JPS63234585A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS63234585A JPS63234585A JP6942287A JP6942287A JPS63234585A JP S63234585 A JPS63234585 A JP S63234585A JP 6942287 A JP6942287 A JP 6942287A JP 6942287 A JP6942287 A JP 6942287A JP S63234585 A JPS63234585 A JP S63234585A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザアレイ装置に関するものであ
る。
る。
第５図は従来の２点半導体レーザアレイ装置の模式図で
あり、図において、１は半導体レーザチップ、２．３は
半導体レーザチップ１に形成されたｐｎ接合を含む導波
路、６は前記導波路２．３のｐｎ接合を電気的に分離す
るためのアレイ分離溝、４．５は前記導波路２．３にそ
れぞれ形成された電極、７は前記半導体レーザチップ１
を取りつけた金属放熱ブロック、８は前記導波路２．３
より放出された裏面光（モニタ用レーザ光）を受光する
ためのフォトダイオードチップであり、９は前記フォト
ダイオードチップ８に形成された受光面である。１０は
前記金属放熱ブロック７とフォトダイオードチップ８を
組立てるためのベースである。図中では簡略化のため半
導体レーザチップ１に形成されるべき一方の電極、フォ
トダイオードチップ８の電極、リード線、半田材などは
省略されている。
あり、図において、１は半導体レーザチップ、２．３は
半導体レーザチップ１に形成されたｐｎ接合を含む導波
路、６は前記導波路２．３のｐｎ接合を電気的に分離す
るためのアレイ分離溝、４．５は前記導波路２．３にそ
れぞれ形成された電極、７は前記半導体レーザチップ１
を取りつけた金属放熱ブロック、８は前記導波路２．３
より放出された裏面光（モニタ用レーザ光）を受光する
ためのフォトダイオードチップであり、９は前記フォト
ダイオードチップ８に形成された受光面である。１０は
前記金属放熱ブロック７とフォトダイオードチップ８を
組立てるためのベースである。図中では簡略化のため半
導体レーザチップ１に形成されるべき一方の電極、フォ
トダイオードチップ８の電極、リード線、半田材などは
省略されている。
次に動作について説明する。
電極４．５を金属放熱ブロック７を通じて半導体レーザ
アレイ装着に電流を流すことにより半導体レーザチップ
１は導波路２．３でレーザ発振する。導波路２．３のレ
ーザ光出力は、電極４．５を流れる電流を変化させるこ
とにより別々に制御され、２点ビームレーザアレイとし
て使用される。通常レーザ光は図の上方より取り出され
使用される。一方、下方に放出された光は、フォトダイ
オードチップ８の受光面９で受光され、半導体レーザの
光出力を制御するためにモニタ用レーザ光として使用さ
れる。
アレイ装着に電流を流すことにより半導体レーザチップ
１は導波路２．３でレーザ発振する。導波路２．３のレ
ーザ光出力は、電極４．５を流れる電流を変化させるこ
とにより別々に制御され、２点ビームレーザアレイとし
て使用される。通常レーザ光は図の上方より取り出され
使用される。一方、下方に放出された光は、フォトダイ
オードチップ８の受光面９で受光され、半導体レーザの
光出力を制御するためにモニタ用レーザ光として使用さ
れる。
従来の半導体レーサアレイ装置は、以上のように構成さ
れているので、両方の導波路２．３より出たモニタ用レ
ーザ光は一つのフォトダイオードチップ８で受光される
ため、このフォトダイオードチップ８の出力を使って２
つの導波路２．３より出たレーザ光を別々に制御するこ
とはできない問題点があった。
れているので、両方の導波路２．３より出たモニタ用レ
ーザ光は一つのフォトダイオードチップ８で受光される
ため、このフォトダイオードチップ８の出力を使って２
つの導波路２．３より出たレーザ光を別々に制御するこ
とはできない問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、各レーザ光が別々にフォトダイオード出力
で制御できるとともに、有効にモニタ用レーザ光を利用
することができる半導体レーザアレイ装置を得ることを
目的とする。
れたもので、各レーザ光が別々にフォトダイオード出力
で制御できるとともに、有効にモニタ用レーザ光を利用
することができる半導体レーザアレイ装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段）
この発明に係る半導体レーザアレイ装置は、半導体レー
ザアレイを形成する半導体レーザチップの各導波路の一
部に各導波路をそれぞれ横断するようにモニタ用レーザ
光を受光するための導波路分離溝を形成し、これらの導
波路分離溝を被うように受光用のそれぞれのフォトダイ
オードを対応させてフォトダイオードチップを設置した
ものである。
ザアレイを形成する半導体レーザチップの各導波路の一
部に各導波路をそれぞれ横断するようにモニタ用レーザ
光を受光するための導波路分離溝を形成し、これらの導
波路分離溝を被うように受光用のそれぞれのフォトダイ
オードを対応させてフォトダイオードチップを設置した
ものである。
この発明における半導体レーザアレイ装置は、導波路の
一部に形成された各導波路分離溝を被うようにそれぞれ
のフォトダイオードを対応させてフォトダイオードチッ
プを設置し、これらのフォトダイオードにより、半導体
レーザアレイ装置を形成する個々のモニタ用レーザ光を
別々に分離して受光することにより各レーザ光出力を別
々に制御することかてぎる。
一部に形成された各導波路分離溝を被うようにそれぞれ
のフォトダイオードを対応させてフォトダイオードチッ
プを設置し、これらのフォトダイオードにより、半導体
レーザアレイ装置を形成する個々のモニタ用レーザ光を
別々に分離して受光することにより各レーザ光出力を別
々に制御することかてぎる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザアレイ
装置の斜視図であり、第２図は、第１図の上面図、第３
図は同じく正面図である。第１図〜第３図において、第
５図と同一符号は同じものを示し、１１．１２は前記半
導体レーザチップ１の一部に導波路２．３をそれぞれ横
断するように掘られた凹形状の導波路分離溝で、通常、
化学エツチング、またはりアクティブエツチングにより
形成される。導波路分離溝１１．１２の一方の面は半導
体レーザチップ１の導波路２．３の一方の共振器端面１
３．１４として形成される。また、導波路分離溝１１．
１２の他方の面は反射面１５．１６として形成され、共
振器端面１３，１４から出射したモニタ用レーザ光をフ
ォトダイオードチップ１７のそれぞれのフォトダイオー
ドの受光面１８．１９へ効率よく入射せしめるためのも
のである。フォトダイオードチップ１７は、導波路分離
溝１１．１２を被うように、すなわち、フォトダイオー
ドチップ１７の両フォトダイオードの二つの受光面１８
．１９がそれぞれ導波路分離溝１１．１２上に位置する
ように載置される。
装置の斜視図であり、第２図は、第１図の上面図、第３
図は同じく正面図である。第１図〜第３図において、第
５図と同一符号は同じものを示し、１１．１２は前記半
導体レーザチップ１の一部に導波路２．３をそれぞれ横
断するように掘られた凹形状の導波路分離溝で、通常、
化学エツチング、またはりアクティブエツチングにより
形成される。導波路分離溝１１．１２の一方の面は半導
体レーザチップ１の導波路２．３の一方の共振器端面１
３．１４として形成される。また、導波路分離溝１１．
１２の他方の面は反射面１５．１６として形成され、共
振器端面１３，１４から出射したモニタ用レーザ光をフ
ォトダイオードチップ１７のそれぞれのフォトダイオー
ドの受光面１８．１９へ効率よく入射せしめるためのも
のである。フォトダイオードチップ１７は、導波路分離
溝１１．１２を被うように、すなわち、フォトダイオー
ドチップ１７の両フォトダイオードの二つの受光面１８
．１９がそれぞれ導波路分離溝１１．１２上に位置する
ように載置される。
２０は前記フォトダイオードチップ１７の電極である。
２１．２２は前記半導体レーザチップ１の上に設けた電
極で、フォトダイオードチップ１７の両フォトダイオー
ドの受光面１８．１９の電極を外部に取り出すためのも
のである。２３は前記フォトダイオードチップ１７の両
面の共通電極である。
極で、フォトダイオードチップ１７の両フォトダイオー
ドの受光面１８．１９の電極を外部に取り出すためのも
のである。２３は前記フォトダイオードチップ１７の両
面の共通電極である。
次に、この発明の実施例の動作について説明する。
それぞれ形成された導波路２．３を含むｐｎ接合には電
極４，５と２３を通じて電流が流され、導波路２．３で
図の左端りの共振器端面と導波路分離溝１１．１２の一
方の面の共振器端面１３゜１４の間でレーザ発振する。
極４，５と２３を通じて電流が流され、導波路２．３で
図の左端りの共振器端面と導波路分離溝１１．１２の一
方の面の共振器端面１３゜１４の間でレーザ発振する。
主レーザビームは前記左端りの共振器端面より放出され
レーザ光出力として使用される。一方、導波路分離溝１
１．１２の共振器端面１３．１４より放出されたそれぞ
れのモニタ用レーザ光は導波路分離溝１１．１２の他方
の面の反射面１５．１６で反射し、フォトダイオードチ
ップ１７の両フォトダイオードの受光面１８．１９でそ
れぞれ受光される。
レーザ光出力として使用される。一方、導波路分離溝１
１．１２の共振器端面１３．１４より放出されたそれぞ
れのモニタ用レーザ光は導波路分離溝１１．１２の他方
の面の反射面１５．１６で反射し、フォトダイオードチ
ップ１７の両フォトダイオードの受光面１８．１９でそ
れぞれ受光される。
このように、それぞれのモニタ用レーザ光は独立したフ
ォトダイオードチップ１７の両フォトダイオードの受光
面１８．１９で分離して受光され、互いに他方のフォト
ダイオードチップ１７の両フォトダイオードの受光面１
９．１８には光が到達しないので、それぞれレーザ光出
力の独立したモニタ光として使用することかできる。し
たがって、このフォトダイオードチップ１７の両フォト
ダイオードの出力を使用して、半導体レーザアレイ装置
を形成するそれぞれの半導体レーザの光出力を独立して
制御することができる。
ォトダイオードチップ１７の両フォトダイオードの受光
面１８．１９で分離して受光され、互いに他方のフォト
ダイオードチップ１７の両フォトダイオードの受光面１
９．１８には光が到達しないので、それぞれレーザ光出
力の独立したモニタ光として使用することかできる。し
たがって、このフォトダイオードチップ１７の両フォト
ダイオードの出力を使用して、半導体レーザアレイ装置
を形成するそれぞれの半導体レーザの光出力を独立して
制御することができる。
なお、上記実施例では、２点半導体レーザアレイ装置に
ついて説明した力へこれに限らず１点またはさらに多く
の多点半導体レーザアレイ装置にも適用することがてぎ
る。
ついて説明した力へこれに限らず１点またはさらに多く
の多点半導体レーザアレイ装置にも適用することがてぎ
る。
また、導波路分離溝１１．１２の他方の面の反射面１５
．１６を第４図に示すように斜めにすることにより、共
振器端面１３，１４より出たモニタ用レーザ光を有効に
反射させてフォトダイオードチップ１７のフォトダイオ
ードの受光面１８゜１９に受光させることができ、また
、斜めに形成した反射面１５．１６に金属板、樹脂等で
作成した鏡を挿入することによりフォトダイオードチッ
プ１７のフォトダイオードの受光面１８．１９への受光
量を増加させることもできる。
．１６を第４図に示すように斜めにすることにより、共
振器端面１３，１４より出たモニタ用レーザ光を有効に
反射させてフォトダイオードチップ１７のフォトダイオ
ードの受光面１８゜１９に受光させることができ、また
、斜めに形成した反射面１５．１６に金属板、樹脂等で
作成した鏡を挿入することによりフォトダイオードチッ
プ１７のフォトダイオードの受光面１８．１９への受光
量を増加させることもできる。
また、導波路分離溝１１．＋２の中にシリコン樹脂、エ
ポキシ樹脂などの透明樹脂を注入しておくことにより、
フォトダイオードチップ１７のフォトダイオードの受光
面１８．１９に有効にレーザ光を取り入れることができ
る。
ポキシ樹脂などの透明樹脂を注入しておくことにより、
フォトダイオードチップ１７のフォトダイオードの受光
面１８．１９に有効にレーザ光を取り入れることができ
る。
また、フォトダイオードチップ１７は半導体レーザチッ
プ１に半田材もしくは導電樹脂で接着することができ、
シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの接着材で接着しても
よい。また、導波路分離溝１１．１２の中に注入された
シリコン樹脂、エポキシ樹脂て同時に接着してもよい。
プ１に半田材もしくは導電樹脂で接着することができ、
シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの接着材で接着しても
よい。また、導波路分離溝１１．１２の中に注入された
シリコン樹脂、エポキシ樹脂て同時に接着してもよい。
さらに、上記実施例では、フォトダイオードチップ１７
は半導体レーザチップ１に直接電気的に接続させたが、
酸化膜、窒化膜などで絶縁した上に金属電極を形成して
電気的に絶縁してもよい。
は半導体レーザチップ１に直接電気的に接続させたが、
酸化膜、窒化膜などで絶縁した上に金属電極を形成して
電気的に絶縁してもよい。
以上説明したように、この発明は、各導波路の一部に各
導波路を横断するように導波路分離溝をそれぞれ形成し
、これらの導波路分離溝に形成された一方の面を共振器
端面とし、他方の面を反射面とし、導波路分離溝の上に
この導波路分離溝を被うようにフォトダイオードチップ
を設置したので、各導波路分離溝内の共振器端面から放
出されるモニタ用レーザ光はとなり合うそれぞれと干渉
することがなく、フォトダイオードチップの各フォトダ
イオードの受光面に入射することができる。したかって
、それぞれのモニタ用レーザ光により、半導体レーザア
レイ装置のレーザ光出力をそれぞれ独立して制御するこ
とができる利点が得られる。
導波路を横断するように導波路分離溝をそれぞれ形成し
、これらの導波路分離溝に形成された一方の面を共振器
端面とし、他方の面を反射面とし、導波路分離溝の上に
この導波路分離溝を被うようにフォトダイオードチップ
を設置したので、各導波路分離溝内の共振器端面から放
出されるモニタ用レーザ光はとなり合うそれぞれと干渉
することがなく、フォトダイオードチップの各フォトダ
イオードの受光面に入射することができる。したかって
、それぞれのモニタ用レーザ光により、半導体レーザア
レイ装置のレーザ光出力をそれぞれ独立して制御するこ
とができる利点が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザアレイ
装置の斜視図、第２図は、第１図の上面図、第３図は、
第１図の正面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す
側面図、第５図は従来の半導体レーザアレイ装置を示す
斜視図である。 図において、１は半導体レーザチップ、２．３は導波路
、４．５は半導体レーザチップの電極、６はアレイ分離
溝、１１．１２は導波路分離溝、１３．１４は共振器端
面、１５．１６は反射面、１７はフォトダイオードチッ
プ、１８．１９はフォトダイオードの受光面、２０，２
１．２２はｌＫ極、２３は共通電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ］６．］ソ フォトダイオードの欠光面第３図 第４図 Ｚｊ １ １３（１４）１１ １５（１６）第５図
装置の斜視図、第２図は、第１図の上面図、第３図は、
第１図の正面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す
側面図、第５図は従来の半導体レーザアレイ装置を示す
斜視図である。 図において、１は半導体レーザチップ、２．３は導波路
、４．５は半導体レーザチップの電極、６はアレイ分離
溝、１１．１２は導波路分離溝、１３．１４は共振器端
面、１５．１６は反射面、１７はフォトダイオードチッ
プ、１８．１９はフォトダイオードの受光面、２０，２
１．２２はｌＫ極、２３は共通電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ］６．］ソ フォトダイオードの欠光面第３図 第４図 Ｚｊ １ １３（１４）１１ １５（１６）第５図
Claims (4)
- （１）複数の導波路を有し、これら各導波路間が分離溝
により電気的に分離された半導体レーザアレイを構成す
る半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップの各
導波路の一方の出射端から放出されるモニタ用レーザ光
を受光するフォトダイオードを備えた半導体レーザアレ
イ装置において、前記各導波路を横断するように一方の
面を共振器端面とし、他方の面を反射面とする導波路分
離溝をそれぞれ形成し、前記各導波路分離溝の上にこれ
らの導波路分離溝を被うようにそれぞれのフォトダイオ
ードを対応させてフォトダイオードチップを設置したこ
とを特徴とする半導体レーザアレイ装置。 - （２）導波路分離溝内の反射面は、所要角度傾斜せしめ
たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半
導体レーザアレイ装置。 - （３）所要角度傾斜させて形成した反射面に、金属板、
樹脂などからなる鏡を挿入したことを特徴とする特許請
求の範囲第（２）項記載の半導体レーザアレイ装置。 - （４）導波路分離溝内にエポキシ樹脂、シリコン樹脂な
どの透明樹脂を注入したことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項乃至第（３）項のいずれかに記載の半導体
レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6942287A JPS63234585A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6942287A JPS63234585A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234585A true JPS63234585A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13402163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6942287A Pending JPS63234585A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63234585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009081762A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 窒化物系半導体発光ダイオード、窒化物系半導体レーザ素子およびそれらの製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法 |
| JP2009170609A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体層の形成方法 |
| JP2009170496A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2010177438A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Seiko Epson Corp | 受発光装置 |
| JP2012198566A (ja) * | 2012-06-15 | 2012-10-18 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP6942287A patent/JPS63234585A/ja active Pending
Cited By (6)
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