JP2545800Y2 - 発光ダイオード装置 - Google Patents

発光ダイオード装置

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JP2545800Y2
JP2545800Y2 JP5505591U JP5505591U JP2545800Y2 JP 2545800 Y2 JP2545800 Y2 JP 2545800Y2 JP 5505591 U JP5505591 U JP 5505591U JP 5505591 U JP5505591 U JP 5505591U JP 2545800 Y2 JP2545800 Y2 JP 2545800Y2
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潔 太田
和幸 古賀
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Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本校案は発光ダイオード装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードはランプや発光表示器等
に多く使用されている。
【０００３】このうち、半導体材料としての炭化ケイ素
(ＳｉＣ)は多くの結晶多形をもち、各結晶多形に対し
て、２．３９〜３．３３ｅＶと種々のバンドギャップを
有し、ｐｎ接合も形成可能であることから、種々の可視
光を発する発光ダイオードに用いられる。なかでも、６
Ｈ形のＳｉＣは青色発光ダイオード材料として用いられ
る。
【０００４】図６は斯る６Ｈ形ＳｉＣを用いた発光ダイ
オード装置を示し、例えば特開平２−１１３６０号公報
に開示されている。
【０００５】図において、(１)は発光ダイオード素子を
示し、(２)はｎ型ＳｉＣからなる基板、(３)は基板(２)
上に積層されたｎ型ＳｉＣからなるｎ型層、(４)はｎ型
層(３)上に積層されたｐ型ＳｉＣからなるｐ型層、(５)
はｐ型層(４)上に形成されたＡｌ−Ｓｉからなるｐ側電
極、(６)は基板(２)の裏面上に部分的に形成されたＮｉ
からなるｎ側電極である。
【０００６】斯る発光ダイオード素子(１)では、そのｎ
型層(３)にドナーと共にアクセプタが添加され、斯るｎ
型層(３)が発光層となり、そのドナー−アクセプタ間の
準位によって青色光が得られる。
【０００７】(７)はその一端に反射部(7a)と載置部(7b)
が設けられた導電性のステムで、載置部(7b)には、銀ペ
ースト等の導電性接着剤(８)を介して発光ダイオード素
子(１)がそのｐｎ接合側、即ちｐ側電極(５)側で載置固
着されている。また、ｎ側電極(６)は図示していないリ
ードとワイヤボンド接続される。
【０００８】一般に、ＳｉＣ単結晶においては、ｐ型の
ものよりもｎ型のもののほうが光透過率が高い。このた
め、斯るＳｉＣ発光ダイオード装置では、ｐ型層(４)側
でステム(７)に固着することによって、ｎ型層(３)で生
じた光を、光透過率の高い基板(２)側から有効に取り出
すことができる。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】しかるに、斯るＳｉＣ
発光ダイオード装置においては、そのｐ型層(４)が数μ
ｍ程度の厚さであるため、発光ダイオード素子(１)とス
テム(７)との間からはみ出した導電性接着剤(８)によっ
て、素子側面に露出するｐｎ接合が短絡し易い。
【００１０】そこで、この短絡事故を防止するため、素
子側面に絶縁膜を形成することが考えられるが、斯る絶
縁膜の形成は、各々の素子を分離した状態で、対向する
面に夫々行わなければならないので製造工程を煩雑とす
る。
【００１１】従って、本考案は、煩雑な製造工程を必要
とすることなく、発光ダイオード素子(１)をそのｐｎ接
合側でステム(７)に固着する際、ｐｎ接合の短絡事故を
防止できる発光ダイオード装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本考案は、半導体基板の
一主面に形成された凸状表面に沿ってｐｎ接合が設けら
れた発光ダイオード素子を、そのｐｎ接合側表面でステ
ムに固着したことを特徴とする。
【００１３】
【作用】本考案装置によれば、半導体基板の一主面に形
成した凸状表面に沿ってｐｎ接合を設けることによっ
て、発光ダイオード素子側面に露出するｐｎ接合が素子
の接合側表面、即ちステムの載置面から離れることとな
る。
【００１４】
【実施例】図１に本考案装置の一実施例を示す。図にお
いて、図６の従来装置と同じものには同番号を付し、説
明を省略する。
【００１５】本実施例装置の従来装置と異なるところ
は、発光ダイオード素子(１)において、基板(２)の一主
面に凸部(2a)が形成され、この基板(２)の凸状表面上
に、ｎ型層(３)及びｐ型層(４)が略一様な厚さで順次積
層されていることである。
【００１６】斯る発光ダイオード素子(１)は以下のよう
に製造される。
【００１７】先ず、図２(ａ)に示す如く、ウェハ状態の
基板(２)の一主面上に、Ｎｉ膜(９)を１μｍ程度の厚さ
で選択的に島状に形成し、これをマスクとして、５００
℃のＫＯＨからなる溶融塩で５０μｍ程度エッチング
し、凸部(2a)を形成する。
【００１８】次に、Ｎｉ膜(９)を除去した後、図２(ｂ)
に示す如く、周知の液相エピタキシャル法を用いて、基
板(２)の凸部(2a)が形成された表面に沿って、ｎ型層
(３)とｐ型層(４)を夫々一様な厚さで順次積層する。
【００１９】最後に、図２(ｃ)に示す如く、ｐ型層(４)
上にｐ側電極(５)、基板(２)の裏面にｎ側電極(６)を夫
々形成し、図中の破線に沿って分離することによって、
個々の発光ダイオード素子(１)が製造され、これをｐｎ
接合側表面、即ちｐ側電極(５)側でステム(７)に載置固
着して、図１の発光ダイオード装置が得られる。
【００２０】斯る発光ダイオード素子(１)では、ｐｎ接
合面が基板(２)に形成された凸部(2a)に沿って屈曲して
いるため、発光ダイオード素子(１)側面に露出するｐｎ
接合は、図１に示すように、ステム(７)の載置部(7b)か
ら離れることとなる。従って、斯る実施例装置では、発
光ダイオード素子(１)とステム(７)との間から導電性接
着剤(８)がはみ出しても、導電性接着剤(８)はｐｎ接合
まで達しにくくなるため、短絡事故は防止される。
【００２１】図３及び図４は夫々発光ダイオード素子
(１)の他の実施例を示し、図３はｐ側電極(５)をｐ型層
(４)の平坦部(4a)のみならず傾斜部(4b)まで形成したも
ので、図４はｐ型層(４)の傾斜部(4b)にＳｉＯ2膜、金
属膜を順次積層した反射膜(10)を形成したものである。
【００２２】これらの実施例では、ｎ型層(３)で生じ、
発光ダイオード素子(１)の側面に向かう光が、ｐ型層
(４)の傾斜部(4b)上に設けられたｐ側電極(５)あるいは
反射膜(10)によって反射し、基板(２)を通って上方に取
り出されるので、ステム(７)の反射部(7a)は省略でき
る。
【００２３】図５は発光ダイオード素子(１)のさらに他
の実施例を示し、基板(２)の凸部(2a)をドライエッチン
グ等の異方性エッチングで形成したものである。斯る実
施例においてもｐｎ接合はステム(７)の載置面(7a)から
離れるので、はみ出した導電性接着剤(８)による短絡事
故は起こらない。
【００２４】
【考案の効果】本考案装置によれば、発光ダイオード素
子側面に露出するｐｎ接合が素子の接合側表面、即ちス
テムとの載置面から離れるので、はみ出した導電性接着
剤によるｐｎ接合の短絡が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】本実施例の発光ダイオード素子を製造する方法
を説明するための工程別断面図である。
【図３】本考案装置に用いる発光ダイオード素子の他の
実施例を示す断面図である。
【図４】本考案装置に用いる発光ダイオード素子のさら
に他の実施例を示す断面図である。
【図５】本考案装置に用いる発光ダイオード素子のさら
に他の実施例を示す断面図である。
【図６】従来装置を示す断面図である。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の一主面に形成された凸状表
    面に沿ってｐｎ接合が設けられた発光ダイオード素子
    を、そのｐｎ接合側表面でステムに固着したことを特徴
    とする発光ダイオード装置。
JP5505591U 1991-07-16 1991-07-16 発光ダイオード装置 Expired - Lifetime JP2545800Y2 (ja)

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JPH058958U JPH058958U (ja) 1993-02-05
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JP3988429B2 (ja) * 2001-10-10 2007-10-10 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
JP7083230B2 (ja) * 2016-05-10 2022-06-10 ローム株式会社 半導体発光素子

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