JP2002016310A - 半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具 - Google Patents
半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具Info
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- JP2002016310A JP2002016310A JP2000200082A JP2000200082A JP2002016310A JP 2002016310 A JP2002016310 A JP 2002016310A JP 2000200082 A JP2000200082 A JP 2000200082A JP 2000200082 A JP2000200082 A JP 2000200082A JP 2002016310 A JP2002016310 A JP 2002016310A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子端面に反射膜を有する半導体光素子
の製造方法において、端面に均一な膜厚を形成する際、
角に溝等加工を施したスペーサは価格が高く、半導体光
素子の低価格化の妨げになっている。又、従来のホルダ
ー治具では、長さの異なるバーを収容できないため、バ
ーの長さが均一になるように短く切り出している。その
結果、半導体光素子の価格が高くなってしまう。 【解決手段】半導体素子端面に反射膜を有する半導体光
素子の製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を整列する整列台に凹溝を形成した整列治具を用
いる。又、スペーサ及びバー状の半導体光素子を押え込
む治具にスプリングを有するクランプ治具を用いる。
の製造方法において、端面に均一な膜厚を形成する際、
角に溝等加工を施したスペーサは価格が高く、半導体光
素子の低価格化の妨げになっている。又、従来のホルダ
ー治具では、長さの異なるバーを収容できないため、バ
ーの長さが均一になるように短く切り出している。その
結果、半導体光素子の価格が高くなってしまう。 【解決手段】半導体素子端面に反射膜を有する半導体光
素子の製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を整列する整列台に凹溝を形成した整列治具を用
いる。又、スペーサ及びバー状の半導体光素子を押え込
む治具にスプリングを有するクランプ治具を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光素子の製
造方法、整列治具、クランプ治具に関し、詳しくは、半
導体素子端面に反射膜を有する半導体光素子の製造方法
と、それに用いられる整列治具、クランプ治具に関する
ものである。
造方法、整列治具、クランプ治具に関し、詳しくは、半
導体素子端面に反射膜を有する半導体光素子の製造方法
と、それに用いられる整列治具、クランプ治具に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信等に用いられる半導体光素子に
は、発光面、受光面である端面が破壊されたり、酸化さ
れたりして特性が劣化することを防ぐために、半導体光
素子の発光面や受光面に誘電体膜が形成される。
は、発光面、受光面である端面が破壊されたり、酸化さ
れたりして特性が劣化することを防ぐために、半導体光
素子の発光面や受光面に誘電体膜が形成される。
【０００３】また、半導体光素子の特性を改善するため
にも、光素子の両端面に誘電体多層膜が形成される。例
えば、半導体レーザ素子で大きな光出力を得るために、
光が出力される前端面に低反射率の誘電体多層膜を形成
し、後端面には高反射率の誘電体多層膜を形成してい
る。
にも、光素子の両端面に誘電体多層膜が形成される。例
えば、半導体レーザ素子で大きな光出力を得るために、
光が出力される前端面に低反射率の誘電体多層膜を形成
し、後端面には高反射率の誘電体多層膜を形成してい
る。
【０００４】また、温度特性を改善するために半導体レ
ーザ素子の両端面に互いに反射率の異なる高反射誘電体
多層膜を形成している半導体レーザ素子もある。
ーザ素子の両端面に互いに反射率の異なる高反射誘電体
多層膜を形成している半導体レーザ素子もある。
【０００５】また、分布帰還型（DFB）構造の半導体レ
ーザ素子では、不必要なモードにおける発振を抑制する
ために、少なくとも一方の端面に反射率を極めて低くし
た、反射防止膜を形成している。
ーザ素子では、不必要なモードにおける発振を抑制する
ために、少なくとも一方の端面に反射率を極めて低くし
た、反射防止膜を形成している。
【０００６】また、導波路型半導体受光素子では、受光
感度の向上及び、受光する端面で反射する戻り光の抑制
のために、受光する端面に反射防止膜を形成している。
感度の向上及び、受光する端面で反射する戻り光の抑制
のために、受光する端面に反射防止膜を形成している。
【０００７】このように、半導体光素子では、端面に誘
電体多層膜を形成することが不可欠となっている。以
下、半導体光素子の端面に誘電体多層膜を形成する一般
的な方法を説明する。
電体多層膜を形成することが不可欠となっている。以
下、半導体光素子の端面に誘電体多層膜を形成する一般
的な方法を説明する。
【０００８】まず、ウエハに半導体光素子を形成し、劈
開等により、半導体光素子をバー状に形成する。
開等により、半導体光素子をバー状に形成する。
【０００９】図７は、バー状の半導体光素子を示す。バ
ー１の長手方向の長さは、例えば１０ｍｍであり、バー
１の幅は、例えば３００μｍであり、バー１の厚さは例
えば１００μｍである。バー１には、活性層２がバー１
の長手方向に例えば２５０μｍ間隔で設けられている。
バーの上面３、又は下面４、又は上面３と下面４の両面
に電極５が形成されている。
ー１の長手方向の長さは、例えば１０ｍｍであり、バー
１の幅は、例えば３００μｍであり、バー１の厚さは例
えば１００μｍである。バー１には、活性層２がバー１
の長手方向に例えば２５０μｍ間隔で設けられている。
バーの上面３、又は下面４、又は上面３と下面４の両面
に電極５が形成されている。
【００１０】活性層２は、バーの上面から例えば３μｍ
の位置にあり、端面６、７の上端面から３μｍの位置に
露出される。
の位置にあり、端面６、７の上端面から３μｍの位置に
露出される。
【００１１】図１０は、バーを収容するホルダー治具８
を示す。ホルダー治具８には、バー１の両端を保持する
溝９が設けられている。このホルダー治具８の溝９にバ
ー１を端面６又は７が開口部１０側になるように収容す
る。ホルダー治具８の溝９にバー１を収容する時、スペ
ーサ１１をバーと交互に収容する。
を示す。ホルダー治具８には、バー１の両端を保持する
溝９が設けられている。このホルダー治具８の溝９にバ
ー１を端面６又は７が開口部１０側になるように収容す
る。ホルダー治具８の溝９にバー１を収容する時、スペ
ーサ１１をバーと交互に収容する。
【００１２】図８にバー１をホルダー治具８に収容する
際に使用するスペーサ１１の一例を示す。バー１とスペ
ーサ１１を交互に整列した時に、スペーサ１１の角がバ
ー１の端面より突出ると反射膜を形成する時に突出たス
ペーサ１１の角付近のバー端面に形成される反射膜の膜
厚が薄くなってしまう。活性層２の所まで薄くなると、
反射膜の反射率が変化し、半導体光素子の特性が劣化す
る。この膜厚が薄くなる事をなくすために、スペーサ１
１の角に溝１５を形成している。図１１は、ホルダー治
具８にバー１とスペーサ１１を収容した時の断面を示
す。スペーサ１１の溝１５により、スペーサ１１とバー
１をホルダー治具８に収容した時の断面はスペーサ１１
がバー１から突出てもバー１の端面に面内均一性の良い
反射膜を形成できる。
際に使用するスペーサ１１の一例を示す。バー１とスペ
ーサ１１を交互に整列した時に、スペーサ１１の角がバ
ー１の端面より突出ると反射膜を形成する時に突出たス
ペーサ１１の角付近のバー端面に形成される反射膜の膜
厚が薄くなってしまう。活性層２の所まで薄くなると、
反射膜の反射率が変化し、半導体光素子の特性が劣化す
る。この膜厚が薄くなる事をなくすために、スペーサ１
１の角に溝１５を形成している。図１１は、ホルダー治
具８にバー１とスペーサ１１を収容した時の断面を示
す。スペーサ１１の溝１５により、スペーサ１１とバー
１をホルダー治具８に収容した時の断面はスペーサ１１
がバー１から突出てもバー１の端面に面内均一性の良い
反射膜を形成できる。
【００１３】次に、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法ある
いは蒸着法を用いて反射膜をバー１の露出されている端
面６又は７に形成する。その後バー１をホルダー治具８
から取り出し、活性層２を含むように例えば３００μｍ
間隔で切り出す。図９は、こうして切り出された半導体
光素子を示す。
いは蒸着法を用いて反射膜をバー１の露出されている端
面６又は７に形成する。その後バー１をホルダー治具８
から取り出し、活性層２を含むように例えば３００μｍ
間隔で切り出す。図９は、こうして切り出された半導体
光素子を示す。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図６にウエハ１３をバ
ー１に劈開した図を示す。ウエハ１３は、通常円形であ
るため、ウエハー１３から劈開するとウエハ面内で長さ
の異なる劈開ライン１４となる。そのため、ホルダー治
具８の溝９にバー１を収容するために、バー１の長さが
均一になるように短く切り出す必要があり、作業効率が
悪い。又、スペーサ１１に溝１５を形成すると、スペー
サ１１の価格が高くなる。その結果、光半導体素子の価
格が高くなるという問題が生じる。
ー１に劈開した図を示す。ウエハ１３は、通常円形であ
るため、ウエハー１３から劈開するとウエハ面内で長さ
の異なる劈開ライン１４となる。そのため、ホルダー治
具８の溝９にバー１を収容するために、バー１の長さが
均一になるように短く切り出す必要があり、作業効率が
悪い。又、スペーサ１１に溝１５を形成すると、スペー
サ１１の価格が高くなる。その結果、光半導体素子の価
格が高くなるという問題が生じる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、スペーサ及びバー状の半導体光素子をスプリングで
押え込む機構を持つクランプ治具を用いる。このスプリ
ングで押え込む事で、バー状の半導体光素子の長さが異
なっていてもスペーサで固定できる。そのため、バーの
長さが均一になるように短く切り出す必要がなくなり、
前記の課題を解決できる。
め、スペーサ及びバー状の半導体光素子をスプリングで
押え込む機構を持つクランプ治具を用いる。このスプリ
ングで押え込む事で、バー状の半導体光素子の長さが異
なっていてもスペーサで固定できる。そのため、バーの
長さが均一になるように短く切り出す必要がなくなり、
前記の課題を解決できる。
【００１６】又、スペーサ及びバー状の半導体光素子を
整列する整列台に凹溝を形成した整列治具を用いる。こ
の整列台の溝の下面にバー状の半導体光素子を整列し、
溝の上面にスペーサを整列することで、反射膜を形成す
る半導体光素子の端面をスペーサから突出る。これによ
り、スペーサの角に溝等の加工を施していないスペーサ
で、半導体光素子の端面に膜厚が均一な反射膜を形成で
きる。そのため、スペーサの加工が不要となり、前記の
課題を解決できる。
整列する整列台に凹溝を形成した整列治具を用いる。こ
の整列台の溝の下面にバー状の半導体光素子を整列し、
溝の上面にスペーサを整列することで、反射膜を形成す
る半導体光素子の端面をスペーサから突出る。これによ
り、スペーサの角に溝等の加工を施していないスペーサ
で、半導体光素子の端面に膜厚が均一な反射膜を形成で
きる。そのため、スペーサの加工が不要となり、前記の
課題を解決できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１８】実施例１（本発明の整列治具） 図２に、本発明の整列治具２１を示す。整列治具２１に
は、スペーサ１１及び、バー１を整列する整列台２７を
形成している。この整列台２７には、凹溝２２を形成し
ている。例えば、バー１の長手方向の最大長が２５ｍ
ｍ、幅が３００μｍ、厚さが１００μｍである場合、凹
溝２２の溝幅を約３０ｍｍ、深さを５から１０μｍにす
る。スペーサ１１の長さを３５ｍｍ、幅を約２７５μｍ
にする。この整列台２７にバー１とスペーサ１１を整列
させる時に、バー１は、凹溝２２の中に落とし込み凹溝
２２の下面に整列させ、スペーサ１１は、凹溝２２の上
面に整列させる。図３に整列台２７にバー１とスペーサ
１１を交互に整列した図を示す。このようにバー１とス
ペーサ１１を整列すると、凹溝の深さ５から１０μｍだ
けバー１をスペーサ１１から突出すことができる。ま
た、このとき、バー１よりもスペーサ１１は約２５μｍ
幅が狭いため、バー１は、凹溝の逆側で約１５μｍスペ
ーサ１１から突出る。そのため、従来の角を加工したス
ペーサ１１を使用しなくても、バー１の端面６及び７を
スペーサ１１から突出すことができ、端面６及び７に膜
厚が均一な反射膜を形成できる。
は、スペーサ１１及び、バー１を整列する整列台２７を
形成している。この整列台２７には、凹溝２２を形成し
ている。例えば、バー１の長手方向の最大長が２５ｍ
ｍ、幅が３００μｍ、厚さが１００μｍである場合、凹
溝２２の溝幅を約３０ｍｍ、深さを５から１０μｍにす
る。スペーサ１１の長さを３５ｍｍ、幅を約２７５μｍ
にする。この整列台２７にバー１とスペーサ１１を整列
させる時に、バー１は、凹溝２２の中に落とし込み凹溝
２２の下面に整列させ、スペーサ１１は、凹溝２２の上
面に整列させる。図３に整列台２７にバー１とスペーサ
１１を交互に整列した図を示す。このようにバー１とス
ペーサ１１を整列すると、凹溝の深さ５から１０μｍだ
けバー１をスペーサ１１から突出すことができる。ま
た、このとき、バー１よりもスペーサ１１は約２５μｍ
幅が狭いため、バー１は、凹溝の逆側で約１５μｍスペ
ーサ１１から突出る。そのため、従来の角を加工したス
ペーサ１１を使用しなくても、バー１の端面６及び７を
スペーサ１１から突出すことができ、端面６及び７に膜
厚が均一な反射膜を形成できる。
【００１９】実施例２（本発明の真空吸引用溝付き整列
治具） 前記、実施例１に示す、凹溝２２付き整列治具２１にお
いて、凹溝２２内に真空吸引する溝２３を形成すると、
バー１を凹溝２２の下面に整列する時に真空吸引するこ
とで、バー１を確実に凹溝２２の下面に整列できる。そ
のため、バー１の端面６及び７に膜厚が非常に均一な反
射膜を形成できる。
治具） 前記、実施例１に示す、凹溝２２付き整列治具２１にお
いて、凹溝２２内に真空吸引する溝２３を形成すると、
バー１を凹溝２２の下面に整列する時に真空吸引するこ
とで、バー１を確実に凹溝２２の下面に整列できる。そ
のため、バー１の端面６及び７に膜厚が非常に均一な反
射膜を形成できる。
【００２０】実施例３（スプリング付きクランプ治具） 図４に本発明のクランプ治具２４を示す。クランプ治具
２４には、スプリング２５を形成している。このスプリ
ング２５による荷重により、整列治具２１に整列したバ
ー１をスペーサ１１の間に挟み込み保持する。スペーサ
１１は溝９に収容しクランプ治具２４に固定するため、
確実にバー１をスペーサ１１の間に挟み込み保持でき
る。図５に長さが異なるバー１をクランプ治具２４に保
持した図を示す。このように、スプリング２５による荷
重でバー１とスペーサ１１を挟み込むことで、長さの異
なるバー１を確実にクランプ治具２４に保持できる。
２４には、スプリング２５を形成している。このスプリ
ング２５による荷重により、整列治具２１に整列したバ
ー１をスペーサ１１の間に挟み込み保持する。スペーサ
１１は溝９に収容しクランプ治具２４に固定するため、
確実にバー１をスペーサ１１の間に挟み込み保持でき
る。図５に長さが異なるバー１をクランプ治具２４に保
持した図を示す。このように、スプリング２５による荷
重でバー１とスペーサ１１を挟み込むことで、長さの異
なるバー１を確実にクランプ治具２４に保持できる。
【００２１】実施例４（整列治具、クランプ治具を用い
た製造方法） 本発明の整列治具２１、クランプ治具２４を用いた半導
体光素子の製造方法を示す。
た製造方法） 本発明の整列治具２１、クランプ治具２４を用いた半導
体光素子の製造方法を示す。
【００２２】実施例１、２に示す整列治具２１にバー１
とスペーサ１１を図３のように交互に整列する。バー１
の幅が３００μｍの時、凹溝２２の深さが１０μｍ、ス
ペーサ１１の幅は２７０μｍの物を用いた。これによ
り、バー１の端面６は、凹溝２２側に約１０μｍ、凹溝
２２の逆側に約２０μｍ、スペーサ１１よりも突出る。
次に、整列治具２１の整列台２７に整列したスペーサ１
１をクランプ治具２４の溝９に収容する。クランプ治具
２４の溝９の高さは、整列台２７の高さよりも僅かに低
い位置に形成してあるので、クランプ治具２４を整列治
具２１の表面に置き整列台２７の方に移動させること
で、溝９にスペーサ１１が簡単に収容できる。スペーサ
１１を収容すると、スプリング２５による荷重でバー１
がスペーサ１１の間に保持される。最後に固定治具２６
を上からクランプ治具２４に差込み固定すると、図５に
示すようにクランプ治具２４にバー１とスペーサ１１が
保持された状態が維持される。
とスペーサ１１を図３のように交互に整列する。バー１
の幅が３００μｍの時、凹溝２２の深さが１０μｍ、ス
ペーサ１１の幅は２７０μｍの物を用いた。これによ
り、バー１の端面６は、凹溝２２側に約１０μｍ、凹溝
２２の逆側に約２０μｍ、スペーサ１１よりも突出る。
次に、整列治具２１の整列台２７に整列したスペーサ１
１をクランプ治具２４の溝９に収容する。クランプ治具
２４の溝９の高さは、整列台２７の高さよりも僅かに低
い位置に形成してあるので、クランプ治具２４を整列治
具２１の表面に置き整列台２７の方に移動させること
で、溝９にスペーサ１１が簡単に収容できる。スペーサ
１１を収容すると、スプリング２５による荷重でバー１
がスペーサ１１の間に保持される。最後に固定治具２６
を上からクランプ治具２４に差込み固定すると、図５に
示すようにクランプ治具２４にバー１とスペーサ１１が
保持された状態が維持される。
【００２３】次に、例えばスパッタ装置にクランプ治具
２４をセットし、反射膜を端面６に形成すると、膜厚が
均一な反射膜を形成出来る。クランプ治具２４は、端面
の両方向に開口部を持っているので、クランプ治具を反
転させて再度スパッタ装置にセットすることで、端面６
の反対側の端面７にも反射膜を形成する。この時、端面
７もスペーサ１１よりも突出ている為、端面６と同様に
膜厚均一性がよい反射膜を形成出来る。
２４をセットし、反射膜を端面６に形成すると、膜厚が
均一な反射膜を形成出来る。クランプ治具２４は、端面
の両方向に開口部を持っているので、クランプ治具を反
転させて再度スパッタ装置にセットすることで、端面６
の反対側の端面７にも反射膜を形成する。この時、端面
７もスペーサ１１よりも突出ている為、端面６と同様に
膜厚均一性がよい反射膜を形成出来る。
【００２４】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、半導体光素子の端面に反射膜を有する半導体光
素子の製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を整列する整列台に凹部をする整列治具を用いる
ことで、膜厚均一性がよい反射膜を形成できる。
よれば、半導体光素子の端面に反射膜を有する半導体光
素子の製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を整列する整列台に凹部をする整列治具を用いる
ことで、膜厚均一性がよい反射膜を形成できる。
【００２５】又、スペーサ及びバー状の半導体光素子を
整列する整列台に凹部と真空吸引する溝を有する整列治
具２４を用いると、膜厚均一性が非常によい反射膜を得
ることができる。
整列する整列台に凹部と真空吸引する溝を有する整列治
具２４を用いると、膜厚均一性が非常によい反射膜を得
ることができる。
【００２６】又、半導体光素子の端面に反射膜を形成す
るための半導体端面処理装置において、スペーサ及びバ
ー状の半導体光素子を固定する押え板にスプリングを有
するクランプ治具を用いることで、長さの異なるバー状
の半導体光素子であっても、同一のクランプ治具に保持
でき、反射膜を形成できる。
るための半導体端面処理装置において、スペーサ及びバ
ー状の半導体光素子を固定する押え板にスプリングを有
するクランプ治具を用いることで、長さの異なるバー状
の半導体光素子であっても、同一のクランプ治具に保持
でき、反射膜を形成できる。
【００２７】そのため、本発明を適用することで、半導
体光素子の量産性を向上することができ、半導体光素子
の低価格化に対しても極めて有効である。
体光素子の量産性を向上することができ、半導体光素子
の低価格化に対しても極めて有効である。
【図１】本発明の第４の実施例を示す図。
【図２】本発明の整列治具を示す図。
【図３】本発明の整列治具へのバーとスペーサの整列方
法を示す図。
法を示す図。
【図４】本発明のクランプ治具を示す図。
【図５】本発明の第３、４の実施例を示す図。
【図６】バーに劈開するウエハを示す図。
【図７】一般的なバー状の半導体光素子を示す図。
【図８】一般的な角に溝を形成したスペーサを示す図。
【図９】一般的な半導体光素子を示す図。
【図１０】一般的なバーとスペーサを収容するホルダー
を示す図。
を示す図。
【図１１】一般的なバーと角に溝を形成するスペーサを
ホルダーに収容した時のバーとスペーサの状態を示す
図。
ホルダーに収容した時のバーとスペーサの状態を示す
図。
１…バー状半導体光素子、２…活性層、３…バー状半導
体光素子の上面、４…バー状半導体光素子の下面、５…
電極、６、７…端面、８…ホルダー治具、９…溝、１０
…開口面、１１…スペーサ、１３…ウエハ、１４…劈開
ライン、１５…溝、２１…整列治具、２２…凹溝、２３
…真空吸引用溝、２４…クランプ治具、２５…スプリン
グ、２６…固定治具、２７…整列台。
体光素子の上面、４…バー状半導体光素子の下面、５…
電極、６、７…端面、８…ホルダー治具、９…溝、１０
…開口面、１１…スペーサ、１３…ウエハ、１４…劈開
ライン、１５…溝、２１…整列治具、２２…凹溝、２３
…真空吸引用溝、２４…クランプ治具、２５…スプリン
グ、２６…固定治具、２７…整列台。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河田 雅彦 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所通信事業部内 (72)発明者 元田 勝也 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所通信事業部内 Ｆターム(参考） 5F073 AA83 BA01 DA33 DA35
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体光素子の端面に反射膜を形成する
ための半導体端面処理装置において、スペーサ及びバー
状の半導体光素子を整列する整列台に凹部を有している
ことを特徴とする整列治具。 - 【請求項２】 半導体光素子の端面に反射膜を形成する
ための半導体端面処理装置において、スペーサ及びバー
状の半導体光素子を整列する整列台に凹部と、真空吸引
する溝を有していることを特徴とする整列治具。 - 【請求項３】 半導体光素子の端面に反射膜を形成する
ための製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を整列する整列台に凹部を有している整列治具を
用いて半導体光素子の端面に反射膜を形成することを特
徴とする半導体光素子の製造方法。 - 【請求項４】 半導体光素子の端面に反射膜を形成する
ための半導体端面処理装置において、スペーサ及びバー
状の半導体光素子を固定する押え板にスプリングを有し
ていることを特徴とするクランプ治具。 - 【請求項５】 半導体光素子の端面に反射膜を形成する
ための製造方法において、スペーサ及びバー状の半導体
光素子を固定する押え板にスプリングを有しているクラ
ンプ治具を用いて半導体光素子の端面に反射膜を形成す
ることを特徴とする半導体光素子の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200082A JP2002016310A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000200082A Withdrawn JP2002016310A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 半導体光素子の製造方法、クランプ治具、整列治具 |
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| JP (1) | JP2002016310A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100972311B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-07-26 | 경희대학교 산학협력단 | 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 |
| EP2428596A3 (en) * | 2010-09-14 | 2012-04-25 | Raytheon Company | Laser crystal components joined with thermal management devices |
| CN105006740A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-10-28 | 山东华光光电子有限公司 | 一种条形半导体激光器端面镀膜夹具及其应用 |
| CN105938976A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-09-14 | 北京工业大学 | 半导体激光器腔面镀膜夹具 |
| CN106112868A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-16 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种用于夹持半导体器件的夹具 |
| CN112192482A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-01-08 | 江西德瑞光电技术有限责任公司 | 一种半导体激光巴条固定夹具 |
| CN114045460A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-02-15 | 海南师范大学 | 一种中远红外半导体激光器腔面金属膜镀膜夹具 |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000200082A patent/JP2002016310A/ja not_active Withdrawn
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| CN105938976B (zh) * | 2016-03-08 | 2019-03-22 | 北京工业大学 | 半导体激光器腔面镀膜夹具 |
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