JPS61168985A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS61168985A JPS61168985A JP942885A JP942885A JPS61168985A JP S61168985 A JPS61168985 A JP S61168985A JP 942885 A JP942885 A JP 942885A JP 942885 A JP942885 A JP 942885A JP S61168985 A JPS61168985 A JP S61168985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- chip
- laser unit
- receiving element
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザ素子に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体レーザ素子は主ビームを確認するために受
光素子を別に設けてモニター光を検出している。第３図
は従来の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の
断面図で、キャップ２０．１８を介した半導体レーザ素
子１１愈糞光壇ゴ丑と受光素子１２を組込み、半導体レ
ーザ素子１１、受光子１２にボンディングワイヤ２２に
より配線を施していた。
光素子を別に設けてモニター光を検出している。第３図
は従来の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の
断面図で、キャップ２０．１８を介した半導体レーザ素
子１１愈糞光壇ゴ丑と受光素子１２を組込み、半導体レ
ーザ素子１１、受光子１２にボンディングワイヤ２２に
より配線を施していた。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した従来の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ
装置では次のような問題点があった。
装置では次のような問題点があった。
第１に、受光素子の表面が鏡面のためにモニター光を反
射し、半導体レーザ素子１１の主ビームに影響を及ぼし
、主ビームのモードを変える。
射し、半導体レーザ素子１１の主ビームに影響を及ぼし
、主ビームのモードを変える。
第２としては、組立時に１パツケージ内に２素子（半導
体レーザ素子１１と受光素子１２）をマウントするため
に、組立工程が増加し、また工程上の誤りも増える可能
性がある。
体レーザ素子１１と受光素子１２）をマウントするため
に、組立工程が増加し、また工程上の誤りも増える可能
性がある。
第３としては第２の問題点に付随して、従来のモニター
付半導体Ｖ−ザ装置の特性チェックの際に受光素子１２
、半導体レーザ素子１１特有の特性は個々にチップでチ
ェックできるが、２素子間の特性チェックは、最低でも
２素子の組立終了後でないと判定できないという欠点を
有する。
付半導体Ｖ−ザ装置の特性チェックの際に受光素子１２
、半導体レーザ素子１１特有の特性は個々にチップでチ
ェックできるが、２素子間の特性チェックは、最低でも
２素子の組立終了後でないと判定できないという欠点を
有する。
本発明の目的は従来技術の問題点を解決し、モニター付
の半導体レーザ素子を提供することにある。
の半導体レーザ素子を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体レーザは、共振器と直角に溝を形成する
ことにより、レーザ光を出射する半導体レーザ部と、こ
の半導体レーザ部からの光をモニターする受光素子部と
を含むことを特徴とする。
ことにより、レーザ光を出射する半導体レーザ部と、こ
の半導体レーザ部からの光をモニターする受光素子部と
を含むことを特徴とする。
（実施例）
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ素子１０の断
面図で、ｎ（またはｐ）型基板８の上に設けられたｎ（
またはｐ）型クラッド層、活性層６、ｐ（またはｎ）型
クラッド層５、ｐ（またはｎ）型キャップ層４、ｐ（ま
たはｎ）側電極３および基板８の裏面に設けられたｎ（
またはｐ）側電極９を有する一つの半導体レーザのチッ
プ上に共振器と直角にエツチングにより溝２３を形成す
ることで、一つのチップ上にレーザ光を出射する半導体
レーザ部１と、半導体レーザ部１からの光をモニターす
る受光素子部２を有するものである。
面図で、ｎ（またはｐ）型基板８の上に設けられたｎ（
またはｐ）型クラッド層、活性層６、ｐ（またはｎ）型
クラッド層５、ｐ（またはｎ）型キャップ層４、ｐ（ま
たはｎ）側電極３および基板８の裏面に設けられたｎ（
またはｐ）側電極９を有する一つの半導体レーザのチッ
プ上に共振器と直角にエツチングにより溝２３を形成す
ることで、一つのチップ上にレーザ光を出射する半導体
レーザ部１と、半導体レーザ部１からの光をモニターす
る受光素子部２を有するものである。
本発明による半導体レーザ素子１０を用いた半導体レー
ザパッケージの断面図を第２図に示す。
ザパッケージの断面図を第２図に示す。
キャップ１９、ガラス１５、およびステム１３からなる
パッケージにヒートシンク１７を介した半導体レーザ素
子１０が組込まれボンディングワイヤ２１により配線が
施されている。半導体レーザ素子１０と別に受光素子を
設ける必要がないため、ベレットマウント工程は一回で
すみ、またワイヤーボンディングも同一面によってでき
るので作業が容易になる。
パッケージにヒートシンク１７を介した半導体レーザ素
子１０が組込まれボンディングワイヤ２１により配線が
施されている。半導体レーザ素子１０と別に受光素子を
設ける必要がないため、ベレットマウント工程は一回で
すみ、またワイヤーボンディングも同一面によってでき
るので作業が容易になる。
次に１半導体レーザ部１が受ける受光素子部２からの半
対光は、半対面が小さいというようなことから、第２図
に示す従来の半導体レーザ装置との受光素子１２からの
反射光より少く、モニター光の反射による主ビームへの
影響は非常に少なくてすむ。
対光は、半対面が小さいというようなことから、第２図
に示す従来の半導体レーザ装置との受光素子１２からの
反射光より少く、モニター光の反射による主ビームへの
影響は非常に少なくてすむ。
さらに、半導体レーザ素子１０は、一つのチップ上に半
導体レーザ部１と受光素子部２を有するため、パッケー
ジに組込む前に相互間の特性チェックを実施して良否の
判定ができ、従来の半導体レーザ素子を用いる場合より
、半導体レーザ装置製作の工程を減すことができる。
導体レーザ部１と受光素子部２を有するため、パッケー
ジに組込む前に相互間の特性チェックを実施して良否の
判定ができ、従来の半導体レーザ素子を用いる場合より
、半導体レーザ装置製作の工程を減すことができる。
（発明の効果）
本発明の半導体レーザ素子は、一つのチップ上に溝で分
けられた半導体レーザ部と受光素子部を有し、受光素子
を別に設ける必要がなく、゛モニター光が受光素子より
反射し、主ビームに影響を及ぼすことがなくなる効果が
ある。
けられた半導体レーザ部と受光素子部を有し、受光素子
を別に設ける必要がなく、゛モニター光が受光素子より
反射し、主ビームに影響を及ぼすことがなくなる効果が
ある。
さらに１本発明は、一つのチップ上に半導体レーザ部と
受光素子部を有するために、チップ状態で素子特有の特
性チェックおよび半導体レーザと受光素子間の特性チェ
ックを実施することが可能になる効果も有する。またパ
ッケージに組込む場合に組立工程（マウント）を少くす
ることができるという効果もある。
受光素子部を有するために、チップ状態で素子特有の特
性チェックおよび半導体レーザと受光素子間の特性チェ
ックを実施することが可能になる効果も有する。またパ
ッケージに組込む場合に組立工程（マウント）を少くす
ることができるという効果もある。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ素子１０の断
面図、第２図は第１図に示す半導体レーザ素子１０を用
いた半導体レーザ装置の断面図、第３図は従来の半導体
レーザ素子１１を用いた半導体レーザ装置の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体レーザ部、２・・・・・・受光素
子部、３・・・・・・ｐ（またはｎ）側電極、４・・・
・・−ｐ（またはｎ）型キャップ層、５・・・・・・ｐ
（またはｎ）型クラッド層、６・・・・・・活性層、７
・・・・・−ｎ（ｔたはｐ）型クラッド層、８・・・・
・・ｎ（またはｐ）型基板、９・・・・・・ｎ（または
ｐ）側電極、１０・・・・・・モニター付半導体レーザ
素子、１１・・・・・・半導体レーザ素子、１２・・・
受光素子、１３．１４・・・・・・ステム部、１５．１
６・・・・・・ガラス、１７．１８・・・・・・ヒート
７ンク、１９，２０・・・・・・キャップ、２１．２２
・・・・・・ボンディングワイヤ、２３・・・・・・溝
。
面図、第２図は第１図に示す半導体レーザ素子１０を用
いた半導体レーザ装置の断面図、第３図は従来の半導体
レーザ素子１１を用いた半導体レーザ装置の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体レーザ部、２・・・・・・受光素
子部、３・・・・・・ｐ（またはｎ）側電極、４・・・
・・−ｐ（またはｎ）型キャップ層、５・・・・・・ｐ
（またはｎ）型クラッド層、６・・・・・・活性層、７
・・・・・−ｎ（ｔたはｐ）型クラッド層、８・・・・
・・ｎ（またはｐ）型基板、９・・・・・・ｎ（または
ｐ）側電極、１０・・・・・・モニター付半導体レーザ
素子、１１・・・・・・半導体レーザ素子、１２・・・
受光素子、１３．１４・・・・・・ステム部、１５．１
６・・・・・・ガラス、１７．１８・・・・・・ヒート
７ンク、１９，２０・・・・・・キャップ、２１．２２
・・・・・・ボンディングワイヤ、２３・・・・・・溝
。
Claims (1)
- 共振器と直角に溝を形成することにより、レーザ光を出
射する半導体レーザ部と、この半導体レーザ部からの光
をモニターする受光素子部とを含むことを特徴とする半
導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942885A JPS61168985A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942885A JPS61168985A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168985A true JPS61168985A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11720061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP942885A Pending JPS61168985A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US5805630A (en) * | 1993-07-12 | 1998-09-08 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with an array of semiconductor diode lasers and method of manufacturing such a device |
| JP2019201186A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 旭化成株式会社 | レーザ素子及びレーザダイオード |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP942885A patent/JPS61168985A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US5805630A (en) * | 1993-07-12 | 1998-09-08 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with an array of semiconductor diode lasers and method of manufacturing such a device |
| JP2019201186A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 旭化成株式会社 | レーザ素子及びレーザダイオード |
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