JP2003309313A - 半導体レーザユニット - Google Patents

半導体レーザユニット

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JP2003309313A
JP2003309313A JP2002112046A JP2002112046A JP2003309313A JP 2003309313 A JP2003309313 A JP 2003309313A JP 2002112046 A JP2002112046 A JP 2002112046A JP 2002112046 A JP2002112046 A JP 2002112046A JP 2003309313 A JP2003309313 A JP 2003309313A
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lead
emitting element
laser unit
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Nobuaki Kishi
信明 岸
Masaru Tsuchiya
勝 土屋
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Chichibu Fuji Co Ltd
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Chichibu Fuji Co Ltd
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract

(57)【要約】 【課題】組み立てが容易で生産性に優れ、高出力の発光
素子にも対応可能な新規の半導体レーザユニットを提供
する。 【解決手段】アイランド1上面に面発光レーザ2を固着
し、樹脂成形部6,7を相互に接合させ、面発光レーザ2
の表面側の正電極と第二のリード部4をワイヤボンディ
ング8により導通させることで組み立てられる。アイラ
ンド1と別体の放熱板5を備え、該放熱板5の左右の凹
部5a,5bを、樹脂成形部6,7の各接合面11a,11bの中成形
部6b,7bに係合させ、樹脂成形部6,7間に放熱板5を挟持
してアイランド1の直下に支持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源用の発光素子
や受光用の受光素子などを搭載する半導体レーザユニッ
トに関し、特に、光通信システムの光源部として好適に
用いることができる半導体レーザユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信用光源に用いる半導体レー
ザモジュールとして、例えば特開平5−198892号
公報に開示されるように、左右両側縁部に複数のリード
端子を設けた樹脂基板上に、光学系ユニットを組み付け
た金属ベースを設置し、光学系ユニットのLD端子及び
モニタ用PD端子をそれぞれ樹脂基板のリード端子に配
線して組み立てるものが知られている。
【0003】上記した半導体レーザモジュールによれ
ば、樹脂基板の左右側縁部に複数のリード端子を位置決
めしながら取り付ける作業、光学系ユニットを金属ベー
スに半田付けする作業、金属ベースを樹脂基板に半田付
けする作業、光学系ユニットのLD端子及びモニタ用P
D端子をそれぞれ樹脂基板のリード端子に配線する作業
が必要であり、組み立てに手間がかかるという問題があ
った。
【0004】一方、例えば特開平9−8480号公報に
開示されるように、リードフレームの幅広部上にLDチ
ップを固定し、該チップを含むリードフレーム先端側周
囲を透明樹脂で封止した簡易構造の半導体レーザ装置も
知られているが、このような半導体レーザ装置によれ
ば、光通信システムの光源部を構成するために高出力の
発光素子を搭載した場合、該発光素子の放熱に対する対
応が困難であるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】本発明はこのような従来事情に鑑みて成さ
れたもので、その目的とするところは、組み立てが容易
で生産性に優れ、高出力の発光素子にも対応できる新規
な半導体レーザユニットを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は請求項1のように、少なくとも光源用の発光
素子を搭載する金属製のアイランドに、前記発光素子の
裏面側電極に対応する所要数の第一のリード部を一体に
形成すると共に、前記発光素子の表面側電極に対応する
所要数の第二のリード部を前記アイランドと別体に設
け、左右一対の樹脂成形部の一方に前記アイランドを、
他方に前記第二のリード部を夫々保持させ、それら樹脂
成形部を相互に接合して前記第二のリード部をアイラン
ドと一体化させ、且つ前記アイランド上面に固着した前
記発光素子の裏面側電極をアイランドを介して前記第一
のリード部に導通させ、該発光素子の表面側電極をワイ
ヤボンディングにより前記第二のリード部に導通させて
なることを特徴とする。
【0007】このような構成の本発明の半導体レーザユ
ニットは、アイランド上面に発光素子を固着し、左右の
樹脂成形部を相互に接合させ、発光素子の表面側電極と
第二のリード部をワイヤボンディングにより導通させる
だけの簡単な作業で組み立てることができる。左右の樹
脂成形部にアイランド、第二のリード部を保持させる具
体的態様としては、インサート成形により、所望形状に
成形される樹脂成形部中にアイランド、第一のリード
部、第二のリード部の一部を埋め込んだ構成とすること
が好ましい。その場合、アイランドにおける発光素子の
搭載面、第一、第二のリード部の外部リード端部、発光
素子の表面側電極に対する第二のリード部のボンディン
グ面などを露呈させることは言うまでもない。
【0008】請求項2では、上記第二のリード部の上端
面を樹脂成形部上面に露出させてボンディング面とし、
該ボンディング面をアイランド上面に固着した発光素子
に隣接するよう配置すると共に、該発光素子の表面側電
極と前記ボンディング面をワイヤボンディングで導通し
てなることを特徴とする。
【0009】このような構成によれば、発光素子の表面
側電極と第二のリード部とが近接するのでワイヤボンデ
ィング寸法が短くなり、高精度なワイヤボンディングを
効率良く行うことができる。
【0010】本発明の半導体レーザユニットを、例えば
光通信システムの光源部用として用いる場合、請求項3
のように、上記発光素子がその上面から垂直方向にレー
ザ光を照射する垂直共振器型の面発光レーザであること
が好ましい。
【0011】請求項4では、上記左右の樹脂成形部が、
上記面発光レーザとボンディング面の周囲を囲む囲繞壁
を構成する半割り状の囲繞壁構成部を備え、前記囲繞壁
により、レーザ光照射用とボンディング用の開口部を残
して前記面発光レーザとボンディング面を囲んでなるこ
とを特徴とする。
【0012】このような構成によれば、左右の樹脂成形
部を相互に接合すると左右の囲繞壁構成部が合致して、
面発光レーザとボンディング面の周囲を囲む囲繞壁が構
成され、該囲繞壁の内側にレーザ光照射用とボンディン
グ用の開口部が区画形成されると共に、囲繞壁によって
面発光レーザ、ボンディング面、ボンディングワイヤな
どが保護される。
【0013】請求項5では、上記アイランドと別体に形
成した放熱板を備え、該放熱板の左右両側に設けた係合
部に係合する被係合部を、上記左右の樹脂成形部の各接
合面に形成し、該第一、第二の樹脂成形部間に放熱板を
挟持して該放熱板を前記アイランドの直下に支持してな
ることを特徴とする。
【0014】このような構成によれば、アイランドとは
別体の放熱板を備えるので、高出力の面発光レーザを搭
載しても十分な放熱効果を得られると共に、左右の樹脂
成形部を相互に接合させるだけの簡単な作業で放熱板を
アイランド直下に位置させて組み込むことができる。
【0015】請求項6のように、上記アイランドを構成
する金属板を、放熱板を兼用するよう所定の寸法をもっ
て形成することもできる。この場合、異形材を用いてア
イランドを厚肉に形成すればよい。
【0016】本発明の半導体レーザユニットは請求項7
のように、上記第一、第二のリード部がアイランドの左
右側縁から下方へ延びるよう対向状に配置することで、
それら各リード部を基板に設けた差込孔に上方から差し
込んで基板に差し込み装着される縦方向装着タイプの半
導体レーザユニットとすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の一例を
図1〜図6を参照して説明する。本例の半導体レーザユ
ニットAは光通信システムの光源部を構成するもので、
金属製のアイランド1と、光源用の発光素子としての上
面から垂直方向にレーザ光を照射する垂直共振器型の面
発光レーザ(Vertical Cavity Surf
ace EmittingLaser:VCSEL)2
と、第一,第二のリード部3,4と、放熱板5とを、第
一,第二の樹脂成形部6,7を介して一体的に集合させ
た一つのパッケージになっている。
【0018】アイランド1は図6に示すように、鉄、ア
ルミニウム、銅などの所定厚の金属板からなる平面視略
エ形のもので、その左右両側部分の方形状の凹部1a,
1bで挟まれる中間部1cの中央部分を面発光レーザ2
の搭載面1dとすると共に、前記中間部1cの前後両端
に耳部1e,1eを備え、且つ前記搭載面1dに固着さ
れる面発光レーザ2の裏面二箇所に形成された負側電極
に対応する第一リード部3を一体に備えている。前記搭
載面1dには面発光レーザ2がダイボンディングにより
固着され、該面発光レーザ2の負側電極がアイランド1
を介して第一リード部3に導通するようになっている。
【0019】第一リード部3は、前記凹部1a,1bの
内の一方(図示例では凹部1b)の内端縁部分に連設さ
れるよう、アイランド1と一体成形されたリード端子部
を下方に向けて折曲してなるもので、本例では面発光レ
ーザ2の負側電極に合わせて二本の第一リード部3を備
えている。尚、前記凹部1a,1bの内の他方(図示例
では凹部1a)は、後述する第二樹脂成形部7に対する
位置決め部となっている。
【0020】面発光レーザ2の表面側に形成された正側
電極に対応する第二リード部4は、前記アイランド1と
同質の金属板によりアイランド1とは別体に形成された
もので、該第二リード部4は、第一樹脂成形部6に接合
する第二樹脂成形部7により、鉛直方向に伸びるよう保
持されている。
【0021】尚、アイランド1及び第一、第二リード部
3、4は、必要に応じて、導電性を高めるために金メッ
キや銀メッキなどで表面処理されている。
【0022】放熱板5は図1,図2に示すように、鉄、
アルミニウム、銅などの金属材により、アイランド1と
同様の平面形状を呈し且つ所定の高さ寸法を備える立体
形状の内部中空体に形成されたもので、詳しくは、左右
両側部分の方形状の凹部(係合部)5a,5bで挟まれ
る中間部5cの前後両端に耳部5d,5dを備え、面発
光レーザ2の放熱量に合わせて所定の放熱特性を発揮す
るよう(所定の表面積を有するよう)形成されている。
【0023】第一樹脂成形部6は、インサート成形によ
りアイランド1と第一リード部3の一部が埋め込まれる
と共に、放熱板5の一半側が嵌合するよう成形されてい
る。詳しくは、アイランド1の一半側とほぼ同様の平面
形状を呈すると共に所定の高さ寸法を持つ下成形部6a
と、該下成形部6aの上面ほぼ中央の外寄りに突設状に
成形された中成形部6bと、該中成形部6bの上面に連
設された上成形部6cからなり、下成形部6aと中成形
部6b中に第一リード部3の上半部が埋め込まれると共
に、中成形部6bと上成形部6cの間にアイランド1の
中間部1cが搭載面1dを残して埋め込まれている。上
成形部6cには、前記搭載面1dを露呈させるための開
口部6dが形成されてる。また中成形部6bは放熱板5
の凹部(係合部)5bに嵌合する凸部(被係合部)とな
るよう形成され、放熱板5の一半側が上下の成形部6
a,6c間に収容状に嵌合するようになっている。
【0024】第二樹脂成形部7は、インサート成形によ
り第二リード部4の上半部が埋め込まれると共に、放熱
板5の他半側が嵌合するよう成形されている。詳しく
は、アイランド1の他半側とほぼ同様の平面形状を呈す
ると共に所定の高さ寸法を持つ下成形部7aと、該下成
形部7aの上面ほぼ中央に突設状に成形された中成形部
7bと、該中成形部7bの上面に連設された上成形部7
cからなり、下成形部7aと中成形部7b中に第二リー
ド部4の上半部が埋め込まれると共に、上成形部7cに
は、第二リード部4上端のボンディング面4aを露呈さ
せる開口部7dが形成されている。ボンディング面4a
は面発光レーザ2に隣接するよう第二リード部4の上端
を内側へ折曲してなり、ワイヤボンディング8により面
発光レーザ2表面の正側の電極と導通している。また前
記中成形部7bは、放熱板5の凹部(係合部)5aとア
イランド1の凹部1aに嵌合する凸部(被係合部)とな
るよう形成され、放熱板5及びアイランド1の他半側が
上下の成形部7a,7c間に嵌合状に配置されるように
なっている。
【0025】夫々の上成形部6c,7cは、上記アイラ
ンド1の搭載面1dに固着した面発光レーザ2と第二リ
ード部4上端のボンディング面4aとの周囲を囲む囲繞
壁9を構成する略半円形状の囲繞壁構成部となってお
り、該囲繞壁9により面発光レーザ2、ボンディング面
1d、ワイヤボンディング8を保護すると共に、その囲
繞壁9で囲まれた部分、即ち、前述した開口部6d,7
dがレーザ光照射用とボンディング用の開口部10を構
成している。
【0026】上記下成形部6a,7aの内端面、上成形
部6c,7cの内端面は、第一、第二樹脂成形部6,7
を相互に接合する接合面11a,11bとなり、これら
接合面11a,11b同士を密接させると共に超音波溶
着等の手段により固着させて第一、第二樹脂成形部6,
7を一体化させ、これにより第一リード部3を有するア
イランド1、第二リード部4、放熱板5が一体化するよ
うになっている。
【0027】以上の構成によれば、第一、第二樹脂成形
部6,7を相互に接合し、且つそれら樹脂成形部6,7
で放熱板5を挟持する組み付け状態(図3〜図5参照)
において、第一リード部3を一体に備えるアイランド1
に第二リード部4が一体的に装着されると共に、アイラ
ンド1の下面に密接して放熱板5が保持され、且つ第
一、第二のリード部3,4がアイランド1の左右側縁か
ら下方へ延びるよう対向状に配置されると共に、両樹脂
成形部6,7の下方に第一,第二リード部3,4の下半
部が突出する。この状態で面発光レーザ2の正側電極と
第二リード部4上端のボンディング面4aとをワイヤボ
ンディング8で導通させれば、各リード部3,4の下半
部を、配線パターンが形成された基板等30の導通用の
差込孔31に上方から差し込んで、前記基板30に差し
込み装着可能な半導体レーザユニットAを得ることがで
きる。
【0028】該半導体レーザユニットAは、各リード部
3,4をアイランド1に対し一つづつ位置決め固定した
り、面発光レーザ2の全ての電極を各リード部3,4に
配線するような手間を要することなく、樹脂成形部6,
7を相互に接合させ、面発光レーザ2の正側電極と第二
のリード部4をワイヤボンディング8するだけの簡単な
作業で組み立てることができる。また、前記組み付け状
態において、面発光レーザ2の正側電極とボンディング
面4aとが近接するので、ワイヤボンディング寸法が短
くなり、高精度なワイヤボンディングを効率良く行うこ
とができる。さらに、囲繞壁9によって面発光レーザ
2、ボンディング面4a、ワイヤボンディング8などを
保護してこれらの損傷などを可及的防止し、信頼性の高
い製品とすることができる。また、アイランド1とは別
体の放熱板5を備えるので、高出力の面発光レーザ2を
搭載しても十分な放熱効果を得られ、光通信システムの
光源部構成部品として好適に用いることができる。
【0029】以上、本発明に係る半導体レーザユニット
の実施形態の一例を図面を参照して説明したが、本発明
は図示例に限定されるものではなく、受光用のモニタ素
子を別途搭載したり、別途形成した保護用キャップを囲
繞壁9上面に取り付けたり、放熱板を設ける代わりに異
形材を用いてアイランドを肉厚として該アイランドに所
定の放熱機能を持たせたり、搭載する発光素子,受光素
子の電極数に合わせてリード部の数を適宜増減したり、
コンパクトディスク(CD)やデジタル多用途ディスク
(DVD)などの光ディスクの読み取り装置のピックア
ップ部用として適用可能な構成とするなど、本発明の夫
々の特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内に
おいて種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0030】
【発明の効果】本発明に係る半導体レーザユニットは以
上説明したように構成したので、左右の樹脂成形部を相
互に接合させるだけで各リード部を所定位置に位置決め
でき、また発光素子の裏面側電極はアイランドに固着す
ることで第一のリード部に導通するので、表面側電極を
第二のリード部にワイヤボンディングすれば発光素子の
それぞれの電極が対応するリード部に導通する。よっ
て、全ての電極を各リード部に配線するような手間を必
要とせず、簡単な作業で組み立て可能な生産性の高い半
導体レーザユニットを提供できた。また請求項2によれ
ば、上記ワイヤボンディング作業を高精度で効率良く行
えるので、上述の効果をより実効あるものとし得る。
【0031】請求項3、5によれば、光通信システムの
光源部用として好適に用いられる半導体レーザユニット
とすることができる。請求項4によれば、別途カバーを
付加するような手間なく、面発光レーザ、ボンディング
面、ボンディングワイヤの保護を図ることができる。
【0032】請求項6によれば、別途放熱板を設けるこ
となく、放熱効果を向上することができる。請求項7に
よれば、基板に差し込み式で装着し得る半導体レーザユ
ニットとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザユニットの実施形態
の一例を示す右側から見た分解斜視図。
【図2】図1の半導体レーザユニットの左側から見た分
解斜視図。
【図3】図1に対応する組み立て斜視図。
【図4】図2に対応する組み立て斜視図。
【図5】図3の(X)−(X)線に沿う断面図。
【図6】図1に対応する樹脂成形部を省略した斜視図。
【符号の説明】
A:半導体レーザユニット 1:アイランド 2:面発光レーザ(発光素子) 3:第一のリード部 4:第二のリード部 5:放熱板 5a,5b:凹部(係合部) 6,7:樹脂成形部 6b,7b:中成形部(被係合部) 8:ワイヤボンディング 9:囲繞壁 6c,7c:上成形部(囲繞壁構成部) 10:開口部 11a,11b:接合面 30:基板 31:差込孔

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも光源用の発光素子を搭載する
    金属製のアイランドに、前記発光素子の裏面側電極に対
    応する所要数の第一のリード部を一体に形成すると共
    に、前記発光素子の表面側電極に対応する所要数の第二
    のリード部を前記アイランドと別体に設け、 左右一対の樹脂成形部の一方に前記アイランドを、他方
    に前記第二のリード部を夫々保持させ、それら樹脂成形
    部を相互に接合して前記第二のリード部をアイランドと
    一体化させ、 且つ前記アイランド上面に固着した前記発光素子の裏面
    側電極をアイランドを介して前記第一のリード部に導通
    させ、該発光素子の表面側電極をワイヤボンディングに
    より前記第二のリード部に導通させてなる半導体レーザ
    ユニット。
  2. 【請求項2】 上記第二のリード部の上端面を樹脂成形
    部上面に露出させてボンディング面とし、該ボンディン
    グ面をアイランド上面に固着した発光素子に隣接するよ
    う配置すると共に、該発光素子の表面側電極と前記ボン
    ディング面をワイヤボンディングで導通してなる請求項
    1記載の半導体レーザユニット。
  3. 【請求項3】 上記発光素子がその上面から垂直方向に
    レーザ光を照射する垂直共振器型の面発光レーザである
    請求項1又は2記載の半導体レーザユニット。
  4. 【請求項4】 上記左右の樹脂成形部が、上記面発光レ
    ーザとボンディング面の周囲を囲む囲繞壁を構成する半
    割り状の囲繞壁構成部を備え、前記囲繞壁により、レー
    ザ光照射用とボンディング用の開口部を残して前記面発
    光レーザとボンディング面を囲んでなる請求項3記載の
    半導体レーザユニット。
  5. 【請求項5】 上記アイランドと別体に形成した放熱板
    を備え、該放熱板の左右両側に設けた係合部に係合する
    被係合部を、上記左右の樹脂成形部の各接合面に形成
    し、該第一、第二の樹脂成形部間に放熱板を挟持して該
    放熱板を前記アイランドの直下に支持してなる請求項1
    〜4の何れか1項記載の半導体レーザユニット。
  6. 【請求項6】 上記アイランドを構成する金属板が放熱
    板を兼用するよう所定の寸法をもって形成されている請
    求項1〜4の何れか1項記載の半導体レーザユニット。
  7. 【請求項7】 上記第一、第二のリード部がアイランド
    の左右側縁から下方へ延びるよう対向状に配置され、そ
    れら各リード部を基板に設けた差込孔に上方から差し込
    んで基板に差し込み装着される請求項1〜6の何れか1
    項記載の半導体レーザユニット。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100631901B1 (ko) 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지
CN1323471C (zh) * 2004-05-20 2007-06-27 中国科学院半导体研究所 具有倾斜波导结构的半导体光放大器封装用的热沉
CN100401600C (zh) * 2004-09-08 2008-07-09 夏普株式会社 半导体激光装置及具有该半导体激光装置的光拾取装置
KR100984209B1 (ko) 2008-06-16 2010-10-11 서울반도체 주식회사 패키지 제조방법, 이를 이용한 발광소자 및 발광소자 제조방법

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