JP4810751B2 - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は半導体素子の構造に係わり、特に絶縁基板上に形成された窒化物半導体素子の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
今日、低消費電力で高輝度に発光し、小型、かつ軽量な発光素子や受光素子として、種々の分野で光半導体素子が利用され始めている。とくに近紫外から赤外まで高輝度に発光可能な発光素子として窒化物半導体(AlxInyGa1−x−yN、0≦x≦1、0≦y≦1)を利用した発光ダイオードが実用化されたことから種々の分野に急速に利用され始めている。発光ダイオードは小型で発光効率が良く、半導体素子であるため球切れなどの心配はない。さらに、初期駆動特性に優れ、振動や点滅に強いという特徴を有する。そしてこれらの発光ダイオードの特徴を生かして、様々な発光装置への応用が考えられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
発光ダイオードを用いた発光装置の1つとして光ファイバモジュールがある。光ファイバモジュールなどの光通信、または光情報処理等の分野で発光ダイオードを用いる場合、必要とされる特性としては電流投入時から発光するまでの応答性が良く、高出力でありかつ微小発光面積でも均一に発光する発光ダイオードが、さらにはそれぞれの目的、発光装置としての実装にあわせた発光面を有することである。
【0004】
ところで、窒化物半導体のうち、例えば一般に窒化ガリウム系窒化物半導体と呼ばれるAlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる窒化物半導体は、基板としてサファイア基板などの絶縁性基板が用いられており、窒化物半導体層成長面側からn電極およびp電極の両方を取り出す必要がある。この発光ダイオードの光取り出し面を窒化物半導体層の成長面側に設けるとき、電流はpn接合部を均一に流れにくいので、透光性のある全面電極をpn接合部上の全面にわたって形成している。従来良く用いられる発光ダイオードとしては全面電極の一部にボンディングパッド電極が設けられた図6のような構造の発光ダイオードが用いられている。
【0005】
しかしながら、微小発光面積を必要とした発光ダイオードを作製しようとした場合、ボンディングパッド電極はワイヤやリードフレームなどに接続するための端子として用いており、接続するためにはある程度の面積が必要となり、発光面積を小さくすることに限界があり、従来の素子構造では微小発光面積を実現することは困難であった。例えばワイヤボンディングに必要なボンディングパッド電極の面積は少なくとも50μmを必要とする。
【0006】
本発明はこのような問題点に鑑み、高出力でありかつ微小発光面積でも均一に発光が可能となる窒化物半導体素子として新規な素子構造を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明では、窒化物半導体素子の構造を以下の構成(1)〜(10)とすることにより、本発明における課題を解決するに至った。
(1) 基板上にn型窒化物半導体層、p型窒化物半導体層が積層され、p型窒化物半導体層層上に、p側電極を有する窒化物半導体素子において、
前記p側電極は、p型窒化物半導体層表面の一部に接して該p型窒化物半導体層とオーミック接触をなす透光性電極と、平面視において前記透光性電極から離れて形成されたp側ボンディングパッド電極と、該p側ボンディングパッド電極から延伸して該透光性電極の少なくとも外周を覆って形成されたp側拡散電極とを有し、
前記透光性電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、前記p側拡散電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにそれぞれの電極材料が選定されていることを特徴とする。
【0008】
(2) 前記透光性電極はp型窒化物半導体層に対してオーミック接触で形成され、前記p側拡散電極はp型窒化物半導体層に対してショットキー接触で形成されていることを特徴とする。
【0010】
(3) 前記透光性電極とp側拡散電極との接触部において、該接触部の内周の形状は円形であることを特徴とする。
【0011】
(4) 前記透光性電極とp側拡散電極との接触部において、該接触部の内周および外周は同心円形状であることを特徴とする。
【0014】
(5) 前記p型窒化物半導体層の一部がエッチングされてn型窒化物半導体層が露出されかつ、前記n型窒化物半導体層の露出面にn側電極を有し、前記n側電極は、n側ボンディングパッド電極と、該n側ボンディングパッド電極から延伸して前記透光性電極および該透光性電極と前記p側拡散電極との接触部を囲むように形成されたn側拡散電極とを有することを特徴とする。
【0015】
(6) 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記p側ボンディングパッド電極とn側ボンディングパッド電極は素子を形成する一辺の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする。
【0016】
(7) 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記p側ボンディングパッド電極とn側ボンディングパッド電極は素子の対角線上の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする。
【0017】
(8) 前記p側ボンディングパッドとn側ボンディングパッド電極は同一の製造工程で形成された同一の材料からなることを特徴とする。
【0018】
(9) 前記ボンディングパッド部を除くすべての電極および窒化物半導体層の全面が透光性を有する絶縁膜で覆われていることを特徴とする。
【0019】
(10) 前記透光性電極と透光性電極を覆って形成されたp側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が、0.15以上0.50以下であることを特徴とする。
【0021】
以上のように、p側電極は、透光性電極とp側ボンディングパッド電極とが離れて形成され、さらにp側拡散電極をp側ボンディングパッド電極から延伸して透光性電極の少なくとも外周を覆って形成し、透光性電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、p側拡散電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにする。またn側電極は、n側ボンディングパッド電極と、n側ボンディングパッド電極から延伸して透光性電極および透光性電極とp側拡散電極との接触部を囲むようなn側拡散電極とを形成する。これにより、応答性が良く、高出力でありかつ微小発光面積でも均一に発光が可能となり、さらに本発明の素子構造にすることで、微小面積の窒化物半導体素子に適用できるだけでなく種々の窒化物半導体素子でも本発明による独特の効果が得られる素子ができた。
【0022】
【発明の実施の形態】
次に図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態を模式的に示した平面図である。また図2は図1のB−B'で切断したときの模式的に示した断面図、図3は図1のA−A'で切断したときの模式的に示した断面図、図4は図1のC−C'で切断したときの断面図よりp側拡散電極と透光性電極との接触部104について示す模式図であり、図5は本発明の他の実施の形態を模式的に示した平面図である。
【0023】
本発明は図1に示すように、本発明の窒化物半導体素子は、p型窒化物半導体層3上に透光性電極101とp側ボンディングパッド電極103とが離れて形成され、さらにp側拡散電極102をp側ボンディングバッド電極103から延伸して透光性電極101の少なくとも外周を覆って形成されている。またn型窒化物半導体層2上にn側ボンディングパッド電極202と、n側ボンディングパッドから延伸して透光性電極101および透光性電極とp側拡散電極との接触部104を囲むようにn側拡散電極201が形成されている。
【0024】
このように発光面を形成する透光性電極とp側ボンディングパッド電極とが離れて形成されることにより、発光面積をボンディングパッドの面積の大きさにとらわれることなく、微小化、さらには自由に大きさを変えることが可能となる。
【0025】
ところで発光面を形成する透光性電極とp側ボンディングパッド電極とを離して形成するために、これらの電極を電気的に接続する目的としてp側拡散電極が設けられる。このp側拡散電極はp型窒化物半導体層に直接接して形成することはできるが、その場合透光性電極下部に位置するpn接合部に電流が流れるだけでなく、p側拡散電極とp型窒化物半導体層がその接する部分の下部に位置するpn接合部でも電流が流れてしまう。ここに電流が流れてしまうと、素子に投入される電流に対し、発光面からの発光効率は低くなってしまう。そこで、p側拡散電極とp型窒化物半導体層とが接触しないように、p側ボンディングパッド電極と透光性電極との間に絶縁膜を介し、その上にp側拡散電極を設ける方法が考えられるが、この場合p側拡散電極と絶縁膜との接触面積が大きく、絶縁膜と拡散電極として用いる金属との密着性が悪いため、剥がれが生じてしまい、短絡してしまい、構造としては好ましいものではない。そこで鋭意研究した結果、p側拡散電極102とそれに接するp型窒化物半導体層とのオーミック性を、少なくとも透光性電極101とそれに接するp型窒化物半導体層とのオーミック性よりも悪くなるように形成することで、素子に投入される電流が、ほとんど透光性電極を通るようになり、透光性電極とp側ボンディングパッド電極とを離した構造でも発光面からの発光効率を高く維持できる素子を得ることができるようになった。さらに、p側拡散電極102がp型窒化物半導体層に対してショットキー接触となるようなp側拡散電極の材料を選定することで、さらに発光効率の高い窒化物半導体素子を得ることが可能となった。
【0026】
さらに本発明の透光性電極101は透光性を示すように電極材料を選定、もしくは膜厚を制御することにより、発光が透光性電極の発光面に集中し、さらに高効率の発光素子を得ることができる。
【0027】
また本発明は透光性電極とp側拡散電極との接触部104において、接触部の内周の形状を円形とすることで、電流投入時から発光するまでの応答性が良く、発光面全面に渡って均一に電流が流れるようになり、高出力である上に発光面において均一に発光する素子が得られる。この場合、接触部における外周の形状は特に限定されないが、好ましい形態としては接触部の外周の形状は接触部の内周の円と同心円となるような円形とする。このように形成することで、透光性電極の発光面の周りを均一に電流が流れるようになり、効率よく均一な発光を得ることができ、さらに応答性も良くなる。
【0028】
また本発明のp側拡散電極102は複数の金属層からなり、その材料としては例えばタングステン、白金、ニッケル、金などが挙げられる。これらは好ましくはp型窒化物半導体層上に形成して少なくとも、p型窒化物半導体層に対してのオーミック性が透光性電極のそれに対してのオーミック性よりも悪くなるように、好ましくはp型窒化物半導体とショットキー接触とする。なかでも最も好ましい材料として、p型窒化物半導体層に接してタングステン、さらに白金を選定し形成する。特にタングステンはp型窒化物半導体層とショットキー接触を示し、白金はタングステンと密着性が良く、さらには厚膜を積むことで導電性の高い膜となり、p側ボンディングパッド電極と透光性電極とを導電性よく電気的に接続できる。複数の金属層を有するp側拡散電極のうち、さらに好ましくはp側拡散電極の最も上の層にニッケルを100オングストローム以下の膜厚で形成する。ニッケルを最も上に形成することで、後に素子を覆うように形成する保護膜301との密着性が良くなる。
【0029】
また本発明の透光性電極101は例えば、ニッケル、クロム、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、タンタル、バナジウム、パラジウム、金など、またはこれらの合金が挙げられる。これらはp型窒化物半導体層と良好なオーミック特性を示す材料で、好ましくはp型窒化物半導体層上に形成して透光性のある膜厚で形成することが好ましい。なかでもニッケルと金を積層し、アニーリングすることで合金化させることで、最もオーミック特性のよい透光性電極を得ることができる。
【0030】
また本発明のn側電極は、n型窒化物半導体層2が露出する面に形成し、そのn型窒化物半導体層はp側ボンディングパッド電極102、透光性電極101、さらにはp側拡散電極を形成しない部位をできるだけ最大限にエッチングして露出させる。n側電極はn側ボンディングパッド電極202とn側拡散電極201とから成り、n側拡散電極201はn型窒化物半導体層露出面のほぼ全面に形成することで、例えば図1に示すように、透光性電極101および透光性電極とp側拡散電極との接触部104を囲むように形成できる。このようにn側拡散電極を形成することで、n側拡散電極とp電極上における接触部との距離をほぼ一定にすることができ、電流投入時から発光するまでの応答性を良くする点で最も効果的で、さらに発光面を均一に発光させることができる。
【0031】
また本発明の窒化物半導体素子の外形を四角形状とし、p側ボンディングパッド電極103とn側ボンディングパッド電極202の位置を素子を形成する一辺の両端に形成することが好ましい(図1)。このように形成することで、ある一定の発光面を有する窒化物半導体素子のなかで、最もチップを最小にすることができる。またさらに、一辺の両端にp側およびn側の両方のボンディングパッド電極を形成するため、ワイヤボンディングを行う工程において、ワイヤボンダーの動きが最小限となるため、ボンディングの時間短縮がはかれ、歩留の点でも好ましい。
【0032】
また本発明の窒化物半導体素子の外形を四角形状とし、p側ボンディングパッド電極103とn側ボンディングパッド電極202の位置を素子の対角線上の両端に形成してもよい(図5)。これは上記素子の一辺の両端にボンディングパッド電極を設けたときほどではないが、チップを最小にすることができる。この形態は、例えば複数のチップを一方向に配列させたアレイとして用いるとき、一方に一方のワイヤ、他方にもう一つのワイヤをボンディングすることができるので、アレイとして最も密にチップを配列することが可能となる。このような構造としたとき、n側ボンディングパッド電極が、p側窒化物半導体層を囲むn側拡散電極の中心付近に形成されるので、即時に均一な電流が流れるようになりやすく、応答速度を高くするのに好ましい。
【0033】
また本発明ではp側ボンディングパッド電極103とn側ボンディングパッド電極202とは異なる材料であってもよいが、同一の材料であってもよい。それぞれのボンディングパッド電極はどちらも、拡散電極上に形成されており接触抵抗について検討する必要はない。よって、それぞれに密着性のよい材料を選定すればよく、好ましくは、チタン、白金、金、ニッケル、またはこれらを複数積層したものがよく、好ましくは最上層を金を積層することで、金ワイヤとのボンディングが容易になり、最も好ましくは白金と白金の上に金を積層した構造とする。ボンディングパッド電極はそれぞれの拡散電極上に一部絶縁膜を介して形成することから、絶縁膜と密着性の良い材料を白金より下に形成した3層構造とすることが好ましい。絶縁膜として例えばSiO2を用いた場合、好ましくはチタン/白金/金の3層構造とする。
【0034】
また本発明は図4に示すように、透光性電極101と透光性電極を覆って形成されたp側拡散電極102とが接触する面積104の透光性電極の面積に対する比が、0.15以上0.50以下とする。特に微小面積を発光させる窒化物半導体素子においては、発光面の面積が小さくなればなるほど発光面の面積に対して、透光性電極とp側拡散電極との接触する面積の割合が大きくなってしまう。この割合が大きくなると、電流は透光性電極の発光部にはほとんど流れず、接触部にほとんど流れてしまうようになり、素子に投入する電流に対する発光面での発光効率は低くなってしまい、好ましくない。とくに透光性電極と透光性電極を覆って形成されたp側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が0.50よりも大きくなるとその影響が顕著に現れる。また透光性電極と透光性電極を覆って形成されたp側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が0.15より小さくなると、p側ボンディングパッド電極からp側拡散電極を通って、透光性電極に到達する電流の経路が小さくなり、電流が流れにくくなってしまい駆動電圧が高くなってしまったり、さらには透光性電極とp側拡散電極とが接触する部位において、電流密度が異常に高くなり、素子劣化が早くなってしまうなどの原因で、好ましくない。
【0035】
また本発明の窒化物半導体素子はp側ボンディングパッド電極103、n側ボンディングパッド電極202形成部分を除く、少なくともすべての電極および窒化物半導体層の全面が透光性のある絶縁膜301で覆われていることが好ましい。これにより素子が保護され、短絡等の問題を防ぐことができる。好ましい絶縁膜301の材料としては、SiO2、SiNなどが挙げられるが、最も好ましくはSiO2を、1μm程度形成する。
【0036】
また本発明の窒化物半導体素子は特徴として、応答性が良く、微小発光面積でも高出力でかつ均一に発光できることから、光ファイバに接続する光源として用いることに大きな効果を発揮する。例えば、実装基板402を介して少なくとも一対のリードフレーム403と電気的に接続された本発明の窒化物半導体素子100が、エポキシ系の樹脂401でモールドされており、その窒化物半導体層の発光面に対向する樹脂の表面は凸となるレンズ404を形成し、かつ発光面に対向する樹脂表面のレンズ部を除く全面は平面とする。このような窒化物半導体発光装置は発光面に対向する樹脂401の表面は凸となるレンズ404を形成していることから、接続される光ファイバに均一に光を提供することができ、また発光面に対向する樹脂表面のレンズ部を除く全面を平面とすることで、光ファイバに接続しやすくなる。また、樹脂401に形成した凸状のレンズ404は樹脂最表面より内側に形成してもよく、このような凸は樹脂を形成する際にリードフレーム403に接続された窒化物半導体素子を所定の金型に入れ、樹脂を流し込むことで形成することができる。
【0037】
本発明の実施の形態としては窒化物半導体発光素子について説明したが、これが受光素子等、種々の素子として用いることができることはいうまでもない。
【0038】
【実施例】
以下、本発明に係る実施例を示す。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
[実施例1]
サファイア(C面)よりなる基板をMOVPEの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を1050℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。この基板としては他にA面、R面を主面とするサファイア基板、スピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板などでもよい。
【0039】
(n型窒化物半導体層)
基板をクリーニング後、n型窒化物半導体層を次の構成で成長させる。
基板の温度を510℃まで下げ、基板上にGaNよりなるバッファ層を100Å成長させる。
次にバッファ層成長後、温度を1050℃まで上昇させ、アンドープGaN層を1.5μmの膜厚で成長させる。
続いて1050℃で、Siを4.5×1018/cm3ドープしたGaN層を2.2μmの膜厚で成長させる。
続いて1050℃で、アンドープGaN層を3000Åの膜厚で、さらにSiを4.5×1018/cm3ドープしたGaN層を300Å、さらにアンドープGaN層を50Åの膜厚で成長させる。
続いて同様の温度で、アンドープGaNよりなる第1の層を40Å、温度を800℃にして、続いてアンドープIn0.13Ga0.87Nよりなる第2の層を20Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第1+第2+の順で交互に10層ずつ積層させ、最後に第1の層を積層させた、n型多層膜層を成長させる。
【0040】
次にn型窒化物半導体層を成長後、アンドープGaNよりなる障壁層を200Åの膜厚で成長させ、続いて温度800℃にして、Siを5×1017/cm3ドープしたIn0.3Ga0.7Nよりなる井戸層を30Åの膜厚で成長させる。そして障壁+井戸+障壁+井戸+…の順で書へ気相を6層と、井戸層を5層を交互に積層して、総膜厚1350Åの多重量子井戸よりなる活性層を積層させる。この活性層は図1〜図6において図示していない。
【0041】
活性層成長後、p型窒化物半導体を次の構成で成長させる。
次に1050℃で、Mgを5×1019/cm3ドープしたp型Al0.1Ga0.9Nよりなる第3の層を25Åの膜厚で成長させ、続いてアンドープGaNよりなる第4の層を25Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第3+第4の順で交互に4層ずつ積層した超格子よりなるp型多層膜層を200Åの膜厚で成長させる。
続いて1050℃で、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなる層を2700Åの膜厚で成長させる。
【0042】
反応終了後、温度を室温まで下げ、窒素雰囲気中で700℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化する。
以上のようにして窒化物半導体を成長させたウエハーを反応容器から取り出し、n型窒化物半導体層を露出するために、露出させる部分を除くp型窒化物半導体層の上にSiO2マスクを形成し、RIE(反応性イオンエッチング)によってエッチングを行い、n型窒化物半導体層(SiドープGaN層)の表面を露出させる。
【0043】
次にp型窒化物半導体層の一部を開口させ、他の部分を覆うようにレジストを塗布し、開口させたp型窒化物半導体層上にNiを60Å、Auを200Å積層後、レジストを除去し、さらにアニールして透光性電極を形成する。さらにp側拡散電極の形成部分を開口させたレジストを形成し、その形成面のほぼ全面にWを200Å、Ptを3000Å、Niを60Åからなるp側拡散電極を形成する。
【0044】
次にレジストを除去し、今度はn型窒化物半導体層上にWを200Å、Alを1000Å、Wを1000Å、Ptを3000Å、Niを60Åの膜厚で積層したn側拡散電極を形成する。
【0045】
次にp側ボンディングパッド形成部を除くp側拡散電極、n側ボンディングパッド形成部を除くn側拡散電極、透光性電極および窒化物半導体層露出部全面にSiO2よりなる絶縁膜を1μmの膜厚で形成する。
【0046】
最後に絶縁膜の開口部にTiを200Å、Ptを1000Å、Auを3000Åからなるボンディングパッド電極を形成する。このボンディングパッド電極はp側拡散電極上のp側ボンディングパッド電極およびn側拡散電極上のn側ボンディングパッド電極とも、同一の工程で作成する。
以上のような工程で、窒化物半導体素子を作製したところ、発光部において、均一に発光する高出力の窒化物半導体素子を得ることができた。
【0047】
[実施例2]
実施の形態1で得られた窒化物半導体素子を一対のリードフレームに接続する。このときp側ボンディングパッドは一方のリードフレームに直接ワイヤボンディングし、n側ボンディングパッド電極は他方のリードフレームと電気的に接続された実装基板にワイヤボンディングする。次にリードフレームがついた窒化物半導体素子をあらかじめモールドしたい形状に型取られた金型に入れ、樹脂を流し込み、硬化させることで、窒化物半導体装置を得る。
【0048】
【発明の効果】
以上示したように、本発明ではp側電極は、透光性電極とp側ボンディングパッド電極とが離れて形成され、さらにp側拡散電極をp側ボンディングパッド電極から延伸して透光性電極の少なくとも外周を覆って形成し、透光性電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、p側拡散電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにする。またn側電極は、n側ボンディングパッド電極と、n側ボンディングパッド電極から延伸して透光性電極および透光性電極とp側拡散電極との接触部を囲むようなn側拡散電極とを形成する。これにより、応答性が良く、高出力でありかつ微小発光面積でも均一に発光が可能となる窒化物半導体素子が得られた。また、これらの効果は微小面積の発光素子に限らず適用できるので、本発明の素子構造は微小な発光面積以外の素子にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態を模式的に示した平面図である。
【図2】 図1のB−B'で切断したときの模式的に示した断面図である。
【図3】 図1のA−A'で切断したときの模式的に示した断面図である。
【図4】 図1のC−C'で切断したときの断面図よりp側拡散電極と透光性電極との接触部について示す模式図である。
【図5】 本発明の他の実施の形態を模式的に示した平面図である。
【図6】 従来の窒化物半導体素子の形態を模式的に示した平面図である。
【図7】 本発明の窒化物半導体素子をモールドした窒化物半導体発光装置の斜視図を模式的に示した図である。
【図8】 図7の窒化物半導体発光装置を上面から見た図である。
【図9】 図7の窒化物半導体装置を側面から見た図である。
【符号の説明】
1・・・絶縁性基板
2・・・n型窒化物半導体層
3・・・p型窒化物半導体層
100・・・窒化物半導体素子
101・・・透光性電極(全面電極)
102・・・p側拡散電極
103・・・p側ボンディングパッド電極
201・・・n側拡散電極
202・・・n側ボンディングパッド電極
301・・・絶縁膜(保護膜)
401・・・モールド樹脂
402・・・実装基板
403・・・リードフレーム
404・・・レンズ(部)
Claims (10)
- 基板上にn型窒化物半導体層、p型窒化物半導体層が積層され、p型窒化物半導体層上に、p側電極を有する窒化物半導体素子において、
前記p側電極は、p型窒化物半導体層表面の一部に接して該p型窒化物半導体層とオーミック接触をなす透光性電極と、平面視において前記透光性電極から離れて形成されたp側ボンディングパッド電極と、該p側ボンディングパッド電極から延伸して該透光性電極の少なくとも外周を覆って形成されたp側拡散電極とを有し、
前記透光性電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、前記p側拡散電極のp型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにそれぞれの電極材料が選定されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記透光性電極はp型窒化物半導体層に対してオーミック接触で形成され、前記p側拡散電極はp型窒化物半導体層に対してショットキー接触で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記透光性電極とp側拡散電極との接触部において、該接触部の内周の形状は円形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記透光性電極とp側拡散電極との接触部において、該接触部の内周および外周は同心円形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
- 前記p型窒化物半導体層の一部がエッチングされてn型窒化物半導体層が露出されかつ、前記n型窒化物半導体層の露出面にn側電極を有し、前記n側電極は、n側ボンディングパッド電極と、該n側ボンディングパッド電極から延伸して前記透光性電極および該透光性電極と前記p側拡散電極との接触部を囲むように形成されたn側拡散電極とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記p側ボンディングパッド電極とn側ボンディングパッド電極は素子を形成する一辺の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記p側ボンディングパッド電極とn側ボンディングパッド電極は素子の対角線上の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体素子。
- 前記p側ボンディングパッドとn側ボンディングパッド電極は同一の製造工程で形成された同一の材料からなることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
- 前記ボンディングパッド部を除くすべての電極および窒化物半導体層の全面が透光性を有する絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
- 前記透光性電極と透光性電極を覆って形成されたp側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が、0.15以上0.50以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
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