JPH08264843A - オプトエレクトロニクス変換器 - Google Patents
オプトエレクトロニクス変換器Info
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Abstract
取り付けられているビームを発信あるいは受信する半導
体デバイス6を有し、基板1上にレンズ装置8を支持す
るスペーサ7が配置されている。このオプトエレクトロ
ニクス変換器を、温度変化が半導体デバイス6とレンズ
装置8との間の調節にほとんど影響を与えないようにす
る。 【解決手段】 基板1、スペーサ7およびレンズ装置8
が、熱膨張係数がほぼ同じである材料例えばシリコンお
よびガラスから成っている。多数の変換器が複合体とし
て同時に製造され、それから個々の変換器に細分化され
る。
Description
いは受信する半導体デバイスが取り付けられている基板
と、半導体デバイスに光学的に整列されたレンズ装置に
対する基板に結合されたスペーサとを有するオプトエレ
クトロニクス変換器に関する。
55761号明細書あるいは特開平5−218463号
公報で知られている。その場合の主な問題は変換器を良
好な効率で作動することにある。これは、半導体デバイ
ス自体の特性は別として、レンズ装置が光学的に最適に
半導体デバイスに整列されることによって達成される。
この場合にのみ半導体デバイスからの光は高い効率で光
導体に送り出せないか、光導体から半導体デバイスに送
り込めない。
作動中においても最適の調節が維持されることが保証さ
れなければならない。すなわち作動中に変換器が加熱さ
れた際、効率を悪化するような調節の狂いが生ずること
がある。
に述べた形式のオプトエレクトロニクス変換器を、温度
変化が半導体デバイスとレンズ装置との間の調節にほと
んど影響を与えないように改良することにある。更にこ
のようなオプトエレクトロニクス変換器の簡単な製造方
法を提供することにある。
は、基板、スペーサおよびレンズ装置が熱膨張係数が少
なくとも近似している材料から成ることによって解決さ
れる。
の請求項2から請求項8に、オプトエレクトロニクス変
換器の有利な製造方法は請求項9に記載されている。
細に説明する。
器11は基板1上に据え付けられている。基板1の上側
面に凹所2が設けられている。凹所2の両側に帯状隆起
部3が設けられている。凹所2の中にビームを受信ある
いは発信する半導体デバイス6が金属層5を介して取り
付けられている。これは例えばフォトダイオードないし
発光ダイオード(LED)あるいはバーチカル・キャビ
ティ・サーフェイス・エミッタ・レーザー(VCSE
L)である。金属層5は更に半導体デバイス6に給電す
るために使用される。半導体デバイス6の上側面に第2
の接点が設けられている。
ーサ7が取り付けられている。スペーサ7上にこれと材
料的に結合されたレンズ装置8が設けられている。レン
ズ装置8と凹所2の底との間隔は金属層5を加えた半導
体デバイス6の厚さより大きい。
多結晶あるいは単結晶でも良い。基板1に対してシリコ
ンの代わりに適当な熱膨張係数をした他の材料を使用す
ることもできる。
8はシリコンあるいはガラスから成っている。半導体デ
バイス6とレンズ装置8との間にガラスから成る少なく
とも一つの部品が配置されていることが重要である。そ
の部品の僅かな熱伝導値は、半導体6から基板1に導出
される熱がレンズ装置8に達することを阻止する。シリ
コンから成る基板1はその良好な熱伝導率のために特に
ビーム発信半導体デバイスにおいて利用される。これは
ビーム発信半導体デバイスの場合に変換出力が一般にビ
ームを受信する場合よりも大きいからである。ビーム受
信器の場合、基板1はガラスで、スペーサ7はシリコン
で、レンズ装置8はシリコンあるいはガラスで作られ
る。これらのいずれの場合においても、ビームがシリコ
ンを透過する波長を有しているとき、レンズ装置にシリ
コンを利用することが有利である。これは1.1μmよ
り大きな波長の場合に当てはまる。
互いに接着剤および/又はろう9で結合される。シリコ
ン面とガラス面が互いに接触しているとき、これらは陽
極ボンドでも結合できる。この技術は既に知られてい
る。その場合互いに結合すべき部品は例えば400°C
の温度のもとで押し合わされ、例えば−1000Vの電
圧がガラスに印加される。この結合技術は再現性が非常
に良好であるので、基板1およびレンズ装置8がガラス
から成っている場合もスペーサ7をシリコンで作ること
が推奨される。スペーサ7とレンズ装置8をろう付け又
は接着する際、両方の部品の間にろう層あるいは接着剤
層が入れられる。ろう層は例えば蒸着することができ
る。
数を有するものが利用される。このために例えばホウケ
イ酸ガラスが適しており、これは例えばコーニング( C
orning)社の商品名「Pyrex 7740」あるいはショット
( Schott )社の商品名「Tempax」で市販されている。
な容量にすべきときには、シリコン基板の代わりにガラ
ス基板を利用することが推奨される。しかし良好に放熱
する理由からシリコン基板が必要とされるとき、このシ
リコン基板は薄く作られ、その背面にガラス板10が結
合される(図2参照)。ガラス板10はシリコン基板1
に陽極ボンド、ろうあるいは接着剤によって結合され
る。
はベース14と蓋15を有するハウジングの中にはめ込
まれる(図5参照)。変換器11は蓋15に設けられた
窓16に対して調整され、ベース14に取り付けられて
いる。継手20を介してハウジングに結合されている光
波導体(図示せず)が窓16に突き当っている。半導体
デバイス6自体は金属層5および半導体デバイス6の上
側面に配置された接点を介して二つの接続端子21、2
2に電気接続され、これらの接続端子21、22を介し
て作動電圧が導入されるか、電気信号が送り出される。
ニクス変換器11を多数同時に製造するために、まずガ
ラス基板あるいはシリコン基板1に複数の凹所2が設け
られる(図3参照)。これらの凹所2は半導体デバイス
を収容するために使用され、それに応じて幅が決められ
ている。それぞれ二つの凹所2の間に帯状隆起部3が残
されている。これらの隆起部3は好適には別の凹所12
によって分割され、これによって最終的な隆起部3が生
じさせられる。凹所2、12は例えばフォトリソグラフ
エッチング法あるいは鋸びき法によって作られる。鋸び
き法の際は互いに平行な隆起部3が生じさせられ、エッ
チング法の際はウェブ3は任意の形状例えば格子形状を
とることができる。
スから成るプレート17が置かれ、上述したように隆起
部3に陽極ボンド、接着剤あるいはろうによって結合さ
れる。それからプレート17は隆起部3間に位置し基板
1に結合されていない部分が除去されるように鋸びき切
断される。そして隆起部3に結合されたスペーサ7が残
されて生じさせられる(図4参照)。続いて半導体デバ
イス6が凹所2の中の所定のフレームに応じて取り付け
られる。
シリコンあるいはガラスから成るプレート18がスペー
サ7の上に置かれる。レンズ装置8は基板1上に取り付
けられた半導体デバイス6のフレームに相応したフレー
ムでプレート18上に配置されている。レンズ装置8は
光学的に半導体デバイス6に整列され、続いてプレート
18はスペーサ7に上述の陽極ボンドあるいはろう付け
によって結合される。これによって基板1、半導体デバ
イス6、スペーサ7およびプレート18から成り多数の
半導体デバイスとレンズ装置とを持った複合体が生ず
る。この複合体は隆起部3間に位置する鋸切込み部13
およびそれに対して直角の紙面に対して平行に位置する
他の鋸切込み部によって分離される。その際に生ずる各
ユニット11が上述したようにハウジングの中にはめ込
まれる。
半導体技術において古くから知られており、上述の複合
体を細分化する際にも利用できる。すなわち複合体は鋸
びき、引き裂きおよび破砕によって分離される。この場
合普通は複合体を弾性接着フィルムに固定する。フィル
ムは後続のすべての工程において担体として使用され
る。
フあるいは機械的に凹所2および隆起部3を形成し、そ
れから上述したようにスペーサを設けることもできる。
多数のレンズ装置を備えたプレート18の代わりに個々
のレンズ装置を光学的に半導体に整列してスペーサ7に
結合することもできる。
の実施例の概略断面図。
の異なる実施例の断面図。
の製造工程の説明図。
ロニクス変換器の概略断面図。
Claims (10)
- 【請求項1】 ビームを発信あるいは受信する半導体デ
バイス(6)が取り付けられている基板(1)と、半導
体デバイスに光学的に整列されたレンズ装置(8)に対
する基板に結合されたスペーサ(7)とを有するオプト
エレクトロニクス変換器において、基板(1)、スペー
サ(7)およびレンズ装置(8)が熱膨張係数が少なく
とも近似している材料から成っていることを特徴とする
オプトエレクトロニクス変換器。 - 【請求項2】 基板(1)およびレンズ装置(8)がシ
リコンから、スペーサ(7)がガラスからそれぞれ成る
ことを特徴とする請求項1記載の変換器。 - 【請求項3】 基板(1)がガラスから、レンズ装置
(8)およびスペーサ(7)がシリコンからそれぞれ成
ることを特徴とする請求項1記載の変換器。 - 【請求項4】 基板(1)が金属層(5)を備え、この
金属層(5)上に半導体デバイス(6)が取り付けられ
ていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1
つに記載の変換器。 - 【請求項5】 ガラスから成る部品がシリコンから成る
部品に陽極ボンドによって結合されていることを特徴と
する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の変換器。 - 【請求項6】 ガラスないしシリコンから成る部品が互
いにろう付けあるいは接着されていることを特徴とする
請求項1ないし5のいずれか1つに記載の変換器。 - 【請求項7】 半導体デバイス(6)が基板(1)の凹
所(2)の中に置かれていることを特徴とする請求項1
ないし6のいずれか1つに記載の変換器。 - 【請求項8】 基板(1)がシリコンから成り、その半
導体デバイス(6)と反対側面がガラス板(10)に結
合されていることを特徴とする請求項1ないし7のいず
れか1つに記載の変換器。 - 【請求項9】a) 基板(1)に半導体デバイス(6)
を収容するための複数の凹所(2)が形成され、各凹所
(2)の少なくとも片側に帯状隆起部(3)が設けら
れ、 b) 帯状隆起部(3)上に基板(1)と同じ大きさの
プレート(17)が置かれ、隆起部(3)に材料的に結
合され、 c) このプレート(17)の隆起部(3)間の部分が
除去されて、基板(1)に結合されたスペーサ(7)が
生じさせられ、 d) 凹所(2)の中に所定の網目クレームに応じて半
導体デバイス(6)がはめ込まれて基板(1)に結合さ
れ、 e) 半導体デバイス(6)の数に相応した数のレンズ
装置(8)が半導体デバイス(6)と同じフレームで配
置されて設けられている別のプレート(18)が担体上
に置かれ、 f) このプレート(18)が担体に関して各レンズ装
置(8)が各半導体デバイス(6)に整列されるように
調整され、 g) プレート(18)が担体上に取り付けられ、 h) 基板(1)、半導体デバイス(6)、スペーサ
(7)およびプレート(18)から成る複合体が第1の
平行な切断部(13)およびこれに対して直角な第2の
切断部によって分割されて、それぞれ基板(1)、半導
体デバイス(6)、スペーサ(7)およびレンズ装置
(8)を含むユニット(11)が生じさせられる、こと
を特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス変
換器の製造方法。 - 【請求項10】 各ユニット(11)が気密ハウジング
(14、15)の中にはめ込まれることを特徴とする請
求項9記載の方法。
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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TW (1) | TW366599B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002520819A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-09 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電磁ビームを検出するための装置 |
JP2002290842A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2005094019A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法 |
JP2005094021A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 一体化された光学素子およびアライメントポストを有する面発光レーザパッケージ |
JP2009153178A (ja) * | 2002-09-17 | 2009-07-09 | Anteryon Bv | カメラ・デバイス、ならびに、カメラ・デバイスおよびウェハスケールパッケージの製造方法 |
WO2009114787A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | University Of Utah Researsh Foundation | High precision, high speed solar cell arrangement to a concentrator lens array and methods of making the same |
JP2010068001A (ja) * | 2001-03-06 | 2010-03-25 | Digital Optics Corp | 集積電気光学モジュール |
JP2010537411A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2012069977A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080136955A1 (en) * | 1996-09-27 | 2008-06-12 | Tessera North America. | Integrated camera and associated methods |
EP1014455B1 (en) | 1997-07-25 | 2006-07-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
DE19803936A1 (de) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19958229B4 (de) * | 1998-12-09 | 2007-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Optisches Halbleiter-Sensorbauelement |
US6683325B2 (en) * | 1999-01-26 | 2004-01-27 | Patent-Treuhand-Gesellschaft-für Elektrische Glühlampen mbH | Thermal expansion compensated opto-electronic semiconductor element, particularly ultraviolet (UV) light emitting diode, and method of its manufacture |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
WO2000052796A1 (fr) | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Element de laser semiconducteur au nitrure |
US20040041081A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-04 | Feldman Michael R. | Integrated optical transceiver and related methods |
US20070181781A1 (en) * | 2001-03-06 | 2007-08-09 | Digital Optics Corporation | Integrated optical transceiver |
JP3858537B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2006-12-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 基板接合方法、接合体、インクジェットヘッド、および画像形成装置 |
IL133453A0 (en) * | 1999-12-10 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
US20040120371A1 (en) * | 2000-02-18 | 2004-06-24 | Jds Uniphase Corporation | Contact structure for a semiconductor component |
US6674775B1 (en) | 2000-02-18 | 2004-01-06 | Jds Uniphase Corporation | Contact structure for semiconductor lasers |
US7842914B2 (en) * | 2000-03-06 | 2010-11-30 | Tessera North America, Inc. | Optoelectronic package, camera including the same and related methods |
US6759687B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Aligning an optical device system with an optical lens system |
KR100393057B1 (ko) * | 2000-10-20 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 렌즈 일체형 표면광 레이저 |
US6635941B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of semiconductor device with improved reliability |
DE10118630A1 (de) * | 2001-04-12 | 2002-10-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelements |
FR2824955B1 (fr) * | 2001-05-18 | 2004-07-09 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur optique blinde |
EP1425618B1 (de) * | 2001-09-14 | 2006-12-13 | Finisar Corporation | Sende- und/oder empfangsanordnung zur optischen signalübertragung |
DE10146498C2 (de) * | 2001-09-21 | 2003-11-20 | Arnold Glaswerke | Photovoltaik-Isolierverglasung |
US7343535B2 (en) | 2002-02-06 | 2008-03-11 | Avago Technologies General Ip Dte Ltd | Embedded testing capability for integrated serializer/deserializers |
US7074638B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
TW587842U (en) * | 2002-05-30 | 2004-05-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical package |
KR100464965B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2005-01-06 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 하우징 |
AU2003250646A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-02 | Alfalight, Inc. | Thermal barrier for an optical bench |
EP1686618A3 (en) * | 2002-07-29 | 2007-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
AU2003255926A1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device |
US7033664B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-04-25 | Tessera Technologies Hungary Kft | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
KR101188292B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2012-10-09 | 디엠아이 바이오사이언시스, 인크 | 인산화 증가로 인한 질병 및 증상의 치료방법 |
DE10308048A1 (de) * | 2003-02-26 | 2004-09-09 | Abb Research Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Trägerelementen |
JP4115859B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-07-09 | 株式会社日立製作所 | 陽極接合方法および電子装置 |
CN1759492B (zh) * | 2003-03-10 | 2010-04-28 | 丰田合成株式会社 | 固体元件装置的制造方法 |
US6900509B2 (en) * | 2003-09-19 | 2005-05-31 | Agilent Technologies, Inc. | Optical receiver package |
US6998691B2 (en) * | 2003-09-19 | 2006-02-14 | Agilent Technologies, Inc. | Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element |
US7520679B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical device package with turning mirror and alignment post |
US20050063431A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Gallup Kendra J. | Integrated optics and electronics |
FR2861217B1 (fr) * | 2003-10-21 | 2006-03-17 | St Microelectronics Sa | Dispositif optique pour boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication. |
DE10361650A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP1602953A1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-07 | STMicroelectronics S.r.l. | A package for housing at least one electro-optic element and the corresponding assembly method |
JP3801601B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2006-07-26 | シャープ株式会社 | 蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
TWI228326B (en) * | 2004-06-29 | 2005-02-21 | Cleavage Entpr Co Ltd | Structure of light emitting diode and manufacture method of the same |
JP4547569B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-22 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
JP2008519289A (ja) | 2004-09-14 | 2008-06-05 | シーディーエム オプティックス, インコーポレイテッド | 低い高さのイメージングシステムおよび関連方法 |
TWI289365B (en) | 2005-09-29 | 2007-11-01 | Visera Technologies Co Ltd | Wafer scale image module |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
JP2007287967A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品装置 |
EP2213367A4 (en) | 2007-10-19 | 2014-05-07 | Lou Ren | COMPOUND REACTION APPARATUS AND CHEMICAL PRODUCTION PROCESS USING THEREOF |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
TW201010097A (en) * | 2008-08-19 | 2010-03-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Solar cell and manufacturing method therof |
TW201033641A (en) | 2008-09-18 | 2010-09-16 | Tessera North America Inc | Recessed optical surfaces |
US8265487B2 (en) * | 2009-07-29 | 2012-09-11 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method |
DE102009042479A1 (de) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug |
CN102103235B (zh) * | 2009-12-18 | 2012-06-27 | 国碁电子(中山)有限公司 | 光收发器及其制造方法 |
CN102375185B (zh) * | 2010-08-20 | 2013-11-13 | 国碁电子(中山)有限公司 | 光收发器及其制造方法 |
US20120154945A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | William Mark Hiatt | Optical apertures and applications thereof |
CN103926658A (zh) * | 2013-01-14 | 2014-07-16 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光通讯模组 |
US9008139B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-04-14 | Jds Uniphase Corporation | Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers |
KR101785879B1 (ko) | 2014-07-23 | 2017-10-16 | 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 | 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들 |
US10439358B2 (en) * | 2016-04-28 | 2019-10-08 | Nichia Corporation | Manufacturing method of light-emitting device |
WO2020125646A1 (zh) | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光学次模块及光模块 |
CN109407235B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-08-25 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光学次模块及光模块 |
CN109407233B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-10-02 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光学次模块及光模块 |
CN110212402B (zh) * | 2019-05-07 | 2020-11-27 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 雷射二极管装置 |
EP4033621B1 (en) * | 2019-09-20 | 2023-11-01 | Nichia Corporation | Light source device and method of manufacturing the same |
WO2022020257A1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | Apple Inc. | Photonic integrated circuits with controlled collapse chip connections |
EP3971543B1 (en) * | 2020-09-17 | 2024-02-07 | Lynred | Infrared detector forming method and associated infrared detector |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0463669U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
JPH0667115A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Kyocera Corp | 画像装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59596Y2 (ja) * | 1975-03-14 | 1984-01-09 | 株式会社ニコン | ロシウツケイノジユコウキ |
JPS5946434B2 (ja) * | 1978-01-10 | 1984-11-12 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
US4511755A (en) * | 1982-05-17 | 1985-04-16 | Kei Mori | Solar ray collection apparatus |
US5274456A (en) * | 1987-12-28 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and video camera unit using it and their manufacturing method |
DE3833096A1 (de) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Siemens Ag | Optische koppelanordnung |
JPH0732208B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1995-04-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3191823B2 (ja) * | 1992-02-03 | 2001-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体受光装置 |
US5167724A (en) * | 1991-05-16 | 1992-12-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Planar photovoltaic solar concentrator module |
JP2975501B2 (ja) * | 1993-05-17 | 1999-11-10 | 京セラ株式会社 | 画像装置 |
US5617131A (en) * | 1993-10-28 | 1997-04-01 | Kyocera Corporation | Image device having a spacer with image arrays disposed in holes thereof |
-
1995
- 1995-03-08 DE DE19508222A patent/DE19508222C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-23 TW TW085100760A patent/TW366599B/zh active
- 1996-03-04 DE DE59607023T patent/DE59607023D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-04 ES ES96103353T patent/ES2158166T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-04 JP JP7321896A patent/JP3256126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-04 EP EP96103353A patent/EP0731509B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-07 KR KR1019960005882A patent/KR960036157A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-03-08 US US08/614,836 patent/US5981945A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-08 CN CN96101887A patent/CN1135660A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0463669U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
JPH0667115A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Kyocera Corp | 画像装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002520819A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-09 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電磁ビームを検出するための装置 |
JP2010068001A (ja) * | 2001-03-06 | 2010-03-25 | Digital Optics Corp | 集積電気光学モジュール |
JP2002290842A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2009153178A (ja) * | 2002-09-17 | 2009-07-09 | Anteryon Bv | カメラ・デバイス、ならびに、カメラ・デバイスおよびウェハスケールパッケージの製造方法 |
JP2005094019A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法 |
JP2005094021A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Agilent Technol Inc | 一体化された光学素子およびアライメントポストを有する面発光レーザパッケージ |
JP2010537411A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュールおよびその製造方法 |
US9564555B2 (en) | 2007-08-20 | 2017-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof |
WO2009114787A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | University Of Utah Researsh Foundation | High precision, high speed solar cell arrangement to a concentrator lens array and methods of making the same |
WO2009114787A3 (en) * | 2008-03-13 | 2009-12-17 | University Of Utah Researsh Foundation | High precision, high speed solar cell arrangement to a concentrator lens array and methods of making the same |
JP2012069977A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1135660A (zh) | 1996-11-13 |
DE19508222C1 (de) | 1996-06-05 |
EP0731509A1 (de) | 1996-09-11 |
EP0731509B1 (de) | 2001-06-06 |
ES2158166T3 (es) | 2001-09-01 |
JP3256126B2 (ja) | 2002-02-12 |
KR960036157A (ko) | 1996-10-28 |
US5981945A (en) | 1999-11-09 |
DE59607023D1 (de) | 2001-07-12 |
TW366599B (en) | 1999-08-11 |
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