JP2005094019A - 光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウェハレベルパッケージ(100、200)であって、
ボンディングパッド(120)を具備する第1ウェハ(118、218)と、
前記第1ウェハ上の光電子デバイス(102、202)と、
ガスケット(106)を具備する第2ウェハ(104、204)であって、前記第2ウェハが、前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドにより前記第1ウェハに取り付けられる第2ウェハとを備えるパッケージ。
【選択図】 図1
Description
本発明は、上記課題を解決し、光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法を提供することを目的とする。
図1を参照すると、パッケージ100は、ガスケット106および108と、バイア110とキャビティ112とを有するキャップウェハ104を備える。
(実施態様1)
ウェハレベルパッケージ(100、200)であって、
ボンディングパッド(120)を具備する第1ウェハ(118、218)と、
前記第1ウェハ上の光電子デバイス(102、202)と、
ガスケット(106)を具備する第2ウェハ(104、204)であって、前記第2ウェハが、前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドにより前記第1ウェハに取り付けられる第2ウェハとを備えるパッケージ。
(実施態様2)
前記第2ウェハ(104)が、光(146)を光電子デバイス(102)から前記第1ウェハ(118)を通って反射するためのミラー(121)を備えることを特徴とする、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様3)
前記第1ウェハ(118、218)がコンタクトパッド(122)をさらに備え、前記パッケージ(100、200)が、前記第2ウェハ(104、204)を介して前記コンタクトパッドに接続されることを特徴とする、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様4)
前記ガスケット(106)上にボンディング層(116)をさらに備え、前記ガスケット(106)と前記ボンディングパッド(120)との間のボンドが熱圧縮ボンド、反応ボンドまたははんだボンドである、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様5)
前記ボンディング層(116)と前記ガスケット(106)との間、または前記ボンディングパッド(120)と前記第1ウェハ(118、218)との間の金属障壁層をさらに備え、前記金属障壁層が、(a)チタンタングステン/チタンタングステン酸化窒素/チタンタングステン、(b)チタン/白金、(c)クロム/白金、(d)窒化タングステンシリコン、(e)窒化チタンシリコン、(f)二酸化シリコン/チタン、(g)二酸化シリコン/クロム、および(h)二酸化シリコン/チタンタングステンから成る群から選択される、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様6)
前記ガスケット(106)がトレッド付き表面(114)を備えることを特徴とする、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様7)
前記第1ウェハが、能動回路および受動回路の少なくとも一方をさらに備えることを特徴とする、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様8)
前記第1ウェハまたは前記第2ウェハが集積レンズ(113)をさらに備え、前記光電子デバイス(202)が、前記集積レンズを通って光(246)を発光することを特徴とする、(実施態様1)に記載のパッケージ。
(実施態様9)
ウェハレベルパッケージ(100、200)を形成する方法であって、
ボンディングパッド(120)を第1ウェハ(118、218)上に形成するステップと、
光電子デバイス(102、202)を前記第1ウェハ上に形成または取り付けるステップと、
ガスケット(106)を第2ウェハ(104、204)上に形成するステップと、
前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドにより、前記第2ウェハを前記第1ウェハに取り付けるステップとを有する方法。
(実施態様10)
前記第2ウェハ(104)にミラー(121)を形成して、光(146)を前記光電子デバイス(102)から前記第1ウェハ(118)を通って反射させるためのミラーを形成するステップをさらに有する、(実施態様9)に記載の方法。
(実施態様11)
コンタクトパッド(122)を前記第1ウェハ(118、218)上に形成するステップと、
前記第2ウェハ(104、204)を貫通するバイアコンタクト(142)を形成して、前記コンタクトパッドに結合するステップとをさらに有する、(実施態様9)に記載の方法。
(実施態様12)
ボンディング層(116)を前記ガスケット(106)上に形成するステップをさらに有する、(実施態様9)に記載の方法。
(実施態様13)
前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドが、熱圧縮ボンド、反応ボンドまたははんだボンドであることを特徴とする、(実施態様12)に記載の方法。
(実施態様14)
熱圧縮ボンドが、320〜400℃において30〜120メガパスカルの圧力を2分〜1時間使用して、前記第1および前記第2ウェハを互いに圧迫することであることを特徴とする、(実施態様13)に記載の方法。
(実施態様15)
前記ボンディング層(116)と前記ガスケット(106)との間、または前記ボンディングパッド(120)と前記第1ウェハ(118、218)との間に障壁金属層を形成することをさらに含み、前記障壁金属層が、a)チタンタングステン/酸化チタンタングステン窒素/チタンタングステン、(b)チタン/白金、(c)クロム/白金、(d)窒化タングステンシリコン、(e)窒化チタンシリコン、(f)二酸化シリコン/チタン、(g)二酸化シリコン/クロム、および(h)二酸化シリコン/チタンタングステンから成る群から選択される、(実施態様12)に記載の方法。
(実施態様16)
前記反応ボンドが、300〜365℃において60〜120メガパスカルを5〜30分間使用して、前記第1および第2ウェハを互いに圧迫することであることを特徴とする、(実施態様13)に記載の方法。
(実施態様17)
トレッド付き表面を前記ガスケット上に形成するステップをさらに有する、(実施態様9)に記載の方法。
(実施態様18)
能動回路および受動回路の少なくとも一方を前記第1ウェハ(118、218)内に形成するステップをさらに有する、(実施態様17)に記載の方法。
(実施態様19)
集積レンズ(113)を前記第1ウェハまたは前記第2ウェハの一部として形成するステップをさらに有する、(実施態様9)に記載の方法。
102 光電子デバイス
104 第2ウェハ
106 ガスケット
113 集積レンズ
114 トレッド付き表面
116 ボンディング層
118 第1ウェハ
120 ボンディングパッド
121 ミラー
122 コンタクトパッド
200 ウェハレベルパッケージ
202 光電子デバイス
204 第2ウェハ
218 第1ウェハ
Claims (19)
- ウェハレベルパッケージであって、
ボンディングパッドを具備する第1ウェハと、
前記第1ウェハ上の光電子デバイスと、
ガスケットを具備する第2ウェハであって、前記第2ウェハが、前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドにより前記第1ウェハに取り付けられる第2ウェハとを備えるパッケージ。 - 前記第2ウェハが、光を光電子デバイスから前記第1ウェハを通って反射するためのミラーを備えることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ。
- 前記第1ウェハがコンタクトパッドをさらに備え、前記パッケージが、前記第2ウェハを介して前記コンタクトパッドに接続されることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ。
- 前記ガスケット上にボンディング層をさらに備え、前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドが熱圧縮ボンド、反応ボンドまたははんだボンドである、請求項1に記載のパッケージ。
- 前記ボンディング層と前記ガスケットとの間、または前記ボンディングパッドと前記第1ウェハとの間の金属障壁層をさらに備え、前記金属障壁層が、(a)チタンタングステン/チタンタングステン酸化窒素/チタンタングステン、(b)チタン/白金、(c)クロム/白金、(d)窒化タングステンシリコン、(e)窒化チタンシリコン、(f)二酸化シリコン/チタン、(g)二酸化シリコン/クロム、および(h)二酸化シリコン/チタンタングステンから成る群から選択される、請求項4に記載のパッケージ。
- 前記ガスケットがトレッド付き表面を備えることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ。
- 前記第1ウェハが、能動回路および受動回路の少なくとも一方をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ。
- 前記第1ウェハまたは前記第2ウェハが集積レンズをさらに備え、前記光電子デバイスが、前記集積レンズを通って光を発光することを特徴とする、請求項1に記載のパッケージ。
- ウェハレベルパッケージを形成する方法であって、
ボンディングパッドを第1ウェハ上に形成するステップと、
光電子デバイスを前記第1ウェハ上に形成または取り付けるステップと、
ガスケットを第2ウェハ上に形成するステップと、
前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドにより、前記第2ウェハを前記第1ウェハに取り付けるステップとを有する方法。 - 前記第2ウェハにミラーを形成して、光を前記光電子デバイスから前記第1ウェハを通って反射させるためのミラーを形成するステップをさらに有する、請求項9に記載の方法。
- コンタクトパッドを前記第1ウェハ上に形成するステップと、
前記第2ウェハを貫通するバイアコンタクトを形成して、前記コンタクトパッドに結合するステップとをさらに有する、請求項9に記載の方法。 - ボンディング層を前記ガスケット上に形成するステップをさらに有する、請求項9に記載の方法。
- 前記ガスケットと前記ボンディングパッドとの間のボンドが、熱圧縮ボンド、反応ボンドまたははんだボンドであることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 熱圧縮ボンドが、320〜400℃において30〜120メガパスカルの圧力を2分〜1時間使用して、前記第1および前記第2ウェハを互いに圧迫することであることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 前記ボンディング層と前記ガスケットとの間、または前記ボンディングパッドと前記第1ウェハとの間に障壁金属層を形成することをさらに含み、前記障壁金属層が、a)チタンタングステン/酸化チタンタングステン窒素/チタンタングステン、(b)チタン/白金、(c)クロム/白金、(d)窒化タングステンシリコン、(e)窒化チタンシリコン、(f)二酸化シリコン/チタン、(g)二酸化シリコン/クロム、および(h)二酸化シリコン/チタンタングステンから成る群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記反応ボンドが、300〜365℃において60〜120メガパスカルを5〜30分間使用して、前記第1および第2ウェハを互いに圧迫することであることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- トレッド付き表面を前記ガスケット上に形成するステップをさらに有する、請求項9に記載の方法。
- 能動回路および受動回路の少なくとも一方を前記第1ウェハ内に形成するステップをさらに有する、請求項17に記載の方法。
- 集積レンズを前記第1ウェハまたは前記第2ウェハの一部として形成するステップをさらに有する、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/666363 | 2003-09-19 | ||
US10/666,363 US6953990B2 (en) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | Wafer-level packaging of optoelectronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005094019A true JP2005094019A (ja) | 2005-04-07 |
JP4889932B2 JP4889932B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=34313093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004271043A Expired - Fee Related JP4889932B2 (ja) | 2003-09-19 | 2004-09-17 | 光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6953990B2 (ja) |
JP (1) | JP4889932B2 (ja) |
CN (1) | CN1607682A (ja) |
DE (1) | DE102004026990A1 (ja) |
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US7939938B2 (en) | 2007-03-06 | 2011-05-10 | Hitachi Metals, Inc. | Functional device package with metallization arrangement for improved bondability of two substrates |
JP2009252777A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子の実装構造 |
JP2009252779A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子の実装構造および光半導体素子の実装方法 |
JP2009289775A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sony Corp | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP4492733B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2009117869A (ja) * | 2009-02-23 | 2009-05-28 | Hitachi Metals Ltd | 機能素子パッケージの製造方法 |
JP2010245475A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウェハパッケージおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050062122A1 (en) | 2005-03-24 |
US20050142692A1 (en) | 2005-06-30 |
DE102004026990A1 (de) | 2005-04-21 |
US7422929B2 (en) | 2008-09-09 |
CN1607682A (zh) | 2005-04-20 |
US6953990B2 (en) | 2005-10-11 |
JP4889932B2 (ja) | 2012-03-07 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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