JPH0527130A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
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Abstract
出射端部などの光導波路端部からの反射戻り光が光源へ
与える影響を小さく抑えることを目的とする。 〔構成〕 導波路の端部を界面に対して斜めに傾斜させ
ると共に光導波路の端部を界面に近づくに従って幅を狭
くした先細テーパ状とするか、或いは、界面に近づくに
従って幅を広くした先広テーパ状とすることにより、導
波光のスポットサイズを拡大することで、反射戻り光の
結合効率を低減させる。更に、窓構造とすることによ
り、一層反射戻り光の結合効率を低減することができ
る。
Description
さくした光導波路デバイスに関するものである。
射戻り光の影響を小さくする為、反射防止膜を蒸着して
いるが、一般に、これらの反射防止膜は完全ではなく、
残留反射戻り光が生じやすい。そのため、半導体光デバ
イスでは光導波路全体を光出射端に対し斜めにするか、
あるいは窓構造を設けるなど構造が用いられている。そ
の一例として、半導体光増幅器を図6に示す。図6で
は、光導波路1を半導体増幅器と空気との界面に対して
垂直ではなく、角度θだけ斜めに傾けると共に窓2を設
ける構造としている。このようにすると、光源から出た
光が光導波路1を伝搬して、その界面から角度θで出射
し、外部にある反射面で反射して、その一部が出射端に
入射することになる。
入射させると、この入射光と反射光のなす角度は2θと
なることに注意すると、光出射端における反射光と導波
光の結合効率、即ち反射光が光導波路1に戻る効率ηは
次式で与えられる。
路端面の中心と光導波路端面における反射戻り光の結像
点との距離、wは光導波路1を導波する光のスポットサ
イズ、zは光導波路1の出射端から素子の端面までの距
離(窓2の長さ)である。また、ηR は反射面で完全反
射したと仮定した場合の反射戻り光の導波路への結合効
率である。
似した場合の、光の界分布の振幅が1/eとなる座標x
の値ωのことである。 Y=exp (−{x/ω}2 )
半導体光増幅器においては、光導波路1を導波する光の
スポットサイズは1μm程度と小さいので、光導波路1
を斜めにする効果は小さいという欠点があった。さら
に、光は窓2において屈折するため、窓構造を設ける
と、その光導波路1を導波する光ののスポットサイズは
等価的に小さくなったと考えられる。光素子出射後のビ
ームの広がり角が大きくなるためである。従って、例え
ば、半導体光増幅器の出射光を単一モード光ファイバに
入射させるためにレンズを用いる場合、スポットサイズ
が小さいと、レンズの球面収差が大きくなり、どうして
も結合効率が劣化しやすいという欠点もあった。
ものであり、光入射端部や光出射端部などの光導波路端
部からの反射戻り光が光源へ与える影響を小さく抑えた
光導波路デバイスを提供することにある。
発明の構成は光導波路の端部から光を出射し、または、
入射する光導波路デバイスにおいて、前記光導波路の端
部での導波光のスポットサイズを拡大し、且つ前記光導
波路の端部を界面に対して斜め傾斜させたことを特徴と
する。
ために、光導波路の端部を界面に近づくに従って幅を狭
くした先細テーパ状にし、或いは、界面に近づくに従っ
て幅を広くした先広テーパ状とすることが望ましい。
は、本発明を半導体光変調器又は半導体光増幅器に適用
したものである。即ち、光導波路1は界面に対して角度
θで傾斜するとともに、光導波路1の端部3は、界面に
近づくに従って幅を狭くした先細テーパ状となってい
る。ここで、導波路幅とスポットサイズとの関係は図7
に示すように、導波路幅が狭い場合には光が導波路から
しみだすのでスポットサイズが大きくなり、逆に、導波
路幅が広い場合には光の閉じ込め効果が大きくなるので
スポットサイズが小さくなり、更に導波路幅が広くなる
と光の界分布にとっては存在できる領域が広くなるので
スポットサイズは大きくなる(河野健治著、現代工学社
「光デバイスのための光結合系の基礎と応用」1990年12
月20日発刊) 。この為、導波路幅を一定以下に狭める
と、光導波路1の端部3における導波光のスポットサイ
ズは大きくなる。
で表される。
射戻り光の導波路への結合効率であり、 式(2)、式
(3)、式(4)においてz=0とおいた式、つまり次
式で与えられる。
wが従来の例よりも拡大されているので、反射戻り光が
光導波路へ結合する効率を低減できることになる。次
に、本発明の第二の実施例を図2を参照して説明する。
本実施例は、窓2を設けた構造であり、その他の構成
は、前述した実施例と同様である。このように窓構造を
設けると、式(4) においてz≠0となるので、スポット
サイズw(z) が一層大きくなり、反射戻り光の結合効率
を更に低減することができる。また、導波光のスポット
サイズを拡大しているので、本実施例では、窓2による
ビームの屈折の影響を小さくでき、単一モード光ファイ
バなど外部の光導波路との結合効率も高いという利点も
ある。
である。本実施例は、光導波路1の端部3のみを界面に
対して斜めとする構成である。このような構成でも、光
導波路1自体を斜めにした第一の実施例と同様な効果を
得ることができる。特に、光導波路と結晶の方位とのな
す角度が重要な場合には光導波路端部のみを斜めにする
この構成が有効となる。
である。本実施例は、分布帰還形(DFB)半導体レー
ザ5と光変調器6を集積したモノリシック光変調器に関
するものである。即ち、分布帰還形半導体レーザ5と光
変調器6とが結合され、その界面においては、先細テー
パ状となった光導波路1の端部3と先細テーパ状となっ
た光導波路1の端部4とが接続している。この為、分布
帰還形半導体レーザ5と光変調器6との界面において、
導波光のスポットサイズが拡大して反射戻り光の結合効
率が低くなり、反射戻り光が分布帰還形半導体レーザ5
に与える影響が低減されることになる。また、光変調器
6からの出射光の影響を低減できることは、前述した実
施例と同様である。本実施例において、第2の実施例と
同様に窓構造を設けることによりその効果をより高める
ことができる。
である。本実施例は、導波光のスポットサイズを広げる
他の構造を示すものである。即ち、光導波路1の端部3
を界面に近づくに従って幅を広くした先広テーパ状とし
たものである。このように光導波路1の端部3を先広テ
ーパ状としても、図7に示すようにスポットサイズを拡
大することができる。更に、本実施例においても窓2を
設けているので、図2に示した第2の実施例と同じ効果
を得ることができる。
路デバイスについて説明したが、本発明はLi Nb O3
(ニオブ酸リチウム)や石英などを用いる誘電体光導波
路デバイスなど、導波路形光デバイス全てに適用可能で
ある。
たように、本発明は光導波路端部の導波光のスポットサ
イズを大きくして、反射面に入射させるので、反射戻り
光が光導波路に結合する効率を低減することができる。
さらに、窓構造を採用することにより、その効果を一層
高めることができる。
いは半導体光変調器を示す構成図である。
造を示す構成図ものである。
のみを傾斜させた構造を示す構成図である。
体レーザと光変調器を集積したモノリシック光変調器の
構造を示す構成図である。。
した光導波路端部を有する構造を示すものである。
ある。
(任意スケール)との関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 光導波路の端部から光を出射し、また
は、入射する光導波路デバイスにおいて、前記光導波路
の端部での導波光のスポットサイズを拡大し、且つ前記
光導波路の端部を界面に対して斜め傾斜させたことを特
徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項2】 前記光導波路の端部を界面に近づくに従
って幅を狭くした先細テーパ状にし、或いは、界面に近
づくに従って幅を広くした先広テーパ状とすることによ
り、導波光のスポットサイズを拡大したことを特徴とす
る光導波路デバイス。
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