JP2002368274A - 発光モジュール及び半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光素子を半田材を用いて搭載基板に
接合する場合、半田材の自己整合作用を適切にはたらか
せて実装位置ずれ量を少なくし、信頼性の高い発光モジ
ュールを提供する。 【解決手段】 発光モジュール３０では、半田材３６と
濡れやすいＧａＡｓ等の化合物半導体が用いられた半導
体発光素子１０を搭載基板３２に実装する段階で、半導
体発光素子１０の表面に形成された下部電極２２の外周
部に、半田材３６に対する濡れ性がその半導体発光素子
１０の底面（ＧａＡｓ）よりも劣る金属被膜２６が形成
されている為、半田材３６が下部電極２２近傍の発光素
子基板材料と濡れてしまうことがなく、所定位置に形成
された下部電極２２とだけ濡れる為、半田材３６の自己
整合性が適切にはたらいて実装位置ずれ量が減少し、信
頼性の高い発光モジュール３０を提供することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子及
びそれを用いた半田材を用いて搭載基板に接合させるこ
とにより構成される発光モジュールに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体を利用したデバイスの一つに、ｐ
ｎ接合に順方向電流を流して、注入された電子と正孔の
再結合により光を放出する発光ダイオード等の発光モジ
ュールがある。このような発光モジュールは可視光の表
示用だけでなく赤外波長を中心として通信用、センサー
用、民生機器用として利用されてきた。

【０００３】発光モジュールは一般に、ＧａＡｓ等の基
板上にエピタキシ法（基板結晶上に気相または液相で原
料を提供し、基板結晶と結晶軸を揃えて結晶を成長させ
る方法）等を用いて発光層を成長させて半導体発光素子
を形成し、その半導体発光素子をパッケージに実装して
用いる。この実装では、半導体発光素子の発光部とパッ
ケージとの光軸を合わせる必要がある。従来はそのよう
な実装の方法として目合わせによる位置合わせが行われ
ていた。例えば点光源型発光素子の典型的なパッケージ
であるボールレンズ付きのパッケージへの半導体発光素
子の実装では、レンズ側を動かしながら出力が最大にな
る点で固定するという方法等により半導体発光素子とパ
ッケージの位置合わせが行われていたが、そのような方
法では、製造に時間がかかり過ぎるという問題があっ
た。

【０００４】そこで、半導体発光素子と搭載基板の相互
に向かい合うそれぞれの表面上の所定位置に、半田材に
対する濡れ性に優れた金属パッドを形成し、半導体発光
素子と搭載基板とを相互に接合させる為の半田材を加熱
溶融させ、その金属パッドが半田材と濡れて、溶融した
半田材の表面張力による自己整合作用（セルフアライメ
ント）がはたらくことによって、半導体発光素子を搭載
基板に高位置精度実装させる方法が開発された。例え
ば、特開平３−１４１３０８号公報に記載されている受
光モジュール及びその製造方法がそれである。この方法
によれば半導体チップと搭載基板との機械的な位置合わ
せ誤差を金属パッドのパターンの形成位置精度に追い込
むことができる為、高精度な位置合わせが要求される受
光素子や発光素子の実装技術として光モジュールの製造
に広く用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年、発光モジュール
を利用する機器の高精度化に伴って発光部がより小さく
精密な発光モジュールが求められるようになってきた。
例えばセンサー用機器分野において、機器の小型化に伴
うセンサーの高分解能化に対応する精密な点光源として
の利用を目的として、また、通信分野において、光ファ
イバー用の光源としての利用を目的としてより精密な発
光モジュールの開発が求められている。そのような精密
な発光モジュールでは、半導体発光素子を搭載基板に実
装する段階で、発光素子の発光部とパッケージとの光軸
を正確に合わせる必要がある為、より高位置精度の実装
が要求される。しかしながら、上記半導体発光素子の搭
載基板に対する位置のばらつきが小さくならず、十分に
高位置精度で実装することができない場合があった。

【０００６】ところで、前述の半導体発光素子を、半田
材を用いて搭載基板に接合させる場合には、半導体発光
素子及び搭載基板の表面上に形成される金属パッドは、
その金属パッド自体の酸化防止及び半田材との濡れ性に
優れた金属であるという理由から、Ａｕ系の材料例えば
ＡｕＧｅ／Ａｕ共晶等が一般に用いられ、電極を兼ねる
ことが多い。この金属パッドは例えば長方形或いは楕円
形のパターンが、半導体チップと搭載基板の相互に向か
い合うそれぞれの表面上の所定位置にフォトリソグラフ
ィ技術を用いて形成されたものであり、金属パッド以外
の部分には基板材料が露出している。また、半導体発光
素子と搭載基板を接合する為の半田材としては一般にＡ
ｕＳｎ等のＡｕを含む半田材が用いられる。ここで本発
明者は、発光素子基板には一般にＡｕを含む半田材と比
較的濡れ易いＧａＡｓ等の化合物半導体が用いられてい
ることに着目した。すなわち半導体発光素子を搭載基板
に実装する工程で、半田材が前記金属パッドのみならず
金属パッド近傍の基板材料とも濡れてしまうことにより
半田材の自己整合作用が適切にはたらかず、結果として
実装位置ずれ量を増加させる原因となっているのではな
いかと考えた。

【０００７】本発明は、かかる知見に基づいて為された
ものであり、その目的とするところは、半導体発光素子
を、半田材を用いて搭載基板に接合する技術について、
半田材の自己整合性を適切にはたらかせて実装位置ずれ
量を少なくし、信頼性の高い発光モジュールを提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための第１の手段】かかる目的を達成
する為の第１発明の要旨とするところは、半導体発光素
子が、半田材によって搭載基板に接合された発光モジュ
ールであって、その半導体発光素子とその搭載基板の相
互に向かい合うそれぞれの表面上に、前記半田材を所定
位置に付着させる為の金属パッドが形成され、更に前記
半導体発光素子の表面上に形成されたその金属パッドの
外周部に、前記半田材に対する濡れ性がその半導体発光
素子の表面よりも劣る金属被膜が形成されていることを
特徴とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための第２の手段】また、前記課題を
解決する為の第２発明の要旨とするところは、半田材に
よって搭載基板に接合されて用いられる半導体発光素子
であって、所定の表面上に、前記半田材を所定位置に付
着させる為の金属パッドが形成され、更にその金属パッ
ドの外周部に、前記半田材に対する濡れ性がその半導体
発光素子の表面よりも劣る金属被膜が形成されているこ
とを特徴とするものである。

【００１０】

【第１発明および第２発明の効果】このようにすれば、
半田材と濡れやすいＧａＡｓ等の化合物半導体が用いら
れた半導体発光素子を搭載基板に実装する段階で、半導
体発光素子の表面に形成された金属パッドの外周部に、
半田材に対する濡れ性がその半導体発光素子の表面より
も劣る金属被膜が形成されている為、半田材が金属パッ
ド近傍の発光素子基板材料と濡れてしまうことがなく、
所定位置に形成された金属パッド部分とだけ濡れる為、
半田材の自己整合性が適切にはたらいて実装位置ずれ量
が減少し、信頼性の高い発光モジュールを提供すること
ができる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら詳しく説明する。なお、以下の実施例において、図に
示される各部の寸法比等は必ずしも正確に描かれていな
い。

【００１２】図１は、本発明の一実施例である半導体発
光素子１０の構成を示す図である。半導体発光素子１０
は、基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ法（Metal Organi
c Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長法）
等のエピタキシャル成長技術によって、第１クラッド層
１４、活性層１６、第２クラッド層１８及びブロック層
２０が順次結晶成長させられた後、基板１２の下面に例
えば二つの下部電極２２が、ブロック層の上面に上部電
極２４がそれぞれ蒸着或いはスパッタにより形成され、
更に基板１２の下面に形成された二つの下部電極２２の
それぞれの外周部に金属被膜２６が蒸着或いはスパッタ
により形成されている。

【００１３】上記基板１２は例えばｎ型ＧａＡｓ単結晶
から成る化合物半導体、第１クラッド層１４は例えばｎ
型ＡｌＧａＡｓ単結晶から成る化合物半導体、活性層１
６は例えばｐ型ＧａＡｓ単結晶から成る化合物半導体、
第２クラッド層１８は例えばｐ型ＡｌＧａＡｓ単結晶か
ら成る化合物半導体、ブロック層２０は例えばｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ単結晶から成る化合物半導体である。また、下
部電極２２及び上部電極２４は何れもオーミック電極で
あり、下部電極２２は基板１２側から順にＡｕ−Ｇｅ合
金及びＡｕが積層形成され、上部電極２４も同様にＡｕ
系材料から蒸着或いはスパッタにより積層形成されてい
る。更に、金属被膜２６は例えばＡｌ或いはＴｉ等の表
面に酸化被膜を形成し易い金属から蒸着或いはスパッタ
により形成されることにより、半導体発光素子１０の底
面であるＧａＡｓ製基板よりも十分に半田材３６に対す
る濡れ性が劣化させられている。

【００１４】上記半導体発光素子１０において、その発
光部２８では、表面から上記ブロック層２０の厚さより
も大きく第２クラッド層１８に到達する深さまで、その
発光部２８の周囲の他の領域では、表面から上記ブロッ
ク層２０の厚さよりも浅い深さまで、ｐ型のドーパント
である不純物、例えばＺｎが拡散させられている。これ
により、図１の点線よりも上部に示された範囲ではブロ
ック層２０の導電型が反転されて、ｐ型半導体すなわち
第２クラッド層１８と同じ導電型とされることにより電
流狭窄されて点光源ＬＥＤが構成されている。なお、上
記発光部２８は例えば直径５０μｍ程度の微小な円形の
領域であるが、図１においては比較的大きく示されてい
る。

【００１５】上記半導体発光素子１０は、例えば以下の
方法で製造される。先ず、基板１２上に、例えばＭＯＣ
ＶＤ法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：
有機金属気相成長法）等のエピタキシャル成長技術によ
って、第１クラッド層１４、活性層１６、第２クラッド
層１８及びブロック層２０を順次結晶成長させて、半導
体ウェーハを作成し、例えばＳｉＯ₂薄膜からなる図示
しない拡散バッファ層をブロック層２０上の全面に形成
した後、フォトリソグラフィによって、発光部２８とな
る部分を直径５０μｍ程度の円形に除去する。次いで、
拡散バッファ層上から熱拡散によってＺｎの拡散処理を
行う。拡散深さは、図１に点線で示すように、発光部２
８の真下においては第２クラッド層１８に到達する深さ
に、その外側においてはブロック層２０の厚さよりも浅
い深さとされる。続いて、拡散バッファ層をＢＨＦ（バ
ッファード・フッ酸）等の薬品処理によって除去する。
更に、ブロック層２０上面の発光部２８を除く部分に例
えばＡｕＺｎ合金の蒸着により上部電極２４を形成す
る。

【００１６】続いて、基板１２の下面にＡｕＧｅ／Ａｕ
共晶が積層されて下部電極２２が形成される。すなわち
発光部２８に整合した位置に下部電極２２が形成される
ように、例えばフォトリソグラフィ技術によって両面の
合わせをしつつレジストパターニングが行われた後、Ａ
ｕＧｅが０．１μｍ程度、Ａｕが０．２μｍ程度の膜厚
となるように順次蒸着され、続くレジストの除去と共に
下部電極２２以外の部分のＡｕＧｅ／Ａｕ共晶が除去さ
れることにより発光部２８に整合した位置に下部電極２
２が形成される。続く熱処理の後、基板１２下面のパタ
ーンに合わせてフォトリソグラフィ技術を行い、下部電
極２２の外周部に、特に酸化物となったときに半田材に
対する濡れ性がＧａＡｓ製基板１２よりも大幅に劣る金
属、例えば表面に酸化被膜を形成し易いＡｌ又はＴｉ等
の金属を０．１μｍ程度の膜厚となるように蒸着させて
金属被膜２６を形成させる。このようにして形成された
半導体ウェーハはその後、例えばダイシング装置で切断
されることにより、チップ状の半導体発光素子１０が切
り出される。

【００１７】図２は、前記半導体発光素子１０を備えた
発光モジュール３０の構成を表す図である。発光モジュ
ール３０は、搭載基板３２の上面に搭載基板電極３４が
蒸着及びフォトリソグラフィによるパターニングによっ
て形成され、半田材３６を介して上述の半導体発光素子
１０が接合された後、例えば熱圧着等の方法によってボ
ンディングワイヤ３８が取り付けられ、更にパッケージ
４０及び光ファイバー４２が取り付けられて構成されて
いる。

【００１８】ここで、搭載基板３２は例えばＳｉ単結晶
等の半導体であり、搭載基板３２の表面上に形成された
搭載基板電極３４は、例えばＡｕＧａ／Ａｕ共晶等が積
層形成されている。この搭載基板電極３４は半導体発光
素子１０の下面に形成された下部電極２２と同じ形状を
しており、半導体発光素子１０と搭載基板３２が整合す
る位置に、例えば蒸着及びリフトオフ技術を用いて所定
のパターンに形成されたものである。また、ボンディン
グワイヤ３８は例えばＡｕ細線等の金属細線であり、半
田材３６は例えばＡｕＳｎ等のＡｕを含む半田合金が用
いられる。

【００１９】半導体発光素子１０は一般に、ｐｎ接合順
方向の電流を流されることにより活性層１６で電子と正
孔が再結合され光が放出されるが、本実施例において
は、ブロック層２０において図１の点線より上部に表さ
れた範囲はＺｎが拡散させられることによってその導電
型が反転しｐ型半導体となっている為、発光部２８にの
み電流が流れることにより発光領域が局所的に限定され
た点発光が得られるようにされている。このようにして
発生された光は、図の一点鎖線矢印に示すように活性層
１６に垂直な方向に発光部２８より取り出され、パッケ
ージ４０に取り付けられた光ファイバー４２に入射され
伝達される。光ファイバー４２は例えば多モードファイ
バーであって、そのコア径が例えば５０μｍφ程度と微
小である為、半導体発光素子１０を搭載基板３２に実装
する段階で、半導体発光素子１０の発光部２８と光ファ
イバー４２との光軸を正確に合わせる必要がある。

【００２０】図３の（ａ）から（ｃ）は、半田材３６の
自己整合作用による半導体発光素子１０の搭載基板３２
への高位置精度実装工程を説明する図であって、（ａ）
は半田材３６の付着、（ｂ）は半田材３６の溶融、
（ｃ）は高位置精度実装の完了を示す。図３に示すよう
に、半田材３６には、溶融するとその表面張力によりそ
の表面積を最も小さくしようとする性質がある為、半導
体発光素子１０と搭載基板３２の相互に向かい合う表面
上にそれぞれ設けられた下部電極２２及び搭載基板電極
３４の位置がずれていても、自動的に整合する位置に合
わせようとする力がはたらく為、高位置精度実装を簡便
に実現できる。

【００２１】ここで、従来の半導体発光素子１０下面に
おける下部電極２２以外の領域には基板１２の材料であ
るＧａＡｓ等の化合物半導体材料が露出している。上述
のように、半導体発光素子１０と搭載基板３２を接合す
る為の半田材３６には例えばＡｕＳｎ等のＡｕを含む半
田材が用いられており、基板１２の材料であるＧａＡｓ
等の化合物半導体材料は一般にＡｕを含有する半田材と
濡れやすい為、従来の発光モジュール３０では半導体発
光素子１０を搭載基板３２に実装する工程で、半田材３
６が前記下部電極２２の部分のみならず下部電極２２近
傍の基板材料とも濡れてしまう。例えば、図６は従来の
発光モジュール３０を表す図であるが、このようなもの
では上記理由から、半田材３６が基板１２の材料と濡れ
てしまうことにより半田材３６の自己整合作用が適切に
はたらかず、結果として実装位置ずれ量が増加する可能
性がある。

【００２２】図４は、このような課題を解決するために
本実施例の半導体発光素子１０或いは発光モジュール３
０において下部電極２２の外周部に設けられた金属被膜
２６を詳しく説明する図である。この図に示されるよう
に本実施例では下部電極２２の外周部に、例えばＡｌ又
はＴｉ等による金属被膜２６が形成されている。Ａｌ又
はＴｉ等の金属被膜は、例えば真空蒸着により常温或い
は１００℃以下で形成させることが可能であり、下部電
極２２の外周部に例えばＳｉ窒化膜等を形成させる方法
に比べてプロセス温度が低い為、半導体発光素子１０に
熱による影響を与えずにすむ。Ａｌ又はＴｉ等の金属は
大気中で表面に酸化被膜を形成し易く、この金属被膜２
６の表面に形成されるＡｌ酸化物又はＴｉ酸化物等の金
属酸化物被膜は、ＡｕＳｎ等のＡｕを含有する半田材３
６に対する濡れ性が、ＧａＡｓ基板に対する濡れ性より
も劣る為に、半田材３６が基板１２の材料であるＧａＡ
ｓ等の化合物半導体材料と濡れることなく、下部電極２
２の部分とだけ濡れることにより、半田材３６の自己整
合性が適切にはたらいて実装位置ずれ量が減少し、信頼
性の高い発光モジュール３０が提供される。

【００２３】図５は、下部電極２２の外周部に金属被膜
２６を形成させた本実施例の発光モジュール３０と、金
属被膜２６を形成させない従来の発光モジュール３０と
の実装位置ずれ量を比較して表したものである。先ず、
上記方法により本実施例の発光モジュール３０を２０個
数作成し、続いて比較試料として、金属被膜２６を形成
させない以外は本実施例と同様の材料を用い、同様の方
法で作成した従来の発光モジュール３０を２０個数作成
した。作成された本実施例及び従来型の発光モジュール
３０について、図２及び図６の一点鎖線矢印で示す光の
取り出し方向をｚ軸としたときに、それと垂直な方向に
ｘ軸を定め、このｘ軸に関して半導体発光素子１０と搭
載基板３２との相対位置が、それ等の整合位置からどれ
だけずれているかを測定し図５に示す分布図にまとめ
た。これによれば、従来の発光モジュール３０について
の位置ずれ量の平均が約３２μｍであるのに対して、本
実施例の発光モジュール３０についての位置ずれ量の平
均は約１８μｍであり、従来の発光モジュール３０と比
較して実装位置精度が高く、信頼性の高い発光モジュー
ル３０であると言える。

【００２４】このように本実施例によれば、半田材３６
と濡れやすいＧａＡｓ等の化合物半導体が用いられた半
導体発光素子１０を搭載基板３２に実装する段階で、半
導体発光素子１０の表面に形成された下部電極２２の外
周部に、半田材３６に対する濡れ性がその半導体発光素
子１０の底面（ＧａＡｓ）よりも劣る金属被膜２６が形
成されている為、半田材３６が下部電極２２近傍の発光
素子基板材料と濡れてしまうことがなく、所定位置に形
成された下部電極２２とだけ濡れる為、半田材３６の自
己整合作用が適切にはたらいて実装位置ずれ量が減少
し、信頼性の高い発光モジュール３０を提供することが
できる。

【００２５】以上、本発明の実施例を図面を参照して詳
細に説明したが、本発明は別の態様においても実施され
る。

【００２６】例えば、前述の実施例においては、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造の発光部を有する半
導体発光素子１０について説明したが、ＧａＰ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓＰ等から成るダブルヘテロ構造の半導
体発光素子や、単なるｐｎ接合から成る半導体発光素子
或いは量子井戸層から成る発光部を有する半導体発光素
子にも本発明は同様に適用され得る。また、基板１２に
は、例えばＡｌＧａＡｓ等の他の半導体が用いられても
良い。

【００２７】また、前述の実施例においては、基板１２
の下面に二つの下部電極２２が形成されていたが、発光
モジュール３０の機能が好適に発揮されるものであれば
一つであっても良く、また、三つ以上であっても良い。
更に、三つ以上の下部電極２２が形成された場合には、
その全てについて外周部に金属被膜２６を形成させなく
ても良い。例えば、四つの下部電極２２を形成させた場
合には、対角に位置する二つの下部電極２２の外周部に
のみ金属被膜２６を形成させても良い。

【００２８】また、前述の実施例においては、半導体発
光素子１０と搭載基板３２の相互に向かい合うそれぞれ
の表面上に形成された電極２２及び３４のうち、半導体
発光素子１０の表面に形成された下部電極２２の外周部
にのみ金属被膜２６を形成させるものであった。これ
は、一般に搭載基板３２の材料として用いられるＳｉ単
結晶等の半導体は、ＡｕＳｎ等のＡｕを含有する半田材
３６に対する濡れ性が悪く、自己整合性を低下させる原
因とは考えられないという理由によるものであった。し
かし、下部電極２２と搭載基板電極３４のそれぞれの外
周部に金属被膜２６を形成させても良い。

【００２９】また、前述の実施例においては、下部電極
２２の外周部に、例えばＡｌ又はＴｉ等による金属被膜
２６が形成されていたが、半田材３６に対する濡れ性
が、半導体発光素子１０の底部露出面（ＧａＡｓ製基板
１２）よりも劣る金属被膜を形成するものであれば他の
金属を用いても良い。

【００３０】また、前述の実施例においては、下部電極
２２の外周部に形成された金属被膜２６は、その膜厚が
０．１μｍ程度となるように形成されていたが、半田材
３６の自己整合性を適切にはたらかせるものであれば、
０．１μｍ以下の膜厚或いは０．１μｍ以上の膜厚であ
っても良い。

【００３１】また、前述の実施例においては、基板１２
の下面に形成された下部電極２２及びその外周部に形成
された金属被膜２６は、図４に示すように基板１２の下
面に垂直な方向から見たとき、下部電極２２の外周と金
属被膜２６の外周がそれぞれ正方形となるように形成さ
れていたが、半田材３６の自己整合性を適切にはたらか
せるものであれば、それぞれの外周が円形等の他の形状
をとっても良い。また、下部電極２２の外周が円形、金
属被膜２６の内周はそれを取り囲む円形、外周は正方形
といったように、下部電極２２の外周と金属被膜２６の
外周が異なる形状であってもよい。

【００３２】また、前述の実施例においては、基板１２
の下面に形成された下部電極２２が自己整合用金属パッ
ドとしての機能も果たしていたが、下部電極２２とは別
に自己整合用金属パッドを形成させてもよい。この場
合、金属被膜２６はその自己整合用金属パッドの外周部
に形成される。

【００３３】また、前述の実施例においては、発光モジ
ュール３０は光ファイバー４２へ光を入射させる目的に
用いられるものであったが、本発明は当然に他の発光モ
ジュール、例えば、センサー用、民生機器用等の様々な
目的に用いられる発光モジュールにおいても好適に実施
され得るものである。

【００３４】その他、一々例示はしないが、本発明はそ
の主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体発光素子の構成
を示す図である。

【図２】図１の半導体発光素子を備えた発光モジュール
の構成を示す図である。

【図３】半田材の自己整合作用による半導体発光素子と
搭載基板の高位置精度実装を説明する図である。

【図４】本実施例の半導体発光素子或いは発光モジュー
ルにおいて下部電極の外周部に設けられた金属被膜を詳
しく説明する図である。

【図５】本実施例の発光モジュールと、金属被膜を形成
させない従来の発光モジュールとの実装位置ずれ量を比
較して表したものである。

【図６】金属被膜を形成させない従来の発光モジュール
の構成を示す図である。

【符号の説明】

１０：半導体発光素子 ２２：下部電極 ２６：金属被膜 ３０：発光モジュール ３２：搭載基板 ３４：搭載基板電極 ３６：半田材

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体発光素子が、半田材によって搭載
   基板に接合された発光モジュールであって、 該半導体発光素子と該搭載基板の相互に向かい合うそれ
   ぞれの表面上に、前記半田材を所定位置に付着させる為
   の金属パッドが形成され、更に前記半導体発光素子の表
   面上に形成された該金属パッドの外周部に、前記半田材
   に対する濡れ性が該半導体発光素子の表面よりも劣る金
   属被膜が形成されていることを特徴とする発光モジュー
   ル。
2. 【請求項２】 半田材によって搭載基板に接合されて用
   いられる半導体発光素子であって、 所定の表面上に、前記半田材を所定位置に付着させる為
   の金属パッドが形成され、更に該金属パッドの外周部
   に、前記半田材に対する濡れ性が該半導体発光素子の表
   面よりも劣る金属被膜が形成されていることを特徴とす
   る半導体発光素子。