JPS63237489A - 半導体レ−ザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ及びその製造方法Info
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- JPS63237489A JPS63237489A JP7025687A JP7025687A JPS63237489A JP S63237489 A JPS63237489 A JP S63237489A JP 7025687 A JP7025687 A JP 7025687A JP 7025687 A JP7025687 A JP 7025687A JP S63237489 A JPS63237489 A JP S63237489A
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- semiconductor laser
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザに係り、特に、その発光面の絶
縁膜及び金属反射膜の形成に関するものである。
縁膜及び金属反射膜の形成に関するものである。
（従来の技術）
半導体レーザ素子には、光が放出される面が２面あり、
それらは互いに対面した位置にある。半導体レーザの光
出力を高めるために、例えば、片方の面に高反射率を持
った金属反射膜を形成するようにしている。即ち、片方
の発光面に絶縁ｎｉとしてのＡ６ｚＯｔ膜を介して金属
反射膜としてのＡｕ膜を蒸着する。
それらは互いに対面した位置にある。半導体レーザの光
出力を高めるために、例えば、片方の面に高反射率を持
った金属反射膜を形成するようにしている。即ち、片方
の発光面に絶縁ｎｉとしてのＡ６ｚＯｔ膜を介して金属
反射膜としてのＡｕ膜を蒸着する。
以下、従来の半導体レーザの反射膜の形成について図を
用いて説明する。
用いて説明する。
第２図は係る従来の半導体レーザの製造工程断面図であ
る。
る。
まず、第２図（ａ）に示されるように、治具ａ上には半
導体レーザ素子１の高さより高いスペーサ＝２で半導体
レーザ素子１を挾み込むように固定する。
導体レーザ素子１の高さより高いスペーサ＝２で半導体
レーザ素子１を挾み込むように固定する。
次に、第２図（ｂ）に示されるように、絶縁膜、例えば
、Ａ７！２０：＋膜３をスパッタリングによって蒸着を
行う。
、Ａ７！２０：＋膜３をスパッタリングによって蒸着を
行う。
次に、第２図（ｃ）に示されるように、抵抗熱蒸着機で
もって金属反射膜としてのＡＬ＋膜４を蒸着するように
していた。
もって金属反射膜としてのＡＬ＋膜４を蒸着するように
していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、以上述べた半導体レーザの製造方法では
、Ａ１１ｔＯｘ膜３が膜付けされる際に、第２図（ｂ）
に示されるように、スペーサと半導体レーザ素子の接す
る部分にはＡｌ１２０３膜３が膜付けされ難い、その状
態でＡｕ膜４が形成されると、第２図（ｃ）及び（ｄ）
に示されるように、Ａｕ膜４が半導体レーザの端面に隣
接する面まで延びることになり、半導体レーザ素子のＰ
、Ｎ各電極と接触し、ショートするという問題点があっ
た。
、Ａ１１ｔＯｘ膜３が膜付けされる際に、第２図（ｂ）
に示されるように、スペーサと半導体レーザ素子の接す
る部分にはＡｌ１２０３膜３が膜付けされ難い、その状
態でＡｕ膜４が形成されると、第２図（ｃ）及び（ｄ）
に示されるように、Ａｕ膜４が半導体レーザの端面に隣
接する面まで延びることになり、半導体レーザ素子のＰ
、Ｎ各電極と接触し、ショートするという問題点があっ
た。
本発明は、以上述べた問題点を除去し、半導体レーザ素
子の金属反射膜の端面コートによるショート、リーク不
良のない半導体レーザ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
子の金属反射膜の端面コートによるショート、リーク不
良のない半導体レーザ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、半導体レーザ
素子の発光面の片側に高反射膜を施す場合に、金属膜が
半導体レーザ素子のＰ、 Ｎの電極に接触しないよう
に、絶縁膜を形成する際に、端面に隣接するＰ、Ｎの各
電極の一部にまでその絶縁膜を延在させて、延長部を形
成するようにしたものである。
素子の発光面の片側に高反射膜を施す場合に、金属膜が
半導体レーザ素子のＰ、 Ｎの電極に接触しないよう
に、絶縁膜を形成する際に、端面に隣接するＰ、Ｎの各
電極の一部にまでその絶縁膜を延在させて、延長部を形
成するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、半導体レーザ素子の発光面の一方に高
反射膜を施すために、最初に膜付けした、例えば、絶縁
膜としてのＡｌｔ ０３膜が半導体レーザ素子の端面に
隣接して電極側にも到達しているため、その後のＡｕ膜
蒸着による電極のショート、リーク等を防止することが
できる。
反射膜を施すために、最初に膜付けした、例えば、絶縁
膜としてのＡｌｔ ０３膜が半導体レーザ素子の端面に
隣接して電極側にも到達しているため、その後のＡｕ膜
蒸着による電極のショート、リーク等を防止することが
できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体レーザの製造工程
断面図である。
断面図である。
まず、第１図（ａ）に示されるように、治具１０上に半
導体レーザ素子１１の発光面１２を上向きに立て、半導
体レーザ素子１１のキャビティ長より約２５μｍ低い、
シリコン製等のスペーサ１３で半導体レーザ素子１１を
挟みつけ、半導体レーザ素子の発光面の片側の端面及び
それに隣接する面を露出するようにセットする。
導体レーザ素子１１の発光面１２を上向きに立て、半導
体レーザ素子１１のキャビティ長より約２５μｍ低い、
シリコン製等のスペーサ１３で半導体レーザ素子１１を
挟みつけ、半導体レーザ素子の発光面の片側の端面及び
それに隣接する面を露出するようにセットする。
次に、第１図（ｂ）に示されるように、これに反射膜と
なる絶縁膜、例えば、Ａｌ２０３膜１４をスパッタリン
グによって、例えば１７４λの厚さに蒸着を行う。この
とき、Ａ Ｉｔ ｚ Ｏ３膜工４は端面のみならず、そ
れに隣接する面にまでコートされる。
なる絶縁膜、例えば、Ａｌ２０３膜１４をスパッタリン
グによって、例えば１７４λの厚さに蒸着を行う。この
とき、Ａ Ｉｔ ｚ Ｏ３膜工４は端面のみならず、そ
れに隣接する面にまでコートされる。
次に、スペーサ１３を取り外し、第１図（ｃ）に示され
るように、半導体レーザ素子１１のキャビティ長より長
い、例えば、１００μｍ高いシリコン製等のスペーサ１
５を再び半導体レーザ素子１１に挟みつけ、Ａ ＩＩ
２０３膜１４が形成された半導体レーザ素子の端面のみ
を露出するように再セットする。この状態で、Ａｕ膜１
６を抵抗熱蒸着機でもって、例えば、５００人の厚さに
蒸着を行う。
るように、半導体レーザ素子１１のキャビティ長より長
い、例えば、１００μｍ高いシリコン製等のスペーサ１
５を再び半導体レーザ素子１１に挟みつけ、Ａ ＩＩ
２０３膜１４が形成された半導体レーザ素子の端面のみ
を露出するように再セットする。この状態で、Ａｕ膜１
６を抵抗熱蒸着機でもって、例えば、５００人の厚さに
蒸着を行う。
このようにして、第１図（ｄ）に示されるように、端面
に隣接した面に延在した延長部１４ａを有する絶縁膜（
Ａ７！ｔｏｎ膜）が形成された半導体レーザを得ること
ができる。
に隣接した面に延在した延長部１４ａを有する絶縁膜（
Ａ７！ｔｏｎ膜）が形成された半導体レーザを得ること
ができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
レーザ素子の発光面の一方に高反射膜を施すために、最
初に膜付けした絶縁膜が半導体レーザ素子の端面と隣接
した電極側にも到達しているため、その後のＡｕ膜蒸着
による半導体レーザ素子の電極のショート、リーク等を
防止することができる・このように、簡単な構成にもめ
・力・ねらず、それによってもたらされる効果は著大で
ある・
レーザ素子の発光面の一方に高反射膜を施すために、最
初に膜付けした絶縁膜が半導体レーザ素子の端面と隣接
した電極側にも到達しているため、その後のＡｕ膜蒸着
による半導体レーザ素子の電極のショート、リーク等を
防止することができる・このように、簡単な構成にもめ
・力・ねらず、それによってもたらされる効果は著大で
ある・
第１図は本発明の実施例を示す半導体レーザの製造工程
断面図、第２図は従来の半導体レーザの製造工程断面図
である。 １０・・・治具、１１・・・半導体レーザ素子、１２・
・・発光面、１３、１５・・・スペーサ、１４・・・絶
縁膜（へβ２０．膜）、１４ａ・・・絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
，膜）の延長部、１６・・・金属反射膜（Ａｕ膜）。
断面図、第２図は従来の半導体レーザの製造工程断面図
である。 １０・・・治具、１１・・・半導体レーザ素子、１２・
・・発光面、１３、１５・・・スペーサ、１４・・・絶
縁膜（へβ２０．膜）、１４ａ・・・絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
，膜）の延長部、１６・・・金属反射膜（Ａｕ膜）。
Claims (3)
- （１）半導体レーザ素子の発光面の片側の端面に絶縁膜
を介して金属反射膜を有する半導体レーザにおいて、 前記絶縁膜は前記端面からこれと隣接する面に延在する
延長部を形成してなることを特徴とする半導体レーザ。 - （２） （ａ）半導体レーザ素子の発光面の片側の端面及びそれ
に隣接する面を露出するようにセットする工程と、 （ｂ）そのセットされた面に絶縁膜を形成する工程と、 （ｃ）該絶縁膜が形成された半導体レーザ素子の端面の
みを露出するように再セットする工程と、（ｄ）そのセ
ットされた面に金属反射膜を形成する工程とを順に施し
てなる半導体レーザの製造方法。 - （３）前記絶縁膜にＡｌ＿２Ｏ＿３膜、前記金属反射膜
にＡｕ膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025687A JPS63237489A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025687A JPS63237489A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237489A true JPS63237489A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13426290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7025687A Pending JPS63237489A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237489A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290263B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 코팅 방법 |
| JP2002170491A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Canon Inc | 電子線発生装置において用いるスペーサの製造方法、および、そのスペーサを用いた電子線発生装置、画像形成装置 |
| JP2005136080A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ピックアップ素子 |
| KR20050068700A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 칩바의 벽개면에 반사막을증착하는 방법 |
| JP2005322698A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Denso Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2006228826A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JP2007317804A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体レーザジャイロ |
| KR100972311B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-07-26 | 경희대학교 산학협력단 | 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 |
| JP2012244011A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Japan Oclaro Inc | 半導体発光素子、光モジュール及び半導体発光素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7025687A patent/JPS63237489A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290263B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 코팅 방법 |
| JP2002170491A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Canon Inc | 電子線発生装置において用いるスペーサの製造方法、および、そのスペーサを用いた電子線発生装置、画像形成装置 |
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| JP2007317804A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体レーザジャイロ |
| KR100972311B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-07-26 | 경희대학교 산학협력단 | 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 |
| JP2012244011A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Japan Oclaro Inc | 半導体発光素子、光モジュール及び半導体発光素子の製造方法 |
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