JPH11186614A - チップ型ｌｅｄ - Google Patents
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- JPH11186614A JPH11186614A JP35281997A JP35281997A JPH11186614A JP H11186614 A JPH11186614 A JP H11186614A JP 35281997 A JP35281997 A JP 35281997A JP 35281997 A JP35281997 A JP 35281997A JP H11186614 A JPH11186614 A JP H11186614A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤ発光素子から下方向に放出された光が
プリント配線基板に吸収されないようにすることで、チ
ップ型ＬＥＤの発光効率を高くする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。プリント配線基板２は透光性材料からなり、プリン
ト配線基板２の下側の面には反射材８であるＡｇメッキ
が形成されている。光はプリント配線基板２を透過して
反射材８によって上方向に反射されるので、チップ型Ｌ
ＥＤ１０の発光効率は向上する。
プリント配線基板に吸収されないようにすることで、チ
ップ型ＬＥＤの発光効率を高くする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。プリント配線基板２は透光性材料からなり、プリン
ト配線基板２の下側の面には反射材８であるＡｇメッキ
が形成されている。光はプリント配線基板２を透過して
反射材８によって上方向に反射されるので、チップ型Ｌ
ＥＤ１０の発光効率は向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、表示用や光情報
伝送用の光源等に利用されるチップ型ＬＥＤに関するも
のである。
伝送用の光源等に利用されるチップ型ＬＥＤに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型ＬＥＤは、プリント配線基板上
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図６に示されるチップ型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ
発光素子１の表面に形成された電極５，６が導電材（図
示略）によってプリント配線基板１２上の配線パターン
９と電気的に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、い
わゆるフェースダウンの状態でプリント配線基板１２に
実装されて、エポキシ樹脂１１で封止されている。
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図６に示されるチップ型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ
発光素子１の表面に形成された電極５，６が導電材（図
示略）によってプリント配線基板１２上の配線パターン
９と電気的に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、い
わゆるフェースダウンの状態でプリント配線基板１２に
実装されて、エポキシ樹脂１１で封止されている。
【０００３】ＬＥＤ発光素子１が青色発光素子のように
透明基板（サファイア基板）を含む場合、図７に示され
るように、ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，
Ｐ3から上方向に放出された光７は、サファイア基板
（図示略）を透過してからエポキシ樹脂１１を一方向に
無駄なく透過して空気中に放出される。一方、発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光１７は、プリ
ント配線基板１２に達する。
透明基板（サファイア基板）を含む場合、図７に示され
るように、ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，
Ｐ3から上方向に放出された光７は、サファイア基板
（図示略）を透過してからエポキシ樹脂１１を一方向に
無駄なく透過して空気中に放出される。一方、発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光１７は、プリ
ント配線基板１２に達する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これまでプリント配線
基板１２は、ＢＴレジンやガラスエポキシ等の耐熱性樹
脂からなるものが主に使用されていた。上記耐熱性樹脂
は光をほとんど反射させないので、ＬＥＤ発光素子１内
部の発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光
１７はプリント配線基板１２で吸収されてしまう。この
ようにプリント配線基板１２に吸収される光１７がある
と、チップ型ＬＥＤの発光効率は低くなる。チップ型Ｌ
ＥＤの発光効率を高めるには、ＬＥＤ発光素子１から下
方向に放出された光１７がプリント配線基板１２等で吸
収されないようにする必要がある。
基板１２は、ＢＴレジンやガラスエポキシ等の耐熱性樹
脂からなるものが主に使用されていた。上記耐熱性樹脂
は光をほとんど反射させないので、ＬＥＤ発光素子１内
部の発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光
１７はプリント配線基板１２で吸収されてしまう。この
ようにプリント配線基板１２に吸収される光１７がある
と、チップ型ＬＥＤの発光効率は低くなる。チップ型Ｌ
ＥＤの発光効率を高めるには、ＬＥＤ発光素子１から下
方向に放出された光１７がプリント配線基板１２等で吸
収されないようにする必要がある。
【０００５】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、ＬＥＤ発光素子から下方向に放
出された光がプリント配線基板に吸収されないようにす
ることで、チップ型ＬＥＤの発光効率を高くすることを
その課題としている。
出されたものであって、ＬＥＤ発光素子から下方向に放
出された光がプリント配線基板に吸収されないようにす
ることで、チップ型ＬＥＤの発光効率を高くすることを
その課題としている。
【０００６】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００７】すなわち、本願発明は、プリント配線基板
の上面側にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチ
ップ型ＬＥＤにおいて、上記プリント配線基板は透光性
材料からなり、上記プリント配線基板の下面側には反射
材が形成されていることを特徴としている。
の上面側にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチ
ップ型ＬＥＤにおいて、上記プリント配線基板は透光性
材料からなり、上記プリント配線基板の下面側には反射
材が形成されていることを特徴としている。
【０００８】本願発明は、プリント配線基板を透光性材
料にすることによって、ＬＥＤ発光素子から下方向に放
出された光がプリント配線基板で吸収されないようにし
ている。さらに、本願発明ではプリント配線基板の下面
側に反射材を形成しているので、プリント配線基板を透
過した光が反射材によって反射され、封止体を介して空
気中に放出されることになる。プリント配線基板で吸収
される光がなくなり、空気中に放出される光が多くなる
のでチップ型ＬＥＤは、発光効率に優れたものとなる。
料にすることによって、ＬＥＤ発光素子から下方向に放
出された光がプリント配線基板で吸収されないようにし
ている。さらに、本願発明ではプリント配線基板の下面
側に反射材を形成しているので、プリント配線基板を透
過した光が反射材によって反射され、封止体を介して空
気中に放出されることになる。プリント配線基板で吸収
される光がなくなり、空気中に放出される光が多くなる
のでチップ型ＬＥＤは、発光効率に優れたものとなる。
【０００９】本願発明の好ましい実施形態として、プリ
ント配線基板は、ガラスからなるものとしている。具体
的にはガラス基板の表面に配線パターンが形成されたも
のである。ガラスは透光性が高いので、プリント配線基
板がガラス基板である場合、ＬＥＤ発光素子から下方向
に放出された光が反射材に到達しやすくなる。反射材に
到達した光は反射されて空気中に放出されるので、チッ
プ型ＬＥＤの発光効率が高められる。
ント配線基板は、ガラスからなるものとしている。具体
的にはガラス基板の表面に配線パターンが形成されたも
のである。ガラスは透光性が高いので、プリント配線基
板がガラス基板である場合、ＬＥＤ発光素子から下方向
に放出された光が反射材に到達しやすくなる。反射材に
到達した光は反射されて空気中に放出されるので、チッ
プ型ＬＥＤの発光効率が高められる。
【００１０】上記反射材は、Ａｇからなるものが好まし
い。Ａｇは反射率が高く、光を吸収することがない。Ａ
ｇからなる反射材として、具体的にＡｇメッキが挙げら
れる。プリント配線基板の下側の面に設けられたＡｇメ
ッキは、プリント配線基板内を透過してきた光を反射さ
せる。反射材をＡｇメッキにすることによって、光の反
射率が高くなるので、チップ型ＬＥＤの発光効率は高く
なる。
い。Ａｇは反射率が高く、光を吸収することがない。Ａ
ｇからなる反射材として、具体的にＡｇメッキが挙げら
れる。プリント配線基板の下側の面に設けられたＡｇメ
ッキは、プリント配線基板内を透過してきた光を反射さ
せる。反射材をＡｇメッキにすることによって、光の反
射率が高くなるので、チップ型ＬＥＤの発光効率は高く
なる。
【００１１】本願発明の実施形態として、上記ＬＥＤ発
光素子は、透明基板上に、発光層を含んだ半導体層が積
層されている発光素子とする。ＬＥＤ発光素子の構造は
ＭＩＳ構造でも、ｐｎ接合構造でもよい。ＬＥＤ発光素
子は透明基板を含んでいる。従って、この透明基板をプ
リント配線基板と実装しても、ＬＥＤ発光素子を裏返し
てフェースダウンの状態でプリント配線基板と実装して
も、発光層から発せられた光の一部をプリント配線基板
に導くことができる。
光素子は、透明基板上に、発光層を含んだ半導体層が積
層されている発光素子とする。ＬＥＤ発光素子の構造は
ＭＩＳ構造でも、ｐｎ接合構造でもよい。ＬＥＤ発光素
子は透明基板を含んでいる。従って、この透明基板をプ
リント配線基板と実装しても、ＬＥＤ発光素子を裏返し
てフェースダウンの状態でプリント配線基板と実装して
も、発光層から発せられた光の一部をプリント配線基板
に導くことができる。
【００１２】このように、本願発明は、プリント配線基
板を透光性材料にすることによって、ＬＥＤ発光素子か
ら下方向に放出された光がプリント配線基板を透過でき
るようにし、プリント配線基板内を透過してきた光を反
射材で上方向に反射させるものである。ＬＥＤ発光素子
から放出された光がプリント配線基板に吸収されること
がなくなり、上方向に反射される光が増えるので、本願
発明に係るチップ型ＬＥＤは従来よりも発光効率が高い
ものとなる。発光効率の高められたチップ型ＬＥＤで表
示される文字等は、従来のチップ型ＬＥＤで表示される
文字よりも見やすいものとなる。また、本願発明に係る
チップ型ＬＥＤを光情報伝送用光源にすれば、光通信を
効率良く行うことができる。
板を透光性材料にすることによって、ＬＥＤ発光素子か
ら下方向に放出された光がプリント配線基板を透過でき
るようにし、プリント配線基板内を透過してきた光を反
射材で上方向に反射させるものである。ＬＥＤ発光素子
から放出された光がプリント配線基板に吸収されること
がなくなり、上方向に反射される光が増えるので、本願
発明に係るチップ型ＬＥＤは従来よりも発光効率が高い
ものとなる。発光効率の高められたチップ型ＬＥＤで表
示される文字等は、従来のチップ型ＬＥＤで表示される
文字よりも見やすいものとなる。また、本願発明に係る
チップ型ＬＥＤを光情報伝送用光源にすれば、光通信を
効率良く行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて、添付図面を参照して説明する。
いて、添付図面を参照して説明する。
【００１４】図１は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主としてプリント配線基板２と、Ｌ
ＥＤ発光素子１とから構成されている。プリント配線基
板２は透光性材料であり、配線パターン９を有してい
る。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，
６が導電材（図示略）によって配線パターン９と電気的
に接続され、ＬＥＤ発光素子１がプリント配線基板２上
にフェースダウンの状態で実装される。プリント配線基
板２の下側の面には反射材８であるＡｇメッキが形成さ
れており、Ａｇメッキは絶縁材１３によって覆われてい
る。プリント配線基板２上のＬＥＤ発光素子１は、透明
なエポキシ樹脂１１で封止されている。
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主としてプリント配線基板２と、Ｌ
ＥＤ発光素子１とから構成されている。プリント配線基
板２は透光性材料であり、配線パターン９を有してい
る。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，
６が導電材（図示略）によって配線パターン９と電気的
に接続され、ＬＥＤ発光素子１がプリント配線基板２上
にフェースダウンの状態で実装される。プリント配線基
板２の下側の面には反射材８であるＡｇメッキが形成さ
れており、Ａｇメッキは絶縁材１３によって覆われてい
る。プリント配線基板２上のＬＥＤ発光素子１は、透明
なエポキシ樹脂１１で封止されている。
【００１５】上記プリント配線基板２は、ガラス基板に
配線パターン９が形成されたものである。ガラス基板の
表面に導電被膜を形成した後、この導電被膜に所定のパ
ターンエッチング処理を施すことによって、配線パター
ン９が形成される。ガラス基板の材質は特に問われるこ
とはないが、ソーダガラス等のアルカリを含む材質の場
合には、アルカリイオンの析出を防ぐためにガラス基板
と導電被膜との間にＳｉＯ2 （二酸化珪素）膜が設けら
れる。
配線パターン９が形成されたものである。ガラス基板の
表面に導電被膜を形成した後、この導電被膜に所定のパ
ターンエッチング処理を施すことによって、配線パター
ン９が形成される。ガラス基板の材質は特に問われるこ
とはないが、ソーダガラス等のアルカリを含む材質の場
合には、アルカリイオンの析出を防ぐためにガラス基板
と導電被膜との間にＳｉＯ2 （二酸化珪素）膜が設けら
れる。
【００１６】反射材８となるＡｇメッキは、プリント配
線基板２の下側の面、すなわちＬＥＤ発光素子１のボン
ディング面とは反対側の面に形成される。Ａｇメッキの
形成は、無電解メッキ法で行われる。
線基板２の下側の面、すなわちＬＥＤ発光素子１のボン
ディング面とは反対側の面に形成される。Ａｇメッキの
形成は、無電解メッキ法で行われる。
【００１７】上記チップ型ＬＥＤ１０におけるＬＥＤ発
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に接続されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に接続されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
【００１８】図３は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤ１
０の一部拡大断面図である。ＬＥＤ発光素子１内部の発
光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板２１（図２参照）を透過してからエ
ポキシ樹脂１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光１７は、プリ
ント配線基板２を透過していき、反射材８に到達する。
この光１７は、反射材８で反射されてエポキシ樹脂１１
を無駄なく透過していく。従って、チップ型ＬＥＤ１０
は発光効率に優れたものとなる。
０の一部拡大断面図である。ＬＥＤ発光素子１内部の発
光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板２１（図２参照）を透過してからエ
ポキシ樹脂１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光１７は、プリ
ント配線基板２を透過していき、反射材８に到達する。
この光１７は、反射材８で反射されてエポキシ樹脂１１
を無駄なく透過していく。従って、チップ型ＬＥＤ１０
は発光効率に優れたものとなる。
【００１９】チップ型ＬＥＤ１０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、ガラス基板の裏面に反射材８を形成
し、この反射材８を絶縁材１３で覆う。ガラス基板の表
面の適部に配線パターン９を形成してから、ガラス基板
に複数の溝をほり、溝の内面にも導電被膜を形成する。
次に、ＬＥＤ発光素子１の電極５，６と配線パターン９
とを電気的に接続し、ＬＥＤ発光素子１をいわゆるフェ
ースダウンの状態でガラス基板に実装する。実装工程終
了後、金型を被せてＬＥＤ発光素子１を覆う。金型に
は、封止体注入用の穴が開いている。この穴から液状の
エポキシ樹脂１１を金型内に流し込み、エポキシ樹脂１
１を固めてガラス基板に接合する。接合が終了してから
金型を取り外し、ガラス基板の棒状部分を溝に対して垂
直方向にカットすると、チップ型ＬＥＤ１０を複数得る
ことができる。
下に示す。先ず、ガラス基板の裏面に反射材８を形成
し、この反射材８を絶縁材１３で覆う。ガラス基板の表
面の適部に配線パターン９を形成してから、ガラス基板
に複数の溝をほり、溝の内面にも導電被膜を形成する。
次に、ＬＥＤ発光素子１の電極５，６と配線パターン９
とを電気的に接続し、ＬＥＤ発光素子１をいわゆるフェ
ースダウンの状態でガラス基板に実装する。実装工程終
了後、金型を被せてＬＥＤ発光素子１を覆う。金型に
は、封止体注入用の穴が開いている。この穴から液状の
エポキシ樹脂１１を金型内に流し込み、エポキシ樹脂１
１を固めてガラス基板に接合する。接合が終了してから
金型を取り外し、ガラス基板の棒状部分を溝に対して垂
直方向にカットすると、チップ型ＬＥＤ１０を複数得る
ことができる。
【００２０】上記実施形態においては、無電解メッキ法
で形成されたＡｇメッキを反射材８としているが、反射
材８は蒸着によって形成されたＡｇ薄膜でもよい。尚、
反射材８を形成する金属は反射率が高ければ、Ａｇに限
らず他の金属でもよい。例えばＡｌの蒸着膜が挙げられ
る。なお、ＬＥＤ発光素子１において、ｉ層２５（図２
参照）の表面に反射材８を形成してもよい。光１７が反
射材８で上方向に反射するので、チップ型ＬＥＤの発光
効率は高くなる。
で形成されたＡｇメッキを反射材８としているが、反射
材８は蒸着によって形成されたＡｇ薄膜でもよい。尚、
反射材８を形成する金属は反射率が高ければ、Ａｇに限
らず他の金属でもよい。例えばＡｌの蒸着膜が挙げられ
る。なお、ＬＥＤ発光素子１において、ｉ層２５（図２
参照）の表面に反射材８を形成してもよい。光１７が反
射材８で上方向に反射するので、チップ型ＬＥＤの発光
効率は高くなる。
【００２１】図４は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主としてプリント配線基
板２、ＬＥＤ発光素子１、ワイヤＷから構成されてい
る。プリント配線基板２は透光性材料であり、配線パタ
ーン９を有している。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成さ
れている電極５，６は、ワイヤＷによって配線パターン
９と電気的に接続している。プリント配線基板２の下側
の面には反射材８であるＡｇメッキが形成されており、
Ａｇメッキは絶縁材１３によって覆われている。ＬＥＤ
発光素子１は、透明性のエポキシ樹脂１１で封止されて
いる。
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主としてプリント配線基
板２、ＬＥＤ発光素子１、ワイヤＷから構成されてい
る。プリント配線基板２は透光性材料であり、配線パタ
ーン９を有している。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成さ
れている電極５，６は、ワイヤＷによって配線パターン
９と電気的に接続している。プリント配線基板２の下側
の面には反射材８であるＡｇメッキが形成されており、
Ａｇメッキは絶縁材１３によって覆われている。ＬＥＤ
発光素子１は、透明性のエポキシ樹脂１１で封止されて
いる。
【００２２】チップ型ＬＥＤ５０におけるプリント配線
基板２は、チップ型ＬＥＤ１０におけるプリント配線基
板と同じように、ガラス基板からなるものである。な
お、反射材８であるＡｇメッキも、チップ型ＬＥＤ１０
におけるＡｇメッキと同じように無電解メッキ法で形成
される。
基板２は、チップ型ＬＥＤ１０におけるプリント配線基
板と同じように、ガラス基板からなるものである。な
お、反射材８であるＡｇメッキも、チップ型ＬＥＤ１０
におけるＡｇメッキと同じように無電解メッキ法で形成
される。
【００２３】図５は、上記チップ型ＬＥＤ５０における
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９に接続されるサファイア基板６１上にはバッ
ファ層６２が形成されており、バッファ層６２上にはｎ
型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６５からな
る積層部６０が形成されている。ｎ型半導体層６３の表
面にはワイヤボンディング用の電極６が設けられ、ｐ型
半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用の電極５
が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１は、ＭＯＣ
ＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層６２〜６５
を成長させ、その後、電極５，６を形成することによっ
て得られる。
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９に接続されるサファイア基板６１上にはバッ
ファ層６２が形成されており、バッファ層６２上にはｎ
型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６５からな
る積層部６０が形成されている。ｎ型半導体層６３の表
面にはワイヤボンディング用の電極６が設けられ、ｐ型
半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用の電極５
が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１は、ＭＯＣ
ＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層６２〜６５
を成長させ、その後、電極５，６を形成することによっ
て得られる。
【００２４】ＬＥＤ発光素子５１から下方向に放出され
た光１７は、プリント配線基板２を透過していき、反射
材８に到達する。この光１７は、反射材８で反射されて
エポキシ樹脂１１を無駄なく透過していく。従って、チ
ップ型ＬＥＤ５０は、発光効率に優れたものとなる。
た光１７は、プリント配線基板２を透過していき、反射
材８に到達する。この光１７は、反射材８で反射されて
エポキシ樹脂１１を無駄なく透過していく。従って、チ
ップ型ＬＥＤ５０は、発光効率に優れたものとなる。
【００２５】チップ型ＬＥＤ５０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、ガラス基板の裏面に反射材８を形成
し、この反射材８を絶縁材で覆う。ガラス基板の表面の
適部に配線パターン９を形成してから、ガラス基板に複
数の溝をほり、溝の内面にも導体被膜を形成する。次
に、ＬＥＤ発光素子５１におけるサファイア基板６１を
ガラス基板にボンディングする。ＬＥＤ発光素子５１表
面に形成されている電極５，６にワイヤＷをボンディン
グし、ワイヤＷの他端部を配線パターン９にボンディン
グする。ワイヤボンディング終了後、金型を被せてガラ
ス基板上のＬＥＤ発光素子１およびワイヤＷを覆う。金
型には、封止体注入用の穴が開いている。この穴から液
状のエポキシ樹脂１１を金型内に流し込み、エポキシ樹
脂１１を固めてガラス基板に接合する。接合が終了して
から金型を取り外し、ガラス基板の棒状部分を溝に対し
て垂直方向にカットすると、チップ型ＬＥＤ５０を複数
得ることができる。
下に示す。先ず、ガラス基板の裏面に反射材８を形成
し、この反射材８を絶縁材で覆う。ガラス基板の表面の
適部に配線パターン９を形成してから、ガラス基板に複
数の溝をほり、溝の内面にも導体被膜を形成する。次
に、ＬＥＤ発光素子５１におけるサファイア基板６１を
ガラス基板にボンディングする。ＬＥＤ発光素子５１表
面に形成されている電極５，６にワイヤＷをボンディン
グし、ワイヤＷの他端部を配線パターン９にボンディン
グする。ワイヤボンディング終了後、金型を被せてガラ
ス基板上のＬＥＤ発光素子１およびワイヤＷを覆う。金
型には、封止体注入用の穴が開いている。この穴から液
状のエポキシ樹脂１１を金型内に流し込み、エポキシ樹
脂１１を固めてガラス基板に接合する。接合が終了して
から金型を取り外し、ガラス基板の棒状部分を溝に対し
て垂直方向にカットすると、チップ型ＬＥＤ５０を複数
得ることができる。
【００２６】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの実
施形態を説明したが、本願発明は、これらに限定され
ず、下記のように種々変形することが可能である。
施形態を説明したが、本願発明は、これらに限定され
ず、下記のように種々変形することが可能である。
【００２７】上記実施形態におけるＬＥＤ発光素子１，
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各部の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各部の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
【００２８】上記実施形態では、ＬＥＤ発光素子１，５
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
【００２９】上記実施形態では、プリント配線基板２の
材質はガラスであるが、透光性材料であれば、特にガラ
スに限定されることはない。
材質はガラスであるが、透光性材料であれば、特にガラ
スに限定されることはない。
【００３０】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤのい
くつかの実施例を説明したが、本願発明は、これらに限
定されず、特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変
形を施すことも可能であり、その中には各構成要素を均
等物で置換したものも含まれる。
くつかの実施例を説明したが、本願発明は、これらに限
定されず、特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変
形を施すことも可能であり、その中には各構成要素を均
等物で置換したものも含まれる。
【図１】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】図１に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図３】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一部拡大断面
図である。
図である。
【図４】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図５】図４に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図６】従来のチップ型ＬＥＤの一例を示す要部断面図
である。
である。
【図７】従来のチップ型ＬＥＤの一部拡大断面図であ
る。
る。
１ ＬＥＤ発光素子 ２ プリント配線基板 ５，６ 電極 ７，１７ 光 ８ 反射材 ９ 配線パターン １０ チップ型ＬＥＤ １１ エポキシ樹脂 １２ プリント配線基板 １３ 絶縁材 ５１ ＬＥＤ発光素子 ５０ チップ型ＬＥＤ Ｗ ワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】 プリント配線基板の上面側にＬＥＤ発光
素子がボンディングされているチップ型ＬＥＤにおい
て、 上記プリント配線基板は透光性材料からなり、 上記プリント配線基板の下面側には反射材が形成されて
いることを特徴とする、チップ型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 上記プリント配線基板は、ガラスからな
るものであることを特徴とする、請求項１に記載のチッ
プ型ＬＥＤ。 - 【請求項３】 上記反射材は、Ａｇからなるものである
ことを特徴とする、請求項１または２に記載のチップ型
ＬＥＤ。 - 【請求項４】 上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上に、
発光層を含んだ半導体層が積層されている発光素子であ
ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の
チップ型ＬＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35281997A JPH11186614A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | チップ型ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35281997A JPH11186614A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | チップ型ｌｅｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186614A true JPH11186614A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18426661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35281997A Pending JPH11186614A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | チップ型ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186614A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191446A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス |
| JP2005203782A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロ光学ベンチ構造物及びその製造方法 |
| JP2005259888A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 光半導体パッケージ |
| JP2010147191A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012114142A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | Ｌｅｄ発光装置 |
| KR101229904B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2013-02-05 | 후가 옵토테크 인크. | 광학 측정 설비 및 이를 사용한 측정 방법 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35281997A patent/JPH11186614A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191446A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス |
| JP2005203782A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロ光学ベンチ構造物及びその製造方法 |
| JP2005259888A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 光半導体パッケージ |
| JP4643918B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2011-03-02 | シチズン電子株式会社 | 光半導体パッケージ |
| JP2010147191A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| KR101229904B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2013-02-05 | 후가 옵토테크 인크. | 광학 측정 설비 및 이를 사용한 측정 방법 |
| JP2012114142A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | Ｌｅｄ発光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050405 |