JPH0548197A - 分布帰還形半導体レーザ - Google Patents
分布帰還形半導体レーザInfo
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- JPH0548197A JPH0548197A JP22114991A JP22114991A JPH0548197A JP H0548197 A JPH0548197 A JP H0548197A JP 22114991 A JP22114991 A JP 22114991A JP 22114991 A JP22114991 A JP 22114991A JP H0548197 A JPH0548197 A JP H0548197A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- face
- resonator
- phase
- length
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 出射側端面から十分な光出力を得ることがで
き、かつＤＦＢレーザの単一モード発振を損なうことな
く、また、できるだけ簡単な構造およびプロセスによ
り、戻り光誘起雑音を低減することができるＤＦＢレー
ザを提供することにある。 【構成】 活性層３とガイド層４とから形成される光導
波路（共振器）に回折格子を有し、かつこの回折格子の
位相が途中で不連続部９となった構造をもつＤＦＢレー
ザであって、出射端面に誘電体膜10を被覆することによ
って、端面の反射率を変え、さらに回折格子の位相が回
折格子の凹凸の周期の２分１だけシフトするうよな位相
の不連続部分の位置、および回折格子による光の結合定
数κと共振器長Ｌとの積κＬの大きさを最適化すること
によって、戻り光誘起雑音の低減を図ったＤＦＢレーザ
である。
き、かつＤＦＢレーザの単一モード発振を損なうことな
く、また、できるだけ簡単な構造およびプロセスによ
り、戻り光誘起雑音を低減することができるＤＦＢレー
ザを提供することにある。 【構成】 活性層３とガイド層４とから形成される光導
波路（共振器）に回折格子を有し、かつこの回折格子の
位相が途中で不連続部９となった構造をもつＤＦＢレー
ザであって、出射端面に誘電体膜10を被覆することによ
って、端面の反射率を変え、さらに回折格子の位相が回
折格子の凹凸の周期の２分１だけシフトするうよな位相
の不連続部分の位置、および回折格子による光の結合定
数κと共振器長Ｌとの積κＬの大きさを最適化すること
によって、戻り光誘起雑音の低減を図ったＤＦＢレーザ
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの特性悪
化の大きな要因の一つである戻り光誘起雑音を低減する
分布帰還形半導体レーザ（以下、ＤＦＢレーザと略記す
る）に関するものである。
化の大きな要因の一つである戻り光誘起雑音を低減する
分布帰還形半導体レーザ（以下、ＤＦＢレーザと略記す
る）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の戻り光誘起雑音低減のための構造
の一例として、InGaAsP/InP 系の DFBレーザの構造を図
２に示す。
の一例として、InGaAsP/InP 系の DFBレーザの構造を図
２に示す。
【０００３】図２において、１はｎ形InP 基板、２は基
板１の上のｎ形InP クラッド層、３はInP クラッド層２
の上の InGaAsP活性層、４は活性層３の上の回折格子を
有する InGaAsPガイド層、５はガイド層４の上のｐ形In
P クラッド層、６はクラッド層５を覆うｐ形 InGaAsPキ
ャップ層、７は基板１の面に形成したｎ側電極、８はキ
ャップ層６に形成したｐ側電極、11は出射端面に SiO2
と Al2O3を交互に重ねて被覆した誘電体多層膜である。
板１の上のｎ形InP クラッド層、３はInP クラッド層２
の上の InGaAsP活性層、４は活性層３の上の回折格子を
有する InGaAsPガイド層、５はガイド層４の上のｐ形In
P クラッド層、６はクラッド層５を覆うｐ形 InGaAsPキ
ャップ層、７は基板１の面に形成したｎ側電極、８はキ
ャップ層６に形成したｐ側電極、11は出射端面に SiO2
と Al2O3を交互に重ねて被覆した誘電体多層膜である。
【０００４】このレーザの動作は、電極８に正の電圧、
電極７に負の電圧を印加し、活性層３に電流を流すこと
によって、電子と正孔が注入され、それらの再結合によ
って光が発生し、その光がガイド層４に形成された回折
格子によって、さらに波長選択性が高められるので、単
一モードで発振するものである。また、このレーザの端
面に被覆した誘電体多層膜11は、端面の反射率を変える
ためのものであり、これを端面に被覆することによっ
て、端面の反射率を高くし、反射戻り光が活性層内部に
入射するのを抑制することができる構造となっている。
電極７に負の電圧を印加し、活性層３に電流を流すこと
によって、電子と正孔が注入され、それらの再結合によ
って光が発生し、その光がガイド層４に形成された回折
格子によって、さらに波長選択性が高められるので、単
一モードで発振するものである。また、このレーザの端
面に被覆した誘電体多層膜11は、端面の反射率を変える
ためのものであり、これを端面に被覆することによっ
て、端面の反射率を高くし、反射戻り光が活性層内部に
入射するのを抑制することができる構造となっている。
【０００５】しかしながら、このような誘電体多層膜を
被覆したDFB レーザでは、端面の反射率が高くなるの
で、出射端面からの光出力が非常に小さくなってしまう
ことが、実用上大きな問題となる。また、回折格子によ
る光の結合定数κと共振器の長さＬとの積κＬを大きく
することも、DFB レーザの戻り光誘起雑音を抑制する方
法として報告されているが、(Y. Yoshikuni. H. Kawagu
chi and T. Ikegami .“Intensity fluctuation of1.5
μm InGaAsP/InP distributed feedback Iasers involv
ing the opticalfeedback effect ”. IEE Proc., vil.
132. Pt. J,No.1 , Feb. 1985.) 実際にはホールバー
ニングという現象が起こり（ H. Soda. Y. Kotaki. H.
Sudo.H.Ishikawa. S. Yamakoshi and H. Imai, “Stabi
lity in Single LongitudinalMode Operation in GaInA
sP/InP Phase-Adjusted DFB Lasers ”IEEE. J. Qnantu
m Electron. , vol. QE-23, pp.804-814, June 198
7.）、ＤＦＢレーザの単一モード発振そのものが損なわ
れてしまう。
被覆したDFB レーザでは、端面の反射率が高くなるの
で、出射端面からの光出力が非常に小さくなってしまう
ことが、実用上大きな問題となる。また、回折格子によ
る光の結合定数κと共振器の長さＬとの積κＬを大きく
することも、DFB レーザの戻り光誘起雑音を抑制する方
法として報告されているが、(Y. Yoshikuni. H. Kawagu
chi and T. Ikegami .“Intensity fluctuation of1.5
μm InGaAsP/InP distributed feedback Iasers involv
ing the opticalfeedback effect ”. IEE Proc., vil.
132. Pt. J,No.1 , Feb. 1985.) 実際にはホールバー
ニングという現象が起こり（ H. Soda. Y. Kotaki. H.
Sudo.H.Ishikawa. S. Yamakoshi and H. Imai, “Stabi
lity in Single LongitudinalMode Operation in GaInA
sP/InP Phase-Adjusted DFB Lasers ”IEEE. J. Qnantu
m Electron. , vol. QE-23, pp.804-814, June 198
7.）、ＤＦＢレーザの単一モード発振そのものが損なわ
れてしまう。
【０００６】さらに図１に示すような構造のＤＦＢレー
ザに関して、主モードと副モードとの間に利得差や効
率、しきい値電流を考慮した解析がなされているが、
（山口、水戸、小林：非対称λ／４シフト型 DFB LD の
解析、昭和60年度 電子通信学会半導体・材料部門全国
大会、１−125.）、戻り光誘起雑音の低減といった面で
は考慮されていない。
ザに関して、主モードと副モードとの間に利得差や効
率、しきい値電流を考慮した解析がなされているが、
（山口、水戸、小林：非対称λ／４シフト型 DFB LD の
解析、昭和60年度 電子通信学会半導体・材料部門全国
大会、１−125.）、戻り光誘起雑音の低減といった面で
は考慮されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の欠点
に鑑みなされたもので、出射側端面から十分な光出力を
得ることができ、かつ DFBレーザの単一モード発振を損
なうことなく、また、できるだけ簡単な構造およびプロ
セスにより、戻り光誘起雑音を低減することができるＤ
ＦＢレーザを提供することにある。
に鑑みなされたもので、出射側端面から十分な光出力を
得ることができ、かつ DFBレーザの単一モード発振を損
なうことなく、また、できるだけ簡単な構造およびプロ
セスにより、戻り光誘起雑音を低減することができるＤ
ＦＢレーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、従来の構造
をした DFBレーザの出射端面に誘電体膜を被覆すること
によって、端面の反射率を変え、さらに回折格子の位相
が回折格子の凹凸の周期の２分１（共振器内を伝搬する
光の波長の４分１）だけシフトするような位相の不連続
部分（以下、λ／４位相シフトと略記する）の位置、お
よび回折格子による光の結合定数κと共振器長Ｌとの積
κＬの大きさを最適化することによって、戻り光誘起雑
音の低減を図った。
をした DFBレーザの出射端面に誘電体膜を被覆すること
によって、端面の反射率を変え、さらに回折格子の位相
が回折格子の凹凸の周期の２分１（共振器内を伝搬する
光の波長の４分１）だけシフトするような位相の不連続
部分（以下、λ／４位相シフトと略記する）の位置、お
よび回折格子による光の結合定数κと共振器長Ｌとの積
κＬの大きさを最適化することによって、戻り光誘起雑
音の低減を図った。
【０００９】すなわち本発明のＤＦＢレーザは、活性層
とガイド層とから形成される光導波路（共振器）に回折
格子を有し、かつその回折格子の位相が途中で不連続に
なった構造を持ったもので、(1) 出射側端面には無反射
（ＡＲ）コーティングを施し、その反対側にあたる後方
端面はへき開したままの状態で、後方端面からλ／４位
相シフトまでの長さをＬs 、レーザの共振器長をＬと
し、0.2 ≦Ｌs ／Ｌ≦0.4 となる位置にλ／４位相シフ
トを設け、かつ回折格子による光の結合定数κと共振器
長Ｌとの積κＬが、２≦κＬ≦４とするもの、および
(2) 出射側端面には無反射（ＡＲ）コーティングを施
し、その反対側にあたる後方端面には誘電体多層膜によ
る高反射（ＨＲ）コーティングを施し、後方端面からλ
／４位相シフトまでの長さをＬs、レーザの共振器長を
Ｌとし、0.1 ≦Ｌs ／Ｌ≦0.3 となる位置にλ／４位相
シフトを設け、かつ回折格子による光の結合定数κと共
振器長Ｌとの積κＬが、１≦κＬ≦３とするものであ
る。
とガイド層とから形成される光導波路（共振器）に回折
格子を有し、かつその回折格子の位相が途中で不連続に
なった構造を持ったもので、(1) 出射側端面には無反射
（ＡＲ）コーティングを施し、その反対側にあたる後方
端面はへき開したままの状態で、後方端面からλ／４位
相シフトまでの長さをＬs 、レーザの共振器長をＬと
し、0.2 ≦Ｌs ／Ｌ≦0.4 となる位置にλ／４位相シフ
トを設け、かつ回折格子による光の結合定数κと共振器
長Ｌとの積κＬが、２≦κＬ≦４とするもの、および
(2) 出射側端面には無反射（ＡＲ）コーティングを施
し、その反対側にあたる後方端面には誘電体多層膜によ
る高反射（ＨＲ）コーティングを施し、後方端面からλ
／４位相シフトまでの長さをＬs、レーザの共振器長を
Ｌとし、0.1 ≦Ｌs ／Ｌ≦0.3 となる位置にλ／４位相
シフトを設け、かつ回折格子による光の結合定数κと共
振器長Ｌとの積κＬが、１≦κＬ≦３とするものであ
る。
【００１０】ただし、結合定数κは、回折格子によっ
て、一方向に進行する光が反射され、反対方向に進行す
る光に変わる、単位長さあたりの割合を表わし、回折格
子の深さ、もしくは回折格子の凹凸の幅の比で決定され
るものである。またλ／４位相シフトは、ＤＦＢレーザ
の単一モード性を高めるためのもので、共振器内の電界
は、このλ／４位相シフトのところで最も強くなるよう
な分布を示す。さらに、位相シフトの位置Ｌs ／Ｌにつ
いては、ＤＦＢレーザのモード間利得差ΔαthＬ、およ
び内部微分量子効率で規格化した外部微分量子効率ηd
／ηi 、戻り光感受率（ F. Favte.“Theoretical Anal
ysis of ExternalOpticalFeedback on DFB Semiconduct
or Lasers”, IEEE. J. Quantum Electron., vol.QE-2
3, pp.81-88, Jan. 1987.)｜Ｃ｜を計算し、戻り光の影
響を小さく、かつDFB レーザの単一モード発振器や出力
パワーなどの特性を損なわない範囲を定めた。
て、一方向に進行する光が反射され、反対方向に進行す
る光に変わる、単位長さあたりの割合を表わし、回折格
子の深さ、もしくは回折格子の凹凸の幅の比で決定され
るものである。またλ／４位相シフトは、ＤＦＢレーザ
の単一モード性を高めるためのもので、共振器内の電界
は、このλ／４位相シフトのところで最も強くなるよう
な分布を示す。さらに、位相シフトの位置Ｌs ／Ｌにつ
いては、ＤＦＢレーザのモード間利得差ΔαthＬ、およ
び内部微分量子効率で規格化した外部微分量子効率ηd
／ηi 、戻り光感受率（ F. Favte.“Theoretical Anal
ysis of ExternalOpticalFeedback on DFB Semiconduct
or Lasers”, IEEE. J. Quantum Electron., vol.QE-2
3, pp.81-88, Jan. 1987.)｜Ｃ｜を計算し、戻り光の影
響を小さく、かつDFB レーザの単一モード発振器や出力
パワーなどの特性を損なわない範囲を定めた。
【００１１】ここで、主モードと副モードの間の利得差
ΔαthＬは、副モードの発振器の起こりにくさの目安と
なるものであり、この値が大きいほど、DFB レーザは、
安定な単一モード発振をする。また内部微分量子効率で
規格化した外部微分量子効率ηd ／ηi は、構造の違い
による相対的な出射端面からの光出力の大きさを表わす
ものである。さらに戻り光感受率｜Ｃ｜は、反射戻り光
とレーザ共振器内部の電界との結合のし易さを表わすパ
ラメータで、この値が小さいほど、レーザは戻り光の影
響を受けにくくなる。
ΔαthＬは、副モードの発振器の起こりにくさの目安と
なるものであり、この値が大きいほど、DFB レーザは、
安定な単一モード発振をする。また内部微分量子効率で
規格化した外部微分量子効率ηd ／ηi は、構造の違い
による相対的な出射端面からの光出力の大きさを表わす
ものである。さらに戻り光感受率｜Ｃ｜は、反射戻り光
とレーザ共振器内部の電界との結合のし易さを表わすパ
ラメータで、この値が小さいほど、レーザは戻り光の影
響を受けにくくなる。
【００１２】これら三つのパラメータの計算結果を図３
〜図８に示す。また、回折格子による光の結合定数κと
共振器長Ｌとの積κＬについては、両端面がへき開した
状態のλ／４位相シフトがないＤＦＢレーザよりも、前
述の戻り光感受率｜Ｃ｜が小さくとれ、かつ出力パワー
が十分とれるように範囲を定めた。
〜図８に示す。また、回折格子による光の結合定数κと
共振器長Ｌとの積κＬについては、両端面がへき開した
状態のλ／４位相シフトがないＤＦＢレーザよりも、前
述の戻り光感受率｜Ｃ｜が小さくとれ、かつ出力パワー
が十分とれるように範囲を定めた。
【００１３】
【作用】本発明では、ＤＦＢレーザの出射端面の反射率
を小さくし、逆に、後方端面の反射率を大きくし、かつ
λ／４位相シフトの位置を共振器中央よりも後方端面側
にすることで、共振器内の電界を後方端面側に偏った分
布とし、この結果、出射面の反射率を小さくしても、反
射戻り光と共振器内の電界との干渉を抑えることを可能
とし、かつ出射側端面からの光出力も十分とることがで
きる。
を小さくし、逆に、後方端面の反射率を大きくし、かつ
λ／４位相シフトの位置を共振器中央よりも後方端面側
にすることで、共振器内の電界を後方端面側に偏った分
布とし、この結果、出射面の反射率を小さくしても、反
射戻り光と共振器内の電界との干渉を抑えることを可能
とし、かつ出射側端面からの光出力も十分とることがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳
細に説明する。ここでは、本発明の一実施例を InGaAsP
/InP DFBレーザについて述べるが、本発明はこの例にの
み限られるものではない。図１は、本発明の一実施例
の、レーザの活性層方向の断面図であって、１はｎ形 I
nP基板、２は基板１の上の一方の主面上に形成したｎ形
InPクラッド層、３はクラッド層２の上に形成した InG
aAsP活性層、４は活性層３の上に形成した回折格子を有
する InGaAsPガイド層、５はガイド層４の上に形成した
ｐ形 InPクラッド層、６はクラッド層５を覆うｐ形 InG
aAsPキャップ層、７は基板１の露出表面に形成したｎ側
電極、８はキャップ層６に形成したｐ側電極、９はλ／
４位相シフト、10は出射側端面に SiO2 を被覆した誘電
体膜を示し、これにより、端面の反射率は約１％まで下
げられている。また後方端面はへき開したままの状態
で、この時の反射率は約30％である。さらにλ／４位相
シフトは、後方端面から不連続部分までの長さをＬs 、
レーザの共振器長をＬとし、Ｌs ／Ｌ＝0.3となる位置
に設けられている。ここで、このDFB レーザの回折格子
による光の結合定数κと共振器の長さＬとの積κＬは、
２から３の範囲にある。
細に説明する。ここでは、本発明の一実施例を InGaAsP
/InP DFBレーザについて述べるが、本発明はこの例にの
み限られるものではない。図１は、本発明の一実施例
の、レーザの活性層方向の断面図であって、１はｎ形 I
nP基板、２は基板１の上の一方の主面上に形成したｎ形
InPクラッド層、３はクラッド層２の上に形成した InG
aAsP活性層、４は活性層３の上に形成した回折格子を有
する InGaAsPガイド層、５はガイド層４の上に形成した
ｐ形 InPクラッド層、６はクラッド層５を覆うｐ形 InG
aAsPキャップ層、７は基板１の露出表面に形成したｎ側
電極、８はキャップ層６に形成したｐ側電極、９はλ／
４位相シフト、10は出射側端面に SiO2 を被覆した誘電
体膜を示し、これにより、端面の反射率は約１％まで下
げられている。また後方端面はへき開したままの状態
で、この時の反射率は約30％である。さらにλ／４位相
シフトは、後方端面から不連続部分までの長さをＬs 、
レーザの共振器長をＬとし、Ｌs ／Ｌ＝0.3となる位置
に設けられている。ここで、このDFB レーザの回折格子
による光の結合定数κと共振器の長さＬとの積κＬは、
２から３の範囲にある。
【００１５】この実施例のプロセスおよび基本動作は、
従来のＤＦＢレーザと同様であって、電極８へ正の電
圧、電極７へ負の電圧を印加し、活性層３に電流を流す
こと（電子と正孔の注入）により発光を得るものであ
る。実際に共振器長が 300μm の素子を用いて測定した
ところ、両端面ともへき開にしたλ／４位相シフトの無
い回折格子を有するＤＦＢレーザでは、κＬが大きくな
ると、ホールバーニングが起こり易くなるので、κＬを
小さくしないと、単一モード発振できなくなってしま
う。これに対して、この実施例の構造では、κＬが３程
度でも良好な単一モード発振をし、かつ良好な電流−光
出力を得ることができた。
従来のＤＦＢレーザと同様であって、電極８へ正の電
圧、電極７へ負の電圧を印加し、活性層３に電流を流す
こと（電子と正孔の注入）により発光を得るものであ
る。実際に共振器長が 300μm の素子を用いて測定した
ところ、両端面ともへき開にしたλ／４位相シフトの無
い回折格子を有するＤＦＢレーザでは、κＬが大きくな
ると、ホールバーニングが起こり易くなるので、κＬを
小さくしないと、単一モード発振できなくなってしま
う。これに対して、この実施例の構造では、κＬが３程
度でも良好な単一モード発振をし、かつ良好な電流−光
出力を得ることができた。
【００１６】また、反射戻りがあるときの、レーザの相
対雑音強度（ＲＩＮ）を測定したところ、約１％の戻り
光量に対してまでは、ＲＩＮの増加を抑制することがで
きた。ただし、相対雑音強度とは、光出力強度と平均光
出力強度の比を測定周波数帯域で割ったものである。以
上 InGaAsP/InP DFBレーザを例にとり、本発明を説明し
たが、本発明はこの例に限られるものではなく、GaAs等
の他の材料系よりなる場合でも有効である。また、本発
明はｐ形およびｎ形の導電形の逆転した、いわゆるｐ基
板形素子でも有効である。
対雑音強度（ＲＩＮ）を測定したところ、約１％の戻り
光量に対してまでは、ＲＩＮの増加を抑制することがで
きた。ただし、相対雑音強度とは、光出力強度と平均光
出力強度の比を測定周波数帯域で割ったものである。以
上 InGaAsP/InP DFBレーザを例にとり、本発明を説明し
たが、本発明はこの例に限られるものではなく、GaAs等
の他の材料系よりなる場合でも有効である。また、本発
明はｐ形およびｎ形の導電形の逆転した、いわゆるｐ基
板形素子でも有効である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＤＦＢレ
ーザは、作製工程において、従来のＤＦＢレーザと同じ
方法で作製することができ、しかもＤＦＢレーザの単一
モード性や光出力、しきい値電流等のレーザの諸特性を
損なうことなく、戻り光誘起雑音を低減することができ
る。
ーザは、作製工程において、従来のＤＦＢレーザと同じ
方法で作製することができ、しかもＤＦＢレーザの単一
モード性や光出力、しきい値電流等のレーザの諸特性を
損なうことなく、戻り光誘起雑音を低減することができ
る。
【図１】本発明の一実施例の構造を示す断面図である。
【図２】従来の戻り光誘起雑音を抑制するためのＤＦＢ
レーザの一例の構造を示す断面図である。
レーザの一例の構造を示す断面図である。
【図３】請求項１に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときのモ
ード間利得差ΔαthＬを示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときのモ
ード間利得差ΔαthＬを示す図である。
【図４】請求項１に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの規
格化外部微分量子効率ηd ／ηi を示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの規
格化外部微分量子効率ηd ／ηi を示す図である。
【図５】請求項１に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの戻
り光感受率｜Ｃ｜を示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの戻
り光感受率｜Ｃ｜を示す図である。
【図６】請求項２に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときのモ
ード間利得差ΔαthＬを示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときのモ
ード間利得差ΔαthＬを示す図である。
【図７】請求項２に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの規
格化外部微分量子効率ηd ／ηi を示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの規
格化外部微分量子効率ηd ／ηi を示す図である。
【図８】請求項２に記載のＤＦＢレーザの構造におい
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの戻
り光感受率｜Ｃ｜を示す図である。
て、λ／４位相シフトの位置Ｌs／Ｌを変えたときの戻
り光感受率｜Ｃ｜を示す図である。
１ ｎ形 InP基板 ２ ｎ形 InPクラッド層 ３ InGaAsP 活性層 ４ InGaAsP ガイド層 ５ ｐ形 InPクラッド層 ６ ｐ形InGaAsP キャップ層 ７ ｎ側電極 ８ ｐ側電極 ９ 位相の不連続部分（λ／４位相シフト） 10 SiO2誘電体膜
Claims (2)
- 【請求項１】 活性層とガイド層とから形成される光導
波路（共振器）に回折格子を有し、かつこの回折格子の
位相が途中で不連続になった構造をもつ分布帰還形半導
体レーザにおいて、 出射側端面には無反射（ＡＲ）コーティングを施し、そ
の反対側にあたる後方端面はへき開したままの状態で、
かつ回折格子の位相の不連続部分で、位相が回折格子の
凹凸の周期の２分の１（共振器内を伝搬する光の波長の
４分の１）だけシフトしていて、後方端面から不連続部
分までの長さをＬs 、レーザの共振器長をＬとし、0.2
≦Ｌs ／Ｌ≦0.4 となる位置に不連続部分を設け、かつ
回折格子によって、一方向に進行する光が反射され、反
対方向に進行する光に変わる、単位長さあたりの割合を
結合定数κとし、結合定数κと共振器長Ｌとの積κＬ
が、２≦κＬ≦４としたことを特徴とする分布帰還形半
導体レーザ。 - 【請求項２】 活性層とガイド層とから形成される光導
波路（共振器）に回折格子を有し、かつこの回折格子の
位相が途中で不連続になった構造をもつ分布帰還形半導
体レーザにおいて、 出射側端面には無反射（ＡＲ）コーティングを施し、そ
の反対側にあたる後方端面には誘電体多層膜による高反
射（ＨＲ）コーティングを施し、かつ回折格子の位相の
不連続部分で、位相が回折格子の凹凸の周期の２分の１
（共振器内を伝搬する光の波長の４分の１）だけシフト
していて、後方端面から不連続部分までの長さをＬs 、
レーザの共振器長をＬとし、0.1 ≦Ｌs ／Ｌ≦0.3 とな
る位置に不連続部分を設け、かつ回折格子によって、一
方向に進行する光が反射され、反対方向に進行する光に
変わる、単位長さあたりの割合を結合定数κとし、結合
定数κと共振器長Ｌとの積κＬが、１≦κＬ≦３とした
ことを特徴とする分布帰還形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22114991A JPH0548197A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 分布帰還形半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22114991A JPH0548197A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 分布帰還形半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548197A true JPH0548197A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16762238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22114991A Pending JPH0548197A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 分布帰還形半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548197A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6330268B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2003051640A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6574261B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6788725B2 (en) | 2001-11-14 | 2004-09-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP22114991A patent/JPH0548197A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6330268B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6574261B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2003051640A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6788725B2 (en) | 2001-11-14 | 2004-09-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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