JP2004273908A - 発光装置の組立方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】光を出射する発光素子と、少なくとも発光素子を封止するパッケージとを備えた発光装置の組立方法において、量産性の低下を招くことなく、発光素子の発光部に堆積物が生成することを防止する。
【解決手段】光を出射する発光素子１と、少なくとも発光素子１を収納するパッケージ２とを備えた発光装置の組立方法において、パッケージ２をオゾン雰囲気下にて封止し、封止されたパッケージ２内に４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射する。パッケージ２内に生成した活性オゾンが、Ｓｉ有機化合物に衝突し、Ｓｉ有機化合物が分解し、安定した物質となる。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光素子をパッケージにより収納した構成を有する発光装置の組立方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体レーザは、様々な技術分野において使用されており、例えば、光ディスク記録／再生装置、レーザディスプレイなどの表示装置、レーザプリンタ装置および光通信装置において光源として用いられている。
【０００３】
従来、半導体レーザとしては、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＡｓ系およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザがすでに商品化されている。近年では、さらに短波長のレーザ光を出射可能であるＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザの商品化が待望されている。このＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体は、例えば、次世代光の高密度光ディスク（Ｂｌｕ−Ｒａｙ Ｄｉｓｃ）を記録／再生するための光学系に用いることが提案されている。
【０００４】
ところで、半導体レーザは、不純物の付着防止などを目的として、パッケージに収納されるのが一般的である。このパッケージとして様々な種類のものが用いられているが、その中でも、ＣＡＮ（キャン）パッケージは最も広く用いられているパッケージの一つである。
【０００５】
以下、図１０、１１および１２を参照しながら、従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法について説明する。
＜チップマウント工程＞
まず、図１０Ａに示すように、サブマウント１０２上の所定位置に、Ｓｎ半田により、７９０ｎｍ帯ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザまたは６５０ｎｍ帯ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザなどの半導体レーザ１０１を接着する。
【０００６】
＜ダイボンド工程＞
次に、図１０Ｂに示すように、固定体１０４に備えられたヒートシンク１０５の所定位置に、サブマウント１０２をダイボンドする。この際、接着材１０３として、Ａｇペーストを用いる。
【０００７】
＜ペースト硬化工程＞
次に、図１１Ａに示すように、接着剤１０３を硬化させる。
＜ワイヤボンド工程＞
次に、図１１Ｂに示すように、Ａｕワイヤ１０７により、サブマウント１０２とリードピン１０６ｂとを接続する。
【０００８】
＜封止工程＞
次に、図１２Ａに示すように、水分（Ｈ２Ｏ）を除いた酸素（ドライ酸素）雰囲気中において、固定体１０４に対してキャップ１０８を電気溶接する。これにより、図１２Ｂに示すように、ドライ酸素が封入されたＣＡＮパッケージ発光装置が完成する。なお、この封止工程において、ＣＡＮパッケージ発光装置内に封入される気体（置換ガス）としては、ドライ酸素以外には、Ｎ２（窒素）ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎ２およびＯ２からなる混合ガスが一般的に用いられている。
【０００９】
ノウハウとされているために公にされる機会は少ないものの、これ以外にも搭載部品から発生するガスと搭載部品材料との間の反応成長に起因する劣化メカニズムもあり、エネルギー源として上述の電気エネルギー以外に、熱エネルギーおよび光エネルギーが挙がられ、その対策として置換ガスを適宜選択することが有効であることが知られている。
【００１０】
ところが、本発明者の知見によれば、上述の組立方法により、４０５ｎｍ帯ＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザを備えたＣＡＮパッケージ発光装置を製造した場合、この発光装置では、半導体レーザ１０１の発光部に堆積物が生成され、駆動時間に応じて駆動電流が周期的に変動してしまう、という問題がある。
【００１１】
そこで、本発明者は、この堆積物が生成される原因を究明すべく、検討を重ねた結果、以下の知見を得るに至った。
（１）堆積物は、半導体レーザ１０１を駆動している時に発光部にのみ生成される。したがって、堆積物の生成は、光が関与した反応である。
（２）Ａｇペーストと半導体レーザ１０１とが直接接触しておらず、さらには堆積物にＡｇが含有されていない。したがって、堆積物の生成は、Ａｇペーストが半導体１０１に拡散する現象によるものではない。
【００１２】
以上の知見に基づき、さらに検討を重ねた結果、本発明者は、Ａｇペーストから発生するＳｉ有機化合物ガス、および固定体１０４に付着していたＳｉ有機化合物ガスが、半導体レーザ１０１の発光部に到達し、出射されたレーザ光に反応することにより、堆積物が生成されることを知見にするに至った。
【００１３】
そこで、本出願人は、半導体レーザ１０１の発光部に堆積物が生成されることを回避するために、従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法において、ワイヤボンド工程と封止工程との間に、オゾン洗浄工程を設けるようにした発光装置の組立方法を提案している。
【００１４】
図１３に、本出願により提案されているオゾン洗浄工程を示す。このオゾン洗浄工程においては、図１３に示すように、オゾン（Ｏ３）ガスを供給しながら、固定体１０４に対して、キセノンランプにより紫外光を照射する。これにより、Ａｇペースト表面および固定体１０４の表面に対して、活性オゾンが衝突し、Ｓｉ有機化合物が分解する。そして、Ｓｉ元素は、ＳｉＯ２化し、安定な物質となり、その他アルキル基等の炭化水素部は、ＣＯ、ＣＯｘ、あるいはＨ２Ｏに分解する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述の組立方法では、固定体１０４や半導体レーザ１０１などの部品が、封止前にＳｉ有機化合物ガスにより再汚染されてしまう、という問題が生じてしまう。特に、洗浄工程から封止工程に至る経路の間に、Ａｇペーストを使用している工程がある場合や、洗浄後から封止までの間の滞在期間が長い場合には、再汚染は顕著である。
【００１６】
再汚染を回避する方法として、（１）オゾン洗浄後に封止を速やかに行う、（２）封止前に固定体などにＳｉ有機化合物ガスが付着しないような環境を実現する、ことが考えられる。ところが、このような時間的および環境的制約を工程間に設けてしまうと、量産性の低下を招いてしまう、という問題が生じてしまう。
【００１７】
したがって、この発明の目的は、光を出射する発光素子と、少なくとも発光素子を封止するパッケージとを備えた発光装置の組立方法において、量産性の低下を招くことなく、発光素子の発光部に堆積物が生成することを防止することができる発光装置の組立方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明は、光を出射する発光素子と、少なくとも発光素子を収納するパッケージとを備えた発光装置の組立方法において、
パッケージをオゾン雰囲気下にて封止し、封止されたパッケージ内に４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射する
ことを特徴とする発光装置の組立方法である。
【００１９】
この発明によれば、光を出射する発光素子と、少なくとも上記発光素子を収納するパッケージとを備えた発光装置の組立方法において、パッケージをオゾン雰囲気下にて封止し、封止されたパッケージ内に４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射するため、時間的および環境的制約を工程間に設けずに、パッケージ内に存在するＳｉ有機化合物の気化を防止することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の構成の一例を示す。この発光装置は、図１に示すように、半導体レーザ１と、この半導体レーザ１を収納するためのＣＡＮパッケージ２とからなる。このＣＡＮパッケージ２は、半導体レーザ１を所定位置に固定するための固定体３と、固定体３に固定された半導体レーザ１を覆うキャップ４とからなる。
【００２１】
固定体３は、円盤状の形状を有し、例えばＦｅまたはＣｕなどの金属からなる。この固定体３の一主面には、ヒートシンク５が備えられている。このヒートシンク５は、例えばＦｅまたはＣｕなどの導電性を有する材料からなり、表面には、例えばＡｕコートが施されている。そして、ヒートシンク５上には、サブマウント６が接着されている。このサブマウント６は、例えばＳｉまたはＡｌＮからなる。さらに、サブマウント６上に、半導体レーザ１が接着されている。半導体レーザ１は、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ、例えばＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザ、具体的には４０５ｎｍ帯ＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザである。
【００２２】
また、この固定体３には、この固定体３を貫通するように３本のリードピン７ａ、７ｂおよび７ｃが備えられている。リードピン７ａは、ヒートシンク５と電気的に接続されている。リードピン７ｂは、ワイヤ８によりサブマウント６と接続される。ここで、ワイヤ８は、例えばＡｕなどの導電性材料からなる。また、リードピン７ｂおよび７ｃと固定体３との間には、低融点ガラスからなるスペーサが設けられている。これにより、リードピント７ｂおよび７ｃと固定体３とが絶縁されるとともに、ＣＡＮパッケージ２内に大気が入り込むことを防止することができる。これらのリードピン７ａ、７ｂおよび７ｃは、例えばＦｅあるいはＣｕなどの導電性を有する材料からなる。
【００２３】
キャップ４は、一方の開口が塞がれた円筒形状を有し、例えばＦｅなどの金属からなり、表面には、例えばＣｒメッキが施されている。開口側には、上述の固定体３が貼り合わされ、それとは反対側には、半導体レーザ１から出射されたレーザ光を取り出すための光取り出し部９が設けられている。この光取り出し部９は、円形状の形状を有し、透過率の高い溶融石英を母材としたガラスからなる封止ガラス１０により覆われている。なお、この封止ガラス１０には、無反射コートを施すことが好ましい。
【００２４】
次に、図２、３および４を参照しながら、この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法について説明する。
【００２５】
＜チップマウント工程＞
まず、図２Ａに示すように、サブマウント６上の所定位置に、半導体レーザ１を接着剤により接着する。ここで、接着材として、例えばＳｎ、ＳｎＰｂ、ＡｕＳｎ、Ｉｎ等の半田が用いられる。
【００２６】
＜ダイボンド工程＞
次に、図２Ｂに示すように、ヒートシンク５上の所定位置に、サブマウント６を接着剤１１により接着する。ここでは、接着剤１１として、Ａｇペーストが用いられる。なお、接着剤１１は、Ａｇペーストに限られるものではなく、Ｉｎなどの半田を用いるようにしてもよい。このように、接着剤として半田を用いることにより、封止後のＣＡＮパッケージ２内において接着剤から発生するＳｉ有機系化合物ガスの量を、さらに低減することができる。これにより、半導体レーザ１の発光部における堆積物の生成をさらに防止することができる。
【００２７】
＜ペースト硬化工程＞
次に、図３Ａに示すように、接着剤１１を硬化させる。
＜ワイヤボンド工程＞
次に、図３Ｂに示すように、ワイヤ８により、サブマウント６とリードピン７ｂとを接続する。
【００２８】
＜封止工程＞
次に、図４Ａに示すように、水分（Ｈ２Ｏ）を除いたオゾン（ドライオゾン）雰囲気中において、固定体３に対して、キャップ４を、例えば電気溶接により接着する。なお、キャップ４の光取り出し部９には、予め封止ガラス１０が接着されている。この封止ガラス１０の接着には、低融点ガラスが用いられる。
【００２９】
＜オゾン洗浄工程＞
次に、図４Ｂに示すように、ＣＡＮパッケージ発光装置内に光取り出し部９を介して４００ｎｍ以下の波長を有する光、例えば紫外光を照射する。これにより、ＣＡＮパッケージ発光装置内にＳｉ有機化合物ガスが存在しないようにできる、あるいは、実用上問題がない濃度にまでおさえ込むことができる。なお、光源としては、例えばキセノンランプが用いられる。
【００３０】
Ｓｉ有機化合物を含んだ汚染源の量は、ＣＡＮパッケージ２内に搭載する材料および作業環境などに大きく依存する。また、アウトガス分子量は、ＣＡＮパッケージ２の体積に比例して変化する。これは、飽和蒸気圧は体積によらないことから、ボイルシャルル則から導かれるものである。よって、照射条件は、搭載部品およびパッケージサイズに応じて適宜選択することが好ましい。
【００３１】
ここで、照射条件の一例を挙げると、ＣＡＮパッケージ２の直径が５．６ｍｍであり、照射光が紫外光である場合、照射光の照度は３．６ｍＷ／ｃｍ２に選ばれ、照射時間は５分以上、好適には１５分以上に選ばれる。なお、本発明は、この照射条件に制限されるものではないことは言うまでもない。
【００３２】
このように、波長４００ｎｍ以下の波長を有する光をＣＡＮパッケージ２内に照射することにより、活性オゾンが生成し、Ｓｉ有機化合物に衝突する。そして、Ｓｉ有機化合物が分解し、安定した、すなわち気化しずらいＳｉＯ２となる。なお、安定化したＳｉＯ２はもともとがＣＡＮパッケージ２内に付着したＳｉ有機化合物、および、Ａｇペーストなどの接着剤に含まれるＳｉ有機化合物の未結合分子であるため、その位置のままＳｉＯ２化する。したがって、アウトガス化して半導体レーザ１の発光部の位置まで到達することがない。また、炭化水素系の物質は、ＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ化し、半導体レーザ１の特性劣化を招かないような物質となる。したがって、半導体レーザ１の端面における堆積物の生成を防止し、半導体レーザ１の特性劣化を防止することができる。
【００３３】
この発明の第１の実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
ＣＡＮパッケージ２をドライオゾン雰囲気下にて封止し、封止されたＣＡＮパッケージ２内に光取り出し部９を介して４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射するため、時間的および環境的制約を工程間に設けずに、ＣＡＮパッケージ２内に存在するＳｉ有機化合物の気化を防止することができ、これにより、量産性の低下を招くことなく、半導体レーザ１の発光部に堆積物が生成すること防止することができる。また、マテリアルハンドリングを簡便にすることができ、量産性を向上させることができる。
【００３４】
また、キャップ４に備えられた光取り出し部９を介して、ＣＡＮパッケージ２内に波長４００ｎｍ以下の光を照射するために、オゾン洗浄のための専用窓をＣＡＮパッケージ２に設ける必要がない。したがって、ＣＡＮパッケージ発光装置の構造を簡略化し、且つ、部材費を低減することができる。
【００３５】
本発明者は、この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置と、従来のＣＡＮパッケージ発光装置とを比較検討した。ここで、従来のＣＡＮパッケージ発光装置は、上述した組立方法においてオゾン洗浄工程を省略して製造されたものである。
【００３６】
まず、本発明者は、駆動電流変動試験（ＡＰＣエージング）を、検出出力３０ｍＷ、温度６０℃の条件で行った。図５Ａに、第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置における駆動電流変動試験の結果を示す。図５Ｂに、従来のＣＡＮパッケージ発光装置における駆動電流変動試験の結果を示す。図５Ａと５Ｂとから、従来のＣＡＮパッケージ発光装置では時間経過に伴って駆動電流が変動するのに対し、この一実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置では時間経過に伴って駆動電流が変動せず、駆動電流は一定となることが分かる。
【００３７】
次に、本発明者は、駆動電流試験が終了した、それそれの発光装置について、半導体レーザの端面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。
【００３８】
図６Ａに、第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の発光部のＳＥＭ像を示す。図６Ｂに、従来のＣＡＮパッケージ発光装置の発光部のＳＥＭ像を示す。図６Ａおよび図６Ｂより、従来のＣＡＮパッケージ発光装置の発光部には堆積物が生成されているのに対し、第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の発光部には堆積物が生成されていないのことが分かる。
【００３９】
次に、従来のＣＡＮパッケージ発光装置において発光部に形成された堆積物の組成を分析した。この分析によれば、堆積物は、ＳｉおよびＯを主成分とする物質であり、大気とは異なる屈折率を有していることが分かった。このため、半導体レーザの端面における反射率が堆積物の厚みによって変動する。
【００４０】
また、以下の関係式により、半導体レーザのしきい電流値の周期的変動を定性的に示すことができることが分かる。
しきい利得＝内部損失＋１／（２×共振器長）×Ｌｎ［１／（前方端面反射率×後方端面反射率）］
【００４１】
次に、この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置について説明する。図７に、この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置の構成の一例を示す。図７に示すように、この発光装置は、フォトダイオードＩＣ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１と、フォトダイオードＩＣ２１を収納するフラットパッケージ２２とからなる。フォトダイオードＩＣ２１上には、主として、半導体レーザ２５、マルチプリズム２６、光検出器（フォトダイオード）２７ａおよび２７ｂがマウントされている。
【００４２】
半導体レーザ２５は、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ、例えばＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザ、具体的には４０５ｎｍ帯ＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザである。マルチプリズム２６は、例えば光りディスクにより反射されたレーザ光を光検出器２７ａおよび２７ｂに導く。光検出器２７ａおよび２７ｂは、マルチプリズム２６により導かれたレーザ光を受光し、受光したレーザ光に応じた電気信号を出力する。
【００４３】
フラットパッケージ２２は、フォトダイオードＩＣ２１を収納する収納部２３と、この収納部２３に貼り合わされる封止ガラス２４とからなる。収納部２３は、フォトダイオードＩＣ２１を収納するための空間を有する。封止ガラス２４は、透過率の高い石英からなる。この封止ガラス２４には、無反射コートを施すことが好ましい。
【００４４】
以下、図８および９を参照しながら、この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置の組立方法について説明する。
【００４５】
＜チップマウント工程＞
まず、図８Ａに示すように、フォトダイオードＩＣ２１上の所定位置に、半田を接着剤として、半導体レーザ２５を接着する。ここで、半田として、例えばＩｎなどの半田が用いられる。ここでは図示および説明を省略するが、チップマウント工程の前工程において、フォトダイオードＩＣ２１上に予め光検出器２７ａおよび２７ｂがマウントされている。
【００４６】
＜プリズムマウント工程＞
次に、図８Ｂに示すように、フォトダイオードＩＣ２１上の所定位置に、半田を接着剤として、マルチプリズム２６をマウントする。ここで、半田として、上述のチップマウント工程で用いられた半田より融点が低いものを用いることが好ましい。なお、接着材として、紫外線硬化タイプの変成アクリレートを用いるようにしてもよい。
【００４７】
＜ダイボンド工程＞
次に、図８Ｃに示すように、収納部２３に、半田を接着剤として、フォトダイオードＩＣ２１を接着する。ここで、半田として、上述のプリズムマウント工程で用いられた半田より融点が低いものを用いることが好ましい。なお、接着材として、エポキシ系接着剤を用いるようにしてもよい。
【００４８】
＜封止工程＞
次に、図９Ａに示すように、水分（Ｈ２Ｏ）を除いたオゾン（ドライオゾン）雰囲気中において、収納部２３に対して、半田を接着剤として、封止ガラス２４を貼り合わせる。これにより、封止されたフラットパッケージ２２が形成される。この場合、封止ガラス２４の接着部分に、金属を予めパターニングしておくことが好ましい。ここで、半田として、上述のダイボンド工程で用いられた半田より融点が低いものを用いることが好ましい。また、接着剤として、熱硬化タイプのエポキシ系接着剤を用いるようにしてもよい。
【００４９】
＜オゾン洗浄工程＞
次に、図９Ｂに示すように、フラットパッケージ発光装置内に、封止ガラス２４を介して、４００ｎｍ以下の波長を有する光、例えば紫外光を照射する。これにより、フラットパッケージ発光装置内にＳｉ有機化合物ガスが存在しないようにできる、あるいは、実用上問題がない濃度にまでおさえ込むことができる。なお、光源としては、例えばキセノンランプが用いられる。
【００５０】
この発明の第２の実施形態によれば、上述の第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００５１】
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１および第２の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００５２】
例えば、上述の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００５３】
また、パッケージの形状は、第１の実施形態におけるＣＡＮパッケージ、および第２の実施形態におけるフラットパッケージに限定されるものではなく、これら以外の形状を有するパッケージに対しても、本発明は適用可能であることは言うまでもない。また、パッケージ内に収納される部品は、上述の実施形態の例に限定されるものではない。
【００５４】
また、上述の第２の実施形態においては、集積光学素子に対して、この発明を適用する例について示したが、集積の形態は、これに限定されるものではない。
【００５５】
また、上述した第１および第２の実施形態では、オゾン洗浄工程において、光取り出し部９あるいは封止ガラス２４を介して、４００ｎｍ以下の波長を有する光を、パッケージ内に照射する場合を例として示したが、光取り出し部９あるいは封止ガラス２４とは別に、照射光をパッケージ内に照射するための専用窓を設けるようにしてもよい。なお、発光装置の構造の簡略化、部材費の低減を考慮した場合には、上述の第１および第２の実施形態におけるようにして、照射光をパッケージ内に照射することが好ましい。
【００５６】
また、上述した第１および第２の実施形態において、パッケージ内には、Ｓｉ有機化合物ガスを発生する部材を収納しないようにすることが好ましい。また、接着材としても、Ｓｉ有機化合物を含有していないものを用いることが好ましい。
【００５７】
また、上述した第１および第２の実施形態において、Ｓｉ有機化合物ガスを発生する部品および接着剤を用いる場合には、封止工程からオゾン洗浄工程に至るまでの時間を短くすることが好ましく、また、保存温度も室温近傍であることが好ましい。
【００５８】
また、上述した第１および第２の実施形態において、オゾン洗浄工程にて４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射する例について示したが、この光源として、従来、半導体レーザあるいはＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）の製造工程などで使用されているものを用いるようにしてもよい。
【００５９】
例えば、４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射する工程は、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＩｎＡｓ系など、既に実用化されている半導体レーザ、およびＬＥＤの発光素子の製造工程において広く用いられている。具体的には、フォトリソグラフィの技術を利用して、マスクパターンを作成する工程で用いられている。この工程は、感光性が有るフォトレジストをウエハにスピンコータ等を使い塗布し、ガラスに金属を施したいわゆるフォトマスクを近接、あるいは接すようにし、紫外線を照射し、感光させるものである。
【００６０】
また、研究開発レベルでは、結晶成長後、キャリアを活性化させる工程、あるいは結晶性回復、変質、さらには、例えば光ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のように結晶成長中に紫外線を照射する工程において用いられている。
【００６１】
ただし、半導体レーザあるいはＬＥＤの製造工程などでは、いずれも結晶成長中、成長後、または配線パターン加工時といった、いわゆるレーザ構造、ＬＥＤ構造などの作り込みが完了する前段の工程で用いられているのに対し、本発明では、上述したように実装工程において用いるものである。
【００６２】
また、上述した第１および第２の実施形態において、照射光が、パッケージ発光装置内の全てにあたらない場合には、照射時間を長くする、あるいは、照射強度を上げることが好ましい。これにより、照射光があたった部分のオゾンが、あたらなかった部分に回り込むようにすることができる。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、時間的および環境的制約を工程間に設けずに、パッケージ内に存在するＳｉ有機化合物の気化を防止することができ、これにより、量産性の低下を招くことなく、発光素子の発光部において堆積物が生成することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法の一例を示す略線図である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法の一例を示す略線図である。
【図４】この発明の第１の実施形態によるＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法の一例を示す略線図である。
【図５】この発明の第１の実施形態および従来例のＣＡＮパッケージ発光装置の駆動電流変動試験の結果を示すグラフである。
【図６】この発明の第１の実施形態および従来例のＣＡＮパッケージ発光装置に備えられた半導体レーザの端面におけるＳＥＭ像である。
【図７】この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置の構成を説明するための断面図である。
【図８】この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置の組立方法の一例を示す略線図である。
【図９】この発明の第２の実施形態によるフラットパッケージ発光装置の組立方法の一例を示す略線図である。
【図１０】従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法を説明するための略線図である。
【図１１】従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法を説明するための略線図である。
【図１２】従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法を説明するための略線図である。
【図１３】従来のＣＡＮパッケージ発光装置の組立方法におけるオゾン洗浄工程を説明するための略線図である。
【符号の説明】
１，２５・・・半導体レーザ、２・・・ＣＡＮパッケージ、３・・・固定体、４・・・キャップ、５・・・ヒートシンク、６・・・サブマウント、７ａ，７ｂ，７ｃ・・・リードピン、８・・・ワイヤ、９・・・光取り出し部、１０・・・封止ガラス、１１・・・接着剤、２１・・・フォトダイオードＩＣ、２２・・・フラットパッケージ、２３・・・収納部、２４・・・封止ガラス、２６・・・マルチプリズム、２７ａ，２７ｂ・・・光検出器

Claims (4)

  1. 光を出射する発光素子と、少なくとも上記発光素子を収納するパッケージとを備えた発光装置の組立方法において、
    パッケージをオゾン雰囲気下にて封止し、封止された上記パッケージ内に４００ｎｍ以下の波長を有する光を照射する
    ことを特徴とする発光装置の組立方法。
  2. 上記パッケージには、上記発光素子より出射された光を取り出すための光取り出し部が備えられ、上記光り取り出し部を介して、上記光が、封止された上記パッケージ内に照射されることを特徴とする請求項１記載の発光装置の組立方法。
  3. 上記光取り出し部は、石英を母材としたガラスにより覆われていることを特徴とする請求項２記載の発光装置の組立方法。
  4. 上記発光素子が、ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする請求項１記載の発光装置の組立方法。
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