KR20150107086A - 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150107086A
KR20150107086A KR1020140029459A KR20140029459A KR20150107086A KR 20150107086 A KR20150107086 A KR 20150107086A KR 1020140029459 A KR1020140029459 A KR 1020140029459A KR 20140029459 A KR20140029459 A KR 20140029459A KR 20150107086 A KR20150107086 A KR 20150107086A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor device
device structure
semiconductor element
encapsulant
Prior art date
Application number
KR1020140029459A
Other languages
English (en)
Inventor
김창태
정현민
김석중
Original Assignee
주식회사 씨티랩
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 씨티랩 filed Critical 주식회사 씨티랩
Priority to KR1020140029459A priority Critical patent/KR20150107086A/ko
Priority to PCT/KR2014/003604 priority patent/WO2014175682A1/ko
Publication of KR20150107086A publication Critical patent/KR20150107086A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 개시는 반도체 소자 구조물에 있어서, 하부로 전극이 노출되는 반도체 소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자; 반도체 소자 측면에 접하여 구비되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 적어도 반도체 소자의 상면을 덮는 봉지제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACUTRUING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 제조가 간단한 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 리드 프레임(110,120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light-emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광(예: 청색광)의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 광(예: 황색광)을 만들고, 이 광들(청색광+황색광)이 백색광을 만든다. 여기서, 몰드(130)-봉지제(170) 또는 리드 프레임(110,120)-몰드(130)-봉지제(170)가 수직형 반도체 발광소자를 담지한 채로, 반도체 발광소자 패키지의 지지체 즉, 캐리어(Carrier)로 역할한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이고, 격벽은 광 반사막이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 적어도 반도체 소자의 상부를 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 적어도 격벽을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물에 있어서, 하부로 전극이 노출되는 반도체 소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자; 반도체 소자 측면에 접하여 구비되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 적어도 반도체 소자의 상면을 덮는 봉지제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면,
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면
도 46 내지 도 48은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 49는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 50은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 51 내지 도 53은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 54는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 55는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 56은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정한다. 다음으로, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 반도체 소자(2)를 분리한다. 플레이트(1)를 이루는 물질에는 특별한 제한이 없으며, 사파이어와 같은 물질을 사용하여도 좋고, 금속이나 유리 등의 평평한 구조물을 사용하여도 좋다. 금속 또는 유리와 같이 딱딱한(rigid) 플레이트를 사용함으로써, 블루 테이프(Blue tape)와 같이 연성을 가지는 플레이트(판)를 사용할 때에 비해 공정의 안정을 도모할 수 있다. 접착제(3)를 이루는 물질에도 특별한 제한이 없으며, 반도체 소자(2)를 플레이트(1)에 위치 고정만 할 수 있다면 어떠한 접착제여도 좋다. 봉지제(3)를 이루는 물질로는 종래에 LED 패키지에 사용되는 실리콘 에폭시, 실리콘 수지가 사용될 수 있다. 봉지제(4)가 형성된 후, 반도체 소자(2)와 플레이트(1)의 분리는 접착제(3)를 녹일 수 있는 열 또는 빛을 가하거나, 접착제(3)를 녹일 수 있는 용제를 이용함으로써 가능하다. 열 또는 빛과 용제를 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한 접착 테이프를 이용하는 것도 가능하다. 봉지제(4)는 종래에 사용되는 디스펜싱, 스크린 프린팅, 몰딩, 스핀 코팅, 스텐실 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 광경화성 수지(UV경화성 수지)를 도포한 후, 광을 조사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 플레이트(1)로 사파이어와 같이 투광성 플레이트가 사용되는 경우에, 플레이트(1) 측으로부터 광을 조사하는 것도 가능하다. 설명을 위해, 플레이트(1) 위에 하나의 반도체 소자(2)를 도시하였지만, 복수의 반도체 소자(2)를 플레이트(1) 위에 두고 공정을 행할 수 있다. 여기서 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지는 것으로 설명되었지만, 그 수에 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 트랜지스터의 경우에 세 개의 전극을 가질 수 있다.
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)로서, 정션 다운 형 칩이 제시되어 있다. 정션 다운 형 칩으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩형 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 따라서 반도체 발광소자는 도 2에서와 같이, 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지며, 전극(90)은 도 2의 전극(901,902,903)과 같은 구성을 가져도 좋고, DBR(Distributed Bragg Reflector)과 금속 반사막의 조합으로 이루어져도 좋다. 전극(80)과 전극(90)은 SiO2와 같은 절연막(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 이후의 과정은 동일하며, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 접착제(3)로부터 반도체 소자(2)를 분리한다.
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1) 위에 복수의 반도체 소자(2,2)가 일체로 봉지제(4)에 의해 덮혀 있다. 플레이트(1)를 제거한 후, 반도체 소자(2,2)를 일체로서 하나의 패키지화하는 것이 용이해진다. 반도체 소자(2)와 반도체 소자(2)의 전기적 연결 방법에 대해서는 후술한다. 또한 이들을 도 3에서와 같이 개별적인 반도체 소자(2)로 분리하는 것도 가능하다. 이는 복수의 반도체 소자(2,2)를 플레이트(1)로부터 분리한 후, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화함으로써 가능하다. 경화후 연성을 가지는 봉지제(4)를 사용함으로써, 연성 회로기판과의 결합을 한층 높일 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)의 측면(4a)이 경사지도록 형성되어 있다. 반도체 소자(2)가 발광소자인 경우에, 봉지제(4)가 다양한 각의 외면을 갖게 되어, 패키지 외부로의 광 추출 효율이 높아지게 된다. 스크린 프린팅시, 스크린 격벽을 경사지게 형성하여 측면(4a)의 형성이 가능하며, 쏘잉시, 끝이 뾰족한 커터를 이용함으로써 측면(4a)의 형성이 가능하다.
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)가 제거된 후, SiO2와 같은 절연막(6)을 전극(80)과 전극(90)을 노출한 상태로 구비하고 있다. 이후, 전극(80)에 외부 전극(81)을 연결하고, 전극(90)에 외부 전극(91)을 형성하여, 종래의 패키지와 같은 구조로 만들 수 있게 된다. 외부 전극(81,91)은 종래 패키지의 리드 프레임에 대응할 수 있다. 또한 외부 전극(81,91)을 반사막으로 기능하도록 넓게 펼쳐 증착하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 단순히 절연 기능만을 하여도 좋고, 외부 전극(81,91)에 의한 광 흡수를 줄이도록 SiO2/TiO2의 교대 적층구조를 형성하거나 DBR을 이루어도 좋다. 도 4에서와 같이 반도체 소자(2)가 절연막(5)을 구비하는 경우에는 절연막(6)이 생략될 수도 있다. 절연막(6)과 외부 전극(81,91)의 형성에 사용되는 증착 공정과 포토리쏘그라피 공정 등은 반도체 칩 공정에서 일반적인 것으로 당업자에 매우 익숙한 것이다. 외부 전극(81,91)을 구비함으로써, PCB, COB 등에의 장착이 보다 용이해질 수 있다. 필요한 경우에, 외부 전극(81,91) 없이 절연막(6)만을 구비하는 것도 가능하다. 절연막(6) 반도체 소자(2)와 봉지제(4) 사이를 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라, 봉지제(4)를 외부 전극(81,91) 형성 공정으로부터 보호하는 기능도 할 수 있다. 또한 절연막(6)을 백색 물질로 형성하여, 절연막(6)을 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR(Photo Sloder Regist)을 절연막(6)으로 이용하거나, 코팅하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전기적으로 직렬 연결된 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 구비되어 있다. 반도체 소자(2A)의 음(-) 전극(80A)과 반도체 소자(2B)의 양(+) 전극(90B)을 외부 전극(89)을 통해 연결함으로써 이러한 구성이 가능해진다. 미설명 부호 4는 봉지제이며, 6은 절연막이고, 90A은 반도체 소자(2A)의 양(+) 전극이며, 80B는 반도체 소자(2B)의 음(-) 전극이다. 이러한 구성을 통해, 모노리식 기판의 사용 없이, 봉지제(4)를 통해 일체화된 반도체 소자(2A,2B) 간의 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. 모노리식 기판의 경우에, 그 위의 반도체 소자의 구조가 동일하지만, 본 개시의 방법에 의하면, 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 같은 기능의 소자일 필요가 없다. 반도체 소자(2A,2B)를 병렬연결할 수 있음은 물론이다. 또한 봉지제(4)의 측면(4a)을 도 6에서와 같이 경사지게 형성할 수 있으며, 이러한 구성은 기존에 상상할 수 없었던 고전압(High-Voltage) 반도체 발광소자 패키지 내지는 반도체 발광소자 구조물을 가능하게 한다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2C)는 인쇄회로기판(7)의 도선(7a)과 전극(80,90)이 직접 연결되어 있으며, 반도체 소자(2D)는 도선(7b)과 외부 전극(81,91)을 통해 연결되어 있다. 인쇄회로기판(7)은 연성 회로기판이어도 좋다.
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 반도체 소자(2)가 구비되어 있으며, 반도체 소자(2)는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 성장되며, 전극(80,90)이 형성되어 있다. 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용해 플레이트(1)에 붙인 다음, 봉지제(4)로 덮기에 앞서, 기판(100)을 제거하고, 바람직하게는 광 취출 효율을 높이기 위해 거친 표면(301)을 형성한다. 이후의 과정은 동일하다. 기판(100)의 제거는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off)와 같은 공정에 의해 가능하며, 거친 표면(301)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각을 통해 가능하다. 이것은 칩 레벨 레이저 리프트 오프를 가능하게 한다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 형광체가 포함되어 있다. YAG, Silicate, Nitride 형광체 등을 이용하여 원하는 색의 광을 발광할 수 있게 된다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 내에 또는 봉지제(4) 하부에 형광체층(8)이 형성되어 있다. 봉지제(4) 상부에 형광체층(8)을 형성하는 것도 가능하다. 이는 봉지제(4) 내에서 형광체를 침전시키거나, 별도로 스핀 코팅하거나, 휘발성 액체에 담긴 형광체를 도포한 후 휘발시켜 형광체만 남긴 후 봉지제(4)로 덮음으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라 복수의 형광체층(8)의 형성도 가능하다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 광 취출 효율을 높이기 위한 거친 표면 또는 요철(4g)이 형성되어 있다. 거친 표면(4g)은 pressing, 나노임프린트(nanoimprint) 등의 성형을 통해 형성이 가능하다. 또한 bead 물질을 도포한 후, 에칭, 샌드블라스팅 등의 방법을 통해 형성하는 것도 가능하다. 거친 표면(4g)은 플레이트(1)의 분리 이전 또는 분리 이후에 형성될 수 있다.
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 바람직하게는 렌즈(4c)는 봉지제와 일체로 형성된다. 이러한 일체형 렌즈(4c)는 압축성형 등으로 방법으로 형성하는 것이 가능하다.
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2,2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 고정한 상태에서, 형광체가 함유된 봉지제(4), 즉 형광체층(8)으로 덮는다. 다음으로 도 17에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)를 제거하고, 도 18에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 서로 분리한다. 이러한 방법을 통해, 소위 형광체 내지는 형광체층(8)을 반도체 소자(2,2)에 컨포멀하게 코팅하는 것이 가능해진다. 형광체층(8)의 높이(V)와 폭(H)을 동일하게 하는 것이 가능하다. 이러한 방식의 컨포멀 코팅(봉지제(4)의 제거 내지는 형광체층(8)의 제거를 통한 컨포멀 코팅의 구성)은 종래에 스핀코팅, 스크린 프린팅 등의 방식으로 진행되던 컨포멀 코팅과 크게 구분된다.
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 18에서 제조된 반도체 소자(2,2)를 다시 접착제(3)를 이용하여, 플레이트(1) 위에 올려놓고, 다시 봉지제(4)를 도포한다. 봉지제(4)에 다른 형광체 및/또는 광 산란을 위한 소형 입자를 추가하는 것도 가능하다. 종래와 달리 형광체층(8)과 봉지제(4) 간의 경계면에 대한 용이한 형상 제어가 가능해진다. 또한 형광체층(8)의 외형 제어 및 형광체층(8)을 덮는 봉지제(4)의 외형 제어 모두가 용이하게 가능해진다. 반대로, 외부의 봉지제(4)에 형광체를 도입하고, 내부의 봉지제(4)에는 형광체를 도입하지 않을 수도 있다. 즉, 외부의 봉지제(4)가 형광체층이 되도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에도 양자의 경계면 및 외형 제어가 가능하다는 점은 동일하다. 형광체층(8)을 구성하는 봉지제(4)와 형광체층(8)를 덮는 봉지제(4)는 서로 동일한 물질일 수 있지만, 서로 다른 특성(굴절률, 경도, 광투과성, 경화 속도 등)의 물질일 수도 있다. 따라서 본 실시예는 두 번 이상의 동일한 또는 서로 다른 봉지제가 적용되는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 제조 방법으로 확장될 수 있다. 형광체층(8)을 가지는 경우에, 반도체 소자는 반도체 발광소자이 적용이 적합하지만, 형광체가 함유되지 않은 경우에, 반도체 소자는 반드시 반도체 발광소자일 필요는 없다.
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 16에서와 같이 형광체층(8)을 형성한 다음, 플레이트(1)를 제거하는 공정 없이, 형광체층(8)을 일부 제거하여 반도체 소자(2,2) 각각에 형광체층(8)이 컨포멀하게 형성된다. 이 후, 도 19에 따른 공정이 진행되는 경우에, 플레이트(1)의 사용을 한번으로 줄일 수 있는 이점을 가진다.
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 20에 도시된 방법과 달리, 형광체층(8)을 완전히 제거하여 분리하지 않고, 일부를 남겨 두고 제거한다. 다음으로, 도 22에 도시된 바와 같이 봉지제(4)를 덮고, 도 23에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 분리함으로써, 반도체 소자 구조물이 제조된다. 봉지제(4)가 도 13에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1; 도 3 참조)가 제거된 다음, 감광액(9)이 도포된다. 예를 들어, 감광액(9)은 절연막(6)으로 기능하는 백색 PSR로 이루어질 수 있다. 전극(80,90)을 노출하기 위해, 노광 작업이 필요하며, 이때 마스크 패턴으로서, 별도의 마스크 패턴 없이, 전극(80,90)을 마스크로 사용한다. 다음으로, 도 25에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 상측에서 광(L)을 조사하여, 감광액(9)을 노광시키고, 전극(80,90)에 대응하는 영역(80a,90a)이 노광 후 제거될 수 있도록 한다. 도 26에 영역(80a,90a)에 대응하는 감광액(9)이 제거된 후의 모습이 도시되어 있다. 바람직하게는 봉지제(4)에 형광체를 함유하지 않음으로써, 광(L)이 감광액(9)에 정확하게 전달될 수 있도록 한다. 전극(80,90)을 마스크로 이용함으로써, 별도의 마스크를 이용하는 것에 필요한 정렬 작업이 필요없어, 보다 정확한 노광 작업이 가능해진다. 필요에 따라, 도 27에 도시된 바와 같이, 전극(80,90)에 외부 전극(81,91)을 전기적으로 연결한다. 감광액(9)을 백색 PSR로 구성함으로써, 감광액(9)이 절연막(6)으로 기능하는 한편, 광 반사막으로 기능할 수 있게 된다. 반도체 소자의 경우에도 전체적으로 투광성으로 형성되어야 한다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 소자의 경우에, 도 1에서와 같이, 투명 사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 위에, 투광성 반도체로 형성될 수 있다. 즉, 반도체 소자(2)와 봉지제(4)를 투광성으로 형성함으로써, 노광에 사용되는 광(L)이 이들을 투과하여, 감광액(9)에 적용될 수 있게 된다.
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 감광액(9) 내지는 절연막(6)을 형성하기에 앞서, 외부 전극(81,91)이 형성된다. 이 경우에, 전극(80,90)과 외부 전극(81,91)을 노광시 마스크로 이용할 수 있으며, 전극(80,90)의 형상 및 크기는 반도체 소자(2)의 크기 및 특성에 의해 제약되지만, 외부 전극(81,91)은 반도체 소자(2)에 의해 제약되지 않으므로, 외부 전극(81,91)을 필요에 따라 자유롭게 설계하여, 원하는 형태의 패턴 형상을 만들 수 있게 된다.
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체 소자(2,2)를 절단하는 과정을 나타내고 있다. 도 24 내지 도 27에서와 같이 방식으로, 반도체 소자 구조물을 제조하는 경우에, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 분리함에 있어서, 외부 전극(81,91)의 아래에 놓이는 감광액(9)은 봉지제(4)와 함께 분리된다.
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 광 반사면(4b)이 절연막(6)에 의해 덮혀 있다. 절연막(6)은 백색 PSR과 같은 광 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 이러한 의미에서 본 실시예에서 절연막(6)은 광 반사막이라 할 수 있다. 또한 봉지제(4)를 절연막(6)에 비해 상대적으로 높은 굴절률의 물질로 구성함으로써, 양자 사이에 반사 성능을 높이면서, 광 반사면(4b)을 절연막(6)에 의해 보호하는 것도 가능하다. 절연막(6)을 봉지제(4)에 비해 낮은 굴절률의 물질로 구성하는 것도 가능하며, 본 개시에 속하지만, 본 실시예에는 벗어난다. 광 반사막(6)을 절연 물질이 아니라, 금속(예: Al, Ag, Au) 증착을 통해 금속 막으로 구성하는 것도 가능하다.
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)로 반도체 발광소자인 반도체 소자(2)를 덮은 후, 플레이트(1; 도 3 참조)를 제거한다. 다음으로, 블레이드(도시 생략)를 이용하여, 홈(4m)을 형성하여(일반화하면, 봉지제(4)를 제거함으로써 홈(4m)을 형성하여), 봉지제(4)에 광 반사면(4b)을 형성한 다음, 절연막(6)으로 광 반사면(4b)을 덮은 다음, 포토리소그라피 공정을 통해 절연막(6)을 통해 전극(80,90)을 노출시키고, 외부 전극(81,91)을 전극(80,90)에 각각 연결한다. 다음으로, 절단선(C)을 기준으로 반도체 소자(2,2)를 분리한다.
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전극(80,90)에 외부 전극(81,90)을 증착 또는 도금과 같은 방법으로 먼저 형성한 다음, 광 반사면(4b)에 절연막(6)이 형성된다. 이후 포토리소그라피 공정을 거쳐 외부 전극(81,91)을 절연막(6) 밖으로 노출시키고, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 절단한다.
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면으로서, 도 33에는 광 반사면이 하나의 경사면(4b1)을 이루고 있으며, 도 34에는 광 반사면이 두 개의 경사면(4b1,4b2)을 이루고 있다. 반도체 소자(2,2)는 개별적으로 분리될 수 있지만, 복수의 반도체 소자(2,2)가 함께 분리될 수도 있다.
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 35에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 측에 플레이트(1)가 부착되어 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 예시된 것과 같은 방법으로 봉지제(4)에 부착될 수 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 전극(2) 측에 부착된 플레이트(1)의 분리 전 또는 분리 후에 봉지제(4) 측에 부착될 수 있다. 본 실시예에서, 플레이트(1)는 연성 재질의 플레이트와 같이 휘어지는 성질을 가지지 않는다는 것이 중요하다. 도 36에 도시된 바와 같이, 도 3에 도시된 플레이트(1)가 제거된 다음에, 절연막(6)의 형성, 외부 전극(81,91)의 형성, 봉지제(4)의 절단, 및/또는 이에 수반하는 포토리소그라피 공정 등 다양한 공정이 요구되며, 이때, 기껏해야 수mm의 높이를 가지는 봉지제(4)가 평평한 형태를 유지하는 것이 몹시 중요하다. 이를 위해, 휨이 없는(rigid) 플레이트(1)가 사용되는 것이 중요하다. 플레이트(1)의 재질은 세라믹, 유리, 메탈, 엔지니어링 플라스틱 등이 사용 가능하며, 두께는 재질에 따라 다르겠으나, 통상 휘어짐을 방지하고, 기계적인 안정성을 유지하기 위하여 적정 두께를 유지하는 것이 바람직한데, 유리 기판의 경우 가령 1mm 이상이면 충분하다. 플레이트(1)는 두 반도체 소자(2,2)의 절단 전 또는 절단 후에 제거될 수 있다.
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 36에 제시된 방법에 사용된 휨이 없는 플레이트(1)가 도 25에 제시된 방법에 적용된 예이다. 휨이 없는 플레이트(1)를 투광성 재질(예: 유리)로 형성함으로써, 상기된 장점을 모두 누리는 한편, 노광 공정에도 아무런 문제를 일으키지 않게 된다.
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 31에 도시된 방법과 달리, 절연막 또는 광 반사막 등으로 기능하는 격벽(6a)이 봉지제(4; 도 39 참조)를 형성하기 이전에 접착제(3)가 형성된 플레이트(1) 위에 형성된다. 격벽(6a)은 백색 PSR, 검은색 PSR, 또는 SiO2, Al2O3, TiO2 또는 이들의 세라믹 미립자가 함유된 고분자 조성물, 기존 실리콘 수지 혹은 에폭시 수지 조성물, 또는 기존 LED 패키지에 사용되는 사출 플라스틱, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 재질에 따라 포토리소그라피 공정, 증착, 사출, 스크린 프린팅, 도팅, 스텐실, 잉크제팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 바람직하게는 격벽(6a)이 경사면(4b)을 가지지만, 이에 한하지 않으며, 단면이 사각형, 사각형, 곡면 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 높이와 폭도 필요에 따라 조절될 수 있다. 다음으로, 도 39에 도시된 바와 같이, 봉지제(4)가 도포된다. 이어서, 도 40에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)가 제거된다. 접착제(3)에 열 및/또는 광을 가하여 플레이트(1)를 분리하거나, 적절한 제거액을 통해 플레이트(1)를 분리할 수 있다. 필요에 따라, 도 41에 도시된 바와 같이, 외부 전극(81,91)이 형성되고, 절단된다. 반도체 소자(2)는 격벽(6a)의 형성의 전후에 플레이트(1)에 고정될 수 있다.
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 위에 추가의 층(41)이 구비되어 있다. 추가의 층(41)은 단순히 봉지제(4)를 보강하는 층일 수 있으며, 이 경우에, 봉지제(4)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 봉지제(4)의 적어도 일부에 형광체가 구비되고, 추가의 층(41)은 투명하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 추가의 층(41)에 형광체 및/또는 광 산란제를 함유하는 것도 가능하다. 추가의 층(41)을 봉지제(4)와 굴절률이 다른 물질로 구성하여, 광 취출 효율을 높이는 것도 가능하다. 또한 추가의 층(41)의 렌즈, 요철 등을 형성하기 위한 기저층으로 활용할 수도 있다. 필요에 따라 복수의 추가의 층(41)이 구비될 수 있음을 물론이다. 예를 들어, 아래 층에 형광체를 함유하고, 위층에 광 산란제를 함유할 수 있다. 다른 실시예에서, 추가의 층(41)이 도 38에 도시된 격벽(6a)이 구비되지 않은 반도체 소자 구조물에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체 소자(2)에 대응하지만, 본 개시는 이에 한하지 않으며, 하나의 렌즈(4c)가 복수의 반도체 소자를 커버하거나, 복수의 렌즈가 하나의 반도체 소자(2)에 구비될 수 있고, 복수의 렌즈가 복수의 반도체 소자를 위해 구비될 수 있음은 물론이다. 렌즈(4c)는 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 요철(4g)이 형성되어 있다. 요철(4g)은 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.
렌즈(4c)와 요철(4g)은 봉지제(4) 또는 추가의 층(42)의 경화 이전에 렌즈(4c) 또는 요철(4g) 형상을 가지는 구조물을 이용하여 형성할 수 있다.
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 렌즈(4c) 위에 광 산란제(예: 알루미늄 옥사이드 , 실리콘 옥사이드 , 티타늄 옥사이드 등의 산화물 미립자)를 함유하는 광 산란층(4y)이 더 구비되어 있다. 광 산란층(4y)은 도 42에 도시된 방법으로 형성될 수 있으며, 또한 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
도 46 내지 도 48은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 격벽(6a)이 반도체 소자(2)보다 높은 높이를 가지는 예들이 도시되어 있다. 도 46에서, 격벽(6a)이 반도체 소자(2)보다는 높은 높이를 가지지만, 여전히 봉지제(4) 내에 위치하여, 즉 격벽(6a)이 봉지제(4)로 덮혀 있다. 도 47에서, 격벽(6a)이 추가의 층(41) 내에 위치하여, 즉 격벽(6a)이 추가의 층(41)에 의해 덮혀 있다. 도 48에서, 봉지제(4)와 추가의 층(41) 모두가 격벽(6a) 내에 위치하여 격벽(6a)의 상부가 노출되어 있다. 추가의 층(41)이 형광체를 함유하고, 격벽(6a)은 투명하게 구성하는 것이 가능하다. 물론 그 반대도 가능하면, 도 46 내지 도 56에 기재된 예들은 전술한 예들과 모순되지 않는 한 함께 고려될 수 있다.
도 49는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 격벽(6a)이 반도체 소자(2)에 접하여 구비되어 있다. 반도체 소자(2)가 반도체 발광소자인 경우에, 격벽(6a)은 예를 들어, 백색 실리콘 수지로 이루어질 수 있으며, 디스펜싱, 스핀 코팅, 몰딩 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 이러한 구성을 통해, 반도체 소자(2)로부터 발광된 빛이 반도체 소자 측면에 갇혀 손실되는 것을 줄인 상태에서 반도체 소자(2) 상면으로 방출될 수 있다. 도 49에서 격벽(6a)의 높이가 반도체 소자(2)와 동일하게 도시되어 있지만, 격벽(6a)의 높이는 반도체 소자(2)의 높이보다 낮거나 높을 수 있음은 물론이다.
도 50은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)와 추가의 층(41)을 구비함으로써, 반도체 소자(2)가 반도체 발광소자인 경우에, 격벽(6a)에 의해 반도체 소자(2)로부터 나온 대부분의 빛이 손실없이 상방으로 향하는 한편, 봉지제(4)를 거친 다음 추가의 층(41)을 투과하게 되므로, 추가의 층(41)의 측단을 통해서도 충분히 빛이 방출될 수 있게 된다(화살표 참조). 예를 들어, 봉지제(4)를 투명한 층으로 구성하고, 추가의 층(41)을 형광체 층으로 구성하는 경우에, 이러한 효과는 더욱 좋아질 수 있다. 봉지제(4)의 높이를 조절함으로써, 이러한 효과를 조절할 수 있게 된다. 봉지제(4)를 형광체 층으로 구성하는 경우에도 이러한 효과가 있는 것은 물론이다.
도 51 내지 도 53은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)와 접한 격벽(6a)의 다양한 구성을 예시하고 있다. 반도체 소자(2)가 반도체 발광소자인 경우에, 격벽(6a)의 높이를 조절함으로써, 광이 상방으로 퍼져나가는 각도를 조절하는 것이 가능하다. 또한 이러한 조절에 투명한 층으로 된 봉지제(4)를 보조적으로 사용하는 것이 가능하다. 이것은 도 46 내지 도 48에 도시된 반도체 소자 구조물에서도 마찬가지다.
도 54는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 53에 도시된 구조에 렌즈(4c)가 적용된 형태이다. 일반적으로 렌즈(4c)를 이용하는 경우에, 광원의 크기가 작을수록 설계가 용이하고 집광 효율을 높일 수 있다. 반도체 발광소자인 반도체 소자(2)에 격벽(6a)이 접하도록 형성하고, 그 높이를 높여줌으로써, 렌즈(4c)의 설계를 용이하게 하고 집광의 효율을 높일 수 있게 된다. 렌즈(4c)가 도 46 내지 도 52에 도시된 반도체 소자 구조물에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 55는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 격벽(6a) 위에 단차(6b; Step)이 형성되어 있다. 단차(6b)는 격벽(6a)을 형성한 다음, 이를 포토리소그라피 공정으로 식각하거나, 1차로 도 51에서와 같은 격벽(6a)을 만든 다음, 추가로 스크린 프린팅과 같은 방법을 이용하여 단차 또는 돌기(6b)를 형성함으로써 만들어질 수 있다. 단차(6b) 대신에 격벽(6a) 상부에 홈을 형성하여 추가의 층(41)과의 결합력을 높이는 것도 가능하다.
도 56은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정하거나, 점착성이 있는 플레이트(1) 위에 반도체 소자(2)를 위치 고정한다. 다음으로, 격벽(6a)을 형성한다. 예를 들어, 디스펜싱을 통해 백색 실리콘 수지로 격벽(6a)을 형성할 수 있으며, 격벽(6a)을 형성하는 방법에 특별한 제한이 없다. 반도체 소자(2)가 반도체 발광소자인 경우에, 격벽(6a)은 반도체 소자(2)를 지지하는 한편, 광을 반사하는 재질이라면 어떠한 물질이어도 좋다. 다음으로, 봉지제(4) 및/또는 추가의 층(41)을 형성한다. 마지막으로, 플레이트(1)를 제거하고, 복수의 반도체 소자(2)가 한번에 형성된 경우에, 개별의 소자로 분리한다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 봉지제가 캐리어로 역할하는 반도체 소자 구조물
(2) 플레이트로부터 분리된 봉지제 하면을 가지는 반도체 소자 구조물
(3) 반도체 소자의 전극이 위치하는 면을 제외한 봉지제의 외면들이 구조물 또는 패키지의 외면을 이루는 반도체 소자 구조물
(4) 반도체 소자들을 봉지제를 이용하여 결합한 반도체 소자 구조물
(5) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(6) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 적어도 하나의 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. 추가의 층은 봉지제와 같은 재질 또는 다른 재질로 형성될 수 있다. 봉지제 및 추가의 층 중의 적어도 하나에, 형광체, 광 산란제 등을 전체적으로, 하나의 층으로 또는 농도(concentration)를 변경하면서 형성할 수 있다.
(7) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(8) 렌즈 위에 형성된 광 산란층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(9) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 요철을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(10) 격벽은 광 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(11) 반도체 소자 구조물에 있어서, 봉지제; 봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서 반도체 발광소자인 반도체 소자; 전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
(12) 봉지제의 상부에 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
(13) 격벽은 백색인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. 격벽의 백색 물질(백색 PSR, 종래 LED 패키지에 사용되는 백색 고분자 물질 등)로 형성하여, 광 반사막에 의한 광 흡수를 줄일 수 있게 된다.
(14) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이고, 격벽은 광 반사막이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 적어도 반도체 소자의 상부를 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 적어도 격벽을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(15) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(16) 추가의 층은 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(17) 봉지제는 투명한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(18) 격벽은 백색 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(19) 절단하는 단계에 앞서, 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(20) 위치 고정하는 단계에서, 격벽이 반도체 소자와 접하여 위치 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(21) 위치 고정하는 단계에서, 격벽이 반도체 소자와 이격되어 위치 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(22) 격벽의 높이가 반도체 소자의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(23) 격벽 위에 봉지제가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(24) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(25) 격벽 위에 추가의 층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(26) 봉지제와 추가의 층이 격벽 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(27) 절단하는 단계에 앞서, 격벽 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(28) 반도체 소자 구조물에 있어서, 하부로 전극이 노출되는 반도체 소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자; 반도체 소자 측면에 접하여 구비되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 적어도 반도체 소자의 상면을 덮는 봉지제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(29) 봉지제 위에 형성되는 추가의 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(30) 격벽의 높이가 반도체 소자의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(31) 격벽의 높이가 반도체 소자 구조물의 높이와 같은 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(32) 격벽 내에서 봉지제 위에 추가의 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(33) 격벽 위에 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
(34) 봉지제는 형광체를 함유하고, 추가의 층은 투명한 층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 및 이를 제조하는 방법.
본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 구조물 또는 패키지를 쉽게 제조할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 캐리어로 역할하는 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 투광성 봉지제가 캐리어로 역할하는 발광소자 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자를 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 다른 구조의 반도체 소자들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제에 거친 표면 또는 요철을 형성할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 격벽을 반도체 구조물 형성 공정에서 쉽게 추가할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 광원의 면적 또는 광 방출 각을 조절할 수 있게 된다.
플레이트 1 반도체 소자 2 접착제 3

Claims (22)

  1. 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
    플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이고, 격벽은 광 반사막이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계;
    적어도 반도체 소자의 상부를 봉지제로 덮는 단계;
    반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고,
    적어도 격벽을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    추가의 층은 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    봉지제는 투명한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    격벽은 백색 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    절단하는 단계에 앞서, 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    위치 고정하는 단계에서, 격벽이 반도체 소자와 접하여 위치 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    위치 고정하는 단계에서, 격벽이 반도체 소자와 이격되어 위치 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    격벽의 높이가 반도체 소자의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    격벽 위에 봉지제가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  12. 청구항 2에 있어서,
    격벽 위에 추가의 층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  13. 청구항 2에 있어서,
    봉지제와 추가의 층이 격벽 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    절단하는 단계에 앞서, 격벽 위에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  15. 반도체 소자 구조물에 있어서,
    하부로 전극이 노출되는 반도체 소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자;
    반도체 소자 측면에 접하여 구비되며, 광 반사막인 격벽; 그리고,
    적어도 반도체 소자의 상면을 덮는 봉지제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  16. 청구항 15에 있어서,
    봉지제 위에 형성되는 추가의 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  17. 청구항 15에 있어서,
    격벽의 높이가 반도체 소자의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  18. 청구항 15에 있어서,
    격벽의 높이가 반도체 소자 구조물의 높이와 같은 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  19. 청구항 18에 있어서,
    격벽 내에서 봉지제 위에 추가의 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  20. 청구항 15에 있어서,
    격벽 위에 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  21. 청구항 2에 있어서,
    봉지제는 형광체를 함유하고,
    추가의 층은 투명한 층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
  22. 청구항 16에 있어서,
    봉지제는 형광체를 함유하고,
    추가의 층은 투명한 층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
KR1020140029459A 2013-04-24 2014-03-13 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 KR20150107086A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140029459A KR20150107086A (ko) 2014-03-13 2014-03-13 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
PCT/KR2014/003604 WO2014175682A1 (ko) 2013-04-24 2014-04-24 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140029459A KR20150107086A (ko) 2014-03-13 2014-03-13 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150107086A true KR20150107086A (ko) 2015-09-23

Family

ID=54245656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140029459A KR20150107086A (ko) 2013-04-24 2014-03-13 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150107086A (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017061844A1 (ko) * 2015-10-08 2017-04-13 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20170055459A (ko) * 2015-10-08 2017-05-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20170082481A (ko) * 2017-07-03 2017-07-14 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20180051874A (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US10008648B2 (en) 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101877241B1 (ko) * 2017-06-29 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101877236B1 (ko) * 2016-11-04 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20190126496A (ko) * 2018-05-02 2019-11-12 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지
KR20200005611A (ko) * 2017-05-09 2020-01-15 루미레즈 엘엘씨 반사 측벽을 갖는 발광 디바이스
US11038086B2 (en) 2016-03-07 2021-06-15 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017061844A1 (ko) * 2015-10-08 2017-04-13 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20170055459A (ko) * 2015-10-08 2017-05-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US10008648B2 (en) 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US11038086B2 (en) 2016-03-07 2021-06-15 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor
KR101877236B1 (ko) * 2016-11-04 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20180051874A (ko) * 2016-11-09 2018-05-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20200005611A (ko) * 2017-05-09 2020-01-15 루미레즈 엘엘씨 반사 측벽을 갖는 발광 디바이스
KR101877241B1 (ko) * 2017-06-29 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20170082481A (ko) * 2017-07-03 2017-07-14 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20190126496A (ko) * 2018-05-02 2019-11-12 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지
US20210050483A1 (en) * 2018-05-02 2021-02-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting element package
US11955584B2 (en) * 2018-05-02 2024-04-09 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting element package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101476771B1 (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20150107086A (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US9773950B2 (en) Semiconductor device structure
US8138509B2 (en) Light emitting device having luminescent layer with opening to exposed bond pad on light emitting die for wire bonding pad to substrate
KR101461154B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20090021531A (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101291092B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR100780182B1 (ko) 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101360324B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101460742B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101450216B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101733043B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102089496B1 (ko) 반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법
KR101465708B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101299563B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101299562B1 (ko) 반도체 소자 구조물
KR101300463B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101779084B1 (ko) 반도체 발광소자 구조물 및 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법
KR101461153B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101494440B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자 구조물
KR101538083B1 (ko) 반도체 소자 구조물
KR101464326B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20140127099A (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20140048178A (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101543724B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment