JP5036308B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明による半導体レーザ装置の実施形態を説明する。
以下、図5を参照しながら、本発明による半導体レーザ装置の第2の実施形態を説明する。
以下、本発明による半導体レーザ装置の更に他の実施形態を説明する。
2 サブマウント
3 ヒートシンク(ステム)
4 ベース(ステム)
5 キャップ
6 光学窓
7 端子電極
8 絶縁ガラス
10 低融点ガラスの接着層
10a 低Si濃度領域
10b 低Si濃度領域
20 シールド膜
50 UV光源
Claims (10)
- レーザ光を放射する半導体レーザチップと、
前記半導体レーザチップを支持するステムと、
前記ステムに設けられた貫通孔に挿入され、前記半導体レーザチップに給電するための複数の端子電極と、
前記レーザ光を透過する光学窓を有し、かつ、前記半導体レーザチップを覆うように前記ステムに固着されるキャップと、
フッ化珪素が添加され、前記ステムと前記端子電極との間に設けられた絶縁ガラスと、
を備えた半導体レーザ装置であって、
前記絶縁ガラスが700℃以上850℃以下の温度に加熱されたときに放出するフッ化珪素ガスの総量は、1.0μg以下であり、
前記ステムおよびキャップで囲まれた空間の内部には、前記半導体レーザチップに接触する雰囲気ガスが封止されており、
前記絶縁ガラスのうち、前記雰囲気ガスと接触する表面におけるフッ化珪素の濃度が前記絶縁ガラスの内部におけるフッ化珪素の濃度よりも低下している、半導体レーザ装置。 - 前記キャップの内周縁端と前記絶縁ガラスの外周面との間隔が50μm以下である請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記レーザ光の波長は500nm以下である請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記絶縁ガラスのうち、前記雰囲気ガスと接触する表面におけるフッ化珪素の濃度は、
前記絶縁ガラスの内部におけるフッ化珪素の濃度の10分の1以下である請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記雰囲気ガスは、窒素ガスおよび/または不活性ガスである請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記雰囲気ガスは、酸素ガスを含有している請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 請求項1に記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置から放射されたレーザ光を光ディスクに集光する光学系と、
を備えた光ディスク装置。 - 前記レーザ光の照射を受ける領域に、前記レーザ光によって光化学反応を生じる物質を含有する材料から形成された部材を有していない、請求項7に記載の光ディスク装置。
- レーザ光を放射する半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップを支持するステムと、前記ステムに設けられた貫通孔に挿入され、前記半導体レーザチップに給電するための複数の端子電極と、前記レーザ光を透過する光学窓を有し、かつ、前記半導体レーザチップを覆うように前記ステムに固着されるキャップとを備えた半導体レーザ装置を製造する方法であって、
フッ化珪素が添加された絶縁ガラスによって前記端子電極を前記ステムから絶縁する工程(A1)と、
700℃以上850℃以下の温度に加熱されたときにフッ化珪素ガスを放出しない濃度まで前記絶縁ガラスのフッ化珪素の濃度を低減する工程(A2)と、
前記ステムに前記キャップを固着する工程(B)と、
を含み、
前記工程(A2)は、波長500nm以下の光で前記ステムおよびキャップの表面を照射する工程を含む、半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記工程(A2)は、前記ステムおよびキャップの表面をヘキサンで洗浄する工程を含む、請求項9に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006519580A JP5036308B2 (ja) | 2004-06-02 | 2005-06-02 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004164061 | 2004-06-02 | ||
JP2004164061 | 2004-06-02 | ||
JP2006519580A JP5036308B2 (ja) | 2004-06-02 | 2005-06-02 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
PCT/JP2005/010129 WO2005119862A1 (ja) | 2004-06-02 | 2005-06-02 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005119862A1 JPWO2005119862A1 (ja) | 2008-04-03 |
JP5036308B2 true JP5036308B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=35463158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006519580A Active JP5036308B2 (ja) | 2004-06-02 | 2005-06-02 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7653099B2 (ja) |
EP (1) | EP1760849A4 (ja) |
JP (1) | JP5036308B2 (ja) |
CN (1) | CN1906819A (ja) |
WO (1) | WO2005119862A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007094049A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光学部品用キャップ及びその製造方法 |
US9595813B2 (en) * | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
JP5265822B1 (ja) | 2011-07-28 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 表面改質半導体及びその製造方法並びに粒子配置方法 |
WO2014010140A1 (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
DE102013209919A1 (de) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse mit mehreren Öffnungen |
JP6742684B2 (ja) | 2014-09-30 | 2020-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
CN105186289A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-23 | 北京为世联合科技有限公司 | 集成激光芯片 |
JP6965545B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-11-10 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
CN106990560A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-07-28 | 陕西科迪健康产业有限公司 | 一种激光头 |
JP6702349B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2020-06-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20210123322A (ko) * | 2019-02-02 | 2021-10-13 | 누부루 인크. | 고신뢰성, 고출력, 고휘도 청색 레이저 다이오드 시스템 및 그 제조 방법 |
US20220140567A1 (en) * | 2019-03-08 | 2022-05-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
JP6924293B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2021-08-25 | シャープ株式会社 | レーザ素子 |
JP7363898B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-10-18 | 住友電気工業株式会社 | レーザモジュール |
JP6784312B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2020-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
CN115349206A (zh) * | 2020-02-03 | 2022-11-15 | 努布鲁有限公司 | 长寿命激光二极管封装 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111152A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2004022918A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールの製造方法 |
JP2004252425A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールおよびその製造方法 |
JP2004273908A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Sony Corp | 発光装置の組立方法 |
JP2005109413A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュール |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2587013B2 (ja) | 1987-11-18 | 1997-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 光透過用キャップ |
JPH10138290A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-26 | Bridgestone Corp | 光学用プラスチック製品の製造方法 |
US5922250A (en) | 1996-11-05 | 1999-07-13 | Bridgestone Corporation | Method of manufacturing optical-use plastic products |
JPH11150218A (ja) | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ステムとその製造方法及び光半導体モジュール |
JP2000133736A (ja) | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置 |
JP4245771B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2009-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 耐プラズマ部材、電磁波透過窓用部材およびプラズマ処理装置 |
JP2003059087A (ja) | 2001-08-15 | 2003-02-28 | Sony Corp | 光学素子、半導体レーザ、光検出器、光学ヘッドおよび光ディスク再生装置 |
US7110425B2 (en) * | 2002-04-03 | 2006-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser module and production process thereof |
JP2004040051A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2004289010A (ja) | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sony Corp | 発光装置 |
-
2005
- 2005-06-02 EP EP05746009A patent/EP1760849A4/en not_active Withdrawn
- 2005-06-02 JP JP2006519580A patent/JP5036308B2/ja active Active
- 2005-06-02 WO PCT/JP2005/010129 patent/WO2005119862A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-06-02 US US11/569,683 patent/US7653099B2/en active Active
- 2005-06-02 CN CNA2005800016598A patent/CN1906819A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111152A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2004022918A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールの製造方法 |
JP2004252425A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールおよびその製造方法 |
JP2004273908A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Sony Corp | 発光装置の組立方法 |
JP2005109413A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2005119862A1 (ja) | 2008-04-03 |
US20080049800A1 (en) | 2008-02-28 |
EP1760849A4 (en) | 2010-08-25 |
WO2005119862A1 (ja) | 2005-12-15 |
US7653099B2 (en) | 2010-01-26 |
CN1906819A (zh) | 2007-01-31 |
EP1760849A1 (en) | 2007-03-07 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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