JP2003222765A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JP2003222765A JP2003222765A JP2002020776A JP2002020776A JP2003222765A JP 2003222765 A JP2003222765 A JP 2003222765A JP 2002020776 A JP2002020776 A JP 2002020776A JP 2002020776 A JP2002020776 A JP 2002020776A JP 2003222765 A JP2003222765 A JP 2003222765A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面発光手段の出射光の光路変換する光モジュ
ールにおいて、光出力のモニターが容易にでき、しかも
作製が容易で、さらに低背化が可能な光モジュールを提
供すること。 【解決手段】 基体１０の一部をアルカリ水溶液等によ
る異方性エッチングにより除去して、傾斜面である傾斜
面１１とこの傾斜面１１をはさむ非エッチング面１３と
を形成するとともに、基体１０の非エッチング面１３に
傾斜面１１を跨ぐ状態で面発光手段である面発光レーザ
ー１９をフリップチップ方式で実装し、この出射光を傾
斜面１１にて光路変換させるように成した光モジュール
とする。
ールにおいて、光出力のモニターが容易にでき、しかも
作製が容易で、さらに低背化が可能な光モジュールを提
供すること。 【解決手段】 基体１０の一部をアルカリ水溶液等によ
る異方性エッチングにより除去して、傾斜面である傾斜
面１１とこの傾斜面１１をはさむ非エッチング面１３と
を形成するとともに、基体１０の非エッチング面１３に
傾斜面１１を跨ぐ状態で面発光手段である面発光レーザ
ー１９をフリップチップ方式で実装し、この出射光を傾
斜面１１にて光路変換させるように成した光モジュール
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信及び光情報
通信分野等において使用される面発光手段を備えた光モ
ジュールに関する。
通信分野等において使用される面発光手段を備えた光モ
ジュールに関する。
【０００２】
【発明の背景】現在、低速な電話中心の通信事業から、
デジタルマルチメディアサービスなどに代表される広帯
域の通信事業へと移行し始めている。そして、広帯域へ
の通信需要に従い、通信方式も従来のメタリック方式か
ら光通信方式に移行し始めている。また、光通信方式に
おいても、従来は幹線系とよばれるバックボーンが中心
であったが、最近ではメトロ系やアクセス系にいたるま
で光通信化が進んでいる。さらに、企業の事業所などに
おけるＬＡＮなどにおいても光通信化が進んでいる。こ
のように、光通信方式が末端の系まで進むに従い、光通
信に用いられる光モジュールの需要が見こまれ、形態も
多品種少量生産型から小型・低コスト量産型の光モジュ
ールが要請される。
デジタルマルチメディアサービスなどに代表される広帯
域の通信事業へと移行し始めている。そして、広帯域へ
の通信需要に従い、通信方式も従来のメタリック方式か
ら光通信方式に移行し始めている。また、光通信方式に
おいても、従来は幹線系とよばれるバックボーンが中心
であったが、最近ではメトロ系やアクセス系にいたるま
で光通信化が進んでいる。さらに、企業の事業所などに
おけるＬＡＮなどにおいても光通信化が進んでいる。こ
のように、光通信方式が末端の系まで進むに従い、光通
信に用いられる光モジュールの需要が見こまれ、形態も
多品種少量生産型から小型・低コスト量産型の光モジュ
ールが要請される。
【０００３】ところで、実用化されている光モジュール
の一つに同軸型光モジュールが知られている。同軸型光
モジュールの一例を図５に示す。図示のように、発光素
子として金属製パッケージ５０に設けられた半導体レー
ザー５１を用い、この半導体レーザー５１は基体５２上
に実装され、その出射光の一方を光ファイバ５４へ、他
方を同じく基体５２に実装された出力監視用の受光素子
５３へ出射する。
の一つに同軸型光モジュールが知られている。同軸型光
モジュールの一例を図５に示す。図示のように、発光素
子として金属製パッケージ５０に設けられた半導体レー
ザー５１を用い、この半導体レーザー５１は基体５２上
に実装され、その出射光の一方を光ファイバ５４へ、他
方を同じく基体５２に実装された出力監視用の受光素子
５３へ出射する。
【０００４】このような同軸型光モジュールの場合、光
ファイバ５４は半導体レーザー５１を発光させた状態で
光ファイバ５４へ入力する光出力をモニターしながら３
軸調整（アクティブアライメントと言う）した後に、金
属製部品をＹＡＧレーザーで溶接固定しなければならな
い。このため、調整時間とＹＡＧレーザー溶接固定に要
する部品の費用がかかるので、低コスト化の支障となっ
ている。
ファイバ５４は半導体レーザー５１を発光させた状態で
光ファイバ５４へ入力する光出力をモニターしながら３
軸調整（アクティブアライメントと言う）した後に、金
属製部品をＹＡＧレーザーで溶接固定しなければならな
い。このため、調整時間とＹＡＧレーザー溶接固定に要
する部品の費用がかかるので、低コスト化の支障となっ
ている。
【０００５】その他に実現化されている光モジュールと
して表面実装型光モジュールが知られている。この表面
実装光モジュールの一例を図６に示す。図示のように、
実装基体６０に光ファイバ６２を設置する断面Ｖ字形状
のＶ溝６３、半導体レーザー６１を設置する凹部をそれ
ぞれ設け、これらの光部品を機械的に配置するだけの実
装方式（パッシブアライメント）が用いられている。こ
のパッシブアライメントでは光出力をモニターしないの
で、アライメントが簡略化できコストを低減できる。
して表面実装型光モジュールが知られている。この表面
実装光モジュールの一例を図６に示す。図示のように、
実装基体６０に光ファイバ６２を設置する断面Ｖ字形状
のＶ溝６３、半導体レーザー６１を設置する凹部をそれ
ぞれ設け、これらの光部品を機械的に配置するだけの実
装方式（パッシブアライメント）が用いられている。こ
のパッシブアライメントでは光出力をモニターしないの
で、アライメントが簡略化できコストを低減できる。
【０００６】前述した同軸型光モジュール、表面実装型
光モジュールのどちらの場合でも、半導体レーザーがＦ
ａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔレーザーや分布負帰還型レーザー
（ＤＦＢレーザー）などの端面発光型レーザーを適用し
たものであるので、発光素子の表面（または裏面）に垂
直に発光する面発光レーザーを適用させようとすると、
出射光方向が異なるため、実装コストを低減させるパッ
シブアライメントを採用する表面実装型光モジュールを
作製することは困難である。
光モジュールのどちらの場合でも、半導体レーザーがＦ
ａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔレーザーや分布負帰還型レーザー
（ＤＦＢレーザー）などの端面発光型レーザーを適用し
たものであるので、発光素子の表面（または裏面）に垂
直に発光する面発光レーザーを適用させようとすると、
出射光方向が異なるため、実装コストを低減させるパッ
シブアライメントを採用する表面実装型光モジュールを
作製することは困難である。
【０００７】上述した小型・低コスト量産型の光モジュ
ールの要請に対する一つのアプローチとして、動作電流
や温度特性、光変換効率に優れ、生産プロセスがほぼモ
ノリシックな一貫製法で行なえ、しかも製品初期試験が
一括ででき、さらに低コスト化が図れる面発光レーザー
（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ ＳｕｒｆａｃｅＥ
ｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ ； ＶＣＳＥＬ）を光モ
ジュールに適用することが考えられる。
ールの要請に対する一つのアプローチとして、動作電流
や温度特性、光変換効率に優れ、生産プロセスがほぼモ
ノリシックな一貫製法で行なえ、しかも製品初期試験が
一括ででき、さらに低コスト化が図れる面発光レーザー
（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ ＳｕｒｆａｃｅＥ
ｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ ； ＶＣＳＥＬ）を光モ
ジュールに適用することが考えられる。
【０００８】しかし、端面発光型レーザーでは、一方の
出射光はファイバへ入射され、他方は出力監視用受光素
子に入射されるため、出射光の出力監視を行なうことが
できるのに対して、面発光レーザーにおいては、その出
射光は素子の表面（または裏面）に対し垂直な単一方向
のみであるので、これまで出力監視を行なうことが困難
であった上に、小型・低背化を図ることができななかっ
た。
出射光はファイバへ入射され、他方は出力監視用受光素
子に入射されるため、出射光の出力監視を行なうことが
できるのに対して、面発光レーザーにおいては、その出
射光は素子の表面（または裏面）に対し垂直な単一方向
のみであるので、これまで出力監視を行なうことが困難
であった上に、小型・低背化を図ることができななかっ
た。
【０００９】本発明は叙上に鑑みて完成されたものであ
り、その目的は面発光手段の出射光の光路変換する光モ
ジュールにおいて、光出力のモニターが容易にでき、し
かも作製が容易で、さらに小型・低背化が可能な優れた
光モジュールを提供することにある。
り、その目的は面発光手段の出射光の光路変換する光モ
ジュールにおいて、光出力のモニターが容易にでき、し
かも作製が容易で、さらに小型・低背化が可能な優れた
光モジュールを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光モジュールは、基体の一部を異方性エ
ッチングにより除去して、傾斜面と該傾斜面をはさむ非
エッチング面とを形成するとともに、前記基体の非エッ
チング面に前記傾斜面を跨ぐ状態で面発光手段をフリッ
プチップ方式で実装し、且つ前記面発光手段の出射光を
前記傾斜面にて光路変換させるように成したことを特徴
とする。なお、非エッチング面とは前記傾斜面を形成す
る際にエッチングされなかった面をいうものとし、その
前後において、エッチングされてもよいこととする。
めに、本発明の光モジュールは、基体の一部を異方性エ
ッチングにより除去して、傾斜面と該傾斜面をはさむ非
エッチング面とを形成するとともに、前記基体の非エッ
チング面に前記傾斜面を跨ぐ状態で面発光手段をフリッ
プチップ方式で実装し、且つ前記面発光手段の出射光を
前記傾斜面にて光路変換させるように成したことを特徴
とする。なお、非エッチング面とは前記傾斜面を形成す
る際にエッチングされなかった面をいうものとし、その
前後において、エッチングされてもよいこととする。
【００１１】また、前記傾斜面に前記面発光手段の出射
光をモニターし、反射させる受光手段を設けたことを特
徴とする。
光をモニターし、反射させる受光手段を設けたことを特
徴とする。
【００１２】また、前記基体の傾斜面が（１１１）面ま
たはその等価な面であり、且つ前記基体の非エッチング
面が（１００）面から［１１０］方向へ５°〜１５°
（より好適には、９°〜１１°、最適には９．７°）傾
斜させた面またはその等価な面であることを特徴とす
る。
たはその等価な面であり、且つ前記基体の非エッチング
面が（１００）面から［１１０］方向へ５°〜１５°
（より好適には、９°〜１１°、最適には９．７°）傾
斜させた面またはその等価な面であることを特徴とす
る。
【００１３】さらに、前記基体に、前記面発光手段の出
射光を前記基体の傾斜面により光路変換させて入射させ
る光導波体を配設することを特徴とする。
射光を前記基体の傾斜面により光路変換させて入射させ
る光導波体を配設することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。な
お、詳細な配線等については図示を省略している。
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。な
お、詳細な配線等については図示を省略している。
【００１５】図１に本発明に係る光モジュールを示す。
図２に異方性エッチングで形成した基体の斜視図を示
し、図３に面発光手段の配設前の様子を説明する斜視図
を示す。
図２に異方性エッチングで形成した基体の斜視図を示
し、図３に面発光手段の配設前の様子を説明する斜視図
を示す。
【００１６】高低差のある基体１０の上面が後記する面
発光レーザー１９の外形に合わせた高位置部１８の一部
を、アルカリ水溶液等による異方性エッチングにより除
去して、高位置部１８における中央を傾斜面１１とし、
この傾斜面１１をはさむ上面が非エッチング面１３とす
る。なお、非エッチング面とは前記傾斜面を形成する際
にエッチングされなかった面をいうものとし、その前後
において、エッチングされてもよい。
発光レーザー１９の外形に合わせた高位置部１８の一部
を、アルカリ水溶液等による異方性エッチングにより除
去して、高位置部１８における中央を傾斜面１１とし、
この傾斜面１１をはさむ上面が非エッチング面１３とす
る。なお、非エッチング面とは前記傾斜面を形成する際
にエッチングされなかった面をいうものとし、その前後
において、エッチングされてもよい。
【００１７】また、基体１０の高位置部１８の上面に位
置合わせマーカー１５が、同様な異方性エッチングによ
り断面Ｖ字状に凹部に形成される。この基体１０の非エ
ッチング面１３に、傾斜面１１を跨ぐ状態で面発光手段
である面発光レーザー１９をフリップチップ方式で位置
合わせマーカー１５を目印として位置合わせ実装し、こ
の面発光レーザー１９からの出射光を傾斜面１１にて光
路変換させるように成している。
置合わせマーカー１５が、同様な異方性エッチングによ
り断面Ｖ字状に凹部に形成される。この基体１０の非エ
ッチング面１３に、傾斜面１１を跨ぐ状態で面発光手段
である面発光レーザー１９をフリップチップ方式で位置
合わせマーカー１５を目印として位置合わせ実装し、こ
の面発光レーザー１９からの出射光を傾斜面１１にて光
路変換させるように成している。
【００１８】ここで、傾斜面１１に面発光レーザー１９
の出射光をモニターし、且つ光反射させる作用をなす受
光手段であるフォトダイオード等の出力監視用受光素子
１４を形成する。
の出射光をモニターし、且つ光反射させる作用をなす受
光手段であるフォトダイオード等の出力監視用受光素子
１４を形成する。
【００１９】基体１０は半導体材料の単結晶シリコン、
またはそれと同様な結晶構造で同様に異方性エッチング
される材料（例えば、単結晶ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ））から成るとともに、特にエッチングで形成される
傾斜面１１が（１１１）面、またはその等価な面であ
り、且つ基体１０の非エッチング面１３が（１００）面
から［１１０］方向へ５°〜１５°（より好適には、９
°〜１１°、最適には９．７°）傾斜させた面、または
その等価な面とし、傾斜面を水平面に対し約４０°〜５
０°（最適には４５°）傾斜するように形成させる。
またはそれと同様な結晶構造で同様に異方性エッチング
される材料（例えば、単結晶ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ））から成るとともに、特にエッチングで形成される
傾斜面１１が（１１１）面、またはその等価な面であ
り、且つ基体１０の非エッチング面１３が（１００）面
から［１１０］方向へ５°〜１５°（より好適には、９
°〜１１°、最適には９．７°）傾斜させた面、または
その等価な面とし、傾斜面を水平面に対し約４０°〜５
０°（最適には４５°）傾斜するように形成させる。
【００２０】また、基体１０の低位置部１２には、上記
と同様な異方性エッチングにより、光ファイバ２０を設
置するＶ溝１７を形成する。さらに、図３に示すよう
に、基体１０の上面に電極１６を形成する。
と同様な異方性エッチングにより、光ファイバ２０を設
置するＶ溝１７を形成する。さらに、図３に示すよう
に、基体１０の上面に電極１６を形成する。
【００２１】また、面発光レーザー１９は、図４に示す
ように、単結晶シリコン基板の中心部に発光素子として
レーザー素子４３を配設したものである。シリコン基板
には基体１０とフリップチップ接続を取るためバンプ４
１とレーザー素子４３との電極配線４０が設けられてい
る。また、レーザー素子４３を位置合わせ実装するため
の位置合わせマーカー４２が異方性エッチングにより凹
部に形成されている。
ように、単結晶シリコン基板の中心部に発光素子として
レーザー素子４３を配設したものである。シリコン基板
には基体１０とフリップチップ接続を取るためバンプ４
１とレーザー素子４３との電極配線４０が設けられてい
る。また、レーザー素子４３を位置合わせ実装するため
の位置合わせマーカー４２が異方性エッチングにより凹
部に形成されている。
【００２２】かくして、図４に示す面発光レーザー１９
を基体１０の高位置部１８にフリップチップ方式で正確
に且つ迅速に実装することができ、これにより、図１に
示す光モジュールが簡便に作製でき、面発光レーザー１
９からの出射光は所定角度で形成された傾斜面１１によ
り一定角度（略９０°またはそれに近い角度）で光路変
換した後に、光ファイバ２０へ効率よく入射させること
ができる。
を基体１０の高位置部１８にフリップチップ方式で正確
に且つ迅速に実装することができ、これにより、図１に
示す光モジュールが簡便に作製でき、面発光レーザー１
９からの出射光は所定角度で形成された傾斜面１１によ
り一定角度（略９０°またはそれに近い角度）で光路変
換した後に、光ファイバ２０へ効率よく入射させること
ができる。
【００２３】また、基体１０を半導体材料とし、この傾
斜面１１に出力監視用受光素子１４を形成することによ
り、出射が単一方向のみの面発光レーザー１９におい
て、好適な出力監視が可能になる。
斜面１１に出力監視用受光素子１４を形成することによ
り、出射が単一方向のみの面発光レーザー１９におい
て、好適な出力監視が可能になる。
【００２４】さらに、面発光レーザー１９を基体１０に
フリップチップ方式で実装することにより、パッシブア
ライメントが容易に行なえ、しかも低背化・小型化を実
現した優れた表面実装型光モジュールを提供することが
できる。
フリップチップ方式で実装することにより、パッシブア
ライメントが容易に行なえ、しかも低背化・小型化を実
現した優れた表面実装型光モジュールを提供することが
できる。
【００２５】なお、例えば光伝送路として基体１０の低
位置部１２に作製した光導波路等を適用してもよいし、
また、面発光手段として発光部が複数ある発光装置等を
用いてもよい。また、傾斜面１１に別体のフォトダイオ
ード等の受光手段（素子）を配設するようにしてもよ
く、基体１０の非エッチング面に傾斜面を跨ぐ状態で面
発光手段をフリップチップ方式で実装し、且つ面発光手
段の出射光を傾斜面にて光路変換させるように成したも
のであれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更
実施が可能である。
位置部１２に作製した光導波路等を適用してもよいし、
また、面発光手段として発光部が複数ある発光装置等を
用いてもよい。また、傾斜面１１に別体のフォトダイオ
ード等の受光手段（素子）を配設するようにしてもよ
く、基体１０の非エッチング面に傾斜面を跨ぐ状態で面
発光手段をフリップチップ方式で実装し、且つ面発光手
段の出射光を傾斜面にて光路変換させるように成したも
のであれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更
実施が可能である。
【００２６】
【実施例】次に、本発明をより具体化した実施例につい
て図１〜図４に基づいて説明する。
て図１〜図４に基づいて説明する。
【００２７】基体１０は単結晶シリコン基板からなり、
ホウ素を１×１０21〜１×１０22ａｔｏｍ／ｃｍ3程度
含有するｐ型の半導体とし、（１１０）面から［１１
０］方向へ９．７°傾斜させた面を主面するものを用い
た。
ホウ素を１×１０21〜１×１０22ａｔｏｍ／ｃｍ3程度
含有するｐ型の半導体とし、（１１０）面から［１１
０］方向へ９．７°傾斜させた面を主面するものを用い
た。
【００２８】そして、フォトリソグラフィー工程におい
て、所定のフォトマスク、フォトレジストを用いてシリ
コン基板上にマスクパターンを形成し、強アルカリ水溶
液であるＫＯＨ水溶液でエッチングを行なった。このＫ
ＯＨ水溶液を用いた異方性エッチングを施すことによ
り、（１００）面から［１１０］方向へ５４．７°傾い
た（１１１）面が形成された。したがって、このような
９．７°の傾斜基板を用いることにより、正確に４５°
傾斜面をもつ傾斜面１１を形成できた。
て、所定のフォトマスク、フォトレジストを用いてシリ
コン基板上にマスクパターンを形成し、強アルカリ水溶
液であるＫＯＨ水溶液でエッチングを行なった。このＫ
ＯＨ水溶液を用いた異方性エッチングを施すことによ
り、（１００）面から［１１０］方向へ５４．７°傾い
た（１１１）面が形成された。したがって、このような
９．７°の傾斜基板を用いることにより、正確に４５°
傾斜面をもつ傾斜面１１を形成できた。
【００２９】ここで再度、フォトリソグラフィー工程に
てマスク形成を行い、段差エッチングを行うことによ
り、低位置部１２におけるＶ溝１７と高位置部１８にお
ける位置合わせマーカー１５を形成した。Ｖ溝１７は高
精度のダイシングカッターを用いて形成した。
てマスク形成を行い、段差エッチングを行うことによ
り、低位置部１２におけるＶ溝１７と高位置部１８にお
ける位置合わせマーカー１５を形成した。Ｖ溝１７は高
精度のダイシングカッターを用いて形成した。
【００３０】次に、傾斜面１１の一部にｎ型領域を形成
するため、再びフォトリソグラフィー工程にてマスクパ
ターン形成を行い、傾斜面１１にイオン注入を行うこと
により、砒素を１×１０21〜22ａｔｏｍ／ｃｍ3含有す
るｎ型領域を形成した。これにより、出力監視用受光素
子１４を形成できた。
するため、再びフォトリソグラフィー工程にてマスクパ
ターン形成を行い、傾斜面１１にイオン注入を行うこと
により、砒素を１×１０21〜22ａｔｏｍ／ｃｍ3含有す
るｎ型領域を形成した。これにより、出力監視用受光素
子１４を形成できた。
【００３１】その後、プラズマＣＶＤにより基体１０に
パッシベーション膜としてＳｉＮｘ膜を形成し、マスク
パターン形成後、金蒸着工程を経て電極１６を形成し
た。
パッシベーション膜としてＳｉＮｘ膜を形成し、マスク
パターン形成後、金蒸着工程を経て電極１６を形成し
た。
【００３２】また、面発光レーザー１９は、単結晶シリ
コン基板上にパッシベーションＳｉＮｘ膜、電極配線４
０とバンプ４１、位置合わせ用のマーカー４２を形成し
たものに、レーザー素子４３を実装して作製した。
コン基板上にパッシベーションＳｉＮｘ膜、電極配線４
０とバンプ４１、位置合わせ用のマーカー４２を形成し
たものに、レーザー素子４３を実装して作製した。
【００３３】最後に、面発光レーザー１９を光モジュー
ルの基体１０の位置合わせマーカー１５を用いてフリッ
プチップ方式で高精度に実装できた。
ルの基体１０の位置合わせマーカー１５を用いてフリッ
プチップ方式で高精度に実装できた。
【００３４】かくして、本実施例において面発光レーザ
ー１９をフリップチップ実装することにより、面発光レ
ーザー１９での出射光は傾斜面１１に形成した出力監視
用受光素子１４により、モニターされるとともに、光路
変換されて、光ファイバ２０へ高効率で入射させること
ができた。
ー１９をフリップチップ実装することにより、面発光レ
ーザー１９での出射光は傾斜面１１に形成した出力監視
用受光素子１４により、モニターされるとともに、光路
変換されて、光ファイバ２０へ高効率で入射させること
ができた。
【００３５】また、傾斜面１１にフォトダイオードであ
る出力監視用受光素子１４を形成することにより、出射
が単一方向のみの面発光レーザーにおいて、出力監視が
可能な優れた光モジュールを提供できた。
る出力監視用受光素子１４を形成することにより、出射
が単一方向のみの面発光レーザーにおいて、出力監視が
可能な優れた光モジュールを提供できた。
【００３６】さらに、面発光レーザー１９を異方性エッ
チングで傾斜面を形成した基体１０にフリップチップ方
式で実装することにより、パッシブアライメント可能な
低背・小型の表面実装型光モジュールを提供できた。
チングで傾斜面を形成した基体１０にフリップチップ方
式で実装することにより、パッシブアライメント可能な
低背・小型の表面実装型光モジュールを提供できた。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明の光モジュール
は、基体の一部を異方性エッチングにより除去して、傾
斜面と該傾斜面をはさむ非エッチング面とを形成すると
ともに、基体の非エッチング面に傾斜面を跨ぐ状態で面
発光手段をフリップチップ方式で実装し、且つ面発光手
段の出射光を傾斜面にて光路変換させるように成した。
そして、傾斜面に面発光手段の出射光をモニターし、反
射させる受光手段を設けたので、発光装置の出射光の光
路変換する光傾斜面、または素子配設面を備えた光路変
換体を異方性エッチングにより容易に形成し、且つ高速
対応の面発光型の発光装置を実装した光モジュールを容
易に作製でき、しかも低背化を図った小型の光モジュー
ルを提供できる。さらに、面発光手段の光出力のモニタ
ーが容易にでき、性能の優れた光モジュールを提供する
ことができる。
は、基体の一部を異方性エッチングにより除去して、傾
斜面と該傾斜面をはさむ非エッチング面とを形成すると
ともに、基体の非エッチング面に傾斜面を跨ぐ状態で面
発光手段をフリップチップ方式で実装し、且つ面発光手
段の出射光を傾斜面にて光路変換させるように成した。
そして、傾斜面に面発光手段の出射光をモニターし、反
射させる受光手段を設けたので、発光装置の出射光の光
路変換する光傾斜面、または素子配設面を備えた光路変
換体を異方性エッチングにより容易に形成し、且つ高速
対応の面発光型の発光装置を実装した光モジュールを容
易に作製でき、しかも低背化を図った小型の光モジュー
ルを提供できる。さらに、面発光手段の光出力のモニタ
ーが容易にでき、性能の優れた光モジュールを提供する
ことができる。
【図１】本発明に係る光モジュールを模式的に説明する
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明に係る光モジュールに使用される基体を
模式的に説明する斜視図である。
模式的に説明する斜視図である。
【図３】本発明に係る光モジュールにおいて面発光手段
の配設前の様子を説明する斜視図である。
の配設前の様子を説明する斜視図である。
【図４】本発明に係る面発光手段の光出射側の面を模式
的に説明する斜視図である。
的に説明する斜視図である。
【図５】従来の光モジュールを説明する断面図である。
【図６】従来の他の光モジュールを説明する断面図であ
る。
る。
１０：基体
１１：傾斜面（傾斜面）
１２：ベンチ部
１３：非エッチング面
１４：出力監視用受光素子
１５：位置合わせ用マーカー
１６：電極配線
１７：Ｖ溝
１９：面発光レーザー
２０：光ファイバ
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA31 CA37
DA03 DA04 DA06 DA12
5F073 AB17 AB28 BA02 DA21 FA02
FA13 FA30
5F089 AA01 AC02 AC10 CA14 EA10
Claims (4)
- 【請求項１】 基体の一部を異方性エッチングにより除
去して、傾斜面と該傾斜面をはさむ非エッチング面とを
形成するとともに、前記基体の非エッチング面に前記傾
斜面を跨ぐ状態で面発光手段をフリップチップ方式で実
装し、且つ前記面発光手段の出射光を前記傾斜面にて光
路変換させるように成したことを特徴とする光モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記傾斜面に前記面発光手段の出射光を
モニターし、且つ反射させる受光手段を設けたことを特
徴とする請求項１に記載の光モジュール。 - 【請求項３】 前記基体の傾斜面が（１１１）面または
その等価な面であり、且つ前記基体の非エッチング面が
（１００）面から［１１０］方向へ５°〜１５°傾斜さ
せた面またはその等価な面であることを特徴とする請求
項１または２に記載の光モジュール。 - 【請求項４】 前記基体に、前記面発光手段の出射光を
前記基体の傾斜面により光路変換させて入射させる光導
波体を配設することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002020776A JP2003222765A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002020776A JP2003222765A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003222765A true JP2003222765A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27744179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002020776A Pending JP2003222765A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003222765A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091472A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気変換装置 |
| WO2021065436A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置、および受光装置 |
-
2002
- 2002-01-29 JP JP2002020776A patent/JP2003222765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091472A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気変換装置 |
| WO2021065436A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置、および受光装置 |
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Legal Events
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