KR101807531B1 - 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제1 봉지재; 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제1 봉지재 아래에 위치하는 제2 봉지재; 그리고 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제2 봉지재 아래에 위치하는 제3 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자 및 그에 대한 제조방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다.
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.
도 3에 기재된 타입의 반도체 발광소자를 일반적으로 패키지(Package) 타입(Type)의 반도체 발광소자라고 하며 반도체 발광소자 칩 크기의 반도체 발광소자를 CSP(Chip Scale Package) 타입의 반도체 발광소자라 한다. CSP 타입의 반도체 발광소자와 관련된 것은 한국 공개특허공보 제2014-0127457호에 기재되어 있다. 최근에는 반도체 발광소자의 크기가 소형화되는 경향에 따라 CSP 타입의 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있으며, 본 개시는 CSP 타입의 반도체 발광소자에서 광 추출 효율을 향상시키는 것을 특징으로 한다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제1 봉지재; 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제1 봉지재 아래에 위치하는 제2 봉지재; 그리고 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제2 봉지재 아래에 위치하는 제3 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 봉지재를 준비하는 단계; 제1 봉지재 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;로서 반도체 발광소자 칩의 활성층이 제1 봉지재와 반도체 발광소자 칩의 전극 사이에 위치하도록 제1 봉지재 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계; 반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 사이에 아래로 볼록한 부분이 있는 제2 봉지재를 형성하는 단계; 제2 봉지재에 형성된 아래로 볼록한 부분에 제3 봉지재를 형성하는 단계; 그리고 반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 사이를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다양한 실시 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 장점을 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조 방법의 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 일 예를 보여주는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(200)는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(211)을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극(212)을 구비하는 반도체 발광소자 칩(210), 반도체 발광소자 칩(210) 위에 위치하는 제1 봉지재(220), 반도체 발광소자 칩(210)의 측면(213) 및 제1 봉지재(220) 아래에 위치하는 제2 봉지재(230) 및 반도체 발광소자 칩(210)의 측면(213) 및 제2 봉지재(230) 아래에 위치하는 제3 봉지재(240)를 포함한다. 반도체 발광소자 칩(210)은 반도체 발광소자 칩(210) 하부에 전극(212)이 위치하는 플립 칩이 바람직하며, 전극(212)은 제3 봉지재(250) 방향으로 노출되어 있다. 활성층(211)은 명확히 표시하기 위하여 과장되게 표현하였으며, 실제 활성층은 두께가 수 um로 얇으며 전극(212) 근처에 형성되어 있다. 제1 봉지재(220)는 YAG, Silicate, Nitride 중 적어도 하나로 이루어진 파장 변환재를 포함하고 있는 투광성 물질을 도포하여 형성될 수 있으며 자세한 것은 도 7에서 설명한다. 투광성 물질은 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나일 수 있다. 또는 제1 봉지재(220)는 파장 변환재를 포함하고 있는 시트(Sheet)로 형성될 수도 있다. 파장 변환재를 포함하고 있는 시트는 일반적으로 형광체 시트로 알려져 있다. 제2 봉지재(230)는 투광성 물질 및 파장 변환재를 포함하는 투광성 물질 중 하나로 형성될 수 있다. 투광성 물질은 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나일 수 있다. 제2 봉지재(230)는 제1 봉지재(220)에 반도체 발광소자 칩(210)을 고정하는 접착제가 없는 경우 접착제 역할을 할 수 있다. 제3 봉지재(240)는 유색의 반사 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 화이트 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 제3 봉지재(240)는 반도체 발광소자 칩(210)의 측면(213)으로부터 나오는 빛(260)을 반사하여 빛(260)을 상측으로 나가도록 한다. 제2 봉지재(230)와 제3 봉지재(240) 사이의 경계면(250)은 곡선을 형성하며, 특히 위로 볼록한 곡선을 형성한다. 본 개시에 대한 장점은 도 6에서 설명한다.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다양한 실시 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자는 도 4와 같은 구조뿐 아니라 도 5(a) 내지 도 5(b)와 같이 다양한 구조의 반도체 발광소자가 가능하다. 예를 들어 도 5(a)의 반도체 발광소자(300)와 같이 제3 봉지재(340)와 제1 봉지재(320) 사이의 최단 거리(331)와 제3 봉지재(340)와 반도체 발광소자 칩(310)의 측면(311)이 접하는 부분의 거리(341)를 다르게하여 도 4 및 도 5(b)의 반도체 발광소자(200, 400)와 같이 다양한 구조의 반도체 발광소자가 가능하다. 예를 들어 도 4의 반도체 반도체 발광소자(200)는 제1 봉지재(220)와 제3 봉지재(240) 사이의 최단 거리가 0으로 제1 봉지재(220)와 제3 봉지재(340)가 접한 부분이 있어 반도체 발광소자(200)의 측면으로 나가는 빛이 발생하지 않지만 도 5(b)와 같이 제1 봉지재(420)와 제3 봉지재(440) 사이의 최단 거리를 0 보다 크게 형성하는 경우에는 반도체 발광소자(400)의 평면 형상이 사각형이라 했을 때 반도체 발광소자(400)의 상면과 4 개의 측면으로 빛이 추출되는 5면 발광 반도체 발광소자(400)를 얻을 수 있다. 제1 봉지재(420)와 제3 봉지재(440) 사이의 최단 거리를 크게 하면 할수록 반도체 발광소자(400)의 측면으로 추출되는 빛이 많아질 수 있다. 5 면 발광 반도체 발광소자(400)의 경우 제2 봉지재(430)는 파장 변환재를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 다만 제3 봉지재(240, 340, 440)와 반도체 발광소자 칩(210, 310, 410)의 측면(213, 311, 411) 사이에 제2 봉지재(230, 330, 430)가 없는 것이 바람직하며, 이유는 도 6에서 설명한다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 장점을 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(200)의 제3 봉지재(240)는 반도체 발광소자 칩(210)의 측면(213)에서 나오는 빛(260)을 반사하여 빛(260)을 상측으로 나가게 한다. 특히 반도체 발광소자 칩(210)의 측면(213)에서 나오는 빛(260)이 반도체 발광소자 칩(210)의 전극 방향으로 나가는 것을 방지하고 경계면(250)이 위로 볼록한 구조로 인하여 빛이 상측으로 넓게 퍼져 나갈 수 있다. 반도체 발광소자의 상측 방향으로 나가는 빛 추출 효율을 향상시킨다. 예를 들어 도 6(b)와 같은 반도체 발광소자(500)에서 반도체 발광소자 칩(510)의 측면(511)과 제3 봉지재(540) 사이에 제2 봉지재(530)가 위치하는 경우 반도체 발광소자 칩(510)의 측면(511)에서 나오는 빛 중 일부(550)는 반도체 발광소자 칩(510)의 전극(512) 방향으로 나가 상측 방향으로 추출되는 빛의 효율이 떨어질 수 있다. 더 나아가 도 6(c)와 같은 반도체 발광소자(600)에서 제2 봉지재(630)가 제1 봉지재(620)에 반도체 발광소자 칩(610)을 고정하는 접착제로만 기능하며 제3 봉지재(640)와 반도체 발광소자 칩(610) 사이에 형성되지 않는 경우에는 반도체 발광소자 칩(610)의 측면(611)에서 나오는 빛의 대부분은 제3 봉지재(640)에 의해 반사가 되어 상측으로 추출되기는 하지만 제3 봉지재(640)에 의한 손실이 많이 발생하는 문제가 있었다. 반도체 발광소자의 장점은 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)를 갖고 설명하였지만 다른 다양한 실시 예(300, 400)도 동일한 장점이 있다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 일 예를 보여주는 도면이다.
먼저 제1 봉지재(700)를 준비한다(S1). 제1 봉지재(700)는 파장 변환재를 포함하고 있는 시트이다. 도시하지 않았지만 제1 봉지재가 YAG, Silicate, Nitride 중 적어도 하나로 이루어진 파장 변환재를 포함하고 있는 투광성 물질로 형성되는 경우에는 기판 위에 파장 변환재를 포함하고 있는 투광성 물질을 도포 후 경화하여 제1 봉지재를 준비할 수 있다. 이후 제1 봉지재(600) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(710)을 놓는다(S2). 제1 봉지재(700) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(710)을 놓는 방법은 반도체 발광소자 칩(710)의 활성층(611)이 제1 봉지재(700)와 반도체 발광소자 칩(710)의 전극(712) 사이에 위치하도록 제1 봉지재(700) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(710)을 놓는다. 도시하지는 않았지만 반도체 발광소자 칩(710)이 제1 봉지재(700) 위에서 움직이지 않고 고정되도록 하기 위해 제1 봉지재(700)와 반도체 발광소자 칩(710) 사이에는 접착층이 있을 수 있다. 이후 반도체 발광소자 칩(710)과 반도체 발광소자 칩(710) 사이에 제2 봉지재(720)를 형성한다(S3). 반도체 발광소자 칩(710)과 반도체 발광소자 칩(710) 사이에 제2 봉지재(720)를 형성하는 경우, 액상으로 된 제2 봉지재(720)를 형성하는 물질을 반도체 발광소자 칩(610)과 반도체 발광소자 칩(710) 사이에 적어도 일부 채운다. 액상으로 된 제2 봉지재(720)를 형성하는 물질은 반도체 발광소자 칩(710)의 측면(713)을 타고 올라가지만 표면 장력 때문에 반도체 발광소자 칩(710) 위로 형성되지는 않는다. 제2 봉지재(720)는 가운데 부분이 아래로 볼록한 형태가 된다. 이후 제2 봉지재(720)에 형성된 아래로 볼록한 부분에 제3 봉지재(730)를 형성한다(S4). 바람직하게는 제3 봉지재(730)는 제2 봉지재(720)가 경화된 이후에 형성한다. 이후 반도체 발광소자 칩(710)과 반도체 발광소자 칩(710) 사이를 절단선(740)에 따라 절단한다(S5). 절단선(740)의 위치와 제2 봉지재(720)가 반도체 발광소자 칩(710)의 측면(713)을 타고 올라가는 정도에 따라 도 4 및 도 5에 기재된 다양한 형태의 반도체 발광소자(200, 300, 400)가 만들어질 수 있다. 예를 들어 절단선(640)의 위치를 왼쪽 방향으로 이동하여 절단하는 경우 점선으로 표시된 반도체 발광소자(750)는 도 5(a)와 같이 제1 봉지재(320)와 제3 봉지재(340) 사이의 최단 거리(331)가 도 4나 도 5(b) 보다는 큰 구조의 반도체 발광소자(300)를 얻을 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
먼저 제1 봉지재(800)를 준비한다(S1). 이후 제1 봉지재(800) 위에 액상의 제2 봉지재(810)를 형성하는 물질을 도포한다(S2-1). 제2 봉지재(810)를 형성하는 물질의 도포 두께는 20um 이하가 바람직하다. 도포 두께에 따라 반도체 발광소자의 구조를 다양하게 만들 수 있으며 도포 두께에 따른 특징은 도 9에서 설명한다. 이후 액상인 제2 봉지재(810) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(820)을 놓는다(S3-1). 제2 봉지재(810) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(820)을 놓는 방법은 반도체 발광소자 칩(820)의 활성층(821)이 제1 봉지재(800)와 반도체 발광소자 칩(820)의 전극(822) 사이에 위치하도록 제2 봉지재(810) 위에 복수의 반도체 발광소자 칩(820)을 놓는다. 특히 반도체 발광소자 칩(820)을 제1 봉지재(800) 방향으로 눌려줌으로써 제1 봉지재(800)와 반도체 발광소자 칩(820) 사이에 있는 제2 봉지재(810)의 일부가 나와 화살표(823)와 같이 반도체 발광소자 칩(820)의 측면을 타고 올라가 제2 봉지재(810)는 아래로 볼록한 형태가 된다. 다만 표면 장력으로 인하여 제2 봉지재(810)는 반도체 발광소자 칩(820) 위로는 올라가지 않는다. 이후 제2 봉지재(810)에 형성된 아래로 볼록한 부분에 제3 봉지재(830)를 형성한다(S4). 바람직하게는 제3 봉지재(830)는 제2 봉지재(810)가 경화된 이후에 형성한다. 이후 반도체 발광소자 칩(820)과 반도체 발광소자 칩(820) 사이를 절단선(840)에 따라 절단한다(S5). 도 7과 비교했을 때 제2 봉지재(810) 자체가 제1 봉지재(800)에 반도체 발광소자 칩(820)을 고정하는 접착제 역할을 수행하는 점이 다르다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8에서 제1 봉지재(800) 위에 액상의 제2 봉지재(810)를 형성하는 물질을 도포할 때, 제2 봉지재(810)의 도포 두께(811)는 20um 이상 반도체 발광소자 칩(820) 의 두께(824)의 0.8 이하로 하는 것을 보여준다(S2-2). 도포의 두께가 두꺼운 경우 제1 봉지재(800)와 제3 봉지재(830) 사이의 최단 거리(831)가 커지며, 도 5(b)와 같은 구조의 반도체 발광소자(400)를 제조할 수 있다. 필요에 따라 제3 봉지재(830)는 형성하지 않을 수도 있다. 도 9에 설명된 것을 제외하고 도 9에 기재된 제조 방법은 실질적으로 도 8에 기재된 제조 방법과 동일하다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제1 봉지재; 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제1 봉지재 아래에 위치하는 제2 봉지재; 그리고 반도체 발광소자 칩의 측면 및 제2 봉지재 아래에 위치하는 제3 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(2) 반도체 발광소자 칩의 전극은 제3 봉지재의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 제2 봉지재와 제3 봉지재 사이의 경계면은 곡선인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 곡선은 위로 볼록 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 제1 봉지재는 파장변환재를 포함한 시트로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 제3 봉지재는 유색의 반사물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(7) 제2 봉지재는 투광성 물질 및 파장변환재가 포함된 투광성 물질 중 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 제1 봉지재와 제3 봉지재 사이의 최단 거리가 0보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 봉지재를 준비하는 단계; 제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 형성하는 단계;로서, 액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 제2 봉지재를 형성하는 단계; 제2 봉지재 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;로서 반도체 발광소자 칩의 활성층이 제1 봉지재와 반도체 발광소자 칩의 전극 사이에 위치하도록 하고, 액상의 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면을 타고 올라가 아래로 볼록한 제2 봉지재가 되도록 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계; 제2 봉지재에 형성된 아래로 볼록한 부분에 제3 봉지재를 형성하는 단계; 그리고, 반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 사이를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
(10) 액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 두께는 20um 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
(11) 액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 두께는 20um 이상이고 제2 봉지재 위에 놓이는 반도체 발광소자 칩 두께의 0.8 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
본 개시에 따르면 광 추출 효율이 향상된 CSP 타입의 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
반도체 발광소자 칩 : 210, 310, 410, 510, 610, 710, 820
반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400, 500, 600, 750
제2 봉지재와 제3 봉지재의 경계면 : 250

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  9. 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
    제1 봉지재를 준비하는 단계;
    제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 형성하는 단계;로서, 액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 제2 봉지재를 형성하는 단계;
    제2 봉지재 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;로서 반도체 발광소자 칩의 활성층이 제1 봉지재와 반도체 발광소자 칩의 전극 사이에 위치하도록 하고, 액상의 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면을 타고 올라가 아래로 볼록한 제2 봉지재가 되도록 위에 복수의 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;
    제2 봉지재에 형성된 아래로 볼록한 부분에 제3 봉지재를 형성하는 단계; 그리고,
    반도체 발광소자 칩과 반도체 발광소자 칩 사이를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 두께는 20um 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    액상의 제2 봉지재를 형성하는 물질을 제1 봉지재 위에 도포하는 두께는 20um 이상이고 제2 봉지재 위에 놓이는 반도체 발광소자 칩 두께의 0.8 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
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