KR102471801B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 개시는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자(LED, LD)를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 패드 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 패드 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부기판과 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 본 명세서에서 반도체 발광소자 칩 또는 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 외부기판은 PCB(Printed Circuit Board), 서브마운트, TFT(Thin Film Transistor) 등을 의미한다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호 및 용어의 일부를 변경하였다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 전극막(90, 91, 92)이 본딩 패드로 기능하는 패드 전극이다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 패드 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부기판과 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다.
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호 및 용어의 일부를 변경하였다.
반도체 발광소자 칩은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 형성되어 있으며, 성장 기판이 제거된 측에 형성된 상부 전극(31), 제2 반도체층(50)에 전류를 공급하는 한편 반도체층(30, 40, 50)을 지지하는 지지 기판(51), 그리고 지지 기판(51)에 형성된 하부 전극(52)을 포함한다. 상부 전극(31)은 와이어 본딩을 이용하여 외부와 전기적으로 연결된다. 하부 전극(52)측이 외부기판과 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 3과 같이 전극(31, 52)이 활성층(40)의 위 및 아래에 1개씩 있는 구조의 반도체 발광소자 칩을 수직 칩(Vertical Chip)이라 한다.
도 4는 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 4는 도 3에 도시된 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 4와 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.
도 4에 기재된 타입의 반도체 발광소자를 일반적으로 패키지(Package) 타입(Type)의 반도체 발광소자라고 하며 반도체 발광소자 칩 크기의 반도체 발광소자를 CSP(Chip Scale Package) 타입의 반도체 발광소자라 한다. CSP 타입의 반도체 발광소자와 관련된 것은 한국 공개특허공보 제2014-0127457호에 기재되어 있다. 최근에는 반도체 발광소자의 크기가 소형화되는 경향에 따라 CSP 타입의 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다. 다만 CSP 타입의 반도체 발광소자에 사용되는 반도체 발광소자 칩의 크기가 평면상에서 최대 폭이 150um 이하 바람직하게는 100um 이하인 마이크로 반도체 발광소자 칩을 사용하면서 패드 전극의 크기도 함께 작아져 열저항이 커지고, 조립공차에 대한 제한이 커지는 단점이 발견되었다.
도 5는 한국공개특허공보 제2013-0114011호에 기재된 CSP 타입의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호 및 용어의 일부를 변경하였다.
반도체 발광소자(100)는 패드 전극(151, 152)을 포함하는 반도체 발광소자 칩(150), 외부와 전기적으로 연결되는 제1 전극(191, 192), 절연층(190) 및 봉지재(170)를 포함한다.
도 5에 기재된 CSP 타입의 반도체 발광소자는 외부기판과 제1 전극(190, 191)을 사용하여 전기적으로 연결되어 반도체 발광소자 칩(150)의 패드 전극(151, 152)이 작아져서 발생한 문제를 해결할 수 있지만, 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)는 수지 계열의 봉지재(170)를 형성한 이후에 증착과 같이 고온의 공정을 통해 제1 전극(190, 191) 또는 절연층(190)을 형성하기 때문에 수지 계열의 봉지재(170)가 온도 변화에 따른 팽창 및 수축과정에서 제1 전극(190, 191) 또는 절연층(190)과 봉지재(1700) 사이의 부착력이 약해져 제1 전극(190, 191) 또는 절연층(190)이 쉽게 박리되는 문제점을 갖고 있다. 또한 수지 계열의 봉지재(170)를 형성한 이후에 증착과 같이 고온의 공정을 통해 제1 전극(190, 191) 또는 절연층(190)을 형성하기 때문에 한 번 경화된 수지 계열의 봉지재(170)가 다시 열을 받아서 수지 계열의 봉지재(170)의 강도, 투광성 등 재질의 특성이 변경될 수 있다. 또한 제1 전극(190, 191) 사이에 절연물질이 없어서 외부기판과 전기적으로 연결되는 과정에서 쇼트 문제가 발생할 수 있다.
본 개시는 CSP 타입의 반도체 발광소자에 사용되는 반도체 발광소자 칩의 패드 전극이 작아져서 발생한 문제를 해결하면서 외부기판과 전기적으로 연결되는 전극(예 : 도 5에 기재된 제1 전극)과 봉지재 사이의 부착력을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.
본 개시는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는 하나의 양상에서, 반도체 발광소자에 있어서, 상면, 측면 및 하면을 구비하며 관통홀을 갖는 절연층; 상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 하부에 구비된 제1 전극; 상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 상부에 구비된 제2 전극; 제2 전극의 상면과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 및 반도체 발광소자 칩과 제2 전극의 상면을 덮는 봉지재;를 포함하며, 제2 전극은 제2 전극의 하면이 관통홀을 통해 제1 전극의 상면과 전기적으로 연결되는 전극 연결영역을 포함하며, 전극 연결영역의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적은 관통홀의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적과 같거나 더 작으며, 수평 세로중심선은 관통홀의 중심점을 수평면에서 세로로 가로지르는 직선인, 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
본 개시는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 한국공개특허공보 제2013-0114011호에 기재된 CSP 타입의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 개시의 하나의 실시예에 따르는 반도체 발광소자를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 개시의 또 다른 실시예에 따르는 반도체 발광소자를 나타내는 도면이다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래, 상면/측면/하면, 수평/수직, 가로/세로 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 6은 제1 전극(220) 및 제2 전극(260)을 포함하는 반도체 발광소자(200)의 일 예를 보여주는 도면이다. 구체적으로 도 6의 (a)는 반도체 발광소자(200)의 저면도(bottom view)이며, 도 6의 (b)는 평면도(top view)이며, 도 6의 (c)는 AA'를 따라 절개한 단면도이며, 도 6의 (d)는 BB'를 따라 절개한 단면도이다.
도 6에 도시된 반도체 발광소자(200)에 있어서, 반도체 발광소자 칩(210)을 보호하기 위하여 봉지재(230)를 적용할 경우 봉지재(230)와 제2 전극(260)과의 접착력이 상대적으로 낮아 반도체 발광소자(200)를 SMT 공정 진행 후 DST 평가를 할 때 제2 전극(260)과 봉지재(230)의 계면이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다. 특히 반도체 발광소자(200)는 SMT 공정에서 제1 전극(220)과 기판(PCB) 사이에 도전성 물질로 연결되므로 외부 스트레스가 발생하는 경우 발광소자에서 스트레스를 가장 많이 받는 부분은 제1 전극(220)을 포함하여 수직 방향에 존재하는 영역이다. 이에 따라 제1 전극(220)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(260) 중 제1 전극(220)의 수직 상방에 존재하는 제2 전극(260)의 평면적이 넓을 경우 특히 이 부분에서 제2 전극(260)과 봉지재(230)의 계면이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다.
도 7은 본 개시의 하나의 실시예에 따르는 반도체 발광소자를 나타내는 도면이다. 도 7의 (a)는 반도체 발광소자(200)의 저면도(bottom view)이며, 도 7의 (b)는 평면도(top view)이며, 도 7의 (c)는 AA'를 따라 절개한 단면도이며, 도 7의 (d)는 BB'를 따라 절개한 단면도이다.
본 개시의 하나의 실시예에 따르는 반도체 발광소자(200)는 절연층(250), 제1 전극(220), 제2 전극(260), 반도체 발광소자 칩(210), 및 봉지재(230)를 포함할 수 있다.
절연층(250)은 상면, 측면 및 하면을 구비하며 관통홀(361)을 갖도록 구성될 수 있다. 절연층(250)은 절연물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 질화규소, 에폭시 수지 및 폴리이미드와 같은 재료 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
절연층(250)은 DBR(Distributed Bragg Reflectors)일 수 있다. 즉 반도체 발광소자(200)의 발광효율을 높이기 위해 절연층(250)은 반도체 발광소자 칩(210)에서 나오는 빛을 반사하는 반사 기능을 갖는 것이 바람직하다.
제1 전극(220)은 상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층(250) 하부에 구비되도록 구성될 수 있다. 따라서 절연층(250)은 제1 전극(220)의 상면을 덮을 수 있다. 제1 전극(220)의 하면은 외부로 노출되어 있을 수 있다. 제1 전극(220)은 서로 이격되어 배치된 제1a 전극(220a) 및 제1b 전극(220b)을 포함할 수 있다.
제1 전극(220)은 금(Au)으로 형성되거나 또는 둘 이상의 금속이 적층(예 : Cr/Ni/Au)되어 형성될 수 있다. 제1a 전극(220a)과 제1b 전극(220b) 사이의 간격은 조립 공정의 안정성을 위해 반도체 발광소자 칩(210)의 제1 패드 전극(211a)과 제2 패드 전극(211b) 사이의 간격보다 더 크게 확보될 필요가 있으며, 이 경우 제1 전극(220)과 반도체 발광소자 칩(210)의 패드 전극(211)과의 원활한 전기적 연결을 위해, 관통홀(361)을 통하여 제1 전극(220)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(260)이 형성될 수 있다.
제2 전극(260)은 상면, 측면 및 하면을 구비하며, 절연층(250) 상부에 구비되도록 구성될 수 있다. 제2 전극(260)은 제2 전극(260)의 하면이 관통홀(361)을 통해 제1 전극(220)의 상면과 전기적으로 연결되는 전극 연결영역(290)을 포함할 수 있다. 즉 전극 연결영역(290)에서 제2 전극(260)의 하면이 관통홀(361)을 통해 제1 전극(220)의 상면과 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 제2 전극(260)은 서로 이격되어 배치된 제2a 전극(260a) 및 제2b 전극(260b)을 포함할 수 있다. 여기서 전극 연결영역(290)은 제2 전극(260) 중 절연층(250) 상면으로 노출된 영역을 의미한다.
도 7의 (b)를 참조하면, 전극 연결영역(290)에 있어서, 전극 연결영역(290)의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적은 관통홀의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적과 같거나 더 작도록 구성될 수 있다. 여기서 수평 세로중심선은 관통홀의 중심점을 수평면에서 세로로 가로지르는 직선을 의미한다.
도 7의 (b)를 참조하여 더욱 상세하게 설명하면, 수평 세로중심선은 관통홀의 중심점을 수평면에서 세로로 가로지르는 직선을 의미하며, 도 7의 (b)에서는 관통홀(361)의 중심점을 지나는 BB'를 연결하는 직선(L1)을 의미한다. 한편 본 개시에서, 반도체 발광소자(200)에서 반도체 발광소자 칩(210)이 있는 방향을 안쪽, 그 반대 방향을 바깥쪽으로 정의한다. 따라서 본 개시에 따르는 반도체 발광소자(200)에서 있어서, 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 전극 연결영역(290)의 평면적은 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 관통홀의 평면적과 같거나 더 작도록 구성될 수 있다.
도 8은 본 개시의 또 다른 실시예에 따르는 반도체 발광소자를 나타내는 도면이다. 도 8의 (a)는 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 전극 연결영역(290)의 평면적이 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 관통홀의 평면적과 같은 반도체 발광소자의 예를 나타내는 도면이다. 한편 도 8의 (b)는 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 전극 연결영역(290)의 평면적이 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 관통홀의 평면적보다 더 작은 반도체 발광소자의 예를 나타내는 도면이다.
본 개시에서 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 전극 연결영역(290)의 평면적이 수평 세로중심선(L1) 바깥쪽에 위치하는 관통홀의 평면적과 같은 반도체 발광소자가 바람직하다.
반도체 발광소자는 SMT 공정에서 제1 전극과 기판(PCB) 사이에 도전성 물질로 연결되므로 외부 스트레스가 발생하는 경우 발광소자에서 스트레스를 가장 많이 받는 부분은 제1 전극을 포함하여 수직 방향에 존재하는 영역이다.
한편 반도체 발광소자 칩을 보호하기 위하여 봉지재를 적용할 경우 봉지재와 제2 전극과의 접착력이 상대적으로 낮아 반도체 발광소자를 SMT 공정 진행 후 DST 평가를 할 때 제2 전극과 봉지재의 계면이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다.
따라서 본 개시에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 제1 전극의 수직방향에 존재하는 제2 전극의 평면적을 최소화함으로써, 제1 전극의 수직방향에 존재하는 제2 전극과 봉지재의 계면을 최소화하도록 제2 전극을 구성한 것이다.
본 개시는 전극과 봉지재의 계면의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
한편 제2 전극(260)의 상면은 Ti로 구성될 수 있다. 구체적으로 제2 전극(260)은 금(Au) 또는 둘 이상의 금속이 적층(예 : Cr/Ni/Au)되어 형성되고 이후 상면이 Ti로 구성될 수 있다.
봉지재(230)와 제2 전극(260)의 접착력이 상대적으로 약하기 때문에 발광소자를 SMT 진행 후 DST 평가시 제2 전극(260)과 봉지재(230)의 계면이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 제2 전극(260)의 상면을 봉지재(230)와의 접착력이 우수한 Ti로 구성하여 봉지재(230)와 제2 전극(260)의 계면이 떨어지는 문제점을 개선할 수 있다. 바람직하게는 제2 전극(260)을 구성하는 금속층 중 최외각층을 Ti로 구성할 수 있다.
반도체 발광소자 칩(210)은 제2 전극(260)의 상면과 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 도 7에서 반도체 발광소자 칩(210)을 패드 전극(211)을 포함한 플립 칩으로 도시하였지만 이에 한정되지 않으며 래터럴 칩이나 수직 칩일 수 있다. 패드 전극(211)은 제1 패드 전극(211a) 및 제2 패드 전극(211b)을 포함할 수 있다. 패드 전극(211)은 예컨대 금(Au) 또는 둘 이상의 금속이 적층(예 : Cr/Ni/Au)되어 형성될 수 있으며 여기에 한정되는 것은 아니다.
봉지재(230)는 반도체 발광소자 칩(210)과 제2 전극(260)의 상면을 덮도록 구성될 수 있다. 또 다른 예에서, 봉지재(230)는 제2 전극(260)의 측면을 덮도록 구성될 수도 있다. 봉지재(230)는 투광성 재질(예 : 폴리이미드, 에폭시 수지 등)로 형성될 수 있다.
본 개시의 또 다른 실시예에서, 반도체 발광소자(200)에 있어서 반도체 발광소자 칩(210)과 제2 전극(260)의 상면은 도전성 접착물질(240)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 반도체 발광소자 칩(210)의 패드 전극(211)과 제2 전극(260)의 상면이 도전성 접착물질(240)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 도전성 접착물질(240)은 솔더볼(예 : AuSn, SAC, SnAg) 및 은 페이스트(Ag paste) 중 하나일 수 있다.
이 경우, 제2 전극(260)의 상면 중 도전성 접착물질(240)과 접촉하는 부분의 적어도 일부는 Ti가 제거될 수 있다. 제2 전극(260)을 구성하는 금속층 중 최외각층을 봉지재(230)와의 접착력이 우수한 Ti로 구성하는 경우, 도전성 접착물질(240)과 전기적 연결시 저항이 증가할 수 있다. 따라서 제2 전극(260)의 상면 중 도전성 접착물질(240)과 접촉하는 부분에서 Ti를 선택적으로 제거하여 저항의 증가를 방지할 수 있다. 구체적으로 제2 전극(260)이 금(Au) 또는 둘 이상의 금속이 적층(예 : Cr/Ni/Au)되어 형성되고 이후 최외각층이 Ti로 구성되는 경우, 제2 전극(260)의 상면 중 도전성 접착물질(240)과 접촉하는 부분의 적어도 일부에서 Ti를 제거함으로써 Ti층의 하부에 존재하는 예컨대 Au 층과 도전성 접착물질(240)을 접촉하게 하여 저항의 증가를 방지할 수 있다.
한편, 제2 전극(260)의 측면은 봉지재(230)로 덮여 있을 수 있다. 이 경우, 제2 전극(260)의 측면은 Ti로 구성될 수 있다. 이는 전술한 바와 같이 제2 전극(260)과 봉지재(230)의 접착력을 향상시키기 위함이다.
한편 절연층(250)의 측면은 봉지재(230)로 덮여 있을 수 있다.
한편 제1 전극(220)의 측면은 절연층(250)으로 덮여 있을 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 상면, 측면 및 하면을 구비하며 관통홀을 갖는 절연층; 상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 하부에 구비된 제1 전극; 상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 상부에 구비된 제2 전극; 제2 전극의 상면과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 및 반도체 발광소자 칩과 제2 전극의 상면을 덮는 봉지재;를 포함하며, 제2 전극은 제2 전극의 하면이 관통홀을 통해 제1 전극의 상면과 전기적으로 연결되는 전극 연결영역을 포함하며, 전극 연결영역의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적은 관통홀의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적과 같거나 더 작으며, 수평 세로중심선은 관통홀의 중심점을 수평면에서 세로로 가로지르는 직선인, 반도체 발광소자.
(2) 제2 전극의 상면은 Ti로 구성된, 반도체 발광소자.
(3) 반도체 발광소자 칩과 제2 전극의 상면은 도전성 접착물질을 통해 전기적으로 연결되며, 제2 전극의 상면 중 도전성 접착물질과 접촉하는 부분의 적어도 일부는 Ti가 제거된, 반도체 발광소자.
(4) 제2 전극의 측면은 봉지재로 덮여 있으며, 제2 전극의 측면은 Ti로 구성된, 반도체 발광소자.
(5) 절연층의 측면은 봉지재로 덮여 있는, 반도체 발광소자.
(6) 제1 전극의 측면은 절연층으로 덮여 있는, 반도체 발광소자.
(7) 절연층은 DBR인, 반도체 발광소자.
200: 반도체 발광소자
210: 반도체 발광소자 칩
220: 제1 전극
230: 봉지재
240: 도전성 접착물질
250: 절연층
260: 제2 전극

Claims (7)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    상면, 측면 및 하면을 구비하며 관통홀을 갖는 절연층;
    상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 하부에 구비된 제1 전극;
    상면, 측면 및 하면을 구비하며 절연층 상부에 구비된 제2 전극;
    제2 전극의 상면과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 및
    반도체 발광소자 칩과 제2 전극의 상면을 덮는 봉지재;
    를 포함하며,
    제2 전극은 제2 전극의 하면이 관통홀을 통해 제1 전극의 상면과 전기적으로 연결되는 전극 연결영역을 포함하며,
    전극 연결영역은 제2 전극 중 절연층 상면으로 노출된 영역이며,
    전극 연결영역의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적은 관통홀의 수평 세로중심선 바깥쪽 영역의 평면적과 같거나 더 작으며,
    수평 세로중심선은 관통홀의 중심점을 수평면에서 세로로 가로지르는 직선인, 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제2 전극의 상면은 Ti로 구성된, 반도체 발광소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    반도체 발광소자 칩과 제2 전극의 상면은 도전성 접착물질을 통해 전기적으로 연결되며,
    제2 전극의 상면 중 도전성 접착물질과 접촉하는 부분의 적어도 일부는 Ti가 제거된, 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    제2 전극의 측면은 봉지재로 덮여 있으며,
    제2 전극의 측면은 Ti로 구성된, 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    절연층의 측면은 봉지재로 덮여 있는, 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    제1 전극의 측면은 절연층으로 덮여 있는, 반도체 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    절연층은 DBR인, 반도체 발광소자.
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