JPH053369A - 面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザ装置Info
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- JPH053369A JPH053369A JP3180393A JP18039391A JPH053369A JP H053369 A JPH053369 A JP H053369A JP 3180393 A JP3180393 A JP 3180393A JP 18039391 A JP18039391 A JP 18039391A JP H053369 A JPH053369 A JP H053369A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、面発光型半導体レーザの偏波方
向を素子によらず、一定にすることを目的とする。 【構成】 この発明は、ＧａＡｓ半導体基板１の〔１
００〕結晶面上に、埋め込み活性層４が形成された面発
光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔０１０〕
方向または〔００１〕方向の偏光成分を遮る損失付加層
Ａを設ける。
向を素子によらず、一定にすることを目的とする。 【構成】 この発明は、ＧａＡｓ半導体基板１の〔１
００〕結晶面上に、埋め込み活性層４が形成された面発
光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔０１０〕
方向または〔００１〕方向の偏光成分を遮る損失付加層
Ａを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、本発明は、面発光型半
導体レーザ装置に関し、特にその偏波方向が一定である
ことを必要とする分野、例えば光磁気ディスク分野やコ
ヒーレント光通信分野などに用いて好適な面発光型半導
体レーザ装置に関する。
導体レーザ装置に関し、特にその偏波方向が一定である
ことを必要とする分野、例えば光磁気ディスク分野やコ
ヒーレント光通信分野などに用いて好適な面発光型半導
体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】活性層を埋め込んだ構造の面発光型半導
体レーザ装置は、第３８回応用物理学関係連合講演会の
予稿集「３１ａ−Ｄ−３」の「埋め込みＤＢＲ面発光レ
ーザの偏波特性」に示されてように、面発光型半導体レ
ーザの偏波方向は、素子によって〔０１１〕方向の直線
偏波か、〔０−１１〕方向の直線偏波か、または偏波方
向が不安定なものの３種に分けられている。
体レーザ装置は、第３８回応用物理学関係連合講演会の
予稿集「３１ａ−Ｄ−３」の「埋め込みＤＢＲ面発光レ
ーザの偏波特性」に示されてように、面発光型半導体レ
ーザの偏波方向は、素子によって〔０１１〕方向の直線
偏波か、〔０−１１〕方向の直線偏波か、または偏波方
向が不安定なものの３種に分けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような偏波方向が
一定でない面発光では、光磁気ディスク分野やコヒーレ
ント光通信分野など偏波方向が一定であることを必要と
する分野には応用できないという問題があった。
一定でない面発光では、光磁気ディスク分野やコヒーレ
ント光通信分野など偏波方向が一定であることを必要と
する分野には応用できないという問題があった。
【０００４】この発明は上述した問題点を解消するため
になされたものにして、面発光型半導体レーザの偏波方
向を素子によらず、一定にすることをその目的とする。
になされたものにして、面発光型半導体レーザの偏波方
向を素子によらず、一定にすることをその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明に
かかる面発光型半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ半導体基
板の〔１００〕結晶面上に、埋め込み活性層が形成され
た面発光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔０
１０〕方向または〔００１〕方向の偏光成分を遮る損失
付加層を設けることを特徴とする。
かかる面発光型半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ半導体基
板の〔１００〕結晶面上に、埋め込み活性層が形成され
た面発光型半導体レーザ装置において、結晶方位の〔０
１０〕方向または〔００１〕方向の偏光成分を遮る損失
付加層を設けることを特徴とする。
【０００６】この発明の第２の発明にかかる面発光型半
導体レーザ装置は、活性領域を含む共振器内部または光
出射側の反射鏡の共振器外部側に、レーザ光を吸収しな
い屈折率がｎ1の層、屈折率がｎ2の層、屈折率がｎ1の
層を連続して設け、かつその３層で構成される２つの境
界面は平行平面に形成するとともに、その境界面の法線
とレーザ光軸となす角度θ1がθ1＝ｔａｎ-1(ｎ2／
ｎ1）を満足することを特徴とする。
導体レーザ装置は、活性領域を含む共振器内部または光
出射側の反射鏡の共振器外部側に、レーザ光を吸収しな
い屈折率がｎ1の層、屈折率がｎ2の層、屈折率がｎ1の
層を連続して設け、かつその３層で構成される２つの境
界面は平行平面に形成するとともに、その境界面の法線
とレーザ光軸となす角度θ1がθ1＝ｔａｎ-1(ｎ2／
ｎ1）を満足することを特徴とする。
【０００７】
【作用】第１の発明は、面発光レーザに〔０１０〕方向
または〔００１〕方向のどちらかの偏光成分に対して損
失を受け、その方向には、発振しない。従って、もう一
方の方向に直線偏波するレーザ光が取り出せる。
または〔００１〕方向のどちらかの偏光成分に対して損
失を受け、その方向には、発振しない。従って、もう一
方の方向に直線偏波するレーザ光が取り出せる。
【０００８】第２の発明では、ｘ方向に偏光している光
は損失を受けないのに対して、ｙ方向に偏光している光
は、２つの境界面で反射による損失を受ける。このた
め、レーザ光軸と境界面の法線とで決まる平面に存在す
る偏光が最も発振する。
は損失を受けないのに対して、ｙ方向に偏光している光
は、２つの境界面で反射による損失を受ける。このた
め、レーザ光軸と境界面の法線とで決まる平面に存在す
る偏光が最も発振する。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例につき図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】まず図１ないし図３に従い第１の発明につ
き説明する。
き説明する。
【００１１】図１において、１は、〔１００〕結晶面の
ｎ型ＧａＡｓ基板であり、この基板１上にｎ型半導体多
層膜からなる反射鏡２及びｎ型クラッド層３が設けられ
る。
ｎ型ＧａＡｓ基板であり、この基板１上にｎ型半導体多
層膜からなる反射鏡２及びｎ型クラッド層３が設けられ
る。
【００１２】４は、ＧａＡｓからなる活性層、５はｐ型
クラッド層であり、ＬＰＥ選択メルトバック法により、
基板１の〔１００〕結晶面に円形に埋め込み形成され
る。
クラッド層であり、ＬＰＥ選択メルトバック法により、
基板１の〔１００〕結晶面に円形に埋め込み形成され
る。
【００１３】６は、ｐ型電流ブロック層、７は、ｎ型電
流ブロック層である。８は、Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓからな
る高屈折率層、９は、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる低屈
折率層であり、この高屈折率層８及び低屈折率層９で損
失付加層Ａが構成される。そして、高屈折率層８と低屈
折率層９とにより、共振器内部に傾斜面が形成され、こ
の実施例においては、傾斜面は〔０１０〕方向の偏波に
対して錯乱損失となっている。
流ブロック層である。８は、Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓからな
る高屈折率層、９は、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる低屈
折率層であり、この高屈折率層８及び低屈折率層９で損
失付加層Ａが構成される。そして、高屈折率層８と低屈
折率層９とにより、共振器内部に傾斜面が形成され、こ
の実施例においては、傾斜面は〔０１０〕方向の偏波に
対して錯乱損失となっている。
【００１４】１０は、ｐ型コンタクト層、１１は、光出
射側反射鏡、１２は、ｐ側電極、１３は、ｎ側電極であ
る。
射側反射鏡、１２は、ｐ側電極、１３は、ｎ側電極であ
る。
【００１５】ところで、ＧａＡｓ（１００）面上に形成
したＬＰＥ選択メルトバック法を用いた円形埋め込み面
発光型半導体レーザ装置の活性領域の形状は、結晶表面
側から見ると、図２に示すような〔０−１１〕方向を長
軸とし、〔０１１〕方向を短軸とする楕円形となる。こ
の時の真円率は約１．３である。
したＬＰＥ選択メルトバック法を用いた円形埋め込み面
発光型半導体レーザ装置の活性領域の形状は、結晶表面
側から見ると、図２に示すような〔０−１１〕方向を長
軸とし、〔０１１〕方向を短軸とする楕円形となる。こ
の時の真円率は約１．３である。
【００１６】このような場合、前述したように、偏波特
性は、〔０１１〕直線偏波、〔０−１１〕直線偏波、偏
波方向が不安定の３種に分かれる。一方、これら３タイ
プの素子すべてにおいて、偏光ビームスプリッタを用い
て〔０１０〕方向と〔００１〕方向の偏光成分のＩ−Ｌ
特性をを描くと、図３のように、直線的で安定である。
図３（ａ）は〔０１０〕のＩ−Ｌ特性、図３（ｂ）は
〔００１〕のＩ−Ｌ特性である。すなわち、〔０１０〕
方向または、〔００１〕方向のどちらかの偏光成分をさ
えぎれば、もう一方の方向に直線偏波している光が取り
出せる。
性は、〔０１１〕直線偏波、〔０−１１〕直線偏波、偏
波方向が不安定の３種に分かれる。一方、これら３タイ
プの素子すべてにおいて、偏光ビームスプリッタを用い
て〔０１０〕方向と〔００１〕方向の偏光成分のＩ−Ｌ
特性をを描くと、図３のように、直線的で安定である。
図３（ａ）は〔０１０〕のＩ−Ｌ特性、図３（ｂ）は
〔００１〕のＩ−Ｌ特性である。すなわち、〔０１０〕
方向または、〔００１〕方向のどちらかの偏光成分をさ
えぎれば、もう一方の方向に直線偏波している光が取り
出せる。
【００１７】従って、面発光型半導体レーザに〔０１
０〕方向または〔００１〕方向のどちらかの偏光成分に
対して損失を受け、その方向には、発振しないようにす
れば、もう一方の方向に直線偏波するレーザ光が取り出
せる。このため、この発明では損失付加層Ａを設け、一
方の方向には発振しないように構成したものである。
０〕方向または〔００１〕方向のどちらかの偏光成分に
対して損失を受け、その方向には、発振しないようにす
れば、もう一方の方向に直線偏波するレーザ光が取り出
せる。このため、この発明では損失付加層Ａを設け、一
方の方向には発振しないように構成したものである。
【００１８】即ち、図１に示した実施例においては、活
性層４で発生した光は、反射鏡２、１１間で反射され、
しきい値以上でレーザ発振する。ところが、高屈折率層
８と低屈折率層９とにより、共振器内部に傾斜面が形成
され、この傾斜面は〔０１０〕方向の偏波に対して錯乱
損失となっている。従って、本実施例では、〔０１０〕
方向の偏波は発振せず、〔００１〕方向に直線偏波とな
る。
性層４で発生した光は、反射鏡２、１１間で反射され、
しきい値以上でレーザ発振する。ところが、高屈折率層
８と低屈折率層９とにより、共振器内部に傾斜面が形成
され、この傾斜面は〔０１０〕方向の偏波に対して錯乱
損失となっている。従って、本実施例では、〔０１０〕
方向の偏波は発振せず、〔００１〕方向に直線偏波とな
る。
【００１９】この傾斜面９０゜回転させることにより，
〔００１〕方向の偏波に対して錯乱損失とすることもで
きる。この場合、レーザは〔０１０〕方向の直線偏波と
なる。
〔００１〕方向の偏波に対して錯乱損失とすることもで
きる。この場合、レーザは〔０１０〕方向の直線偏波と
なる。
【００２０】損失付加層Ａは、本実施例ではｐ型クラッ
ド層５、ｎ型電流ブロック７層と１０層の間に設けた
が、レーザの電流閉じ込め効果（クラッド−活性層−ク
ラッド）を損なわず、かつ共振器内部にあれば、本実施
例の場所に限らない。
ド層５、ｎ型電流ブロック７層と１０層の間に設けた
が、レーザの電流閉じ込め効果（クラッド−活性層−ク
ラッド）を損なわず、かつ共振器内部にあれば、本実施
例の場所に限らない。
【００２１】又、損失付加層Ａは光出射側の反射鏡１１
の外側に設けてもよい。
の外側に設けてもよい。
【００２２】更に、活性層４の材質はＧａＡｓとは限ら
ない。活性層４がＧａＡｓ以外の場合、高屈折率層８、
低屈折率層９はその活性層４の光に対して、吸収損失と
ならないように設定すれば良い。
ない。活性層４がＧａＡｓ以外の場合、高屈折率層８、
低屈折率層９はその活性層４の光に対して、吸収損失と
ならないように設定すれば良い。
【００２３】本実施例で、ｐ型とｎ型を反転させても同
様である。本発明は、この他、吸収損失を設けるものな
ど、〔０１０〕方向か〔００１〕方向のどちらかの偏光
成分に対して損失を設けるものであれば、本実施例に限
るものではない。
様である。本発明は、この他、吸収損失を設けるものな
ど、〔０１０〕方向か〔００１〕方向のどちらかの偏光
成分に対して損失を設けるものであれば、本実施例に限
るものではない。
【００２４】次にこの発明の第２の発明について、図４
及び図５に従い説明する。
及び図５に従い説明する。
【００２５】図４において、２１は、〔１００〕結晶面
のｎ型ＧａＡｓ基板であり、この基板２１上にｎ型半導
体多層膜からなる反射鏡２２及びｎ型クラッド層２３が
設けられる。
のｎ型ＧａＡｓ基板であり、この基板２１上にｎ型半導
体多層膜からなる反射鏡２２及びｎ型クラッド層２３が
設けられる。
【００２６】２４は、ＧａＡｓからなる活性層、２５は
ｐ型クラッド層で有り、ＬＰＥ選択メルトバック法によ
り、基板２１の〔１００〕結晶面に円形に埋め込み形成
される。
ｐ型クラッド層で有り、ＬＰＥ選択メルトバック法によ
り、基板２１の〔１００〕結晶面に円形に埋め込み形成
される。
【００２７】２６は、ｐ型電流ブロック層、２７は、ｎ
型電流ブロック層である。
型電流ブロック層である。
【００２８】２８は、屈折率がｎ1のｐ型Ｇａ0.9Ａｌ
0.1Ａｓからなる第１の屈折率層、屈折率がｎ2の２９
は、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓからなる第２の屈折率層、
３０は屈折率がｎ1のｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる
第３の屈折率層であり、この屈折率層２８、２９及び３
０で損失付加層Ａが構成される。
0.1Ａｓからなる第１の屈折率層、屈折率がｎ2の２９
は、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓからなる第２の屈折率層、
３０は屈折率がｎ1のｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる
第３の屈折率層であり、この屈折率層２８、２９及び３
０で損失付加層Ａが構成される。
【００２９】３１は、ｐ型コンタクト層、３２は、光出
射側反射鏡、３３は、ｐ側電極、３４は、ｎ側電極であ
る。
射側反射鏡、３３は、ｐ側電極、３４は、ｎ側電極であ
る。
【００３０】図５に、本発明の構成と経路の模式図を示
す。この図５を参照して、この第２の発明を更に説明す
る。
す。この図５を参照して、この第２の発明を更に説明す
る。
【００３１】図５において、Ｍ1は反射鏡２２を、Ｍ2は
反射鏡３２を示す。Ｐ1、Ｐ2は第１から第３の屈折率２
８、２９、３０、３層で構成される２つの境界面であ
り、Ｐ 1は第１の屈折率層２８と第２の屈折率の層２
９、との境界面、Ｐ2は第２の屈折率層２８と第３の屈
折率層３０との境界面である。θ１は境界面Ｐ1と法線
とのなす角度である。Ｅは反射鏡Ｍ1から境界面Ｐ1に入
射する光の電界、Ｅ’は電界Ｅの境界面での反射成分、
Ｅ”は電界Ｅでの屈折成分である。θ２は電界Ｅの境界
面Ｐ1での屈折角である。ａ、ｂは光軸、Ｂはレーザ光
軸である。光の電界Ｅは、図に示すｘ成分、ｙ成分（図
から垂直上に延びる軸）とに分けて考える。
反射鏡３２を示す。Ｐ1、Ｐ2は第１から第３の屈折率２
８、２９、３０、３層で構成される２つの境界面であ
り、Ｐ 1は第１の屈折率層２８と第２の屈折率の層２
９、との境界面、Ｐ2は第２の屈折率層２８と第３の屈
折率層３０との境界面である。θ１は境界面Ｐ1と法線
とのなす角度である。Ｅは反射鏡Ｍ1から境界面Ｐ1に入
射する光の電界、Ｅ’は電界Ｅの境界面での反射成分、
Ｅ”は電界Ｅでの屈折成分である。θ２は電界Ｅの境界
面Ｐ1での屈折角である。ａ、ｂは光軸、Ｂはレーザ光
軸である。光の電界Ｅは、図に示すｘ成分、ｙ成分（図
から垂直上に延びる軸）とに分けて考える。
【００３２】図５で、反射鏡Ｍ1から境界面Ｐ1に入射す
る電界Ｅは、Ｅ＝（Ｅｘ，Ｅｙ）とし、境界面Ｐ1での
反射成分Ｅ’はＥ’＝（Ｅｘ’，Ｅｙ’）とする。また
境界面Ｐ1での屈折成分Ｅ”はＥ”＝（Ｅｘ”，Ｅ
ｙ”）とする。この場合Ｅ’、Ｅ”はＥを用いて、次の
ように表わすことができる。
る電界Ｅは、Ｅ＝（Ｅｘ，Ｅｙ）とし、境界面Ｐ1での
反射成分Ｅ’はＥ’＝（Ｅｘ’，Ｅｙ’）とする。また
境界面Ｐ1での屈折成分Ｅ”はＥ”＝（Ｅｘ”，Ｅ
ｙ”）とする。この場合Ｅ’、Ｅ”はＥを用いて、次の
ように表わすことができる。
【００３３】
【００３４】ここで、θ1＝ｔａｎ-1(ｎ2／ｎ1）とする
と、Ｅｘ’＝０となるのに対して、Ｅｙ’≠０である。
また、屈折した成分は、境界面Ｐ1の後に、境界面Ｐ2に
達するが、ここでも同様にｘ成分の反射は０で、ｙ成分
の反射は０ではない。
と、Ｅｘ’＝０となるのに対して、Ｅｙ’≠０である。
また、屈折した成分は、境界面Ｐ1の後に、境界面Ｐ2に
達するが、ここでも同様にｘ成分の反射は０で、ｙ成分
の反射は０ではない。
【００３５】また、光は境界面Ｐ2の後、反射鏡Ｍ2で反
射されて再び境界面Ｐ2にもどるが上に述べたのと同様
に、ｘ成分の反射は０で、ｙ成分の反射は０ではない。
射されて再び境界面Ｐ2にもどるが上に述べたのと同様
に、ｘ成分の反射は０で、ｙ成分の反射は０ではない。
【００３６】従って、本発明の構成では、ｘ方向に偏光
している光は損失を受けないのに対して、ｙ方向に偏光
している光は、２つの境界面Ｐ1、Ｐ2で反射による損失
を受ける。このため、本発明の構成ではレーザ光軸と境
界面の法線とで決まる平面に存在する偏光が最も発振し
やすい。
している光は損失を受けないのに対して、ｙ方向に偏光
している光は、２つの境界面Ｐ1、Ｐ2で反射による損失
を受ける。このため、本発明の構成ではレーザ光軸と境
界面の法線とで決まる平面に存在する偏光が最も発振し
やすい。
【００３７】ここで、屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ1の３層の屈
折率層２８、２９、３０を連続して形成することにより
光軸ａとｂは平行になる。従って、平行な反射鏡Ｍ1と
Ｍ2に対して、光軸ａとｂはそれぞれ垂直になるので、
反射率の低下は無い。
折率層２８、２９、３０を連続して形成することにより
光軸ａとｂは平行になる。従って、平行な反射鏡Ｍ1と
Ｍ2に対して、光軸ａとｂはそれぞれ垂直になるので、
反射率の低下は無い。
【００３８】図４に示す実施例においては、活性層２４
で発生した光は、反射鏡２２と３２で反射され、レーザ
発振するが、本実施例では、損失付加層Ａにより〔０−
１１〕方向の偏光成分が損失を受ける。従って、本実施
例では〔０１１〕方向の偏光が最も発振しやすい。
で発生した光は、反射鏡２２と３２で反射され、レーザ
発振するが、本実施例では、損失付加層Ａにより〔０−
１１〕方向の偏光成分が損失を受ける。従って、本実施
例では〔０１１〕方向の偏光が最も発振しやすい。
【００３９】本実施例では損失付加層Ａとして、ｐ型Ｇ
ａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなる屈折層２８（屈折率ｎ
1３．２６）、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓ層からなる屈折
層２９（屈折率ｎ2３．５２）、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓ層からなる屈折層３０（屈折率ｎ1３．２６）を用い
ている。この時、図４のθ1は４７．２゜とする。
ａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなる屈折層２８（屈折率ｎ
1３．２６）、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ａｓ層からなる屈折
層２９（屈折率ｎ2３．５２）、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓ層からなる屈折層３０（屈折率ｎ1３．２６）を用い
ている。この時、図４のθ1は４７．２゜とする。
【００４０】本実施例では〔０−１１〕方向に損失を設
け、〔０１１〕方向の偏光を発振しやすくしているが、
レーザ光軸Ｂを法線とする平面（ｃ）内に存在するもの
であれば、どの方向に損失を設けてもよい。この場合、
その損失をするものであれば、どの方向荷損失を設けて
もよい。この場合、その損失を設けた方向に垂直で、平
面（ｃ）内に存在する方向が発振しやすくなる。
け、〔０１１〕方向の偏光を発振しやすくしているが、
レーザ光軸Ｂを法線とする平面（ｃ）内に存在するもの
であれば、どの方向に損失を設けてもよい。この場合、
その損失をするものであれば、どの方向荷損失を設けて
もよい。この場合、その損失を設けた方向に垂直で、平
面（ｃ）内に存在する方向が発振しやすくなる。
【００４１】本実施例では、損失付加層Ａをｐ型クラッ
ド層とｐ型コンタクト層（１１）の間に設けているが、
活性領域の電流閉じ込め構造（クラッド−活性層−クラ
ッド）か保たれる限り共振器内のどこに設けてもよい。
また、光出射側の反射鏡の共振器外部側に設けてもよ
い。
ド層とｐ型コンタクト層（１１）の間に設けているが、
活性領域の電流閉じ込め構造（クラッド−活性層−クラ
ッド）か保たれる限り共振器内のどこに設けてもよい。
また、光出射側の反射鏡の共振器外部側に設けてもよ
い。
【００４２】第１の発明と同様この実施例のｐ型、ｎ型
を反転しても良い。第２の発明の実施例では、ＧａＡｌ
Ａｓ系を示しているが他の材料系でも有効である。
を反転しても良い。第２の発明の実施例では、ＧａＡｌ
Ａｓ系を示しているが他の材料系でも有効である。
【００４３】また、この実施例では（１００）結晶面上
の面発光型半導体レーザについて述べているが、本発明
はこれに限るものではない。
の面発光型半導体レーザについて述べているが、本発明
はこれに限るものではない。
【００４４】
【発明の効果】第１の発明によれば、面発光レーザの偏
波方向を〔００１〕または〔０１０〕のどちらかに特定
することができる。
波方向を〔００１〕または〔０１０〕のどちらかに特定
することができる。
【００４５】又、第２の発明によれば、面発光レーザの
偏波方向を素子によらず、レーザ光軸を法線とする平面
内の任意の方向に一定にすることができる。
偏波方向を素子によらず、レーザ光軸を法線とする平面
内の任意の方向に一定にすることができる。
【図１】本発明の第１の発明の一実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】埋め込み構造の活性層をウエハ表面から見た模
式図である。
式図である。
【図３】偏光ビームスプリッタを用いて、成分を夫々取
り出した時のＩ−Ｌ特性図であり、（ａ）は〔０１０〕
方向の成分、（ｂ）〔００１〕方向の成分をそれぞれ示
す。
り出した時のＩ−Ｌ特性図であり、（ａ）は〔０１０〕
方向の成分、（ｂ）〔００１〕方向の成分をそれぞれ示
す。
【図４】本発明の第２の発明の実施例の一例を示す構造
図である。
図である。
【図５】本発明の第２の発明の作用を説明する模式図で
ある。
ある。
１ ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板
２ 反射鏡
３ ｎ型クラッド層
４ 活性層）
５ ｐ型クラッド層
６ ｐ型電流ブロック層
７ ｎ型電流ブラック層
Ａ 損失付加層
８ 高屈折率層
９ 低屈折率層
１０ ｐ型コンタクト層
１１ 光出射側反射鏡
１２ ｐ側電極
１３ ｎ側電極
２１ ＧａＡｓ基板
２２ 反射鏡
２３ ｎ型クラッド層
２４ ＧａＡｓ活性層
２５ ｐ型クラッド層
２６ ｐ型電流ブロック層
２７ ｎ型電流ブロック層
２８ 第１の屈折率層
２９ 第２の屈折率層
３０ 第３の屈折率層
３１ ｐ型コンタクト層
３２ 光出射側反射鏡
３３ ｐ電極
３４ ｎ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 三宅 輝明
守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機株
式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ半導体基板の〔１００〕結晶面
上に、埋め込み活性層が形成された面発光型半導体レー
ザ装置において、結晶方位の〔０１０〕方向または〔０
０１〕方向の偏光成分を遮る損失付加層を設けることを
特徴とする面発光型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 活性領域を含む共振器内部または光出射
側の反射鏡の共振器外部側に、レーザ光を吸収しない屈
折率がｎ1の層、屈折率がｎ2の層、屈折率がｎ1の層を
連続して設け、かつその３層で構成される２つの境界面
は平行平面に形成するとともに、その境界面の法線とレ
ーザ光軸となす角度θ1がθ1＝ｔａｎ-1(ｎ2／ｎ1）を
満足することを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180393A JP2975725B2 (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180393A JP2975725B2 (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053369A true JPH053369A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2975725B2 JP2975725B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=16082455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3180393A Expired - Fee Related JP2975725B2 (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975725B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326409A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Nec Corp | 面発光素子 |
| EP0662739A1 (en) * | 1994-01-05 | 1995-07-12 | AT&T Corp. | Article comprising a semiconductor laser that is non-degenerate with regard to polarization |
| US5778018A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-07 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
| JP2007227861A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP3180393A patent/JP2975725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326409A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Nec Corp | 面発光素子 |
| EP0662739A1 (en) * | 1994-01-05 | 1995-07-12 | AT&T Corp. | Article comprising a semiconductor laser that is non-degenerate with regard to polarization |
| US5778018A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-07 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
| US6154479A (en) * | 1994-10-13 | 2000-11-28 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
| JP2007227861A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2975725B2 (ja) | 1999-11-10 |
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