KR100972311B1 - 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100972311B1
KR100972311B1 KR1020080018308A KR20080018308A KR100972311B1 KR 100972311 B1 KR100972311 B1 KR 100972311B1 KR 1020080018308 A KR1020080018308 A KR 1020080018308A KR 20080018308 A KR20080018308 A KR 20080018308A KR 100972311 B1 KR100972311 B1 KR 100972311B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base
wall interface
shielding plate
laser diode
semiconductor laser
Prior art date
Application number
KR1020080018308A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090093016A (ko
Inventor
유재수
임정우
Original Assignee
경희대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경희대학교 산학협력단 filed Critical 경희대학교 산학협력단
Priority to KR1020080018308A priority Critical patent/KR100972311B1/ko
Publication of KR20090093016A publication Critical patent/KR20090093016A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100972311B1 publication Critical patent/KR100972311B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
    • H01S5/0605—Self doubling, e.g. lasing and frequency doubling by the same active medium
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/02—Details
    • G01N3/04—Chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 벽계면에 고반사 물질인 금속성 물질을 선택적인 영역에만 코팅하기 위한 반도체 레이저 다이오드 샘플 홀더에 관련된 것이다. 본 발명은 반도체 칩을 수용하는 기저부와; 상기 기저부에 대하여 일정 간격범위 내에서 이동하여 상기 기저부와의 사이에 상기 반도체 칩을 홀딩하는 이동부와; 상기 기저부와 상기 이동부 사이의 간격을 조정하며, 상기 기저부와 상기 이동부 사이에 상기 반도체 칩을 고정하는 간격조정부와; 상기 기저부의 일측면 상에서 상기 이동부쪽으로 이동하여 상기 기저부와 상기 이동부 사이 간격을 가리는 가림판과; 상기 가림판의 이동 정도를 조정하는 가림판 조정부, 그리고; 상기 가림판의 이동 위치에서 상기 가림판을 고정하는 가림판 고정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더 및 고반사 벽계면 코팅 방법은 벽계면에 금속을 사용하여 100%에 가까운 반사율을 확보하면서, 전극 사이에 전기적 단락을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
반도체 레이저 다이오드, 벽계면, 고반사 벽계면, 금속코팅 벽계면

Description

반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더 및 그 코팅 방법{SAMPLE HOLDER FOR COATING HIGH-REFLECTIVITY MIRROR FACET OF SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR COATING THEREOF}
본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 벽계면을 코팅하기 위한 샘플 홀더 및 그 샘플 홀더를 이용하여 벽계면에 고반사 물질을 코팅하는 방법에 관련된 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 벽계면에 고반사 물질인 금속성 물질을 선택적인 영역에만 코팅하기 위한 반도체 레이저 다이오드 샘플 홀더 및 그 샘플 홀더를 이용하여 반도체 레이저 다이오드 벽계면에 고반사 금속물질을 코팅하는 방법에 관련된 것이다.
최근, 반도체 레이저 다이오드는 광의 주파수 폭이 좁고 지향성이 좋기 때문에 광통신, 다중통신, 우주통신과 같은 곳에서 실용화가 날로 늘어가고 있다. 아울러 고속 레이저 프린터나 DVD를 포함하는 컴팩트 디스크 플레이어와 같은 광 저장장치 등에서 널리 사용되고 있다.
반도체 레이저 다이오드의 기본적인 구조는 도 1에 나타난 바와 같다. 기판 (1) 물질로는 InP, GaAs, GaN와 같은 n형 버퍼 물질을 사용하고, 기판(1) 위에 n형 InP, n형 AlGaAs, n형 AlGN와 같은 n형 클래드 층(3)이 형성되고, 그 위에 InGaAs, GaAs, InGaN와 같은 활성층(5)이 형성되고, 다시 그 위에 p형 InP, p형 AlGaAs, p형 AlGaN와 같은 p형 클래드 층(7)이 형성된 구조를 갖는다. 그리고, 기판(1)과 p형 클래드 층(7) 외부에는 반도체 레이저 다이오드에 전기력을 인가하기 위한 n전극(9)과 p전극(11)이 각각 형성된다.
이러한 구조를 갖는 레이저 다이오드의 동작원리는 다음과 같다. n형 전극 (9)과 p형 전극(11)에 전원을 인가하면, 활성층(5)에 전자와 정공이 주입된다. 이 전자와 정공들이 결합하여 빛을 방출하고, 방출된 빛은 활성층(5)인 도파로를 따라 유도하고, 도파로 양측단에 마주보고 있는 두 개의 벽계면(혹은 거울면) 사이에서 왕복하여 이득을 얻어 레이저 광선을 발하게 된다. 즉, 활성층(5)이 도파로를 형성하고, 이 활성층(5)의 양 단부에는 각각 제1 벽계면(21)과 제2 벽계면(23)을 갖는다. 일반적으로, 이 두 벽계면들(21 및 23)은 약 30%의 반사율을 갖게 되므로 어느 한 벽계면으로만 레이저 광이 출사되도록 하기 위해, 그 반대편 벽계면은 70% 이상의 고 반사율을 가지도록 하여야 한다. 편의상 제1 벽계면(21)이 전반사 벽계면으로, 그리고 제2 벽계면(23)을 레이저 광이 출사되는 벽계면으로 설정하였다.
상기 제1 벽계면(21)을 고반사 벽계면, 더욱 바람직하게는 전반사 벽계면으로 만들기 위해 두 개 이상의 유전체 박막을 교대로 적층하여 코팅을 한다. 적어도 70% 이상의 고반사율을 확보하기 위해서는 최소한 5~7층 이상 다층 유전체 박막을 적층하여야 한다. 일반적으로, 제2 벽계면(23)은 Al2O3, SiO2 등의 절연체로 무 반사 코팅을 한 후, 제1 벽계면(21)에는 TiO2 혹은 Al2O3 등을 여러 층을 쌓아서 고반사 코팅을 한다. 이렇게 고 반사율을 확보하기 위해 유기 절연물을 다층으로 적층 하는 데에서 다음을 고려하여야 한다. 즉, 활성층(5)의 굴절율에 따라 원하는 반사율이 나오도록 조절하기 위해 층의 두께와 적층되는 층의 개수가 달라진다. 또한, 여러 층을 증착할 때마다 장비에 따른 조건을 설정해 주어야 한다. 만일, 매층을 SiOx로 적층한다고 하더라도, 증착율, 산소의 원소 조성비 등 증착 조건을 설정해 주어야 하는 번거로움이 발생하여, 동일한 절연층을 증착할 때마다 설정된 조건이 일정하게 유지되어야 하기 때문에 코팅 공정의 재현성을 확보하는 것이 무척 어려운 작업이다.
가장 바람직하게 고 반사율을 갖는 벽계면을 형성하는 방법으로는, 금이나 은과 같은 반사율이 100%에 가까운 금속물질로 벽계면을 코팅하는 것이다. 그러나, 이와 같은 금(Au) 혹은 은(Ag)과 같은 금속물질은 도전성 역시 높기 때문에, n형 전극(9)과 p형 전극(11)을 단락시키는 문제가 발생할 수 있다.
상기와 같이 종래 기술에 의한 벽계면을 형성 방법에서는 유기 절연물질을 여러 층을 적층하여 고 반사 벽계면을 형성하였다. 하여, 증착율 및 조성비 등과 같은 증착 조건을 서로 다른 물질을 증착할 때마다 바꾸어 주어야 했으며, 다시 같은 물질을 증착할 때는 이전의 증착 조건을 동일하게 다시 맞추어 주어야 하는 어려움이 있다. 본 발명은, 다층 절연물질이 아닌 금속층 단일층으로 전반사 벽계면을 형성할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더를 제공하고자 한다. 또한, 본 발명은 상기 본 발명에 의한 샘플 홀더로 고반사 벽계면을 코팅하는 방법을 제공하고자 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 반도체 칩을 수용하는 기저부와; 상기 기저부에 대하여 일정 간격범위 내에서 이동하여 상기 기저부와의 사이에 상기 반도체 칩을 홀딩하는 이동부와; 상기 기저부와 상기 이동부 사이의 간격을 조정하며, 상기 기저부와 상기 이동부 사이에 상기 반도체 칩을 고정하는 간격조정부와; 상기 기저부의 일측면 상에서 상기 이동부쪽으로 이동하여 상기 기저부와 상기 이동부 사이 간격을 가리는 가림판과; 상기 가림판의 이동 정도를 조정하는 가림판 조정부 그리고; 상기 가림판의 이동 위치에서 상기 가림판을 고정하는 가림판 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더를 제공한다.
또한 본 발명은 기판 위에 n형 클래드 층, 활성층, p형 클래드 층을 구비하는 반도체 레이저 다이오드를 준비하는 단계와; 상기 반도체 레이저 다이오드의 한쪽 벽계면에 절연층을 증착하는 단계와; 상기 반도체 레이저 다이오드에서 절연층이 증착된 벽계면이 수평 노출되도록 샘플 홀더에 장착하는 단계와; 상기 절연층이 증착되고 수평 노출된 벽계면에서 상기 기판의 일부부분을 가림판으로 가리는 단계와; 상기 가림판을 통해 상기 기판 부분의 일부분이 가려진 수평 노출된 한쪽 벽계면에 금속 고반사 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅 방법을 제공한다.
상기와 같은 본 발명은 전반사 벽계면에 전반사를 위한 고반사층이 단일 층으로 구성되어 제조 방법이 간단하고, 품질의 균일성을 유지하는데 용이하다는 장점과 효과가 있다. 또한, 본 발명은 반사율이 100%에 가까운 금속 고반사층을 사용함으로써 벽계면의 광손실이 크게 개선된다는 효과가 있다. 더욱이, 본 발명은 절연층으로 벽계면을 코팅한 후에 금속층으로 코팅하기 때문에, 반도체 레이저 다이오드를 구성하는 각 박막들 사이에서 금속 고반사층에 의한 전기적 단락이 발생하지 않는다. 또한, 금속 고반사층이 벽계면에서 도파로인 활성층의 단면은 완전히 커버하면서, 양 전극 사이에서 연결성이 끊어지도록 벽계면 일부에만 형성되기 때문에, 전극 사이에서의 전기적 단락도 발생하지 않는다. 즉, 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더 및 고반사 벽계면 코팅 방법은 벽계면에 금속을 사용하여 100%에 가까운 반사율을 확보하면서, 전극 사이에 전기적 단락을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더의 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
본 발명에 의한 샘플 홀더는 견고한 재질로 만든 기저부(201)와 상기 기저부 (201)에 대해 미세 유동하는 이동부(203)로 구성되어 있다. 기저부(201)는 샘플 홀더의 중심이 되는 부위로, 윗면에는 상기 이동부(203)를 삽입하고 고정할 수 있는, 삽입가이드(205)와 나사삽입부(207)를 구비하고 있다. 상기 이동부(203)는 상기 삽입가이드(205)를 통과 시키는 가이드 홀(211)과 이동부(203)의 가운데 부분을 위에서 아래로 관통하는 나사관통부(213)를 구비하고 있다. 상기 이동부(203)는 상기 삽입가이드(205)를 따라서 상하로 이동 가능하여, 상기 기저부(201)에 대하여 고정된 자세로 위, 아래로 이동할 수 있다. 간격 조정 나사(209)가 상기 나사관통부(213)를 통과하여 상기 나사삽입부(207)와 체결된다. 간격조정나사(209)를 회전하여 나사삽입부(207)안으로 잠겨 들어가면서, 상기 이동부(203)와 기저부(201) 사이의 간격이 조절되면서 이동부(203)가 기저부(201)에 체결된다. 이동부(203)와 기저부(201) 사이에 반도체 레이저 다이오드(301)를 위치시키고, 간격조정나사 (209)를 조여 반도체 레이저 다이오드(301)를 고정 시킨다. 이때, 소자를 보호하기 위해 간격조정나사(209)와 이동부(203) 사이에 간격조정나사(209)와 동심원 상으로 용수철과 같은 탄성부재(215)를 설치하는 것이 바람직하다. 즉, 간격조정나 사 (209)를 체결함에 있어 어느 정도 과도한 힘이 가해지더라도, 탄성부재(215)에 의해 체결력이 온전히 반도체 레이저 다이오드(301)에 전달되는 것을 방지하고, 다만 다이오드(301)를 고정하는 정도의 고정력만을 확보하도록 할 수 있다.
기저부(201)의 일측면, 바람직하게는 넓은 전면부에는 가림판(251)을 설치한다. 가림판(251)은 기저부(201)의 측면상에서 측면과 평행하게 이동부(203)가 설치된 방향으로 왕복 이동되고, 정해진 위치에서 고정되도록 설치하여야 한다. 이렇게 하기 위해, 가림판(251)의 하단 양 모서리에는 가림조정부(253)가 설치되어 있고, 여기 실시 예에서는 나사 피치가 아주 미세한 나사를 사용하였다. 특히, 나사머리부분이 굵고 나사 단부로 갈수록 폭이 굵기가 가늘어지는 원뿔형 나사를 사용하는 것이 바람직하다. 그러면, 가림조정부(253)을 회전함에 따라 그 위에 놓인 가림판(251)이 미세하게 이동부(203)쪽으로 이동할 수 있다. 가림판(251)의 중앙부에는 위치가 결정된 후 가림판(251)을 고정시키는 고정나사(255)가 기저부(201)와 체결되어 있다. 고정나사(255)를 풀어 가림판(251)이 이동 가능한 상태로 만들고, 가림조정부(253)로 미세하게 조정하여 가림판(251)을 기저부(201)와 이동부 (203) 사이의 간격 범위 내에서 원하는 위치까지를 가리도록 조절할 수 있다. 즉, 기저부(201)와 이동부(203) 사이에 고정된 칩 형태의 다이오드(301)를 가림판(251)으로, 정면에서 보았을 때, 일부 혹은 전부를 가릴 수 있고, 아니면, 전부를 노출시킬 수도 있다. 또한, 상기 가림판(251)은 칼날과 같이 끝부분이 아래부분보다 폭이 좁은 형태를 가지는 것이 바람직하다. 이는, 기저부(201)의 표면과 일정거리를 유지하도록 하기 위한 것으로서, 가림판(251)이 이동부(203)쪽으로 이동하면서 칩 형 반도체 레이저 다이오드(301)의 일부를 가릴 때, 가림판(251)이 반도체 레이저 다이오드(301)과 직접 충돌하는 것을 방지하는데 도움이 된다.
이제, 상기와 같은 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더를 이용해서 고반사 벽계면을 코팅하는 방법을 설명한다. 도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 샘플 홀더를 이용하여 고반사 벽계면을 코팅하는 과정을 나타내는 사시도이다. 도 4a는 본 발명에 의한 방법으로 고반사 벽계면을 코팅하기 위해 준비한 반도체 레이저 다이오드의 구조를 나타내는 사시도이다. 도 4b는 본 발명에 의한 고반사 벽계면 코팅을 완료한 후의 반도체 레이저 다이오드의 구조를 나타내는 사시도이다.
먼저, 반도체 레이저 다이오드를 준비한다. 반도체 레이저 다이오드의 기본적인 구성은 다음 도 4a와 같다. n형 기판(101) 위에, n형 클래드 층(103)과, 활성층(105)과, p형 클래드 층(107)이 순서대로 적층되어 있다. 그리고, 상기 적층된 박막들과 수직 방향으로 절단한 4개의 절단면 중에서, 레이저 광이 진동하는 방향에 수직인 두 개의 벽계면들, 즉 약 30% 정도의 반사율을 갖는 제1 벽계면(121)과 제2 벽계면(123) 중, 제1 벽계면(121)에 Al2O3나 SiO2와 같은 절연물질을 포함하는 반투과성 절연층(121a)을 형성한다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하여 고반사 벽계면을 코팅하는 과정을 살펴본다. 간격조정나사(209)를 풀어 기저부(201)와 이동부(203) 사이를 상당 간격을 갖도록 이격시켜 놓는다. 개별 칩 형태로 만들어진 반도체 레이저 다이오드(301)를 제1 벽계면(121)이 전면에서 보이도록 기저부(201) 위에 올려 놓는다. 간격조정나사 (209)를 조여서, 반도체 레이저 다이오드(301)를 기저부(201)와 이동부(203) 사이에 고정시킨다. 이때, 제1 벽계면(121)이 샘플 홀더의 전면과 평행하도록 하는 것이 바람직하다. 하지만, 엄격하게 평행을 이루어야만 하는 것은 아니므로, 평행 정도에 대해서는 크게 신경 쓸 필요는 없다. 또한 편의상, 제1 벽계면은(121) 레이저 광을 반사하는 전반사면이고, 제2 벽계면(123)은 레이저 광이 출사되는 출사면으로 설정하였다. 따라서, 제1 벽계면(121)에 절연층(121a)을 형성하였고, 여기에 고반사층을 더 형성하고자 한다. (도 3a)
가림조정부(253)를 조절하여, 샘플 홀더의 전면에 배치된 가림판(251)을 미세하게 반도체 레이저 다이오드(301)가 장착된 이동부(203) 쪽으로 이동시킨다. 가림판(251)이 반도체 레이저 다이오드(301)의 n형 기판(101)의 대부분을 가릴 정도까지만 이동시킨다. n형 기판(101)을 포함한 반도체 레이저 다이오드(301)는 약 100㎛ 보다도 얇은 두께를 갖는다. 따라서, 가림판(251)을 n형 기판(101)의 일부분만 가리도록 조정을 할 경우에는 육안으로 작업하기는 힘들다. 바람직하게는, 샘플 홀더를 현미경을 구비한 작업대에 설치해 놓고, 가림조정부(253)를 미세하게 조절하여야 한다. 가림판(251)에 의해 적어도 n형 기판(101)의 일부분을 충분히 가리고, 전면에서 보았을 때 적어도 활성층(105)은 완전히 노출된 상태에서, 고정나사(255)를 잠그어 가림판(251)을 고정시킨다. (도 3b)
이 상태에서 제1 벽계면(121)에 형성되어 있는 제1벽계면 절연층(121a) 위에 금(Au)혹은 은(Ag)와 같이 반사율이 100%에 가까운 금속을 증착한다. 그러면, 가 림판(251)에 의해 가려진 n형 기판(101)의 하부 일부분을 제외하고는, 적어도 활성층(105)을 모두 덮는 고반사층(151)이 제1 벽계면(121)에 형성된다. (도 3c)
이와 같은 방법으로 고반사 벽계면을 코팅한 후의 반도체 레이저 다이오드 (301)의 구조는 도 4b에 나타난 바와 같다. 제1벽계면 절연층(121a)이 형성되어 있으므로, 그 위에 금이나 은과 같이 전도성이 높은 금속을 증착하여도 각 박막들 사이에 전기적 단락은 발생하지 않는다. 또한, 금속 고반사층(151)을 형성할 때 n형 기판(101)의 일부분을 가리고 증착하는 이유도 p형 클래드 층(107) 위에 형성될 p형 전극과 n형 기판(101) 밑에 형성될 n형 전극 사이에 전기적 단락이 발생하지 않도록 하기 위함이다.
상기 본 발명의 실시 예에서는 반도체 레이저 다이오드의 전반사 벽계면에 금이나 은과 같이 반사율이 100%에 가까운 금속 고반사층을 형성하기 위한 샘플 홀더와 이를 이용하여 고반사층을 형성하는 방법을 중심으로 살펴보았다. 하지만, 본 발명에 의한 샘플 홀더가 금속 증착 환경에서 사용할 수 있는 것이므로, 반도체 레이저 다이오드를 웨이퍼 상에서 개별적으로 분리해 낸 후, 어느 한 쪽 벽계면에 벽계면 절연층을(121a) 형성할 때부터 본 발명에 의한 샘플 홀더를 이용할 수도 있다. 즉, 반도체 레이저 다이오드를 샘플 홀더에 장착하고, 가림판(251)을 완전히 개방 한 후에 제1 벽계면 절연층(121a)을 증착하고, 가림판(251)으로 절연층이 증착된 제1 벽계면 절연층(121a)에서 n형 기판(101) 단면 일부에 해당하는 부분을 가린 후에 다시 고반사층(151)을 증착한다.
또한, 본 실시 예에서는 본 발명의 기본적인 개념을 설명하기 위해 한 개의 반도체 레이저 다이오드에 대하여 금속 고반사층(151)을 형성하는 방법을 중심으로 설명하였다. 그러나, 도 2에서도 나타내었듯이, 한 개의 기저부(201) 위에 두 개의 이동부(203)을 장착한 샘플 홀더와 같은 방식으로, 다수개의 이동부(203)를 일열로 나열하여 한번에 여러 개의 반도체 레이저 다이오드에 고반사 벽계면 코팅을 실시 할 수 있다.
앞에서 설명하고 도면에 나타낸 본 발명의 실시 예들은, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
도 1은 반도체 레이저 다이오드의 기본적인 구조를 나타내는 사시도
도 2는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더의 구조를 나타내는 분해 사시도
도 3a 내지 3c는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 샘플 홀더를 이용하여 고반사 벽계면을 코팅하는 과정을 나타내는 사시도
도 4a는 본 발명에 의한 방법으로 고반사 벽계면을 코팅하기 위해 준비한 반도체 레이저 다이오드의 구조를 나타내는 사시도
도 4b는 본 발명에 의한 고반사 벽계면 코팅을 완료한 후의 반도체 레이저 다이오드의 구조를 나타내는 사시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1, 101: (n형) 기판 3, 103: n형 클래드 층
5, 105: 활성층 7, 107: p형 클래드 층
9: n전극 11: p전극
21, 121: 제1 벽개면 121a: 제1 벽개면 절연층
23, 123: 제2 벽개면 151: 금속 고반사층
201: 기저부 203: 이동부
301: 반도체 레이저 다이오드 205: 삽입가이드
207: 나사삽입부 209: 간격 조정 나사
211: 가이드 홀 213: 나사관통부
215: 탄성부재 251: 가림판
253: 가림조정부 255: 고정나사

Claims (7)

  1. 반도체 칩을 수용하는 기저부와;
    상기 기저부에 대하여 일정 간격범위 내에서 이동하여 상기 기저부와의 사이에 상기 반도체 칩을 홀딩하는 이동부와;
    상기 기저부와 상기 이동부 사이의 간격을 조정하며, 상기 기저부와 상기 이동부 사이에 상기 반도체 칩을 고정하는 간격조정부와;
    상기 기저부의 일측면 상에서 상기 이동부쪽으로 이동하여 상기 기저부와 상기 이동부 사이 간격을 가리는 가림판과;
    상기 가림판의 이동 정도를 조정하는 가림판 조정부, 그리고;
    상기 가림판의 이동 위치에서 상기 가림판을 고정하는 가림판 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 간격조정부는 상기 이동부를 관통하여 상기 기저부의 상면과 나사 체결되는 간격조정나사의 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 간격조정나사와 상기 이동부 사이에 완충작용을 위한 소자보호 탄성부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가림판은 상기 이동부 쪽으로 진행할 수록 상기 가림판 두께가 얇아지는 쐐기형 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가림판 조정부는 원뿔형 나사부재로서, 상기 나사부재를 회전함에 따라 원뿔형 나사부재가 상기 가림판을 미세하게 밀어서 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더.
  6. 삭제
  7. 삭제
KR1020080018308A 2008-02-28 2008-02-28 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 KR100972311B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080018308A KR100972311B1 (ko) 2008-02-28 2008-02-28 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080018308A KR100972311B1 (ko) 2008-02-28 2008-02-28 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090093016A KR20090093016A (ko) 2009-09-02
KR100972311B1 true KR100972311B1 (ko) 2010-07-26

Family

ID=41301549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080018308A KR100972311B1 (ko) 2008-02-28 2008-02-28 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100972311B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8483248B2 (en) * 2010-09-14 2013-07-09 Raytheon Company Laser crystal components joined with thermal management devices
JP6911567B2 (ja) * 2017-06-22 2021-07-28 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63237489A (ja) 1987-03-26 1988-10-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ及びその製造方法
JPH03268382A (ja) * 1990-03-16 1991-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法
JP2002016310A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Opnext Japan Inc 半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具
KR20070082712A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 엘에스전선 주식회사 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63237489A (ja) 1987-03-26 1988-10-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ及びその製造方法
JPH03268382A (ja) * 1990-03-16 1991-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法
JP2002016310A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Opnext Japan Inc 半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具
KR20070082712A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 엘에스전선 주식회사 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090093016A (ko) 2009-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6001114B2 (ja) オプトエレクトロニクス素子の製造方法
KR101669641B1 (ko) 표면 실장용 발광 다이오드, 그 형성방법 및 발광 다이오드 모듈의 제조방법
US7751454B2 (en) Semiconductor laser having protruding portion
KR101909285B1 (ko) 발광 유닛 및 표시 장치
KR102135624B1 (ko) 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
EP2851969B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101314414B1 (ko) 광 장치
US8193016B2 (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
US4633476A (en) Semiconductor laser with internal reflectors and vertical output
US20090262771A1 (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
JP5223552B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
WO2006006555A1 (ja) 半導体発光素子
CN107306012B (zh) 垂直腔发光元件及其制造方法
US20120099614A1 (en) Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US20080130698A1 (en) Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
KR100972311B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법
JP6790364B2 (ja) 光半導体装置
US7653110B2 (en) Semiconductor laser apparatus and method for mounting semiconductor laser apparatus
US7155090B2 (en) Optical device and method for manufacturing the same, optical module, and optical transmission device
US20120287956A1 (en) Semiconductor laser
KR101894047B1 (ko) 표면 실장용 발광 다이오드, 그 형성방법 및 발광 다이오드 모듈의 제조방법
JP2008010710A (ja) 半導体レーザ装置
EP0839400B1 (de) Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement
WO2022049996A1 (ja) 半導体レーザおよび半導体レーザ装置
WO2021124733A1 (ja) 半導体レーザ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130723

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140617

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee