりベース１１、支持部１２と共にヒートブ
ロック部１３を一体に形成することもできる。一体に形
成すれば、ヒートブロック部１３を固着する必要もな
く、精度よく製造することができるという利点がある。
部１２とは別の材料により別体で作製し、支持部１２上
にロウ付けなどにより固着する例であった。このような
別体により形成すれば、とくに熱伝導の良好な銅ブロッ
クなどを用いることができるため好ましいが、図３にス
テム部の斜視説明図が示されるように、鉄板などから冷
間鍛造法によりベース１１、支持部１２と共にヒートブ
ロック部１３を一体に形成することもできる。一体に形
成すれば、ヒートブロック部１３を固着する必要もな
く、精度よく製造することができるという利点がある。
【００２８】さらに別の例として、図４に同様のステム
部の斜視説明図が示されるように、支持部１２とヒート
ブロック部１３とを銅板の打抜きと折曲げなどにより一
体に形成し、その一体物の支持部１２をベースに溶接ま
たはロウ付けなどにより固着する構造でもよい。なお、
図４に示されるように、ヒートシンク部を折り曲げるこ
とにより、限られた空間でその表面積を大きく形成する
ことができ、放熱特性を向上させることができる。他の
部分は前述の例と同様で、同じ部分には同じ符号を付し
てその説明を省略する。
部の斜視説明図が示されるように、支持部１２とヒート
ブロック部１３とを銅板の打抜きと折曲げなどにより一
体に形成し、その一体物の支持部１２をベースに溶接ま
たはロウ付けなどにより固着する構造でもよい。なお、
図４に示されるように、ヒートシンク部を折り曲げるこ
とにより、限られた空間でその表面積を大きく形成する
ことができ、放熱特性を向上させることができる。他の
部分は前述の例と同様で、同じ部分には同じ符号を付し
てその説明を省略する。
【００２９】図５（ａ）〜（ｂ）は、さらに別の例をそ
れぞれ直角方向での断面で示す説明図で、従来の３.３
ｍｍφの小型パッケージで、ＤＶＤ用などの大きなレー
ザチップをマウントすることができるように、幅広のヒ
ートシンク部を設けた例である。すなわち、前述のよう
な銅板などの絞り加工により円筒状のリング１８を形成
し、そのリング１８内にガラス１９などによりリード１
４、１６を封着することによりステム１が形成され、そ
のリング１８と一体で支持部１２およびコモンリード１
５が形成されている。そして、その支持部１２上に、支
持部より幅広に形成されたヒートシンク部１３が固着さ
れることにより形成されている。なお、ステム１以外の
他の部分は図１に示される例と同様で、同じ部分には同
じ符号を付してその説明を省略する。図５では、受光素
子が図示されていないが、前述の例と同様に設けられ
る。
れぞれ直角方向での断面で示す説明図で、従来の３.３
ｍｍφの小型パッケージで、ＤＶＤ用などの大きなレー
ザチップをマウントすることができるように、幅広のヒ
ートシンク部を設けた例である。すなわち、前述のよう
な銅板などの絞り加工により円筒状のリング１８を形成
し、そのリング１８内にガラス１９などによりリード１
４、１６を封着することによりステム１が形成され、そ
のリング１８と一体で支持部１２およびコモンリード１
５が形成されている。そして、その支持部１２上に、支
持部より幅広に形成されたヒートシンク部１３が固着さ
れることにより形成されている。なお、ステム１以外の
他の部分は図１に示される例と同様で、同じ部分には同
じ符号を付してその説明を省略する。図５では、受光素
子が図示されていないが、前述の例と同様に設けられ
る。
【００３０】図６は、この外径の小さい半導体レーザを
用いて、薄型のピックアップを構成する例の概略を示す
説明図である。すなわち、半導体レーザ５０を横向きに
配置し、半導体レーザからの光を回折格子５１により、
たとえば３ビーム法ではレーザビームを３分割し、出射
光と反射光とを分離するビームスプリッタ５２を介し
て、コリメータレンズ５３により平行ビームとし、プリ
ズムミラー（反射鏡）５４により９０°（ｚ軸方向）ビ
ームを曲げて対物レンズ５５によりＤＶＤやＣＶＤなど
のディスク５６の表面に焦点を結ばせる。そして、ディ
スク５６からの反射光を、ビームスプリッタ５２を介し
て、凹レンズ５７などを経て光検出器５８により検出す
る構成になっている。なお、図６で半導体レーザ５０と
光検出器５８とはほぼ同一面（ｘｙ面）内にある。
用いて、薄型のピックアップを構成する例の概略を示す
説明図である。すなわち、半導体レーザ５０を横向きに
配置し、半導体レーザからの光を回折格子５１により、
たとえば３ビーム法ではレーザビームを３分割し、出射
光と反射光とを分離するビームスプリッタ５２を介し
て、コリメータレンズ５３により平行ビームとし、プリ
ズムミラー（反射鏡）５４により９０°（ｚ軸方向）ビ
ームを曲げて対物レンズ５５によりＤＶＤやＣＶＤなど
のディスク５６の表面に焦点を結ばせる。そして、ディ
スク５６からの反射光を、ビームスプリッタ５２を介し
て、凹レンズ５７などを経て光検出器５８により検出す
る構成になっている。なお、図６で半導体レーザ５０と
光検出器５８とはほぼ同一面（ｘｙ面）内にある。
【００３１】このように、半導体レーザ５０を横向きに
配置し、ＤＶＤなどと平行な方向にレーザビームを発射
しながら、ＤＶＤなどの表面の凹凸を検出する構成にす
ることにより、光ピックアップの薄型化は半導体レーザ
の外径に依存し、その外径を小さくすることにより、非
常に薄型の光ピックアップを構成することができる。前
述のように外径が３.３ｍｍφの本発明による半導体レ
ーザを用いることにより、厚さが５ｍｍ程度の光ピック
アップが得られた。
配置し、ＤＶＤなどと平行な方向にレーザビームを発射
しながら、ＤＶＤなどの表面の凹凸を検出する構成にす
ることにより、光ピックアップの薄型化は半導体レーザ
の外径に依存し、その外径を小さくすることにより、非
常に薄型の光ピックアップを構成することができる。前
述のように外径が３.３ｍｍφの本発明による半導体レ
ーザを用いることにより、厚さが５ｍｍ程度の光ピック
アップが得られた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、冷間鍛造法で形成する
ような金属性ベースを有するステムを使用しても、３.
３ｍｍφ程度の非常に小型の半導体レーザを得ることが
できるため、部材の変形などが生じることがなく、ま
た、熱放散もよくなり、非常に信頼性の高い半導体レー
ザが得られる。さらに、金属性ベースを有するステムを
使用することにより、キャップを溶接することができ、
高い気密性を得やすい。
ような金属性ベースを有するステムを使用しても、３.
３ｍｍφ程度の非常に小型の半導体レーザを得ることが
できるため、部材の変形などが生じることがなく、ま
た、熱放散もよくなり、非常に信頼性の高い半導体レー
ザが得られる。さらに、金属性ベースを有するステムを
使用することにより、キャップを溶接することができ、
高い気密性を得やすい。
【００３３】さらに、ヒートシンク部をリードの間隔に
制約を受けることなく、充分に大きく形成することがで
きるため、ＤＶＤのようなチップサイズが大きくなった
り発熱量の大きいレーザチップでも、ステムの外形を大
きくすることなくマウントすることができる。
制約を受けることなく、充分に大きく形成することがで
きるため、ＤＶＤのようなチップサイズが大きくなった
り発熱量の大きいレーザチップでも、ステムの外形を大
きくすることなくマウントすることができる。
【００３４】その結果、ＤＶＤ用などのピックアップで
も、非常に薄型のピックアップを形成することができ
る。また、本発明の半導体レーザを用いたピックアップ
によれば、ノートパソコンなどレーザ光源を使用する電
子機器の薄型化に非常に大きく寄与する。
も、非常に薄型のピックアップを形成することができ
る。また、本発明の半導体レーザを用いたピックアップ
によれば、ノートパソコンなどレーザ光源を使用する電
子機器の薄型化に非常に大きく寄与する。
【図１】本発明による半導体レーザの一実施形態の構造
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】図１のヒートシンク部を大きくする他の構造例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】本発明の半導体レーザにおける他の実施形態の
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図４】本発明の半導体レーザにおける他の実施形態の
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図５】本発明の半導体レーザにおける他の実施形態の
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図６】本発明によるピックアップの構成の説明図であ
る。
る。
【図７】従来の半導体レーザにおける構成例の説明図で
ある。
ある。
【図８】従来の半導体レーザにおける構成例の説明図で
ある。
ある。
１ ステム ２ レーザチップ １１ ベース １２ 支持部 １３ ヒートシンク部 １４ リード １５ コモンリード １６ リード
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも２本のリードが両側に突出す
るように固定されるステムと、該ステムの一方の底部側
に設けられる支持部と、該支持部の上部で前記突出する
２本のリード側に延びるように幅広に形成されるヒート
シンク部と、該ヒートシンク部に固着されるレーザチッ
プとからなる半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記ステムが、金属性ベースの貫通孔に
絶縁体を介して前記２本のリードが固定されることによ
り形成され、前記支持部が該ベースと一体に形成され、
該支持部上に前記ヒートシンク部が接着されてなる請求
項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記ステムが、金属性ベースの貫通孔に
絶縁体を介して前記２本のリードが固定されることによ
り形成され、前記支持部およびヒートシンク部が該ベー
スと一体に形成されてなる請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項４】 前記支持部およびヒートシンク部が金属
性板材により一体物に形成され、該一体物の前記支持部
が前記ステムのベースに固着されてなる請求項１記載の
半導体レーザ。 - 【請求項５】 前記ステムが、円筒状のリング内に絶縁
体を介して前記少なくとも２本のリードが封着されるこ
とにより形成されてなる請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 半導体レーザと、回折格子と、前記半導
体レーザから出射する光と反射して戻る光とを分離する
ビームスプリッタと、前記半導体レーザからのビームを
平行光とするコリメートレンズと、前記半導体レーザか
らのビームを直角方向に曲げる反射鏡と、前記ビームを
ディスク上に焦点を結ばせる対物レンズと、前記ディス
クからの反射光を前記ビームスプリッタにより分離して
検出する光検出器とからなり、前記半導体レーザが請求
項１記載の半導体レーザである光ピックアップ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28608999A JP2001111152A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体レーザ |
| KR1020000058500A KR100780522B1 (ko) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | 반도체 레이저 |
| US09/684,954 US6587491B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-05 | Semiconductor laser |
| TW089120840A TW463431B (en) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28608999A JP2001111152A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体レーザ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009095596A Division JP2009212524A (ja) | 2009-04-10 | 2009-04-10 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111152A true JP2001111152A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17699807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28608999A Withdrawn JP2001111152A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6587491B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001111152A (ja) |
| KR (1) | KR100780522B1 (ja) |
| TW (1) | TW463431B (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| KR100456308B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2004-11-10 | 주식회사 래피더스 | 10기가비피에스급 광모듈용 티오-캔 패키지 |
| US6845112B2 (en) | 2002-05-09 | 2005-01-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| WO2005119862A1 (ja) | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US6996143B2 (en) | 2002-04-12 | 2006-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US7075178B2 (en) | 2003-10-06 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2007048938A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US7801191B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| WO2021256421A1 (ja) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体発光装置およびそれを備える光源装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819700B2 (en) * | 2001-08-09 | 2004-11-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing an external cavity semiconductor laser, external cavity semiconductor laser, and wavelength multiplex transmission system |
| TW529766U (en) * | 2002-04-18 | 2003-04-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Package of tails and a base of a laser |
| JP2004170808A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール、及び光ネットワーク |
| US7196389B2 (en) * | 2005-02-14 | 2007-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device package and optical semiconductor device |
| TWM284076U (en) * | 2005-06-17 | 2005-12-21 | Arima Optoelectronics Corp | The structure of the base of the package of a semiconductor device |
| JP2009141157A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 |
| JP5368588B2 (ja) | 2010-01-27 | 2013-12-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| JP5998962B2 (ja) | 2013-01-31 | 2016-09-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体光装置 |
| CN112886381B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-07-12 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种大功率半导体激光器焊接的装置及使用方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4768070A (en) * | 1986-03-20 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd | Optoelectronics device |
| EP0305169B1 (en) * | 1987-08-24 | 1994-05-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus and optical grating assembly therefor |
| DE68912512T2 (de) * | 1988-10-28 | 1994-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterlaser-Vorrichtung. |
| JP2680110B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1997-11-19 | 新光電気工業株式会社 | 放熱体を有する半導体装置用パッケージ |
| JPH0376286A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Sony Corp | 半導体レーザ装置とその組立方法 |
| US5140384A (en) * | 1990-06-14 | 1992-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device mounted on a stem |
| JP2763980B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 光半導体モジュール |
| US5414293A (en) * | 1992-10-14 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Encapsulated light emitting diodes |
| US5557116A (en) * | 1992-12-24 | 1996-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and resin layer |
| US5516727A (en) * | 1993-04-19 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Method for encapsulating light emitting diodes |
| US5324387A (en) * | 1993-05-07 | 1994-06-28 | Xerox Corporation | Method of fabricating asymmetric closely-spaced multiple diode lasers |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| JPH11103120A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1999
- 1999-10-06 JP JP28608999A patent/JP2001111152A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-10-05 US US09/684,954 patent/US6587491B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-05 KR KR1020000058500A patent/KR100780522B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-06 TW TW089120840A patent/TW463431B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100418880B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 |
| US6996143B2 (en) | 2002-04-12 | 2006-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6845112B2 (en) | 2002-05-09 | 2005-01-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| KR100456308B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2004-11-10 | 주식회사 래피더스 | 10기가비피에스급 광모듈용 티오-캔 패키지 |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JP4550386B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子用パッケージ |
| US7075178B2 (en) | 2003-10-06 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JPWO2005119862A1 (ja) * | 2004-06-02 | 2008-04-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO2005119862A1 (ja) | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP5036308B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2007048938A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US7801191B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| WO2021256421A1 (ja) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体発光装置およびそれを備える光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6587491B1 (en) | 2003-07-01 |
| KR20010050867A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100780522B1 (ko) | 2007-11-29 |
| TW463431B (en) | 2001-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4113442B2 (ja) | 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置 | |
| JP2001111152A (ja) | 半導体レーザ | |
| US7889770B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3802896B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2011151080A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4549298B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2010183002A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2007048938A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2003110181A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP7306831B2 (ja) | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ | |
| JP4062672B2 (ja) | 半導体レーザーパッケージ | |
| JP4586896B2 (ja) | 光学モジュール及び光ピックアップ装置 | |
| JP2009212524A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3980037B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3787184B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2006147751A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2006134392A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2007048937A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
| JP2010182988A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2005251838A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3986530B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5821889A (ja) | 半導体組立構造 | |
| JP4204581B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2003309313A (ja) | 半導体レーザユニット | |
| JP2006013551A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040407 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070830 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071005 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20071122 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090413 |