JPH11103120A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH11103120A
JPH11103120A JP9260161A JP26016197A JPH11103120A JP H11103120 A JPH11103120 A JP H11103120A JP 9260161 A JP9260161 A JP 9260161A JP 26016197 A JP26016197 A JP 26016197A JP H11103120 A JPH11103120 A JP H11103120A
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semiconductor laser
laser device
submount
heat sink
mount
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Tomoji Uchida
智士 内田
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、特に高周波駆動が可能で、しかも
放熱性に優れた半導体レーザ装置を提供することにあ
る。 【解決手段】本発明の半導体レーザは、金属製のヒート
シンク８と、ヒートシンク８上に搭載される導電性のサ
ブマウント１１と、サブマウントにＰＮジャンクション
の一方の導電型電極が電気的に接続するように搭載され
た半導体レーザ素子１０と、サブマウント１１近傍に配
置された複数のリードピン３，４，５を有する半導体レ
ーザ装置において、ヒートシンク８とサブマウント１１
との間に絶縁体９が設けられるとともに、リードピン３
と半導体レーザ素子１０の他方導電型電極及び、リード
ピン５とサブマント１１とが電気的に接続されているさ
れていることを特徴とするものである。本構成とするこ
とで、サブマウントの容量とパッケージのインダクタン
スを電気的に浮かすことがかのうとなり、高周波駆動に
対する応答性が確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に高周波駆動が可能で、しかも放熱性に優れた
半導体レーザ装置を関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯ、ＣＤ−Ｒなどの書き込み可能なデ
ィスクドライブおよび、ＤＶＤ用ディスクドライブのピ
ックアップ光源として半導体レーザ素子を組み込んだ半
導体レーザ装置が知られている。
【０００３】この半導体レーザ素子は内部に形成された
ＰＮジャンクションに電流を注入することでレーザ光が
照射されるが、同時に熱が発生する。一般に半導体レー
ザ素子ではこの熱を効率よく放熱させるため、半導体レ
ーザ素子のＰ側面を下にして（＝ジャンクションダウン
方式）熱伝導性のよいＳｉ製のサブマウントに搭載し、
半導体レーザ素子からの熱をこのサブマントに伝えて放
熱させる構造が採用されている。特に、この構造によれ
ば半導体レーザ素子のＰ側面を下にしているので、発熱
源であるＰＮジャンクションとサブマウントの距離を短
くすることができ、半導体レーザ素子からの熱をさらに
効率よくサブマウントに伝わることになる。
【０００４】図５に、従来の半導体レーザ素子が搭載さ
れたサブマウントを利用した半導体レーザ装置の実装構
造を示している。円板状のステム３０の裏面には３本の
リードピン３８，３９，４０が設けられており、リード
ピン３９はステム３０に電気的に導通するよう直接固定
されており、残りの２本のリードピン３８，４０は絶縁
体により固定されている。
【０００５】ステム３０の主面にＣｕ等からなるヒート
シンク３１がろう材等で固定され、ヒートシンク３１に
は半田等を介して導電性のＳｉサブマウント３２が搭載
されている。サブマウント３２の表面には酸化膜３３
（＝ＳｉＯ２）介してＡｌ配線３４が形成されるととも
に、Ａｌパッド３５が直接形成されている。
【０００６】Ａｌ配線３４にはジャンクションダウン方
式で半導体レーザ素子３６が搭載され、半導体レーザ素
子３６のＮ側面とＡｌパッド３５が金属ワイヤ３７によ
り電気的に接続されている。
【０００７】サブマウント３２の近傍には半導体レーザ
素子３６に外部からの電流を供給するためのリードピン
３８が配置されており、リードピン３８とＡｌ配線３４
とが金属ワイヤ２９により電気的に接続されている。
【０００８】ステム３０の主面には半導体レーザ素子３
６の後方から照射されるレーザ光を受光し、光出力をモ
ニターするための受光素子４２が直接搭載されており、
受光素子４２の上面とリードピン４０が金属ワイヤ４３
より電気的に接続されている。半導体レーザ素子３６を
含め図示しないキャップにより密封され、パッケージを
構成する。このような半導体レーザ装置においては、電
流を矢印に示すように、リードピン３８→金属ワイヤ４
１→Ａｌ配線３４→半導体レーザ素子３６のＰ側面→半
導体レーザ素子３６のＮ側面→金属ワイヤ３７→Ａｌパ
ッド３５→サブマウント３２→ヒートシンク３１の順に
流すことにより、半導体レーザ素子３６からレーザ光が
放出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体レーザ装
置の等価回路を示すと図６になり、半導体レーザ素子Ｌ
Ｄを駆動する際に、サブマウントの容量Ｃ１とパッケー
ジのインダクタンスＬ１が付加されるため、特に高周波
駆動の妨げとなっていた。
【００１０】また、上述の半導体レーザ装置においては
半導体レーザ素子３６をジャンクションダウン方式でサ
ブマウント３２にて搭載する必要があるのと、ヒートシ
ンク３１をマイナス電極とする必要があるため、半導体
レーザ素子３６が搭載されるＡｌパッド３５とサブマン
ト３２を酸化膜３３で絶縁しなければならなかった。
【００１１】酸化膜３３（＝ＳｉＯ２）はサブマウント
３２（＝Ｓｉ）に比較して熱伝導率が非常に小さく、半
導体レーザ素子３６で発生した熱が酸化膜３３のためサ
ブマウント３２側に効率よく逃がすことができないとい
った欠点があった。
【００１２】本発明の目的は、高周波駆動が可能で、し
かも放熱にも優れた半導体レーザー装置を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の半導体レーザ装置は、金属製のヒートシンクと、前記
ヒートシンク上に搭載される導電性のサブマウントと、
前記サブマウントにＰＮジャンクションの一方の導電型
電極が電気的に接続するように搭載された半導体レーザ
素子と、前記サブマント近傍に配置された複数のリード
ピンを有する半導体レーザ装置において、前記ヒートシ
ンクと前記サブマウントとの間に絶縁体が設けられると
ともに、前記リードピンの一方のリードピンと前記半導
体レーザ素子の他方導電型電極及び、前記リードピンの
他方のリードピンと前記サブマントとが電気的に接続さ
れているされていることを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の半導体レーザ装置は、前記
ヒートシンクと半導体レーザ素子のＮ側とがサブマウン
ト上の絶縁膜に形成された金属配線を介して電気的に接
続されていことを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁
体がサブマウントと同等以上の熱伝導率を有することを
特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図１を
参照しつつ具体的に説明する。図１（ａ）は本発明の一
実施例である半導体レーザ装置全体の概略構成を、図１
（ｂ）は半導体レーザ装置の、特に半導体レーザ素子の
実装構造を示している。
【００１７】半導体レーザ装置は外観的にはキャン封止
構造をしており、円板状のステム１と、ステム１の主面
に気密的に取り付けられたキャップ２と、ステム１の裏
面に設けられた３本のリードピン３，４，５から構成さ
れている。３本のリードピンの内リードピン４はステム
１に電気的に導通するよう直接固定されており、残りの
２本のリードピン３，５は絶縁部材７により固定されて
いる。
【００１８】キャップ２の天井部には窓が形成されてお
り、この窓を塞ぐように透明なガラス板６が貼りつけら
れている。半導体レーザ素子１０の前方から照射される
レーザ光は、このガラス板６を透過して外部へ放射され
る。
【００１９】次に、本発明の半導体レーザ装置における
特徴的な実装構造について説明する。ステム１とキャッ
プ２により形成されるパッケージ内において、ヒートシ
ンク８はステム１に対して垂直方向にろう材等で固定さ
れるとともに、ステム１を介してリードピン４と電気的
に接続される。ヒートシンク８には、一般的に放熱性が
高く、しかも電気導電性が高い金属、例えばＣｕ又はＡ
ｇが使用される。
【００２０】ヒートシンク８にはＡｌＮ，ＳｉＣ又はＢ
ｅＯのように絶縁物でありながらしかも熱伝導率が高い
絶縁体９が搭載されている。そして、絶縁体９上には熱
導電率が高く、導電性のＳｉ製のサブマント１１が搭載
されている。サブマウント１１の表面に、放熱効果を上
げるためジャンクションダウン方式で、半導体レーザ素
子１０がＡｌ等からなるパッド１２に直接マウントされ
ている。その結果、半導体レーザ素子１０の下面、即ち
Ｐ側面とサブマウント１１とがパッド１２を介して電気
的に接続される。サブマウント１１の近傍には外部から
半導体レーザ素子１０に電流を供給するためのリードピ
ン３，５がヒートシンク８と略平行するように配置され
ている。リードピン５とサブマウント１１の表面に形成
されたＡｌ等からなるパッド１３とが金属ワイヤ１４に
より電気的に接続されている。さらに、半導体レーザ素
子１０の上面、即ちＮ側面とリードピン３が金属ワイヤ
１５により電気的に接続されている。
【００２１】本発明の半導体レーザ装置では、電流を矢
印に示すように、リードピン５→金属ワイヤ１４→パッ
ド１３→サブマウント１１→パッド１２→半導体レーザ
素子１０のＰ側面→半導体レーザ素子１０のＮ側面→金
属ワイヤ１５→リードピン５の順に流し、半導体レーザ
素子１０からーザ光を放出させる。
【００２２】本発明の半導体レーザ装置の等価回路を示
すと図２になり、半導体レーザ素子ＬＤを駆動する際
に、サブマウントの容量とパッケージのインダクタンス
を電気的に浮かすことができ高周波駆動に対する応答性
が確保できる。
【００２３】また、半導体レーザ素子１０で発生する熱
は、半導体レーザ素子１０とサブマウント１１との間に
は放熱性の悪い酸化膜（＝ＳｉＯ２）が介在せず、放熱
性の良いパッド１２のみ介しているので、効率よくサブ
マウント１１へ伝えることができる。さらに、サブマウ
ント１１に伝えられた熱は絶縁体９を介してヒートシン
ク１１へも伝えられ、外部へと放散される。
【００２４】絶縁体９はサブマウント１１とヒートシン
ク８との間を電気的に絶縁できる物質であれば良いが、
サブマント１１に伝えられた熱を効率よくヒートシンク
８に伝えるためには、絶縁体９はサブマウント１１と同
等以上の熱伝導率を有する物質、例えばＡｌＮ、Ｓｉ
Ｃ，ＢｅＯ等を使用することが望まれる。
【００２５】熱伝導率の高い絶縁体９を使用することで
半導体レーザ素子１０に発生する熱がサブマウント１１
及びヒートシンク８通じて外部へ放散されるからであ
る。本発明の半導体レーザ装置の組立工程においては、
従来と同様半導体レーザ素子１０をサブマウント１１上
に搭載した状態で電気的・光学的特性等を測定し、必要
があれば通電バーンイン等のスクリーニング試験を実施
する。そして、良品となった半導体レーザ素子１０が搭
載されたサブマウント１１のみをヒートシンク８上に予
め設けられた絶縁体９上に固定することになる。
【００２６】次に、本発明の半導体レーザ装置における
他の実装構造を図３に示す。ステムとキャップにより形
成されるパッケージ内において、放熱性が高く、しかも
電気導電性が高い金属、例えばＣｕ又はＡｇからなるヒ
ートシンク８が図示しないステムにろう材等で固定され
ている。
【００２７】ヒートシンク８にはＡｌＮ又はＳｉＣ等の
ように絶縁物でありながらしかも熱伝導率が高い絶縁体
９が設けられ、この絶縁体９上には熱導電率が高く、導
電性のＳｉ製のサブマント１１が搭載されている。
【００２８】サブマウント１１の表面に、放熱効果を上
げるためジャンクションダウン方式で、半導体レーザ素
子１０がパッド１２を介してマウントされている。その
結果、半導体レーザ素子１０の下面、即ちＰ側面とサブ
マウント１１とがパッド１２を介して電気的に接続され
る。
【００２９】また、半導体レーザ素子１０の上面、即ち
Ｎ側面とサブマウント１１上に酸化膜１６を介して形成
されたＡｌ等からなる金属配線１７とが金属ワイヤ１８
により電気的に接続されている。金属配線１７とリード
ピン３とが金属ワイヤ１９により電気的に接続されてい
る。さらに、リードピン５とサブマウント１１の表面に
形成されたパッド１３とが金属ワイヤ１４により電気的
に接続されている。
【００３０】この構造における半導体レーザ装置の電流
は矢印に示すように、リードピン５→金属ワイヤ１４→
パッド１３→サブマント１１→パッド１２→半導体レー
ザ素子１０のＰ側面→半導体レーザ素子１０のＮ側面→
金属ワイヤ１８→金属配線１７→金属ワイヤ１９→リー
ドピン３の順に流れ、半導体レーザ素子１０からレーザ
光が放出される。
【００３１】図３の本構造とすることで、特に、電気的
光学的特性等の測定や、通電バーンイン等のスクリーニ
ング試験等において次のような利点がある。図４に示す
ように、半導体レーザ１０素子搭載のサブマウント１１
で上記の試験を行おうとすると、（ａ）の場合において
は、測定器５０から導出したプローブ５１を半導体レー
ザ素子１０に直接接触させて、矢印に示すように測定器
５０→測定台５２→サブマウント１１→半導体レーザ素
子１０→プローブ５１→測定器５０の順で電流を供給
し、電気的光学的特性を測定する。
【００３２】一方、（ｂ）の場合においては、サブマウ
ント１１上の絶縁膜１６上に形成された金属配線１７に
測定器５０から導出したプローブ５１を接触させて、矢
印に示すように測定器５０→測定台５２→サブマウント
１１→パッド１２→半導体レーザ素子１０→金属ワイヤ
１８→金属配線１７→プローブ５１→測定器５０の順で
電流を供給し、電気的・光学的特性を測定する。
【００３３】かかる場合において、（ａ）では半導体レ
ーザ素子１０にプローブ５１が接触する構造なので、測
定時に半導体レーザ素子１０に衝撃を与えないようにす
る必要があるが、（ｂ）では金属配線１７にプローブ５
１を接触させる構造なので半導体レーザ素子１０に影響
を与えることなく測定が可能となる。
【００３４】
【発明の効果】上述の本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子がサブマウント、ステム及びキャ
ップから電気的に浮いているので高速応答性を確保でき
る。また、半導体レーザ素子の下面に酸化膜等の放熱性
の悪い絶縁膜が存在しないので放熱が良い。
【００３５】さらに、電気的・光学的特性の測定におい
て、プローブが半導体レーザ素子に接触して破壊される
のを可能な限り低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ装置を示す概略構成図。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の等価回路図。
【図３】本発明の半導体レーザ装置の他の実装構造を示
す説明図。
【図４】本発明の半導体レーザ装置の測定状態を示す説
明図。
【図５】従来の半導体レーザ装置の実装構造を示す説明
図。
【図６】従来の半導体レーザ装置の等価回路図。
【符号の説明】
１ ステム ２ キャップ ３，４，５ リードピン ８ ヒートシンク ９ 絶縁体 １０ 半導体レーザ素子 １１ サブマウント １２，１３ パッド １４，１５，１８，１９ 金属ワイヤ １６ 絶縁膜 １７ 金属配線

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】金属製のヒートシンクと、前記ヒートシン
    ク上に搭載される導電性のサブマウントと、前記サブマ
    ウントにＰＮジャンクションの一方の導電型電極が電気
    的に接続するように搭載された半導体レーザ素子と、前
    記サブマウント近傍に配置された複数のリードピンを有
    する半導体レーザ装置において、前記ヒートシンクと前
    記サブマウントとの間に絶縁体が設けられるとともに、
    前記リードピンの一方のリードピンと前記半導体レーザ
    素子の他方導電型電極及び、前記リードピンの他方のリ
    ードピンと前記サブマントとが電気的に接続されている
    されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】前記リードピンの一のリードピンと半導体
    レーザ素子の他方導電型電極とが前記サブマウント上の
    絶縁膜に形成された金属配線を介して電気的に接続され
    ていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
    置。
  3. 【請求項３】前記絶縁体が前記サブマウントと同等以上
    の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１又は２記
    載の半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】前記絶縁体がＡｌＮ又はＳｉＣ又はＢｅ０
    であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の半導
    体レーザ装置。
JP9260161A 1997-09-25 1997-09-25 半導体レーザ装置 Pending JPH11103120A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9260161A JPH11103120A (ja) 1997-09-25 1997-09-25 半導体レーザ装置
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056498A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2019102716A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223791A (ja) * 1999-02-04 2000-08-11 Sharp Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2001111152A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
JP2001168442A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
WO2003063309A2 (en) * 2002-01-18 2003-07-31 Oepic, Inc. High-speed to-can optoelectronic packages
JP3737769B2 (ja) * 2002-03-28 2006-01-25 株式会社東芝 半導体レーザ装置
DE60320613T2 (de) * 2002-03-29 2009-06-10 Panasonic Corp., Kadoma Optische Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren, optisches Modul, und optisches Transmissionssystem
JP2004022760A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード
US7170151B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
US7039083B2 (en) * 2003-03-12 2006-05-02 Opnext, Inc. High speed optical transmission assembly
JP2004281682A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信装置
KR100526504B1 (ko) * 2003-06-04 2005-11-08 삼성전자주식회사 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
JP2005026291A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Sharp Corp 窒化物系半導体発光装置およびその製造方法
JP2005167189A (ja) * 2003-11-13 2005-06-23 Hitachi Cable Ltd 光−電気変換モジュール及びそれを用いた光トランシーバ
KR100856280B1 (ko) * 2004-05-25 2008-09-03 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드 패키지
US20090168823A1 (en) * 2006-05-11 2009-07-02 Tomotada Kamei Semiconductor laser device, optical pickup device and optical information recording/reproducing apparatus
US9089075B2 (en) * 2012-03-27 2015-07-21 Gerald Ho Kim Silicon-based cooling package for cooling and thermally decoupling devices in close proximity

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01138778A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
NL8800140A (nl) * 1988-01-22 1989-08-16 Philips Nv Laserdiode module.
JPH02186648A (ja) * 1989-01-12 1990-07-20 Nec Corp 半導体装置用ステム
JPH0719929B2 (ja) * 1989-03-28 1995-03-06 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2618069B2 (ja) * 1990-04-25 1997-06-11 松下電子工業株式会社 半導体レーザ装置
JPH06188516A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Matsushita Electron Corp 光半導体装置およびその製造方法
US5328715A (en) * 1993-02-11 1994-07-12 General Electric Company Process for making metallized vias in diamond substrates
JP2937791B2 (ja) * 1995-03-14 1999-08-23 日本電気株式会社 ペルチエクラーク

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056498A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2019102716A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

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