JPH0527130A - 光導波路デバイス - Google Patents

光導波路デバイス

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JPH0527130A
JPH0527130A JP40623090A JP40623090A JPH0527130A JP H0527130 A JPH0527130 A JP H0527130A JP 40623090 A JP40623090 A JP 40623090A JP 40623090 A JP40623090 A JP 40623090A JP H0527130 A JPH0527130 A JP H0527130A
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健治 河野
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修 三上
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克明 曲
Mitsuru Naganuma
充 永沼
Hiroshi Yasaka
洋 八坂
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Abstract

(57)【要約】 〔目的〕 光導波路デバイスにおいて、光入射端部や光
出射端部などの光導波路端部からの反射戻り光が光源へ
与える影響を小さく抑えることを目的とする。 〔構成〕 導波路の端部を界面に対して斜めに傾斜させ
ると共に光導波路の端部を界面に近づくに従って幅を狭
くした先細テーパ状とするか、或いは、界面に近づくに
従って幅を広くした先広テーパ状とすることにより、導
波光のスポットサイズを拡大することで、反射戻り光の
結合効率を低減させる。更に、窓構造とすることによ
り、一層反射戻り光の結合効率を低減することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反射戻り光の影響を小
さくした光導波路デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体光デバイスの端面には、反
射戻り光の影響を小さくする為、反射防止膜を蒸着して
いるが、一般に、これらの反射防止膜は完全ではなく、
残留反射戻り光が生じやすい。そのため、半導体光デバ
イスでは光導波路全体を光出射端に対し斜めにするか、
あるいは窓構造を設けるなど構造が用いられている。そ
の一例として、半導体光増幅器を図6に示す。図6で
は、光導波路1を半導体増幅器と空気との界面に対して
垂直ではなく、角度θだけ斜めに傾けると共に窓2を設
ける構造としている。このようにすると、光源から出た
光が光導波路1を伝搬して、その界面から角度θで出射
し、外部にある反射面で反射して、その一部が出射端に
入射することになる。
【0003】ここで、光を鏡面へ角度θだけ斜め傾けて
入射させると、この入射光と反射光のなす角度は2θと
なることに注意すると、光出射端における反射光と導波
光の結合効率、即ち反射光が光導波路1に戻る効率ηは
次式で与えられる。
【0004】 η=ηR ・ R … (1) ηR =κexp(−κ{x2/w2 +π2(w2+ w2(z))・((2θ)2/2λ2)−xθ/w2 }) … (2) 但し、Rはパワー反射率、λは光の波長、xは光導波
路端面の中心と光導波路端面における反射戻り光の結像
点との距離、wは光導波路1を導波する光のスポットサ
イズ、zは光導波路1の出射端から素子の端面までの距
離(窓2の長さ)である。また、ηR は反射面で完全反
射したと仮定した場合の反射戻り光の導波路への結合効
率である。
【0005】尚、κ,w(z) は次式で定義される。 κ=4/(4+(λ(2z)/πw22)… (3) w2(z) =w2( 1+(λz/πw2)2) … (4) 尚、スポットサイズとは、光の界分布Yを次のように近
似した場合の、光の界分布の振幅が1/eとなる座標x
の値ωのことである。 Y=exp (−{x/ω}2
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体光増幅器においては、光導波路1を導波する光の
スポットサイズは1μm程度と小さいので、光導波路1
を斜めにする効果は小さいという欠点があった。さら
に、光は窓2において屈折するため、窓構造を設ける
と、その光導波路1を導波する光ののスポットサイズは
等価的に小さくなったと考えられる。光素子出射後のビ
ームの広がり角が大きくなるためである。従って、例え
ば、半導体光増幅器の出射光を単一モード光ファイバに
入射させるためにレンズを用いる場合、スポットサイズ
が小さいと、レンズの球面収差が大きくなり、どうして
も結合効率が劣化しやすいという欠点もあった。
【0007】本発明は、上記従来技術に鑑みてなされた
ものであり、光入射端部や光出射端部などの光導波路端
部からの反射戻り光が光源へ与える影響を小さく抑えた
光導波路デバイスを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の構成は光導波路の端部から光を出射し、または、
入射する光導波路デバイスにおいて、前記光導波路の端
部での導波光のスポットサイズを拡大し、且つ前記光導
波路の端部を界面に対して斜め傾斜させたことを特徴と
する。
【0009】更に、導波光のスポットサイズを拡大する
ために、光導波路の端部を界面に近づくに従って幅を狭
くした先細テーパ状にし、或いは、界面に近づくに従っ
て幅を広くした先広テーパ状とすることが望ましい。
【0010】
【実施例】図1に本発明の一実施例を示す。本実施例
は、本発明を半導体光変調器又は半導体光増幅器に適用
したものである。即ち、光導波路1は界面に対して角度
θで傾斜するとともに、光導波路1の端部3は、界面に
近づくに従って幅を狭くした先細テーパ状となってい
る。ここで、導波路幅とスポットサイズとの関係は図7
に示すように、導波路幅が狭い場合には光が導波路から
しみだすのでスポットサイズが大きくなり、逆に、導波
路幅が広い場合には光の閉じ込め効果が大きくなるので
スポットサイズが小さくなり、更に導波路幅が広くなる
と光の界分布にとっては存在できる領域が広くなるので
スポットサイズは大きくなる(河野健治著、現代工学社
「光デバイスのための光結合系の基礎と応用」1990年12
月20日発刊) 。この為、導波路幅を一定以下に狭める
と、光導波路1の端部3における導波光のスポットサイ
ズは大きくなる。
【0011】この場合に、反射戻り光の結合効率は次式
で表される。
【0012】η=ηR ・ R…(5) ここでηR は反射面で完全反射したと仮定した場合の反
射戻り光の導波路への結合効率であり、 式(2)、式
(3)、式(4)においてz=0とおいた式、つまり次
式で与えられる。
【0013】 ηR =exp ( −π2w2 ・ (2θ)2/2λ2)…(6) ここで、光導波路1の端部では光導光のスポットサイズ
wが従来の例よりも拡大されているので、反射戻り光が
光導波路へ結合する効率を低減できることになる。次
に、本発明の第二の実施例を図2を参照して説明する。
本実施例は、窓2を設けた構造であり、その他の構成
は、前述した実施例と同様である。このように窓構造を
設けると、式(4) においてz≠0となるので、スポット
サイズw(z) が一層大きくなり、反射戻り光の結合効率
を更に低減することができる。また、導波光のスポット
サイズを拡大しているので、本実施例では、窓2による
ビームの屈折の影響を小さくでき、単一モード光ファイ
バなど外部の光導波路との結合効率も高いという利点も
ある。
【0014】図3は、本発明の第三の実施例を示すもの
である。本実施例は、光導波路1の端部3のみを界面に
対して斜めとする構成である。このような構成でも、光
導波路1自体を斜めにした第一の実施例と同様な効果を
得ることができる。特に、光導波路と結晶の方位とのな
す角度が重要な場合には光導波路端部のみを斜めにする
この構成が有効となる。
【0015】図4は、本発明の第四の実施例を示すもの
である。本実施例は、分布帰還形(DFB)半導体レー
ザ5と光変調器6を集積したモノリシック光変調器に関
するものである。即ち、分布帰還形半導体レーザ5と光
変調器6とが結合され、その界面においては、先細テー
パ状となった光導波路1の端部3と先細テーパ状となっ
た光導波路1の端部4とが接続している。この為、分布
帰還形半導体レーザ5と光変調器6との界面において、
導波光のスポットサイズが拡大して反射戻り光の結合効
率が低くなり、反射戻り光が分布帰還形半導体レーザ5
に与える影響が低減されることになる。また、光変調器
6からの出射光の影響を低減できることは、前述した実
施例と同様である。本実施例において、第2の実施例と
同様に窓構造を設けることによりその効果をより高める
ことができる。
【0016】図5は、本発明の第五の実施例を示すもの
である。本実施例は、導波光のスポットサイズを広げる
他の構造を示すものである。即ち、光導波路1の端部3
を界面に近づくに従って幅を広くした先広テーパ状とし
たものである。このように光導波路1の端部3を先広テ
ーパ状としても、図7に示すようにスポットサイズを拡
大することができる。更に、本実施例においても窓2を
設けているので、図2に示した第2の実施例と同じ効果
を得ることができる。
【0017】
【0018】尚、上記実施例においては、半導体光導波
路デバイスについて説明したが、本発明はLi Nb O3
(ニオブ酸リチウム)や石英などを用いる誘電体光導波
路デバイスなど、導波路形光デバイス全てに適用可能で
ある。
【0019】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明は光導波路端部の導波光のスポットサ
イズを大きくして、反射面に入射させるので、反射戻り
光が光導波路に結合する効率を低減することができる。
さらに、窓構造を採用することにより、その効果を一層
高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例に係る半導体光増幅器或
いは半導体光変調器を示す構成図である。
【図2】本発明の第二の実施例に係り、窓部を設けた構
造を示す構成図ものである。
【図3】本発明の第三の実施例に係り、光導波路の端部
のみを傾斜させた構造を示す構成図である。
【図4】本発明の第四の実施例に係り、分布帰還形半導
体レーザと光変調器を集積したモノリシック光変調器の
構造を示す構成図である。。
【図5】本発明の第五の実施例に係り、先広テーパ状と
した光導波路端部を有する構造を示すものである。
【図6】従来技術に係る半導体光増幅器を示す構成図で
ある。
【図7】導波路幅(任意スケール)とスポットサイズ
(任意スケール)との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 光導波路 2 窓 3 光導波路の端部 4 光導波路の端部 5 分布帰還形半導体レーザ 6 光変調器
フロントページの続き (72)発明者 永沼 充 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 八坂 洋 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光導波路の端部から光を出射し、また
    は、入射する光導波路デバイスにおいて、前記光導波路
    の端部での導波光のスポットサイズを拡大し、且つ前記
    光導波路の端部を界面に対して斜め傾斜させたことを特
    徴とする光導波路デバイス。
  2. 【請求項2】 前記光導波路の端部を界面に近づくに従
    って幅を狭くした先細テーパ状にし、或いは、界面に近
    づくに従って幅を広くした先広テーパ状とすることによ
    り、導波光のスポットサイズを拡大したことを特徴とす
    る光導波路デバイス。
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08181376A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Nec Corp 光半導体素子
JPH08211342A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd 半導体光機能素子
WO2000002072A1 (fr) * 1998-07-03 2000-01-13 Nec Corporation Module optique integre
US6052222A (en) * 1996-12-26 2000-04-18 Nec Corporation Semiconductor optical amplifier
US6141477A (en) * 1997-01-10 2000-10-31 Nec Corporation Semiconductor optical amplification element
JP2003043537A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置
WO2006013935A1 (ja) * 2004-08-05 2006-02-09 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
JP2006093614A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
US7046880B2 (en) 2002-03-04 2006-05-16 Fujitsu Limited Optical coupling element and optical device
WO2007040108A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Anritsu Corporation 半導体光素子および半導体光素子を搭載した外部共振レーザ
JP2007148382A (ja) * 2005-10-24 2007-06-14 Nec Corp 光導波路デバイスおよびその伝送損失の調整方法
JP2008205409A (ja) * 2007-02-23 2008-09-04 Anritsu Corp 半導体レーザ,半導体レーザ・モジュールおよびラマン増幅器
JP2008204970A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Fujitsu Ltd 光半導体素子
JP2010016032A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Nec Corp 外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法
JP2010171098A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Oki Electric Ind Co Ltd 導波路型光機能素子及びその製造方法
JP2010225978A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Nec Corp 外部共振器型波長可変レーザ及びその製造方法
JP2011242615A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光変調素子及び光半導体モジュール
JP2012048036A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Fujikura Ltd 光導波路素子
US8630516B2 (en) 2008-09-26 2014-01-14 Neophotonics Semiconductor Godo Kaisha Semiconductor optical function device
JP2014202936A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 三菱電機株式会社 光導波路および光集積素子
JP2015070123A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 沖電気工業株式会社 半導体レーザモジュール及びその製造方法
JP2015169797A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光送信装置
JP2015206969A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 三菱電機株式会社 スポットサイズ変換素子および半導体装置
JP2016218328A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 日本電信電話株式会社 光半導体素子
WO2018084238A1 (ja) * 2016-11-07 2018-05-11 Nttエレクトロニクス株式会社 光回路基板、光デバイス、およびアライメント方法
JP2018107310A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
JP2019057543A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子
CN110554456A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 富士通光器件株式会社 光器件、使用光器件的光模块、光器件测试方法
JPWO2021106158A1 (ja) * 2019-11-28 2021-06-03

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7379962B2 (ja) 2019-09-04 2023-11-15 株式会社デンソー 光導波路終端素子およびそれを用いた光フィルタ

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08181376A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Nec Corp 光半導体素子
JPH08211342A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd 半導体光機能素子
US6052222A (en) * 1996-12-26 2000-04-18 Nec Corporation Semiconductor optical amplifier
US6141477A (en) * 1997-01-10 2000-10-31 Nec Corporation Semiconductor optical amplification element
EP1096278A4 (en) * 1998-07-03 2005-06-29 Nec Corp INTEGRATED OPTICAL MODULE
WO2000002072A1 (fr) * 1998-07-03 2000-01-13 Nec Corporation Module optique integre
EP1096278A1 (en) * 1998-07-03 2001-05-02 NEC Corporation Optical integrated module
JP2003043537A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置
JP4660999B2 (ja) * 2001-08-01 2011-03-30 パナソニック株式会社 光導波路デバイス及びコヒーレント光源及び光学装置
US7046880B2 (en) 2002-03-04 2006-05-16 Fujitsu Limited Optical coupling element and optical device
WO2006013935A1 (ja) * 2004-08-05 2006-02-09 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
JP2006049650A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
US7885305B2 (en) 2004-08-05 2011-02-08 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser device and semiconductor laser device array
JP2006093614A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
US7813398B2 (en) 2005-09-30 2010-10-12 Anritsu Corporation Semiconductor optical element for external cavity laser
WO2007040108A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Anritsu Corporation 半導体光素子および半導体光素子を搭載した外部共振レーザ
JP4860628B2 (ja) * 2005-09-30 2012-01-25 アンリツ株式会社 半導体光素子および半導体光素子を搭載した外部共振レーザ
JP2007148382A (ja) * 2005-10-24 2007-06-14 Nec Corp 光導波路デバイスおよびその伝送損失の調整方法
JP2008204970A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Fujitsu Ltd 光半導体素子
JP2008205409A (ja) * 2007-02-23 2008-09-04 Anritsu Corp 半導体レーザ,半導体レーザ・モジュールおよびラマン増幅器
JP2010016032A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Nec Corp 外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法
US8630516B2 (en) 2008-09-26 2014-01-14 Neophotonics Semiconductor Godo Kaisha Semiconductor optical function device
JP2010171098A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Oki Electric Ind Co Ltd 導波路型光機能素子及びその製造方法
JP2010225978A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Nec Corp 外部共振器型波長可変レーザ及びその製造方法
JP2011242615A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光変調素子及び光半導体モジュール
JP2012048036A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Fujikura Ltd 光導波路素子
JP2014202936A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 三菱電機株式会社 光導波路および光集積素子
JP2015070123A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 沖電気工業株式会社 半導体レーザモジュール及びその製造方法
JP2015169797A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光送信装置
JP2015206969A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 三菱電機株式会社 スポットサイズ変換素子および半導体装置
JP2016218328A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 日本電信電話株式会社 光半導体素子
US10908356B2 (en) 2016-11-07 2021-02-02 Ntt Electronics Corporation Optical device having a fiber array, and method of alignment thereof
WO2018084238A1 (ja) * 2016-11-07 2018-05-11 Nttエレクトロニクス株式会社 光回路基板、光デバイス、およびアライメント方法
JP2018077276A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 Nttエレクトロニクス株式会社 光回路基板、光デバイス、およびアライメント方法
JP2018107310A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
JP2019057543A (ja) * 2017-09-19 2019-04-11 日本電信電話株式会社 半導体光集積素子
CN110554456A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 富士通光器件株式会社 光器件、使用光器件的光模块、光器件测试方法
JP2019211538A (ja) * 2018-05-31 2019-12-12 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光デバイス、これを用いた光モジュール、及び光デバイスの試験方法
US11658738B2 (en) 2018-05-31 2023-05-23 Fujitsu Optical Components Limited Optical device, optical module using the same, and optical device testing method
JPWO2021106158A1 (ja) * 2019-11-28 2021-06-03

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