JP2006351610A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】 熱の回り込みによる光素子の温度上昇を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 光送信モジュール1のパッケージ2は、ステム3と、このステム3に固定されたキャップ4とを有している。ステム3は、金属製ベース5を有し、このベース5には、金属製のリードピン6A〜6Dが固定されている。リードピン6A〜6Cは、ベース5に形成された貫通孔を貫通した状態で絶縁材7によりベース5に固定されている。ベース5の上面5bには、キャップ4の先端側に突出する台座部8が設けられ、この台座部8にはLDチップ10が実装されている。リードピン6Cの先端部には平面状の部品実装部18が設けられ、この部品実装部18には、LDチップ10を駆動させる駆動電子部品19が実装されている。これにより、LDチップ10と駆動電子部品19とが熱的に分離される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光送信または光受信を行うための光モジュールに関するものである。
従来の光モジュールとしては、例えば特許文献1に記載されているものが知られている。この文献に記載の光モジュールは、接続配線及び部品実装部が形成されたセラミック基板をパッケージのキャンステムに貫通させ、キャンステムの上面及びセラミック基板に金属ステムを固着し、金属ステム上にレーザダイオード(LD)やサーミスタ等を実装し、セラミック基板上にドライバLSI(駆動回路)等の電子部品を実装してなるものである。
特開2003―229629号公報
しかしながら、上記従来技術においては、以下の問題点が存在する。即ち、高速信号伝送(例えば10Gbps)用の光モジュールでは、駆動回路を構成する部品の一つとして、高速動作するトランジスタが必要になるため、駆動回路で発生する熱がLDで発生する熱に比べて十分多くなる。LDは、温度特性が大きいことから、駆動回路で発生した熱がLDに回り込まないようにする必要がある。しかし、上記従来技術の光モジュールでは、駆動回路で発生した熱がセラミック基板及び金属ステムを介してLDに回り込み、LDの温度が上がってしまう。また、近年の光モジュールでは、パッケージが小型化されているため、光モジュールから外部への放熱が少なくなり、LDの温度を一層押し上げることになる。その結果、LDの動作が不安定になるおそれがある。
本発明の目的は、熱の回り込みによる光素子の温度上昇を抑制することができる光モジュールを提供することである。
本発明は、発光素子と、発光素子を駆動させる駆動部品と、発光素子及び駆動部品を収納するパッケージとを備えた光モジュールにおいて、パッケージは、ステムと、ステムに固定され、発光素子からの光を通すための光透過部が設けられたキャップとを有し、ステムは、金属製のベースと、ベースを貫通するように絶縁材を介してベースに固定された複数本の金属製のリードピンとを有し、ベースは、キャップに固定されるためのキャップとの接触面を有し、発光素子及び駆動部品の一方は、複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに実装され、発光素子及び駆動部品の他方は、ステムにおける1本のリードピンを除く部位に実装されていることを特徴とするものである。
このような光モジュールにおいて、例えばステムのベースに発光素子が実装され、複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに駆動部品が実装されている場合、駆動部品で発生した熱は、当該リードピンを伝わって外部に逃がされることになる。このとき、ベースを貫通するリードピンは絶縁材を介してベースに固定されているため、駆動部品で発生した熱は、ベースには伝わりにくくなる。このため、発光素子への熱の回り込みが抑えられる。このように発光素子と駆動部品とが熱的に分離されるので、駆動部品で発生した熱による発光素子の温度上昇が抑制され、これにより発光素子の動作が安定化するようになる。
また、上記従来技術のように接続配線及び部品実装部を有するセラミック基板をステムのベースに貫通させる構造では、ベースに大きな穴を形成して、セラミック基板をベースに接合・気密封止する必要があるため、パッケージの単価が上昇し、低コスト性が損なわれる。しかし、本発明の光モジュールでは、金属製のリードピンを金属製のベースに貫通させて絶縁材により固定する構造としたので、製造コストの削減を図りつつ、十分な気密封止性を確保することができる。
さらに、ステムのベースには、発光素子及び駆動部品のいずれか一方のみを実装すれば良いので、ベースに大きな部品実装スペースをとらなくて済む。これにより、光モジュールの小型化を図ることができる。
好ましくは、発光素子及び駆動部品の何れかが実装される1本のリードピンには、平面状に形成された部品実装部が設けられており、発光素子及び駆動部品の一方は、部品実装部に実装されている。これにより、発光素子または駆動部品をリードピンに実装しやすくなるため、光モジュールの組立性が向上する。
また、好ましくは、発光素子は、ベースに実装され、駆動部品は、1本のリードピンに実装されている。発光素子をベースに実装することにより、発光素子の実装が容易に行えるため、光モジュールの組立性が向上する。また、発光素子をリードピンではなくベースに実装することにより、光モジュールの使用時に、万が一リードピンと絶縁材との熱膨張差によりリードピンの位置が僅かにずれたとしても、発光素子の位置ずれは起きないので、光モジュールの光学特性に関しては全く影響が無い。
また、本発明は、受光素子と、受光素子の出力信号を増幅させる増幅部品と、受光素子及び増幅部品を収納するパッケージとを備えた光モジュールにおいて、パッケージは、ステムと、ステムに固定され、受光素子に受光される光を通すための光透過部が設けられたキャップとを有し、ステムは、金属製のベースと、ベースを貫通するように絶縁材を介してベースに固定された複数本の金属製のリードピンとを有し、ベースは、キャップに固定されるためのキャップとの接触面を有し、受光素子及び増幅部品の一方は、複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに実装され、受光素子及び増幅部品の他方は、ステムにおける1本のリードピンを除く部位に実装されていることを特徴とするものである。
このような光モジュールにおいて、ステムのベースを貫通するリードピンは絶縁材を介してベースに固定されているため、例えばステムのベースに受光素子が実装され、複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに増幅部品が実装されている場合には、受光素子と増幅部品とが熱的に分離されるようになる。このため、増幅回路部で発生した熱の回り込みによる受光素子の温度上昇が抑制されるので、受光素子の動作が安定化するようになる。
また、金属製のリードピンを金属製のベースに貫通させて絶縁材により固定する構造としたので、製造コストの削減を図りつつ、十分な気密封止性を確保することができる。さらに、ステムのベースには、受光素子及び増幅部品のいずれか一方のみを実装すれば良いので、ベースに大きな部品実装スペースをとらずに済む。これにより、光モジュールの小型化を図ることができる。
好ましくは、受光素子及び増幅部品の何れかが実装される1本のリードピンには、平面状に形成された部品実装部が設けられており、受光素子及び増幅部品の一方は、部品実装部に実装されている。これにより、受光素子または増幅部品をリードピンに実装しやすくなるため、光モジュールの組立性が向上する。
また、好ましくは、受光素子は、ベースに実装され、増幅部品は、1本のリードピンに実装されている。受光素子をベースに実装することにより、受光素子の実装が容易に行えるため、光モジュールの組立性が向上する。
さらに、好ましくは、ベースには、キャップの先端側に突出し、ベースの内側の面に対して垂直な実装面を有する台座部が設けられている。このように構成することにより、エッジ発光型の発光素子またはエッジ受光型の受光素子を使用する場合に、ワイヤボンディングによる部品同士の接続を含めて、部品の組み付けを簡単に行うことができる。このとき、エッジ発光型の発光素子を使用する場合には、発光素子の発光面がキャップの光透過部と向き合うように発光素子を台座部の実装面に実装すれば良く、エッジ受光型の受光素子を使用する場合には、受光素子の受光面がキャップの光透過部と向き合うように受光素子を台座部の実装面に実装すれば良い。
また、1本のリードピンにおけるパッケージ内に位置する端部は、ベースの内側の面に対して実質的に平行な実装面を有するように曲げられていても良い。このように構成することにより、表面発光型の発光素子及び表面受光型の受光素子を簡単に使用する場合に、ワイヤボンディングによる部品同士の接続を含めて、部品の組み付けを簡単に行うことができる。このとき、表面発光型の発光素子を使用する場合には、発光素子の発光面がキャップの光透過部と向き合うように発光素子をリードピン先端部の実装面に実装すれば良く、表面受光型の受光素子を使用する場合には、受光素子の受光面がキャップの光透過部と向き合うように受光素子をリードピン先端部の実装面に実装すれば良い。
本発明によれば、熱の回り込みによる光素子の温度上昇を抑制することができる。これにより、光素子の動作を安定化させると共に、光モジュールの消費電力を低減することが可能となる。
以下、本発明に係る光モジュールの好適な実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
まず、本発明に係る光モジュールの第1実施形態を図1〜図5により説明する。図1は、本実施形態の光モジュールとして光送信モジュールを示す一部断面を含む側面図である。図2は、図1に示す光送信モジュールの主要部を示す斜視図であり、図3は、その光送信モジュールの主要部を示す平面図である。
各図において、光送信モジュール1は、いわゆる同軸タイプのパッケージ2を備えている。パッケージ2は、ステム3と、このステム3に固定されたキャップ4とを有している。ステム3は、略円板状のベース5を有し、このベース5には複数本(ここでは4本)のリードピン6A〜6Dが固定されている。ベース5は、鉄、銅、コバール等の金属材料で形成され、リードピン6A〜6Dは、鉄、コバール等の金属材料で形成されている。
リードピン6A〜6Cは、ベース5に形成された貫通孔を貫通した状態で、低融点ガラス等の絶縁材7によりベース5に固定されている。これにより、ベース5とリードピン6A〜6Cとは、低融点ガラス等の絶縁材7によりハーメチックシール(気密封止)されることになる。このようにリードピン6A〜6Cを用いることにより、配線部等が形成されたセラミック基板をベース5に貫通させる構造に比べて、組立コストを下げることができる。リードピン6Dは、ベース5との電気的な導通を可能とするために、ベース5の下面(外側の面)5aに直接固定されたケースリードピンである。リードピン6A〜6Dは、所定径をもった円周上に配置されている。
ベース5の上面(内側の面)5bには、キャップ4の先端側に突出する台座部8が設けられている。台座部8は、ベース5の上面5bに対して垂直な実装面8aを有している。なお、実装面8aは、ベース5の上面5bに対して完全に垂直である必要はなく、実質的に垂直であれば良い。
台座部8の実装面8aには、ヒートシンク9を介してLD(レーザダイオード)チップ10が実装されている。このLDチップ10は、エッジ発光型の発光素子である。LDチップ10は、その発光面がキャップ4の先端側を向くように、AuSn等の半田材によりヒートシンク9を介して実装面8aに接合されている。LDチップ10の下面(裏面)と台座部8との電気的な導通を可能とすべく、ヒートシンク9の表面には金メッキ等が施されている。
LDチップ10の上面のパッドはアノード電極を構成し、LDチップ10の下面自体はカソード電極を構成している。そして、LDチップ10のアノード電極とリードピン6Aとがワイヤ11により電気的に接続されている。また、LDチップ10のカソード電極は、ヒートシンク9を介してベース8に電気的に接続されている。
また、ベース5の上面5bには、台座部8と隣接して突起部12が設けられている。突起部12は、ベース5の上面5bに対して傾斜した実装面12aを有している。この実装面12aには、絶縁体サブマウント13を介してモニタPD(フォトダイオード)14が実装されている。モニタPD14は、AuSn等の半田材により絶縁体サブマウント13を介して実装面12aに接合されている。絶縁体サブマウント13の上面(モニタPD14の下面と接する面)には、電気的な導通を可能とすべく、金メッキ等が施されている。
モニタPD14の上面のパッドはアノード電極を構成し、モニタPD14の下面はカソード電極を構成している。そして、モニタPD14のアノード電極とベース5とがワイヤ15により電気的に接続され、モニタPD14のカソード電極とリードピン6Bとがワイヤ16により電気的に接続されている。
リードピン6Cの先端部(リードピン6Cにおいてパッケージ2内に位置する端部)には、平面状の部品実装部18が設けられている。部品実装部18は、ベース5の上面5bに対して垂直な実装面18aを有している。部品実装部18は、例えば工具を用いてリードピン6Cの先端部をつぶして平坦化することに形成される。なお、リードピン6Cにおいて部品実装部18を形成する部位は、パッケージ2内であれば、特にリードピン6Cの先端部でなくても構わない。
部品実装部18の実装面18aには、LDチップ10を駆動させる駆動電子部品19が実装されている。駆動電子部品19は、AuSn等の半田材あるいはAgペースト等の樹脂接着剤等により実装面18aに接合されている。
このとき、リードピン6Cに固定される駆動電子部品19とLDチップ10とは、極力近づけて配置することが望ましい。これにより、駆動電子部品19とLDチップ10とを電気的に接続するためのワイヤ23(後述)の長さを短くすることができる。従って、駆動電子部品19とLDチップ10との間の寄生インダクタンスを低減し、伝送特性を向上させることが可能となる。
駆動電子部品19は、図4に示すように、シャント駆動回路を構成するFET20及び終端抵抗21を有している。FET20のゲートは、ワイヤ22(図1参照)を介してリードピン6Cと電気的に接続されている。FET20のソースは、ワイヤ23(図1参照)を介してLDチップ10のアノード電極と電気的に接続されている。FET20のドレインは、ワイヤ24(図1参照)を介してベース5と電気的に接続されている。そして、終端抵抗21は、FET21のゲートとドレインとの間に接続されている。
なお、図4において、リードピン6Aは、電源電圧供給用のリードピンであり、リードピン6Bは、他の電源電圧供給用のリードピンである。リードピン6Cは信号入力用のリードピンであり、リードピン6Dはグランド用のリードピンである。
ここで、本実施形態のようなガラス封止リードピンを有するステムでは、外部との配線本数をあまり多くすることはできない。外部との配線本数を多く取ろうとすると、モジュールのサイズが大きくなってしまうからである。ところで、LDチップを駆動させるための駆動回路は、通常は、LDチップに流す電流を決める電流源回路と、モニタPDからの出力信号を受けるAPC回路と、入力信号を受けるバッファゲートと、最終段の駆動トランジスタ(FET等)及びその周辺素子(終端抵抗等)とを含んでいる。このため、駆動回路の回路規模(ICのチップサイズ)が大きくなり、入出力のピン数も多くなってしまう。
しかし、本実施形態の駆動電子部品19では、駆動回路全体の中で最終段のFET20及び終端抵抗21のみが内蔵されている。このため、外部との接続のためのリードピンは、駆動電子部品19の無い光モジュールと比べると、1本のゲート用リードピンのみの増加となり、リードピンの本数を必要以上に多くしなくて済む。光伝送の高速化に必要なのは、駆動回路の最終段とLDチップとの距離を短くすることである。このため、駆動回路全体の中で最終段以外の回路(電流源回路、APC回路、バッファゲート)については、特に光モジュール内に組み込まなくても良い。このように駆動電子部品19の回路構成は駆動回路全体の中の最終段部分だけであるので、駆動電子部品19での消費電力が小さくなり、発熱量も少なくなる。また、駆動電子部品19が小型になると共に、使用するリードピンの本数が最小限で済む。
なお、駆動電子部品19の回路の一部を構成する駆動トランジスタであるFET20としては、図4に示すようなN型FETに限られず、P型FETであっても良い。また、駆動トランジスタとしては、特にFETに限られず、バイポーラトランジスタ(BJT)や、BJTのエミッタに抵抗が入ったもの等を用いても良い。
以上のようなステム3のベース5の上面(接触面)5bには、上記のキャップ4が抵抗溶接等により接合されている。キャップ4は、鉄、銅、コバール等の金属材料で形成されている。キャップ4の先端中央部には、LDチップ10から照射されたレーザ光を外部に取り出すための光透過部25が設けられている。光透過部25は、球面レンズ等のレンズや封止窓といった透明部材で形成されている。これにより、LDチップ10及び駆動電子部品19等を収納するパッケージ2の気密封止が実現されるため、高信頼性を確保することができる。
以上のように構成した光送信モジュール1において、駆動電子部品19におけるFET21のゲートとつながるリードピン6Cに変調信号を供給し、LDチップ10とつながるリードピン6Aにバイアス電流を供給することにより、LDチップ10の高速駆動を容易に行うことができる。
ここで、比較例として、LDチップ10及び駆動電子部品19が何れもステム3のベース5に実装されている場合における熱の伝播経路図を図5(a)に示す。
この場合、LDチップ10で発生した熱は、ヒートシンク9を介してステム3のベース5に伝わり、更に外部での熱抵抗Rを介して空気中に逃がされる。また、駆動電子部品19で発生した熱も、ステム3のベース5に伝わり、熱抵抗Rを介して空気中に逃がされる。このとき、LDチップ10で発生した熱と駆動電子部品19で発生した熱とがベース5で合流されることになるため、駆動電子部品19で発生した熱がLDチップ10に回り込んでしまう。その結果、LDチップ10の温度が上昇するため、LDチップ10の動作が不安定になることがある。
続いて、本実施形態のように、LDチップ10がステム3のベース5に実装され、駆動電子部品19がリードピン6Cに実装されている場合における熱の伝播経路図を図5(b)に示す。
この場合、LDチップ10で発生した熱は、図5(a)と同様に、ヒートシンク9、ステム3のベース5及び外部での熱抵抗Rを介して空気中に逃がされる。一方、駆動電子部品19で発生した熱は、リードピン6C及び外部での熱抵抗Rを介して空気中に逃がされると共に、リードピン6Cを保持・封止するための低融点ガラス等の絶縁材7に伝えられる。
ここで、ステム3を形成する金属材料である鉄、銅、コバールの熱伝導率は、それぞれ50〜100W/m・K、380〜420W/m・K、165W/m・Kである。また、絶縁材7の一つであるガラスの熱伝導率は0.4〜2.0W/m・Kであり、空気の熱伝導率は0.03W/m・K以下である。つまり、低融点ガラスの熱伝導率は、ステム3を形成する金属材料の熱伝導率に比べて極めて低い。
このため、駆動電子部品19で発生した熱は、リードピン6Cを伝わって外部に逃がされるだけであり、ステム3のベース5には殆ど伝わらない。従って、駆動電子部品19で発生した熱がベース5及びヒートシンク9を介してLDチップ10に回り込むことは殆ど無く、ベース5上の発熱源はLDチップ10のみとなるので、LDチップ10の温度上昇を抑制することができる。これにより、熱によるLDチップ10の誤動作が防止され、LDチップ10が安定して動作するようになる。また、LDチップ10は、高温になるほど必要な電流が増大する。しかし、駆動電子部品19で生じた熱のLDチップ10への回り込みが抑えられることで、LDチップ10の動作に必要な電流が低減されるため、光送信モジュール1の消費電力の低減化を図ることができる。
また、ステム3とキャップ4とからなるパッケージ2の内部には、一般に乾燥空気や窒素が封入されるが、キセノンやクリプトンが封入されると、パッケージ2の熱伝導率が下がるようになる(例えば0℃の空気の熱伝導率24mW/m・Kに対して、5〜9mW/m・K)。従って、パッケージ2の内部にキセノンやクリプトンを封入することにより、駆動電子部品19からLDチップ10への熱の伝達をより一層抑えることができる。
以上のように本実施形態によれば、LDチップ10と駆動電子部品19とをステム3の異なる面に実装することにより、LDチップ10と駆動電子部品19とが熱的に分離されるため、光送信モジュール1の放熱性を良好にすることができる。これにより、LDチップ10の動作が安定化するため、光送信モジュール1の信頼性が向上すると共に、光送信モジュール1の低消費電力化を図ることができる。
また、本実施形態においては、駆動電子部品19をリードピン6Cに固定し、ベース5の台座部8には、LDチップ10という最小限の部品のみを実装するので、駆動電子部品19を実装するためのスペースを台座部8に設けなくて済む。このため、台座部8を小型にすることができ、ひいてはパッケージ2の小型化を図ることが可能となる。
さらに、駆動電子部品19を実装するための平板状の部品実装部18は、リードピン6Cの先端部をつぶして平坦化するだけで形成されるので、パッケージ2の製作コストが安価で済む。また、駆動電子部品19は、LDチップ10を駆動させるための駆動回路全体のうち最終段の回路だけを含んでいるので、駆動電子部品19にかかるコストも抑えられる。しかも、そのように駆動電子部品19の回路規模が小さくなることで、ワイヤボンディングのワイヤリング本数も少なくて済むので、組立コストを低減することもできる。
また、位置精度が重要となるLDチップ10をリードピン6A〜6Cではなくベース5に実装したので、光送信モジュール1の使用時に、リードピン6A〜6Cを形成する金属材料と絶縁材7との熱膨張差によって、リードピン6A〜6Cの位置や角度が多少ずれたとしても、LDチップ10には全く影響が無い。従って、光送信モジュール1の光学特性を十分確保することができる。
なお、上記実施形態では、シャント駆動回路を内蔵した駆動電子部品19を使用したが、シャント駆動回路の代わりにシリーズ駆動回路を採用しても良い。シリーズ駆動回路を内蔵した駆動電子部品を備えた光送信モジュールの電気回路系を図6に示す。
同図において、駆動電子部品30は、単相型のシリーズ駆動回路を構成するバイポーラトランジスタ(BJT)31及び終端抵抗32を有している。BJT31のベースは、リードピン6Cと接続されている。BJT31のコレクタは、LDチップ10のカソード電極と接続されている。BJT31のエミッタは、抵抗33を介してPDモニタ14のアノード電極(グランド部)と接続されている。また、BJT31のベースとグランド部との間には、終端抵抗32が接続されている。
単相型のシリーズ駆動回路は、消費電力の点で有利であるが、電源電圧の揺動に弱い。このため、LDチップ10のアソード電極とグランド部との間には、コンデンサ34が接続されている。このコンデンサ34は、特に高周波の揺動を除去するための素子であるので、100〜1000pF程度で十分である。ちなみに、低周波の揺動成分は、光送信モジュール1の外部に大容量コンデンサを設けることで除去可能である。
コンデンサ34としては、実装のしやすさを考慮して、図7に示すような平板型コンデンサを用いるのが望ましい。このコンデンサ34は、誘電体35を2枚の平行平板36で挟んでなるものである。このようなコンデンサ34は、例えばLDチップ10とベース5の台座部8との間に敷くようにする。
なお、BJT31としては、図6に示すようなNPNトランジスタでも良いし、PNPトランジスタでも良い。また、BJTの代わりにFETを使用しても良く、或いはBJTとFETとの混成でも良い。
他のシリーズ駆動回路を内蔵した駆動電子部品を備えた光送信モジュールの電気回路系を図8に示す。
同図において、駆動電子部品40は、差動入力型のシリーズ駆動回路を構成するBJT41,42及び終端抵抗43,44を有している。BJT41のベースは、リードピン6Cと接続されている。BJT41のコレクタは、LDチップ10のカソード電極と接続されている。BJT41のエミッタは、抵抗45を介してPDモニタ14のアノード電極(グランド部)と接続されている。また、BJT41のベースとグランド部との間には、終端抵抗43が接続されている。
BJT42のベースは、逆相入力端子であるリードピン6Eと接続されている。BJT42のコレクタは、LDチップ10のアノード電極と接続されている。BJT42のエミッタは、BJT41のエミッタと接続されている。また、BJT42のベースとグランド部との間には、終端抵抗44が接続されている。
このような駆動電子部品40は差動入力型であるため、入力端子6C,6E及び終端抵抗43,44での高周波特性が良好であり、放射ノイズの発生が少ない。このとき、例えば外部回路において入力信号のH/Lレベルを精度良く制御することで、バイアス電流を流しやすくすることができる。また、逆相入力を使用せずに、内部で生成したバイアス電圧をBJT42のベースに印加することにより、リードピン6Eを不要とすることができる。
上記実施形態の光送信モジュールの変形例を図9に示す。同図において、リードピン6Aの先端にはフェライトビーズインダクタ(以下、単にインダクタ)50が設けられ、このインダクタ50とLDチップ10のアノード電極とが電気的に接続されている。インダクタ50は、高速信号伝送の特性を向上させるための素子である。
インダクタ50の電気的接続方法は、以下の通りである。即ち、リードピン6Aの先端を平面となるように加工し、その加工面にインダクタ50の一方の電極を接合することにより、リードピン6Aにインダクタ50を固定する。インダクタ50の接合は、AuSn等の半田材あるいはAgペースト等の導電性接着剤等を用いて行う。そして、インダクタ50の他方の電極には、コバール等で形成されたブロック51が接合されている。ブロック51は、ワイヤボンディングが容易に行えるように、円柱状に加工されていると共に表面に例えば金メッキが施されている。ブロック51の接合は、上記と同様に、AuSn等の半田材あるいはAgペースト等の導電性接着剤等を用いて行う。そして、LDチップ10のアノード電極とブロック51とをワイヤ11により接続する。
なお、インダクタ50の電極がワイヤボンディングしやすいものであれば、ブロック51は特に無くても良く、LDチップ10とインダクタ50とを直接ワイヤ11により接続すれば良い。
このように本実施形態では、LDチップ10とリードピン6Aとの電気的接続を、インダクタ50を介して行っている。ここで、インダクタ50のサイズの制限から、LDチップ10とインダクタ50との間のワイヤ長が長くなっても、これはインダクタンス成分が多くなるだけであり、特に問題は無い。また、インダクタ50の両電極間の寄生容量によるインダクタンス性の劣化も起こりにくい。
このようなインダクタ50を設けることにより、リードピン6Aとこれに接続される外部バイアス電流源(図示せず)とが持つ寄生インピーダンスにより生じる波形劣化を低減することができる。また、外部バイアス電流源に含まれる交流ノイズ成分が除去されるため、この点でも波形劣化を低減することができる。
本発明に係る光モジュールの第2実施形態を図10〜図12により説明する。図中、第1実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図10は、本実施形態の光モジュールとして光受信モジュールを示す一部断面を含む側面図であり、図11は、その光受信モジュールの主要部を示す平面図である。各図において、光受信モジュール60は、いわゆる同軸タイプのパッケージ61を備えている。パッケージ61は、ステム62と、このステム62に固定されたキャップ4とを有している。ステム62は、略円板状のベース63を有し、このベース63には複数本(ここでは5本)のリードピン64A〜64Eが固定されている。ベース63及びリードピン64A〜64Eの材料は、第1実施形態におけるベース5及びリードピン6A〜6Dと同様である。
リードピン64A〜64Dは、ベース63に形成された貫通孔を貫通した状態で、低融点ガラス等の絶縁材65によりベース63に固定されている。リードピン64Eは、ベース63との電気的な導通を可能とするために、ベース63の下面63aに直接固定されたケースリードピンである。リードピン64Eは、ベース63の下面63aの中心部に固定されている。
ベース63の上面63bには、例えば平板型のコンデンサ66を介して表面受光型の受光素子67が実装されている。受光素子67は、アバラシェフォトダイオード(APD)またはピンフォトダイオード(PIN−PD)である。受光素子67は、その受光面がキャップ4の先端側を向くように、AuSn等の半田材によりコンデンサ66を介してベース63に接合されている。
リードピン64Aの先端部(リードピン64Aにおいてパッケージ61内に位置する端部)には、リードピン64Aの貫通方向に対して垂直に曲げられて平面状に形成された部品実装部68が設けられている。部品実装部68は、ベース63の上面63bに対して実質的に平行な実装面68aを有している。
部品実装部68の実装面68aには、受光素子67の出力信号を増幅させる増幅電子部品69が例えば平板型のコンデンサ70を介して実装されている。増幅電子部品69は、AuSn等の半田材あるいはAgペースト等の樹脂接着剤等によりコンデンサ70を介して実装面68aに接合されている。
増幅電子部品69は、図12に示すように、増幅器71及び抵抗72を有している。増幅器71は、例えばフロントエンドアンプである。増幅器71の電源端子は、ワイヤ73(図11参照)を介してリードピン64Aと電気的に接続され、増幅器71のグランド端子は、ワイヤ74,75(図11参照)を介してステム62のベース63と電気的に接続されている。増幅器71の入力端子は、ワイヤ76(図11参照)を介して受光素子67と電気的に接続され、増幅器71の2つの出力端子は、ワイヤ77,78(図11参照)を介してリードピン64C,64Dとそれぞれ電気的に接続されている。
増幅器71の電源端子とグランド端子との間には、電圧安定化のための上記コンデンサ70が接続されている。増幅器71の電源端子とコンデンサ70とは、ワイヤ73(図11参照)により電気的に接続され、増幅器71のグランド端子とコンデンサ70とは、ワイヤ74(図11参照)により電気的に接続されている。
抵抗72は、リードピン64Bとコンデンサ66との間に接続され、外部からの雑音除去のためのRCフィルタの一部を構成している。抵抗72とリードピン64Bとは、ワイヤ79(図11参照)により電気的に接続され、抵抗72とコンデンサ66とは、ワイヤ80(図11参照)により電気的に接続されている。
なお、図12において、リードピン64Aは、電源電圧供給用のリードピンであり、リードピン64Bは、他の電源電圧供給用のリードピンである。リードピン64C,64Dは信号出力用のリードピンであり、リードピン64Eはグランド用のリードピンである。
以上のように構成した光受信モジュール60においては、外部からの光がパッケージ61の光透過部25を通って受光素子67に受光され、電気信号に変換される。そして、受光素子67の出力信号が増幅器71により増幅された状態で、リードピン64C,64Dを介して外部機器(図示せず)に送られることになる。
ところで、受光素子は、発光素子に比べて消費電力は多くない。しかし、受光素子として特にAPDを用いる場合には、受光素子の温度特性が大きくなる。APDは、バイアス電圧(1.5μm光通信でよく用いられるInP系で15〜90V)によって増倍率が大きく変わるため、受光パワーに応じて適正なバイアス電圧を印加する必要がある。しかし、このバイアス電圧の温度特性が大きいため、制御上問題となることがある。
本実施形態では、ステム62のベース63に受光素子67を実装し、リードピン64Aに増幅電子部品69を取り付ける構成としたので、受光素子67と増幅電子部品69とが熱的に分離されることになる。このため、増幅電子部品69で発生した熱がベース63を介して受光素子67に回り込むことは殆ど無いので、受光素子67の温度上昇を抑制することができる。これにより、熱による受光素子67の誤動作が防止され、受光素子67が安定して動作するようになる。
また、ベース63には、受光素子67という最小限の部品のみが実装されるので、増幅電子部品69を実装するためのスペースをベース63に設けなくて済む。従って、ベース63の寸法を小さくし、パッケージ61の小型化を図ることができる。さらに、増幅電子部品69を実装するための部品実装部68は、リードピン64Aの先端部を折り曲げて、更につぶして平坦化するだけで形成されるので、パッケージ61の製造コストを抑えることもできる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第1実施形態では、エッジ発光型の発光素子10を使用しているが、表面発光型の発光素子を用いても良い。この場合には、ステム3のベース5及びリードピン6Cを第2実施形態のように構成し、表面発光型の発光素子と駆動電子部品19とを実装すれば良い。また、第2実施形態では、表面受光型の受光素子67を使用しているが、エッジ受光型の受光素子を用いても良い。この場合には、ステム62のベース63及びリードピン64Aを第1実施形態のように構成し、エッジ受光型の受光素子と増幅電子部品69とを実装すれば良い。
また、第1実施形態では、ステム3のベース5にLDチップ10を固定し、ステム3のリードピン6Cに駆動電子部品19を固定するようにしたが、LDチップ10と駆動電子部品19とを熱的に分離させるための構造としては、特にこれには限られない。要は、LDチップ10及び駆動電子部品19の一方を、ベース5を貫通するリードピン6A〜6Cのうちの何れか1本に固定し、LDチップ10及び駆動電子部品19の他方を、ベース5または他のリードピンに固定すれば良い。
また、第2実施形態では、ステム62のベース63に受光素子67を固定し、ステム62のリードピン64Aに増幅電子部品69を固定するようにしたが、受光素子67と増幅電子部品69とを熱的に分離させるための構造としては、特にこれには限られない。要は、受光素子67及び増幅電子部品69の一方を、ベース63を貫通するリードピン64A〜64Dのうちの何れか1本に固定し、受光素子67及び増幅電子部品69の他方を、ベース63または他のリードピンに固定すれば良い。
本発明に係る光モジュールの第1実施形態として光送信モジュールを示す一部断面を含む側面図である。 図1に示す光送信モジュールの主要部を示す斜視図である。 図1に示す光送信モジュールの主要部を示す平面図である。 図1に示す光送信モジュールにおける電気回路系を示す図である。 図1に示す光送信モジュールにおける熱の伝搬経路を比較例と比較した図である。 図4に示す電気回路系とは異なる電気回路系を示す図である。 図6に示すコンデンサの斜視図である。 図4に示す電気回路系とは異なる別の電気回路系を示す図である。 図1に示す光送信モジュールの変形例の主要部を示す斜視図である。 本発明に係る光モジュールの第2実施形態として光受信モジュールを示す一部断面を含む側面図である。 図10に示す光受信モジュールの主要部を示す平面図である。 図10に示す光受信モジュールにおける電気回路系を示す図である。
符号の説明
1…光送信モジュール(光モジュール)、2…パッケージ、3…ステム、4…キャップ、5…ベース、5b…上面(接触面、内側の面)、6A〜6C…リードピン、7…絶縁材、8…台座部、8a…実装面、10…LDチップ(発光素子)、18…部品実装部、19…駆動電子部品、25…光透過部、60…光受信モジュール(光モジュール)、61…パッケージ、62…ステム、63…ベース、64A〜64D…リードピン、65…絶縁材、67…受光素子、68…部品実装部、68a…実装面、69…増幅電子部品。

Claims (8)

  1. 発光素子と、前記発光素子を駆動させる駆動部品と、前記発光素子及び前記駆動部品を収納するパッケージとを備えた光モジュールにおいて、
    前記パッケージは、ステムと、前記ステムに固定され、前記発光素子からの光を通すための光透過部が設けられたキャップとを有し、
    前記ステムは、金属製のベースと、前記ベースを貫通するように絶縁材を介して前記ベースに固定された複数本の金属製のリードピンとを有し、
    前記ベースは、前記キャップに固定されるための前記キャップとの接触面を有し、
    前記発光素子及び前記駆動部品の一方は、前記複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに実装され、
    前記発光素子及び前記駆動部品の他方は、前記ステムにおける前記1本のリードピンを除く部位に実装されていることを特徴とする光モジュール。
  2. 前記発光素子及び前記駆動部品の何れかが実装される前記1本のリードピンには、平面状に形成された部品実装部が設けられており、
    前記発光素子及び前記駆動部品部の一方は、前記部品実装部に実装されていることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
  3. 前記発光素子は、前記ベースに実装され、
    前記駆動部品は、前記1本のリードピンに実装されていることを特徴とする請求項1または2記載の光モジュール。
  4. 受光素子と、前記受光素子の出力信号を増幅させる増幅部品と、前記受光素子及び前記増幅部品を収納するパッケージとを備えた光モジュールにおいて、
    前記パッケージは、ステムと、前記ステムに固定され、前記受光素子に受光される光を通すための光透過部が設けられたキャップとを有し、
    前記ステムは、金属製のベースと、前記ベースを貫通するように絶縁材を介して前記ベースに固定された複数本の金属製のリードピンとを有し、
    前記ベースは、前記キャップに固定されるための前記キャップとの接触面を有し、
    前記受光素子及び前記増幅部品の一方は、前記複数本のリードピンのうち何れか1本のリードピンに実装され、
    前記受光素子及び前記増幅部品の他方は、前記ステムにおける前記1本のリードピンを除く部位に実装されていることを特徴とする光モジュール。
  5. 前記受光素子及び前記増幅部品の何れかが実装される前記1本のリードピンには、平面状に形成された部品実装部が設けられており、
    前記受光素子及び前記増幅部品の一方は、前記部品実装部に実装されていることを特徴とする請求項4記載の光モジュール。
  6. 前記受光素子は、前記ベースに実装され、
    前記増幅部品は、前記1本のリードピンに実装されていることを特徴とする請求項4または5記載の光モジュール。
  7. 前記ベースには、前記キャップの先端側に突出し、前記ベースの内側の面に対して垂直な実装面を有する台座部が設けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光モジュール。
  8. 前記1本のリードピンにおける前記パッケージ内に位置する端部は、前記ベースの内側の面に対して実質的に平行な実装面を有するように曲げられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光モジュール。
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