JP2001345480A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子Info
- Publication number
- JP2001345480A JP2001345480A JP2001101990A JP2001101990A JP2001345480A JP 2001345480 A JP2001345480 A JP 2001345480A JP 2001101990 A JP2001101990 A JP 2001101990A JP 2001101990 A JP2001101990 A JP 2001101990A JP 2001345480 A JP2001345480 A JP 2001345480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- seat
- auxiliary electrode
- auxiliary
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一発光の得られる大型の発光素子を得る。
【構成】 最外径が７００μｍ以上の素子において、ｎ
電極から最も離れたｐ電極の点までの距離を５００μｍ
以内に収める。
電極から最も離れたｐ電極の点までの距離を５００μｍ
以内に収める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はIII族窒化物系化合物半
導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなど
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の改良と
して好適な発明である。
導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなど
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の改良と
して好適な発明である。
【０００２】
【従来の技術】青色系発光ダイオードなどのIII族窒化
物系化合物半導体発光素子においては、素子の全面から
均一な発光を得るため種々の提案がなされている。例え
ば、特開平８−３４０１３１号公報や特開平１０−１１
７０１７号公報では、ｐコンタクト層の上面にｐ補助電
極を放射状に設けて、ｐコンタクト層に対する注入電流
密度の均一化を図っている。また、例えば特開平１０−
２７５９３４号公報に示されるように、ｐ型コンタクト
層の上面に透光性電極を貼ってその上にｐ台座電極を設
けるものもある。この例では、ｐ台座電極から素子の辺
に沿ってｐ補助電極が延設されている。素子の角部に形
成されたｎ台座電極から素子の辺に沿ってｎ補助電極を
設けた例が特開平９−９７９２２号公報や特開2000-222
10号公報に開示されている。
物系化合物半導体発光素子においては、素子の全面から
均一な発光を得るため種々の提案がなされている。例え
ば、特開平８−３４０１３１号公報や特開平１０−１１
７０１７号公報では、ｐコンタクト層の上面にｐ補助電
極を放射状に設けて、ｐコンタクト層に対する注入電流
密度の均一化を図っている。また、例えば特開平１０−
２７５９３４号公報に示されるように、ｐ型コンタクト
層の上面に透光性電極を貼ってその上にｐ台座電極を設
けるものもある。この例では、ｐ台座電極から素子の辺
に沿ってｐ補助電極が延設されている。素子の角部に形
成されたｎ台座電極から素子の辺に沿ってｎ補助電極を
設けた例が特開平９−９７９２２号公報や特開2000-222
10号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの検討によ
れば、高い輝度が要求されかつ同色の発光ダイオードを
集合して使用する信号機等においては、使用する発光ダ
イオードのチップサイズを大きくすることが望ましいこ
とがわかった。チップサイズを大きくすることで使用個
数が削減されれば、発光ダイオードの組付け工数が小さ
くなって製造コストの削減となることはもとより、各発
光ダイオードへ電流を均一に分配するための回路設計が
容易かつ簡素になるからである。本発明者らは、したが
って、発光ダイオードのチップサイズを大きくすべく検
討を重ねてきた。その結果、次なる課題を見出すに至っ
た。
れば、高い輝度が要求されかつ同色の発光ダイオードを
集合して使用する信号機等においては、使用する発光ダ
イオードのチップサイズを大きくすることが望ましいこ
とがわかった。チップサイズを大きくすることで使用個
数が削減されれば、発光ダイオードの組付け工数が小さ
くなって製造コストの削減となることはもとより、各発
光ダイオードへ電流を均一に分配するための回路設計が
容易かつ簡素になるからである。本発明者らは、したが
って、発光ダイオードのチップサイズを大きくすべく検
討を重ねてきた。その結果、次なる課題を見出すに至っ
た。
【０００４】発光ダイオードにおけるｎコンタクト層
（ｎ電極の形成される層）の抵抗が比較的高いためｎ電
極から遠い部分まで十分に電流が行き渡らず、当該部分
での発光が低下する。一方、ｎ電極に近い部分では強い
発光が得られるため、素子全体でみれば発光が不均一と
なる。かかる点から従来の小型の素子（３００〜４００
μｍ□）を見てみると、ｎ電極から遠く離れた部分では
多少暗くなっているが、かかる部分がごく小さい領域で
あることから当該発光の不均一は実質上大きな障害とな
らなかった。チップサイズが大きくなると、単位発光面
積当たりに注入される好適な電流密度を確保しようとし
たとき、ｐ台座電極に印加する電流量を大きくしなけれ
ばならない。ｐ台座電極に印加された電流はこのｐ台座
電極から透光性電極へ流入することとなるが、電流量が
大きくなるとｐ台座電極と透光性電極との間で焼きつき
（発生するジュール熱により接合部の透光性電極が焼き
切れてしまうこと）の発生する可能性が高くなる。ｐ台
座電極に注入可能な電流量（許容電流量）を決める一つ
の要因にｐ台座電極と透光性電極との界面の面積があ
り、当該面積が大きければ大きいほど許容電流量を大き
くできると考えられる。また、最外径が７００μｍ以上
の大型のチップにおいて、有効発光面に好適な電流密度
を確保しようとしたときには１つのｐ台座電極と１つの
ｎ台座電極の組み合わせでは、ボンディングワイヤー部
での発熱によりモールド樹脂が焼きついたり、ボンディ
ングワイヤ自体が熱により断線してしまうという不具合
の生じる惧れがある。
（ｎ電極の形成される層）の抵抗が比較的高いためｎ電
極から遠い部分まで十分に電流が行き渡らず、当該部分
での発光が低下する。一方、ｎ電極に近い部分では強い
発光が得られるため、素子全体でみれば発光が不均一と
なる。かかる点から従来の小型の素子（３００〜４００
μｍ□）を見てみると、ｎ電極から遠く離れた部分では
多少暗くなっているが、かかる部分がごく小さい領域で
あることから当該発光の不均一は実質上大きな障害とな
らなかった。チップサイズが大きくなると、単位発光面
積当たりに注入される好適な電流密度を確保しようとし
たとき、ｐ台座電極に印加する電流量を大きくしなけれ
ばならない。ｐ台座電極に印加された電流はこのｐ台座
電極から透光性電極へ流入することとなるが、電流量が
大きくなるとｐ台座電極と透光性電極との間で焼きつき
（発生するジュール熱により接合部の透光性電極が焼き
切れてしまうこと）の発生する可能性が高くなる。ｐ台
座電極に注入可能な電流量（許容電流量）を決める一つ
の要因にｐ台座電極と透光性電極との界面の面積があ
り、当該面積が大きければ大きいほど許容電流量を大き
くできると考えられる。また、最外径が７００μｍ以上
の大型のチップにおいて、有効発光面に好適な電流密度
を確保しようとしたときには１つのｐ台座電極と１つの
ｎ台座電極の組み合わせでは、ボンディングワイヤー部
での発熱によりモールド樹脂が焼きついたり、ボンディ
ングワイヤ自体が熱により断線してしまうという不具合
の生じる惧れがある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題の
少なくとも一つを解決すべくなされたものである。即
ち、最外径が７００μｍ以上の素子において、ｎ電極か
ら最も離れたｐ電極の点までの距離が５００μｍ以内に
ある、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素
子。
少なくとも一つを解決すべくなされたものである。即
ち、最外径が７００μｍ以上の素子において、ｎ電極か
ら最も離れたｐ電極の点までの距離が５００μｍ以内に
ある、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素
子。
【０００６】このように構成されたIII族窒化物系化合
物半導体素子によれば、ｎ電極から最も離れたｐ電極の
点が上記距離内にあるので、ｎ型半導体層の抵抗が高く
ても、ｎ電極から最も離れた素子の部分へも電子が十分
に注入される（電流が拡散する）。その結果、素子の全
面がより均等に発光する。なお、電流密度と発光素子の
発光出力との関係は、電流密度が所定の値を超えたとこ
ろで発光出力が飽和してくる。即ち、当該所定の値を超
えた電流密度を注入してもそれに見合った発光出力の増
加が得られない。したがって、高い発光出力でかつ高い
発光効率を達成しようとすれば、当該所定の値の近傍の
電流密度を素子の全域で達成することが好ましい。この
発明のようにｎ電極とｐ電極との距離を規定すれば素子
の全域で当該好適な電流密度を得ることができ、もって
発光効率の優れた素子を提供できることとなる。
物半導体素子によれば、ｎ電極から最も離れたｐ電極の
点が上記距離内にあるので、ｎ型半導体層の抵抗が高く
ても、ｎ電極から最も離れた素子の部分へも電子が十分
に注入される（電流が拡散する）。その結果、素子の全
面がより均等に発光する。なお、電流密度と発光素子の
発光出力との関係は、電流密度が所定の値を超えたとこ
ろで発光出力が飽和してくる。即ち、当該所定の値を超
えた電流密度を注入してもそれに見合った発光出力の増
加が得られない。したがって、高い発光出力でかつ高い
発光効率を達成しようとすれば、当該所定の値の近傍の
電流密度を素子の全域で達成することが好ましい。この
発明のようにｎ電極とｐ電極との距離を規定すれば素子
の全域で当該好適な電流密度を得ることができ、もって
発光効率の優れた素子を提供できることとなる。
【０００７】なお、この明細書において、ｎ電極はｎ台
座電極とこれから延長されるｎ補助電極から構成され、
ｐ電極はｐ台座電極及びｐ台座電極から延長されたｐ補
助電極から構成される。また、素子の最外径とは、素子
を平面から見たときに素子上に引ける最長の直線の長さ
であり、素子が矩形の場合は対角線の長さが最外径とな
る。素子がひし形の場合も同様である。素子が円形、楕
円径の場合は中心を通る直線である。このように、素子
の形状は特に限定されるものではない。上記のほかに六
角形、八角形等の多角形の素子形状を採用することも可
能である。ｎ電極とこれから最も離れたｐ電極との間の
距離の更に好ましい上限は４００μｍであり、更に更に
好ましくは３５０μｍである。かかる構成は、矩形チッ
プの場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径では７
００μｍ以上）のチップに適用されることが好ましい。
このようにチップサイズが大きくなると、従来のような
ｎ電極構成では、これから距離の離れて十分な電流密度
が得られずに暗くなってしまう部分が容認できないほど
に大きな領域となり、かつその領域が素子の中央部分に
現出して発光態様を不適なものとする惧れがある。更に
好ましくは、矩形チップの場合、一辺の長さが６００μ
ｍ以上であり、更に更に好ましくは一辺の長さが７００
μｍ以上であり、最も好ましくは８００μｍ以上であ
る。
座電極とこれから延長されるｎ補助電極から構成され、
ｐ電極はｐ台座電極及びｐ台座電極から延長されたｐ補
助電極から構成される。また、素子の最外径とは、素子
を平面から見たときに素子上に引ける最長の直線の長さ
であり、素子が矩形の場合は対角線の長さが最外径とな
る。素子がひし形の場合も同様である。素子が円形、楕
円径の場合は中心を通る直線である。このように、素子
の形状は特に限定されるものではない。上記のほかに六
角形、八角形等の多角形の素子形状を採用することも可
能である。ｎ電極とこれから最も離れたｐ電極との間の
距離の更に好ましい上限は４００μｍであり、更に更に
好ましくは３５０μｍである。かかる構成は、矩形チッ
プの場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径では７
００μｍ以上）のチップに適用されることが好ましい。
このようにチップサイズが大きくなると、従来のような
ｎ電極構成では、これから距離の離れて十分な電流密度
が得られずに暗くなってしまう部分が容認できないほど
に大きな領域となり、かつその領域が素子の中央部分に
現出して発光態様を不適なものとする惧れがある。更に
好ましくは、矩形チップの場合、一辺の長さが６００μ
ｍ以上であり、更に更に好ましくは一辺の長さが７００
μｍ以上であり、最も好ましくは８００μｍ以上であ
る。
【０００８】このようにｐ電極の任意の点とｎ電極との
距離を所定の範囲内に収めるために、この発明の一の局
面ではｎ台座電極からｎ補助電極を素子の中央部分へ延
設する構成を採用する。素子の中央部分にｎ補助電極が
存在することにより、当該ｎ補助電極と素子の全ての角
部までの距離が一定になる。これにより、角部での発光
出力の低下を防止できることとなる。上記のようにして
ｎ電極を改良してｎ型半導体層に対する電流の均一拡散
を確保したところ、次の課題が新たに浮かび上がってき
た。ｐ型半導体層の上に透光性電極を貼って電流の拡散
を図るタイプにおいても、チップサイズが拡大してｐ台
座電極又はｐ補助電極からの距離が大きくなると、薄膜
である透光性電極自体の抵抗が無視できなくなり、ｐ台
座電極又はｐ補助電極から離れた部分のｐ型半導体層へ
十分に電流を注入できなくなる。
距離を所定の範囲内に収めるために、この発明の一の局
面ではｎ台座電極からｎ補助電極を素子の中央部分へ延
設する構成を採用する。素子の中央部分にｎ補助電極が
存在することにより、当該ｎ補助電極と素子の全ての角
部までの距離が一定になる。これにより、角部での発光
出力の低下を防止できることとなる。上記のようにして
ｎ電極を改良してｎ型半導体層に対する電流の均一拡散
を確保したところ、次の課題が新たに浮かび上がってき
た。ｐ型半導体層の上に透光性電極を貼って電流の拡散
を図るタイプにおいても、チップサイズが拡大してｐ台
座電極又はｐ補助電極からの距離が大きくなると、薄膜
である透光性電極自体の抵抗が無視できなくなり、ｐ台
座電極又はｐ補助電極から離れた部分のｐ型半導体層へ
十分に電流を注入できなくなる。
【０００９】そこでこの発明の一の局面では、透光性電
極上の任意の点とｐ台座電極又はｐ補助電極との距離を
０〜１０００μｍの範囲内とした。このように構成され
たIII族窒化物系化合物半導体素子によれば、透光性電
極の全ての点がｐ台座電極又はｐ補助電極から上記距離
内にあるので、ｐ台座電極又はｐ補助電極から最も離れ
た透光性電極の部分へも電流が十分に拡散され、その下
のｐ型半導体層へ注入される。その結果、素子の全面が
実質的に均等に発光する。透光性電極上の任意の点とｐ
台座電極又はｐ補助電極との更に好ましい距離の上限は
５００μｍであり、更に更に好ましくは４５０μｍであ
り、更に更に更に好ましくは４００μｍであり、最も好
ましくは３５０μｍである。かかる構成は、矩形チップ
の場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径では７０
０μｍ以上）のチップに適用されることが好ましい。こ
のようにチップサイズが大きくなると、従来のようなｐ
電極構成では、これから距離の離れて十分な電流密度が
得られずに暗くなってしまう部分が無視できないほど大
きな領域となり、かつその部分が素子の中央に現出して
発光態様を不適なものとする惧れがある。更に好ましく
は、矩形チップの場合、一辺の長さが６００μｍ以上で
あり、更に更に好ましくは一辺の長さが７００μｍ以上
であり、最も好ましくは８００μｍ以上である。
極上の任意の点とｐ台座電極又はｐ補助電極との距離を
０〜１０００μｍの範囲内とした。このように構成され
たIII族窒化物系化合物半導体素子によれば、透光性電
極の全ての点がｐ台座電極又はｐ補助電極から上記距離
内にあるので、ｐ台座電極又はｐ補助電極から最も離れ
た透光性電極の部分へも電流が十分に拡散され、その下
のｐ型半導体層へ注入される。その結果、素子の全面が
実質的に均等に発光する。透光性電極上の任意の点とｐ
台座電極又はｐ補助電極との更に好ましい距離の上限は
５００μｍであり、更に更に好ましくは４５０μｍであ
り、更に更に更に好ましくは４００μｍであり、最も好
ましくは３５０μｍである。かかる構成は、矩形チップ
の場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径では７０
０μｍ以上）のチップに適用されることが好ましい。こ
のようにチップサイズが大きくなると、従来のようなｐ
電極構成では、これから距離の離れて十分な電流密度が
得られずに暗くなってしまう部分が無視できないほど大
きな領域となり、かつその部分が素子の中央に現出して
発光態様を不適なものとする惧れがある。更に好ましく
は、矩形チップの場合、一辺の長さが６００μｍ以上で
あり、更に更に好ましくは一辺の長さが７００μｍ以上
であり、最も好ましくは８００μｍ以上である。
【００１０】このように透光性電極上の任意の点とｐ台
座電極又はｐ補助電極との距離を所定の範囲内に収める
ために、この発明の一の局面ではｐ台座電極からｐ補助
電極を透光性電極の中央部分へ延設する構成を採用す
る。透光性電極の中央部分にｐ補助電極が存在すること
により、当該ｐ補助電極と透光性電極の全ての角部まで
の距離が一定になる。これにより、角部での発光出力の
低下を防止できることとなる。
座電極又はｐ補助電極との距離を所定の範囲内に収める
ために、この発明の一の局面ではｐ台座電極からｐ補助
電極を透光性電極の中央部分へ延設する構成を採用す
る。透光性電極の中央部分にｐ補助電極が存在すること
により、当該ｐ補助電極と透光性電極の全ての角部まで
の距離が一定になる。これにより、角部での発光出力の
低下を防止できることとなる。
【００１１】上記構成のｎ電極とｐ電極をともに備える
III族窒化物系化合物半導体素子においては、素子を平
面から見たとき、ｎ補助電極とｐ補助電極とがくし状に
配置されることが好ましい。ｎ補助電極とｐ補助電極の
有る部分では素子は動作しない（発光素子では発光しな
い）ので、これらをくし状に配置することにより当該非
動作部分を素子において対称乃至規則的なパターンで配
置できることとなる。よって、素子の利用が容易にな
る。発光素子の場合は光を均一に外部へ取り出し易くな
る。
III族窒化物系化合物半導体素子においては、素子を平
面から見たとき、ｎ補助電極とｐ補助電極とがくし状に
配置されることが好ましい。ｎ補助電極とｐ補助電極の
有る部分では素子は動作しない（発光素子では発光しな
い）ので、これらをくし状に配置することにより当該非
動作部分を素子において対称乃至規則的なパターンで配
置できることとなる。よって、素子の利用が容易にな
る。発光素子の場合は光を均一に外部へ取り出し易くな
る。
【００１２】上記構成のｎ電極とｐ電極をともに備える
III族窒化物系化合物半導体素子においては、素子を平
面から見たとき、ｎ補助電極とｐ補助電極とが相互に平
行に配置される部分を含むことが好ましい。ｎ補助電極
とｐ補助電極の有る部分では素子は動作しない（発光素
子では発光しない）ので、平行な部分を配置することに
より当該非動作部分を素子において対称乃至規則的なパ
ターンで配置できることとなる。よって、素子の利用が
容易になる。発光素子の場合は光を均一に外部へ取り出
し易くなる。
III族窒化物系化合物半導体素子においては、素子を平
面から見たとき、ｎ補助電極とｐ補助電極とが相互に平
行に配置される部分を含むことが好ましい。ｎ補助電極
とｐ補助電極の有る部分では素子は動作しない（発光素
子では発光しない）ので、平行な部分を配置することに
より当該非動作部分を素子において対称乃至規則的なパ
ターンで配置できることとなる。よって、素子の利用が
容易になる。発光素子の場合は光を均一に外部へ取り出
し易くなる。
【００１３】チップサイズが大きくなると、素子による
消費電力が大きくなるので、台座電極に印加される電流
が大きくなる。従来のように台座電極がｐ側及びｎ側そ
れぞれ１つであると、ボンディングワイヤー部での発熱
によりモールド樹脂が焼きついたり、ボンディングワイ
ヤ自体が熱により断線してしまうという問題が生じかね
ない。そこでこの発明の他の局面ではｐ台座電極とｎ台
座電極とをそれぞれ複数設けることとした。これによ
り、上記の問題が解消される。複数のｐ台座電極及びｎ
台座電極を設けることが好ましいチップサイズは、矩形
チップの場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径で
は７００μｍ以上）のものである。更に好ましくは、一
辺の長さが６００μｍ以上であり、更に更に好ましくは
一辺の長さが７００μｍ以上であり、最も好ましくは８
００μｍ以上である。
消費電力が大きくなるので、台座電極に印加される電流
が大きくなる。従来のように台座電極がｐ側及びｎ側そ
れぞれ１つであると、ボンディングワイヤー部での発熱
によりモールド樹脂が焼きついたり、ボンディングワイ
ヤ自体が熱により断線してしまうという問題が生じかね
ない。そこでこの発明の他の局面ではｐ台座電極とｎ台
座電極とをそれぞれ複数設けることとした。これによ
り、上記の問題が解消される。複数のｐ台座電極及びｎ
台座電極を設けることが好ましいチップサイズは、矩形
チップの場合、一辺の長さが５００μｍ以上（最外径で
は７００μｍ以上）のものである。更に好ましくは、一
辺の長さが６００μｍ以上であり、更に更に好ましくは
一辺の長さが７００μｍ以上であり、最も好ましくは８
００μｍ以上である。
【００１４】発光素子のチップサイズを大きくしてその
消費電力が増大した場合には、上記の課題に加えて、ｐ
台座電極と透光性電極との間の焼きつきの問題がある。
そのため、ｐ台座電極からｐ補助電極をすることが好ま
しい。ｐ補助電極を備えることにより、ｐ台座電極及び
ｐ補助電極と透光性電極との間に充分な面積が得られ、
もって焼きつきの発生が防止される。これにより、ｐ台
座電極に印加できる電流量（許容電流量）が増大し、素
子の全面を発光させるために必要な電流量が充分確保で
きることとなる。
消費電力が増大した場合には、上記の課題に加えて、ｐ
台座電極と透光性電極との間の焼きつきの問題がある。
そのため、ｐ台座電極からｐ補助電極をすることが好ま
しい。ｐ補助電極を備えることにより、ｐ台座電極及び
ｐ補助電極と透光性電極との間に充分な面積が得られ、
もって焼きつきの発生が防止される。これにより、ｐ台
座電極に印加できる電流量（許容電流量）が増大し、素
子の全面を発光させるために必要な電流量が充分確保で
きることとなる。
【００１５】以下、この発明を構成する各要素につき、
III族窒化物系化合物半導体発光素子を例に採り、詳細
に説明する。ｎ電極は半導体層をエッチングして表出さ
れたｎコンタクト層に形成される。ｎ型のIII族窒化物
系化合物半導体との間にオーム接触の得られるものであ
れば、その材質は任意に選択できるが、バナジウム・ア
ルミニウム合金などのアルミニウム合金を採用すること
が好ましい。ｎ電極の形状も任意であるが、この発明の
一局面にしたがって、ｐ電極の任意の点からｎ電極まで
の距離を一定範囲内に収めるようにするには、ｎ台座電
極とこれから延設されたｎ補助電極との組合わせが好適
である。ｎ台座電極は素子の一辺のほぼ中央に配置して
も、素子の角部に配置しても良い。ｎ補助電極はｎ台座
電極から素子の中央部分へ伸びる部分を有することが好
ましい。
III族窒化物系化合物半導体発光素子を例に採り、詳細
に説明する。ｎ電極は半導体層をエッチングして表出さ
れたｎコンタクト層に形成される。ｎ型のIII族窒化物
系化合物半導体との間にオーム接触の得られるものであ
れば、その材質は任意に選択できるが、バナジウム・ア
ルミニウム合金などのアルミニウム合金を採用すること
が好ましい。ｎ電極の形状も任意であるが、この発明の
一局面にしたがって、ｐ電極の任意の点からｎ電極まで
の距離を一定範囲内に収めるようにするには、ｎ台座電
極とこれから延設されたｎ補助電極との組合わせが好適
である。ｎ台座電極は素子の一辺のほぼ中央に配置して
も、素子の角部に配置しても良い。ｎ補助電極はｎ台座
電極から素子の中央部分へ伸びる部分を有することが好
ましい。
【００１６】ｎ補助電極はｎ台座電極と同一材料でかつ
同一方法（同一のマスク）により形成することが工数削
減の見地から好ましい。この場合、ｎ補助電極とｎ台座
電極とは同一厚さとなる。ｎ補助電極とｎ台座電極とを
別個に形成することもできる。この場合、ｎ補助電極の
材質及び厚さをｎ台座電極のそれと異ならせることもで
きる。ｎ台座電極は導電性ワイヤを周知の方法でボンデ
ングするために十分な面積を有すればその形状は特に限
定されない。ｎ補助電極は半導体層を除去した部分に形
成されるので、有効半導体層の面積を極大化する見地か
らその幅を狭くすることが好ましい。ｎ補助電極の幅は
１〜４０μｍとすることがこのましい。更に好ましくは
２〜３０μｍであり、更に更に好ましくは３〜２５μｍ
であり、更に更に更に好ましくは３〜２０μｍであり、
最も好ましくは５〜１５μｍである。
同一方法（同一のマスク）により形成することが工数削
減の見地から好ましい。この場合、ｎ補助電極とｎ台座
電極とは同一厚さとなる。ｎ補助電極とｎ台座電極とを
別個に形成することもできる。この場合、ｎ補助電極の
材質及び厚さをｎ台座電極のそれと異ならせることもで
きる。ｎ台座電極は導電性ワイヤを周知の方法でボンデ
ングするために十分な面積を有すればその形状は特に限
定されない。ｎ補助電極は半導体層を除去した部分に形
成されるので、有効半導体層の面積を極大化する見地か
らその幅を狭くすることが好ましい。ｎ補助電極の幅は
１〜４０μｍとすることがこのましい。更に好ましくは
２〜３０μｍであり、更に更に好ましくは３〜２５μｍ
であり、更に更に更に好ましくは３〜２０μｍであり、
最も好ましくは５〜１５μｍである。
【００１７】透光性電極の形成材料は特に限定されるも
のではないが、例えば下側から第１電極層としてＣｏ層
及び第２電極層としてＡｕ層を順次積層する。第１電極
層の構成元素は第２電極層の構成元素よりもイオン化ポ
テンシャルが低い元素であり、第２電極層の構成元素は
半導体に対するオーミック性が第１電極層の構成元素よ
りも良好な元素とするのが望ましい。ｐ型コンタクト層
と合金を形成するために、この電極層に対しても熱処理
が施されるが、その熱処理により、半導体の表面から深
さ方向の元素分布は、第２電極層の構成元素の方が第１
電極層の構成元素よりも深く浸透した分布となる。即
ち、電極層の元素分布が電極層の形成時の分布に対して
反転している。電極層の形成後には、上側に形成した第
２電極層の構成元素の方が下側になり、下側に形成した
第１電極層の構成元素の方が上側に存在する。望ましく
は、第１電極層の構成元素は、ニッケル(Ni)、コバルト
(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バ
ナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、銀(A
g)のうち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は０．
５〜１５ｎｍとする。第２電極層の構成元素は、パラジ
ウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)のうち少
なくとも１種の元素であり、その膜厚は３．５〜２５ｎ
ｍとする。最も望ましくは、第１電極層の構成元素はCo
であり、第２電極層の構成元素はAuである。この場合に
は、熱処理により、半導体の表面から深さ方向の元素分
布は、CoよりもAuが深く浸透した分布となる。
のではないが、例えば下側から第１電極層としてＣｏ層
及び第２電極層としてＡｕ層を順次積層する。第１電極
層の構成元素は第２電極層の構成元素よりもイオン化ポ
テンシャルが低い元素であり、第２電極層の構成元素は
半導体に対するオーミック性が第１電極層の構成元素よ
りも良好な元素とするのが望ましい。ｐ型コンタクト層
と合金を形成するために、この電極層に対しても熱処理
が施されるが、その熱処理により、半導体の表面から深
さ方向の元素分布は、第２電極層の構成元素の方が第１
電極層の構成元素よりも深く浸透した分布となる。即
ち、電極層の元素分布が電極層の形成時の分布に対して
反転している。電極層の形成後には、上側に形成した第
２電極層の構成元素の方が下側になり、下側に形成した
第１電極層の構成元素の方が上側に存在する。望ましく
は、第１電極層の構成元素は、ニッケル(Ni)、コバルト
(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バ
ナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、銀(A
g)のうち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は０．
５〜１５ｎｍとする。第２電極層の構成元素は、パラジ
ウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)のうち少
なくとも１種の元素であり、その膜厚は３．５〜２５ｎ
ｍとする。最も望ましくは、第１電極層の構成元素はCo
であり、第２電極層の構成元素はAuである。この場合に
は、熱処理により、半導体の表面から深さ方向の元素分
布は、CoよりもAuが深く浸透した分布となる。
【００１８】ｐ台座電極の形成材料も特に限定されるも
のではないが、例えば下側から第１金属層としてＶ層、
第２金属層としてＡｕ層及び第３金属層としてＡｌ層を
順次積層する構造とする。第１金属層はその下の層と強
固に結合できるように、第２の金属層よりもイオン化ポ
テンシャルが低い元素とする。第２の金属層はＡｌ又は
Ａｕとのボンディング性が良好で、かつ透光性電極と反
応しない元素とする。第３金属層は保護膜と強固に結合
できる元素とすることが好ましい。望ましくは、第１金
属層の構成元素は、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)、ク
ロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(M
n)、コバルト（Co）のうち少なくとも一種の元素であ
り、その膜厚は１〜３００ｎｍである。望ましくは、第
３金属層の構成元素は、アルミニウム(Al)、ニッケル(N
i)、チタン(Ti)のうち少なくとも一種の元素であり、そ
の膜厚は１〜３０ｎｍである。望ましくは、第２金属層
の構成元素は金(Au)であり、その膜厚は０．３〜３μｍ
である。
のではないが、例えば下側から第１金属層としてＶ層、
第２金属層としてＡｕ層及び第３金属層としてＡｌ層を
順次積層する構造とする。第１金属層はその下の層と強
固に結合できるように、第２の金属層よりもイオン化ポ
テンシャルが低い元素とする。第２の金属層はＡｌ又は
Ａｕとのボンディング性が良好で、かつ透光性電極と反
応しない元素とする。第３金属層は保護膜と強固に結合
できる元素とすることが好ましい。望ましくは、第１金
属層の構成元素は、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、銅(Cu)、ク
ロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(M
n)、コバルト（Co）のうち少なくとも一種の元素であ
り、その膜厚は１〜３００ｎｍである。望ましくは、第
３金属層の構成元素は、アルミニウム(Al)、ニッケル(N
i)、チタン(Ti)のうち少なくとも一種の元素であり、そ
の膜厚は１〜３０ｎｍである。望ましくは、第２金属層
の構成元素は金(Au)であり、その膜厚は０．３〜３μｍ
である。
【００１９】ｐ補助電極はｐ台座電極と同一材料でかつ
同一方法（同一のマスク）により形成することが工数削
減の見地から好ましい。この場合、ｐ補助電極とｐ台座
電極とは同一厚さとなる。ｐ補助電極とｐ台座電極とを
別個に形成することもできる。この場合、ｐ補助電極の
材質及び厚さをｐ台座電極のそれと異ならせることもで
きる。ｐ台座電極は導電性ワイヤを周知の方法でボンデ
ングするために十分な面積を有すればその形状は特に限
定されない。ボンディング時の位置確認のためには、ｐ
台座電極としてｎ台座電極と異なる形状を採用すること
が好ましい。ｐ補助電極は光を遮蔽するので、その幅を
狭くすることが好ましい。ｐ補助電極の幅は１〜４０μ
ｍとすることがこのましい。更に好ましくは２〜３０μ
ｍであり、更に更に好ましくは３〜２５μｍであり、更
に更に更に好ましくは３〜２０μｍであり、最も好まし
くは５〜１５μｍである。ｐ台座電極及び／又はｐ補助
電極の周囲に凹凸を設けて、透光性電極との間の接触面
積を増大させることが好ましい。ｐ台座電極の周面は傾
斜していることが好ましい。台座電極の周面をテ−パ状
としておくことにより、台座電極及び透光性電極の表面
に形成される保護膜（ＳｉＯ２膜等）を当該テ−パ状部
にもほぼ設計膜厚通りに形成することが可能となる。
同一方法（同一のマスク）により形成することが工数削
減の見地から好ましい。この場合、ｐ補助電極とｐ台座
電極とは同一厚さとなる。ｐ補助電極とｐ台座電極とを
別個に形成することもできる。この場合、ｐ補助電極の
材質及び厚さをｐ台座電極のそれと異ならせることもで
きる。ｐ台座電極は導電性ワイヤを周知の方法でボンデ
ングするために十分な面積を有すればその形状は特に限
定されない。ボンディング時の位置確認のためには、ｐ
台座電極としてｎ台座電極と異なる形状を採用すること
が好ましい。ｐ補助電極は光を遮蔽するので、その幅を
狭くすることが好ましい。ｐ補助電極の幅は１〜４０μ
ｍとすることがこのましい。更に好ましくは２〜３０μ
ｍであり、更に更に好ましくは３〜２５μｍであり、更
に更に更に好ましくは３〜２０μｍであり、最も好まし
くは５〜１５μｍである。ｐ台座電極及び／又はｐ補助
電極の周囲に凹凸を設けて、透光性電極との間の接触面
積を増大させることが好ましい。ｐ台座電極の周面は傾
斜していることが好ましい。台座電極の周面をテ−パ状
としておくことにより、台座電極及び透光性電極の表面
に形成される保護膜（ＳｉＯ２膜等）を当該テ−パ状部
にもほぼ設計膜厚通りに形成することが可能となる。
【００２０】透光性電極の任意の点からｐ台座電極又は
ｐ補助電極までの距離を一定範囲内に収めるようにする
には、ｐ台座電極とこれから延設されたｐ補助電極との
組み合わせが好適である。ｐ台座電極は素子の一辺のほ
ぼ中央に配置しても、素子の角部に配置しても良い。ｐ
補助電極はｎ補助電極に対してくし状に形成することが
好ましい。ここにくし状とは、素子を平面から見たとき
ｐ補助電極とｎ補助電極とが互い違いに配置されている
状態をいう。また、ｐ補助電極はｎ補助電極に対して平
行に配置される部分を備えることが好ましい。
ｐ補助電極までの距離を一定範囲内に収めるようにする
には、ｐ台座電極とこれから延設されたｐ補助電極との
組み合わせが好適である。ｐ台座電極は素子の一辺のほ
ぼ中央に配置しても、素子の角部に配置しても良い。ｐ
補助電極はｎ補助電極に対してくし状に形成することが
好ましい。ここにくし状とは、素子を平面から見たとき
ｐ補助電極とｎ補助電極とが互い違いに配置されている
状態をいう。また、ｐ補助電極はｎ補助電極に対して平
行に配置される部分を備えることが好ましい。
【００２１】透光性電極とｐ台座電極及びｐ補助電極を
合金化するための熱処理は酸素を含むガス中において行
うことが好ましい。このとき、酸素を含むガスとして
は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少な
くとも１種又はこれらの混合ガスを用いることができ
る。又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2O
の少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガス、又は、
O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの混合ガス
と不活性ガスとの混合ガスを用いることができる。要す
るに酸素を含むガスは、酸素原子、酸素原子を有する分
子のガスの意味である。熱処理時の雰囲気の圧力は、熱
処理温度において、窒化ガリウム系化合物半導体が熱分
解しない圧力以上であれば良い。酸素を含むガスは、O2
ガスだけを用いた場合には、窒化ガリウム系化合物半導
体の分解圧以上の圧力で導入すれば良く、他の不活性ガ
スと混合した状態で用いた場合には、全ガスを窒化ガリ
ウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力とし、O2ガスは
全ガスに対して１０-6程度以上の割合を有しておれば十
分である。要するに、酸素を含むガスは極微量存在すれ
ば十分である。尚、酸素を含むガスの導入量の上限値
は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の特性からは、特に、
制限されるものではない。要は、製造が可能である範囲
まで使用できる。熱処理に関しては、最も望ましくは、
５００〜６００℃である。５００℃以上の温度で、抵抗
率が完全に飽和した低抵抗のｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体を得ることができる。又、６００℃以下の温度に
おいて、電極の合金化処理を良好に行うことができる。
又、望ましい温度範囲は、４５０〜６５０℃である。ｐ
台座電極、ｐ補助電極、透光性電極の形成材料及び熱処
理条件については、特開平９−３２０９８４号公報、特
開平１０−２０９４９３号公報を参照されたい。
合金化するための熱処理は酸素を含むガス中において行
うことが好ましい。このとき、酸素を含むガスとして
は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少な
くとも１種又はこれらの混合ガスを用いることができ
る。又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2O
の少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガス、又は、
O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの混合ガス
と不活性ガスとの混合ガスを用いることができる。要す
るに酸素を含むガスは、酸素原子、酸素原子を有する分
子のガスの意味である。熱処理時の雰囲気の圧力は、熱
処理温度において、窒化ガリウム系化合物半導体が熱分
解しない圧力以上であれば良い。酸素を含むガスは、O2
ガスだけを用いた場合には、窒化ガリウム系化合物半導
体の分解圧以上の圧力で導入すれば良く、他の不活性ガ
スと混合した状態で用いた場合には、全ガスを窒化ガリ
ウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力とし、O2ガスは
全ガスに対して１０-6程度以上の割合を有しておれば十
分である。要するに、酸素を含むガスは極微量存在すれ
ば十分である。尚、酸素を含むガスの導入量の上限値
は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の特性からは、特に、
制限されるものではない。要は、製造が可能である範囲
まで使用できる。熱処理に関しては、最も望ましくは、
５００〜６００℃である。５００℃以上の温度で、抵抗
率が完全に飽和した低抵抗のｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体を得ることができる。又、６００℃以下の温度に
おいて、電極の合金化処理を良好に行うことができる。
又、望ましい温度範囲は、４５０〜６５０℃である。ｐ
台座電極、ｐ補助電極、透光性電極の形成材料及び熱処
理条件については、特開平９−３２０９８４号公報、特
開平１０−２０９４９３号公報を参照されたい。
【００２２】この明細書において、III族窒化物系化合
物半導体は一般式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ
（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表さ
れ、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ
ｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧａｘＩｎ
１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系
を包含する。III族元素の一部をボロン（Ｂ）、タリウ
ム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の一
部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、
ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III族窒化物系化合
物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良
い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等
を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることができる。
なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合
物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による
加熱にさらすことも可能である。III族窒化物系化合物
半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知の分子線結晶成
長法（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ
法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャ
ワー法等によっても形成することができる。ここにIII
族窒化物系化合物半導体素子には、発光ダイオード、受
光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池等の光素子
の他、整流器、サイリスタ及びトランジスタ等のバイポ
ーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素子並びにマイクロウ
ェーブ素子などの電子デバイスを挙げられる。また、こ
れらの素子の中間体としての積層体にも本発明は適用さ
れるものである。なお、発光素子の構成としては、ＭＩ
Ｓ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘテ
ロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることが
できる。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造
若しくは多重量子井戸構造）を採用することもできる。
物半導体は一般式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ
（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表さ
れ、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ
ｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧａｘＩｎ
１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系
を包含する。III族元素の一部をボロン（Ｂ）、タリウ
ム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の一
部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、
ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III族窒化物系化合
物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良
い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等
を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることができる。
なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合
物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による
加熱にさらすことも可能である。III族窒化物系化合物
半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知の分子線結晶成
長法（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ
法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャ
ワー法等によっても形成することができる。ここにIII
族窒化物系化合物半導体素子には、発光ダイオード、受
光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池等の光素子
の他、整流器、サイリスタ及びトランジスタ等のバイポ
ーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素子並びにマイクロウ
ェーブ素子などの電子デバイスを挙げられる。また、こ
れらの素子の中間体としての積層体にも本発明は適用さ
れるものである。なお、発光素子の構成としては、ＭＩ
Ｓ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘテ
ロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることが
できる。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造
若しくは多重量子井戸構造）を採用することもできる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
実施例は発光ダイオード１０であり、その構成を図１に
示す。なお、図１は層の構成を説明するための図であ
り、各層の厚さや幅のプロポーションを正確に反映する
ものではない。
実施例は発光ダイオード１０であり、その構成を図１に
示す。なお、図１は層の構成を説明するための図であ
り、各層の厚さや幅のプロポーションを正確に反映する
ものではない。
【００２４】 層 ： 組成：ドーパント （膜厚） 保護膜１４ ： ＳｉＯ２ (0.3μm) 透光性電極６ ： Au(6nm)/Co(1.5nm) ｐ型クラッド層５ ： ｐ−ＧａＮ:Ｍｇ （0.3μm） 発光層 ４ ： 超格子構造 量子井戸層 ： Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ （3.5nm) バリア層 ： ＧａＮ （3.5nm） 量子井戸層とバリア層の繰り返し数：1〜10 ｎ型クラッド層 ３ ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ （4μm） ＡｌＮバッファ層 ２ ： ＡｌＮ （60nm） 基板 １ ： サファイア（ａ面） （300μm）
【００２５】ｎ型クラッド層３は発光層４側の低電子濃
度ｎ-層とバッファ層２側の高電子濃度ｎ＋層とからな
る２層構造とすることができる。後者はｎ型コンタクト
層と呼ばれる。発光層４は超格子構造のものに限定され
ない。発光素子の構成としてはシングルへテロ型、ダブ
ルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることがで
きる。発光層４とｐ型クラッド層５との間にマグネシウ
ム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いII
I族窒化物系化合物半導体層を介在させることもでき
る。これは発光層４中に注入された電子がｐ型クラッド
層５に拡散するのを防止するためである。ｐ型クラッド
層５を発光層４側の低ホール濃度ｐ−層と電極側の高ホ
ール濃度ｐ＋層とからなる２層構造とすることができ
る。後者はｐ型コンタクト層と呼ばれる。上記構成の発
光ダイオードにおいて、各III族窒化物系化合物半導体
層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成する。
度ｎ-層とバッファ層２側の高電子濃度ｎ＋層とからな
る２層構造とすることができる。後者はｎ型コンタクト
層と呼ばれる。発光層４は超格子構造のものに限定され
ない。発光素子の構成としてはシングルへテロ型、ダブ
ルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることがで
きる。発光層４とｐ型クラッド層５との間にマグネシウ
ム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いII
I族窒化物系化合物半導体層を介在させることもでき
る。これは発光層４中に注入された電子がｐ型クラッド
層５に拡散するのを防止するためである。ｐ型クラッド
層５を発光層４側の低ホール濃度ｐ−層と電極側の高ホ
ール濃度ｐ＋層とからなる２層構造とすることができ
る。後者はｐ型コンタクト層と呼ばれる。上記構成の発
光ダイオードにおいて、各III族窒化物系化合物半導体
層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成する。
【００２６】次に、マスクを形成してｐ型クラッド層
５、活性層４及びｎ型クラッド層３の一部を反応性イオ
ンエッチングにより除去し、ｎ電極９を形成すべきｎ電
極形成面１１を表出させる。
５、活性層４及びｎ型クラッド層３の一部を反応性イオ
ンエッチングにより除去し、ｎ電極９を形成すべきｎ電
極形成面１１を表出させる。
【００２７】ウエハの全面に、蒸着装置にて、Ｃｏ層
（１．５ｎｍ）とＡｕ層（６０ｎｍ）を順次積層する。
次に、フォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグ
ラフィにより、ｎ電極形成面１１及びその周囲からほぼ
１０μｍ幅の部分（クリアランス領域１３）でフォトレ
ジストを除去して、エッチングによりその部分の透光性
電極形成材料を除去し、半導体層を露出させる。その
後、フォトレジストを除去する。次に、リフトオフ法に
より、Ｖ層（１７．５ｎｍ）、Ａｕ層（１．５μｍ）及
びＡｌ層（１０ｎｍ）を順次蒸着積層してｐ台座電極７
及びｐ補助電極７（ｐ電極７）とする。バナジウムとア
ルミニウムとからなるｎ電極９も同様にリフトオフ法に
より形成される。
（１．５ｎｍ）とＡｕ層（６０ｎｍ）を順次積層する。
次に、フォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグ
ラフィにより、ｎ電極形成面１１及びその周囲からほぼ
１０μｍ幅の部分（クリアランス領域１３）でフォトレ
ジストを除去して、エッチングによりその部分の透光性
電極形成材料を除去し、半導体層を露出させる。その
後、フォトレジストを除去する。次に、リフトオフ法に
より、Ｖ層（１７．５ｎｍ）、Ａｕ層（１．５μｍ）及
びＡｌ層（１０ｎｍ）を順次蒸着積層してｐ台座電極７
及びｐ補助電極７（ｐ電極７）とする。バナジウムとア
ルミニウムとからなるｎ電極９も同様にリフトオフ法に
より形成される。
【００２８】上記のようにして得られた試料を加熱炉に
入れ、炉内を１Ｐａ以下にまで排気し、その後１０数Ｐ
ａまでＯ２を供給する。そして、その状態で炉の温度を
５５０℃に設定して、４分間程度、熱処理する。これに
より、透光性電極６とｐ台座電極及びｐ補助電極とはそ
れぞれの材料が合金化されるとともに、両者は結合して
ｐ電極となる。本発明者らの検討によれば、ｐ台座電極
及びｐ補助電極の直下において電流はｐ型クラッド層へ
ほとんど注入されていない。これは、ｐ台座電極及びｐ
補助電極の直下において透光性電極を構成するＡｕ／Ｃ
ｏ蒸着層に上述したような分布の反転が生じないために
コンタクト抵抗が比較的高くなっているためであると予
想される。したがって、ｐ台座電極及びｐ補助電極の周
面と透光性電極６との界面が両者の有効な電気的接続面
となる。即ち、ｐ台座電極に印加された電流はｐ台座電
極及びｐ補助電極の周面より透光性電極へ流れ、ここで
全面に拡散されてｐ型半導体層の全面へ均等に注入され
る。ｐ台座電極上のワイヤーボンディング等を施す領域
並びにｎ電極上面及びその周縁部以外のほぼ全面にかけ
て絶縁性でかつ透光性の保護膜１４（酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム等）が被覆
される。保護膜１４の形成方法にはスパッタ法或いはＣ
ＶＤ法を採用できる。
入れ、炉内を１Ｐａ以下にまで排気し、その後１０数Ｐ
ａまでＯ２を供給する。そして、その状態で炉の温度を
５５０℃に設定して、４分間程度、熱処理する。これに
より、透光性電極６とｐ台座電極及びｐ補助電極とはそ
れぞれの材料が合金化されるとともに、両者は結合して
ｐ電極となる。本発明者らの検討によれば、ｐ台座電極
及びｐ補助電極の直下において電流はｐ型クラッド層へ
ほとんど注入されていない。これは、ｐ台座電極及びｐ
補助電極の直下において透光性電極を構成するＡｕ／Ｃ
ｏ蒸着層に上述したような分布の反転が生じないために
コンタクト抵抗が比較的高くなっているためであると予
想される。したがって、ｐ台座電極及びｐ補助電極の周
面と透光性電極６との界面が両者の有効な電気的接続面
となる。即ち、ｐ台座電極に印加された電流はｐ台座電
極及びｐ補助電極の周面より透光性電極へ流れ、ここで
全面に拡散されてｐ型半導体層の全面へ均等に注入され
る。ｐ台座電極上のワイヤーボンディング等を施す領域
並びにｎ電極上面及びその周縁部以外のほぼ全面にかけ
て絶縁性でかつ透光性の保護膜１４（酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム等）が被覆
される。保護膜１４の形成方法にはスパッタ法或いはＣ
ＶＤ法を採用できる。
【００２９】このようにして得られた発光素子１０の電
極配置の一例を図２〜図１１に示した。図２において、
符号１６は透光性電極、符号１７はｐ台座電極、符号１
８はｐ補助電極を示す。ｐ補助電極１８はｐ台座電極１
７と一体的に形成されている。ｐ台座電極１７は一の辺
の中央に配置されており、このｐ台座電極１７を中心に
してｐ補助電極１８は上向きＥ字形状である。符号１５
は保護膜の見切りラインである。ｎ台座電極１９はｐ台
座電極１７の対向する辺のほぼ中央に形成されている。
ｎ補助電極２０はｎ台座電極１９と一体的に形成されて
いる。ｎ補助電極２０はｎ台座電極を中心として下向き
コ字形状であり、ｎ補助電極２０はｐ補助電極１８と平
行にかつくし状に配置されている。符号２１はｎ電極形
成面、符号２２はダイシングのために表出した基板材料
面である。保護膜２４は図７において斜線で示してあ
る。この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形であ
る。
極配置の一例を図２〜図１１に示した。図２において、
符号１６は透光性電極、符号１７はｐ台座電極、符号１
８はｐ補助電極を示す。ｐ補助電極１８はｐ台座電極１
７と一体的に形成されている。ｐ台座電極１７は一の辺
の中央に配置されており、このｐ台座電極１７を中心に
してｐ補助電極１８は上向きＥ字形状である。符号１５
は保護膜の見切りラインである。ｎ台座電極１９はｐ台
座電極１７の対向する辺のほぼ中央に形成されている。
ｎ補助電極２０はｎ台座電極１９と一体的に形成されて
いる。ｎ補助電極２０はｎ台座電極を中心として下向き
コ字形状であり、ｎ補助電極２０はｐ補助電極１８と平
行にかつくし状に配置されている。符号２１はｎ電極形
成面、符号２２はダイシングのために表出した基板材料
面である。保護膜２４は図７において斜線で示してあ
る。この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形であ
る。
【００３０】他の発光素子２３の電極配置例を図１２〜
図２０に示した。図１２において、符号２６は透光性電
極、符号２７はｐ台座電極、符号２８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極２８はｐ台座電極２７と一体的に形成さ
れている。ｐ台座電極２７は一の辺の中央に配置されて
おり、このｐ台座電極２７を中心にしてｐ補助電極２８
は上向きコ字形状である。符号２５は保護膜の見切りラ
インである。ｎ台座電極２９はｐ台座電極２７の対向す
る辺のほぼ中央に形成されている。ｎ補助電極３０はｎ
台座電極２９と一体的に形成されている。ｎ補助電極３
０はｎ台座電極からｐ台座電極２７に向けて延出されて
いる。符号３１はｎ電極形成面、符号３２はダイシング
のために表出した基板材料面である。保護膜３４は図１
７において斜線で示してある。この素子は一辺の長さが
６００μｍの正方形である。
図２０に示した。図１２において、符号２６は透光性電
極、符号２７はｐ台座電極、符号２８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極２８はｐ台座電極２７と一体的に形成さ
れている。ｐ台座電極２７は一の辺の中央に配置されて
おり、このｐ台座電極２７を中心にしてｐ補助電極２８
は上向きコ字形状である。符号２５は保護膜の見切りラ
インである。ｎ台座電極２９はｐ台座電極２７の対向す
る辺のほぼ中央に形成されている。ｎ補助電極３０はｎ
台座電極２９と一体的に形成されている。ｎ補助電極３
０はｎ台座電極からｐ台座電極２７に向けて延出されて
いる。符号３１はｎ電極形成面、符号３２はダイシング
のために表出した基板材料面である。保護膜３４は図１
７において斜線で示してある。この素子は一辺の長さが
６００μｍの正方形である。
【００３１】他の発光素子３３の電極配置例を図２１〜
図３０に示した。図２１において、符号３６は透光性電
極、符号３７はｐ台座電極、符号３８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極３８はｐ台座電極３７と一体的に形成さ
れている。ｐ台座電極３７は一の辺の両端にそれぞれ配
置されており、ｐ補助電極２８は上向きＥ字形状であ
る。符号３５は保護膜の見切りラインである。ｎ台座電
極３９はｐ台座電極３７の対向する辺に形成されてい
る。ｎ補助電極４０はｎ台座電極３９と一体的に形成さ
れている。ｎ補助電極４０は下向きコ字形状であり、ｎ
補助電極４０の付け根部分にｎ台座電極３９が配置され
ている。ｎ補助電極４０はｐ補助電極３８と平行にかつ
くし状に配置されている。符号４１はｎ電極形成面、符
号４２はダイシングのために表出した基板材料面であ
る。保護膜３４は図２６において斜線で示してある。こ
の素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
図３０に示した。図２１において、符号３６は透光性電
極、符号３７はｐ台座電極、符号３８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極３８はｐ台座電極３７と一体的に形成さ
れている。ｐ台座電極３７は一の辺の両端にそれぞれ配
置されており、ｐ補助電極２８は上向きＥ字形状であ
る。符号３５は保護膜の見切りラインである。ｎ台座電
極３９はｐ台座電極３７の対向する辺に形成されてい
る。ｎ補助電極４０はｎ台座電極３９と一体的に形成さ
れている。ｎ補助電極４０は下向きコ字形状であり、ｎ
補助電極４０の付け根部分にｎ台座電極３９が配置され
ている。ｎ補助電極４０はｐ補助電極３８と平行にかつ
くし状に配置されている。符号４１はｎ電極形成面、符
号４２はダイシングのために表出した基板材料面であ
る。保護膜３４は図２６において斜線で示してある。こ
の素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
【００３２】他の発光素子４３の電極配置例を図３１に
示した。図３１において、符号４６は透光性電極、符号
４７はｐ台座電極、符号４８はｐ補助電極を示す。ｐ補
助電極４８はｐ台座電極４７と一体的に形成されてい
る。ｐ台座電極４７は対向する角部に配置されており、
ｐ補助電極４８は各ｐ台座電極４７、４７から図中素子
の上辺及び左側辺にそって形成されている。符号４５は
保護膜の見切りラインである。ｎ台座電極４９は素子の
一つの角部に形成されている。ｎ補助電極５０はｎ台座
電極４９と一体的に形成されている。ｎ補助電極５０は
ｎ台座電極４９から素子の中央部分に向けて形成され、
対向する角部の近くまで伸びている。符号５１はｎ電極
形成面、符号５２はダイシングのために表出した基板材
料面である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方
形である。
示した。図３１において、符号４６は透光性電極、符号
４７はｐ台座電極、符号４８はｐ補助電極を示す。ｐ補
助電極４８はｐ台座電極４７と一体的に形成されてい
る。ｐ台座電極４７は対向する角部に配置されており、
ｐ補助電極４８は各ｐ台座電極４７、４７から図中素子
の上辺及び左側辺にそって形成されている。符号４５は
保護膜の見切りラインである。ｎ台座電極４９は素子の
一つの角部に形成されている。ｎ補助電極５０はｎ台座
電極４９と一体的に形成されている。ｎ補助電極５０は
ｎ台座電極４９から素子の中央部分に向けて形成され、
対向する角部の近くまで伸びている。符号５１はｎ電極
形成面、符号５２はダイシングのために表出した基板材
料面である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方
形である。
【００３３】図３２に図３１の変形態様を示した。図３
２の素子４３−１では、ｎ補助電極５０−１に枝５０−
２、５０−３が形成されている。各枝５０−２、５０−
３はそれぞれｐ台座電極４７、４７に向けて伸びてい
る。図３２において、図３１と同一の要素には同一の符
号を附してその説明を省略する。
２の素子４３−１では、ｎ補助電極５０−１に枝５０−
２、５０−３が形成されている。各枝５０−２、５０−
３はそれぞれｐ台座電極４７、４７に向けて伸びてい
る。図３２において、図３１と同一の要素には同一の符
号を附してその説明を省略する。
【００３４】他の発光素子５３の電極配置例を図３３に
示した。図３３において、符号５６は透光性電極、符号
５７はｐ台座電極、符号５８はｐ補助電極を示す。ｐ補
助電極５８はｐ台座電極５７と一体的に形成されてい
る。ｐ台座電極５７は対向する角部に配置されており、
ｐ補助電極５８は各ｐ台座電極４７、４７から図中素子
の上辺及び下辺にそって形成されている。符号５５は保
護膜の見切りラインである。ｎ台座電極５９は素子の中
央部分に形成されている。ｎ補助電極６０はｎ台座電極
５９と一体的に形成されている。ｎ補助電極６０はｎ台
座電極５９からｐ補助電極５８と平行に形成され、素子
のエッジ近くまで伸びている。符号６１はｎ電極形成
面、符号６２はダイシングのために表出した基板材料面
である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方形で
ある。
示した。図３３において、符号５６は透光性電極、符号
５７はｐ台座電極、符号５８はｐ補助電極を示す。ｐ補
助電極５８はｐ台座電極５７と一体的に形成されてい
る。ｐ台座電極５７は対向する角部に配置されており、
ｐ補助電極５８は各ｐ台座電極４７、４７から図中素子
の上辺及び下辺にそって形成されている。符号５５は保
護膜の見切りラインである。ｎ台座電極５９は素子の中
央部分に形成されている。ｎ補助電極６０はｎ台座電極
５９と一体的に形成されている。ｎ補助電極６０はｎ台
座電極５９からｐ補助電極５８と平行に形成され、素子
のエッジ近くまで伸びている。符号６１はｎ電極形成
面、符号６２はダイシングのために表出した基板材料面
である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方形で
ある。
【００３５】他の発光素子６３の電極配置例を図３４に
示した。図３４において、符号６６は透光性電極、符号
６７はｐ台座電極を示す。この例ではｐ補助電極が省略
されている。ｐ台座電極６７は対向する角部に配置され
ている。符号５５は保護膜の見切りラインである。ｎ台
座電極６９は素子の中央部分に形成されている。ｎ補助
電極７０はｎ台座電極６９と一体的に形成されている。
ｎ補助電極７０はｎ台座電極６９からｐ台座電極のない
素子の角部へ向けて伸びている。符号７１はｎ電極形成
面、符号７２はダイシングのために表出した基板材料面
である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方形で
ある。
示した。図３４において、符号６６は透光性電極、符号
６７はｐ台座電極を示す。この例ではｐ補助電極が省略
されている。ｐ台座電極６７は対向する角部に配置され
ている。符号５５は保護膜の見切りラインである。ｎ台
座電極６９は素子の中央部分に形成されている。ｎ補助
電極７０はｎ台座電極６９と一体的に形成されている。
ｎ補助電極７０はｎ台座電極６９からｐ台座電極のない
素子の角部へ向けて伸びている。符号７１はｎ電極形成
面、符号７２はダイシングのために表出した基板材料面
である。この素子は一辺の長さが８００μｍの正方形で
ある。
【００３６】発光素子の他の電極配置例を図３５〜図５
２に示す。これらの図例においては説明の簡素化のた
め、ｐ電極とｎ電極（斜線で示してある）のみが示され
ている。図３５〜図５２の図例においても、図３４以前
の図例で説明したように、透光性電極がｐ型半導体層の
ほぼ全面に貼られており、ｐ電極は当該透光性電極の上
に形成されたものである。ｎ電極形成面や保護膜の図示
も省略されているが、これらも以前の例と同様にして形
成されているものである。また、以下の説明において
は、単に説明の都合上のために、図面を基準にして要素
の位置関係（上下左右）を規定する。これらの例の発光
素子の一辺の長さも５００μｍ以上である。
２に示す。これらの図例においては説明の簡素化のた
め、ｐ電極とｎ電極（斜線で示してある）のみが示され
ている。図３５〜図５２の図例においても、図３４以前
の図例で説明したように、透光性電極がｐ型半導体層の
ほぼ全面に貼られており、ｐ電極は当該透光性電極の上
に形成されたものである。ｎ電極形成面や保護膜の図示
も省略されているが、これらも以前の例と同様にして形
成されているものである。また、以下の説明において
は、単に説明の都合上のために、図面を基準にして要素
の位置関係（上下左右）を規定する。これらの例の発光
素子の一辺の長さも５００μｍ以上である。
【００３７】図３５の例では、ｐ台座電極８１、８１が
素子のあい対向する角部に形成され、このｐ台座電極８
１、８１からそれぞれ側辺にそってｐ補助電極８２、８
２が形成されている。ｎ台座電極８５、８５は素子にお
ける残りのあい対向する角部に形成され、このｎ台座電
極８５、８５から上辺及び下辺に沿ってｎ補助電極８
６、８６が形成されている。
素子のあい対向する角部に形成され、このｐ台座電極８
１、８１からそれぞれ側辺にそってｐ補助電極８２、８
２が形成されている。ｎ台座電極８５、８５は素子にお
ける残りのあい対向する角部に形成され、このｎ台座電
極８５、８５から上辺及び下辺に沿ってｎ補助電極８
６、８６が形成されている。
【００３８】図３６の例では、ｐ台座電極９１が素子の
一つの角部に形成され、このｐ台座電極９１から素子の
左辺及び下辺に沿った第１のｐ補助電極９２と上辺に沿
った第２のｐ補助電極９３とが形成されている。ｎ台座
電極９５は右辺のほぼ中央に配置され、そこからｎ補助
電極９６が素子の中央部分へ延設されている。
一つの角部に形成され、このｐ台座電極９１から素子の
左辺及び下辺に沿った第１のｐ補助電極９２と上辺に沿
った第２のｐ補助電極９３とが形成されている。ｎ台座
電極９５は右辺のほぼ中央に配置され、そこからｎ補助
電極９６が素子の中央部分へ延設されている。
【００３９】図３７の例では、ｐ台座電極１０１、１０
１が素子の上二つの角部に形成され、各ｐ台座電極１０
１、１０１からく字状に折れ曲がったｐ補助電極１０
２、１０２が延設されている。ｎ台座電極１０５は下側
の２つの角部に形成され、各ｎ台座電極１０５から左右
の辺にそって第１の補助電極１０６、１０６がたちあが
っている。第２の補助電極１０７は逆Ｔ字形であり、下
辺から素子の中心を通って上辺まで達している。下辺中
央からたちあがる部分はｐ補助電極１０２、１０２と平
行となる。
１が素子の上二つの角部に形成され、各ｐ台座電極１０
１、１０１からく字状に折れ曲がったｐ補助電極１０
２、１０２が延設されている。ｎ台座電極１０５は下側
の２つの角部に形成され、各ｎ台座電極１０５から左右
の辺にそって第１の補助電極１０６、１０６がたちあが
っている。第２の補助電極１０７は逆Ｔ字形であり、下
辺から素子の中心を通って上辺まで達している。下辺中
央からたちあがる部分はｐ補助電極１０２、１０２と平
行となる。
【００４０】図３８の例では、ｐ台座電極１１１は素子
の中央部に形成され、これからｐ補助電極１１２、１１
２が一の対角線上に伸びている。ｎ台座電極１１５、１
１５は素子のあい対向する角部に形成される。ｎ補助電
極１１６、１１６はこの２つのｎ台座電極１１５，１１
５を繋ぐように、素子の周辺にそって形成されている。
の中央部に形成され、これからｐ補助電極１１２、１１
２が一の対角線上に伸びている。ｎ台座電極１１５、１
１５は素子のあい対向する角部に形成される。ｎ補助電
極１１６、１１６はこの２つのｎ台座電極１１５，１１
５を繋ぐように、素子の周辺にそって形成されている。
【００４１】図３９の例では、ｐ台座電極１２１が左辺
の中央やや下側に設けられ、これから第１のｐ補助電極
１２２が左辺に沿って下って下辺に延びている。左下隅
から下辺に対する挟角をほぼ３０度として第２のｐ補助
電極１２３が延びている。ｎ台座電極１２５が右辺の中
央やや上側に設けられ、これから第１のｎ補助電極１２
６が右辺に沿ってたちあがり上辺に延びている。右上隅
から上辺に対する挟角をほぼ３０度として第２のｐ補助
電極１２７が延びている。
の中央やや下側に設けられ、これから第１のｐ補助電極
１２２が左辺に沿って下って下辺に延びている。左下隅
から下辺に対する挟角をほぼ３０度として第２のｐ補助
電極１２３が延びている。ｎ台座電極１２５が右辺の中
央やや上側に設けられ、これから第１のｎ補助電極１２
６が右辺に沿ってたちあがり上辺に延びている。右上隅
から上辺に対する挟角をほぼ３０度として第２のｐ補助
電極１２７が延びている。
【００４２】図４０の例では、ｐ台座電極１３１が左辺
の略中央に形成され、これから第１のｐ補助電極１３２
が左辺に沿ってたち上がり上辺に延びている。上辺中央
よりやや右側から下側に向けて第２のｐ補助電極１３３
が直角に延びている。ｎ台座電極１３５が右辺の略中央
に形成され、これから第１のｎ補助電極１３６が右辺に
そって下がって下辺に延びている。下辺中央よりやや左
側から上側に向けて第２のｎ補助電極１３７が直角に延
びている。
の略中央に形成され、これから第１のｐ補助電極１３２
が左辺に沿ってたち上がり上辺に延びている。上辺中央
よりやや右側から下側に向けて第２のｐ補助電極１３３
が直角に延びている。ｎ台座電極１３５が右辺の略中央
に形成され、これから第１のｎ補助電極１３６が右辺に
そって下がって下辺に延びている。下辺中央よりやや左
側から上側に向けて第２のｎ補助電極１３７が直角に延
びている。
【００４３】図４１の例では、ｐ台座電極１４１が左下
角に形成され、これから対角線上に第１のｐ補助電極１
４２が延びている。素子の中央部分において第１のｐ補
助電極１４２から垂直方向に第２のｐ補助電極１４３、
１４３が延びている。ｎ台座電極１４５は素子の右上角
に形成され、これから第１のｎ補助電極１４６、１４６
が上辺と右辺に延びている。
角に形成され、これから対角線上に第１のｐ補助電極１
４２が延びている。素子の中央部分において第１のｐ補
助電極１４２から垂直方向に第２のｐ補助電極１４３、
１４３が延びている。ｎ台座電極１４５は素子の右上角
に形成され、これから第１のｎ補助電極１４６、１４６
が上辺と右辺に延びている。
【００４４】図４２の例では、ｐ台座電極１５１が素子
の左下隅に形成され、これから第１のｐ補助電極１５２
が左辺に沿ってたち上がり更に上辺に沿ってのびて上辺
の中央やや右よりから直角に下方へ延びている。ｎ台座
電極１５５は素子の右上隅に形成され、これから第１の
ｎ補助電極１５６が右辺にそって下がり更に下辺に沿っ
て延びて下辺中央やや左よりから直角に上方へ延びてい
る。
の左下隅に形成され、これから第１のｐ補助電極１５２
が左辺に沿ってたち上がり更に上辺に沿ってのびて上辺
の中央やや右よりから直角に下方へ延びている。ｎ台座
電極１５５は素子の右上隅に形成され、これから第１の
ｎ補助電極１５６が右辺にそって下がり更に下辺に沿っ
て延びて下辺中央やや左よりから直角に上方へ延びてい
る。
【００４５】図４３の例では、ｐ台座電極１６１が素子
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極１６２
が上辺、右辺及び左辺の全域に延びている。ｎ台座電極
１６５は素子のほぼ中央に形成され、これから第１のｎ
補助電極１６６，１６６，１６６，１６６が対角線上に
延びている。
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極１６２
が上辺、右辺及び左辺の全域に延びている。ｎ台座電極
１６５は素子のほぼ中央に形成され、これから第１のｎ
補助電極１６６，１６６，１６６，１６６が対角線上に
延びている。
【００４６】図４４の例では、ｐ台座電極１７１が素子
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極１７
２，１７２が上辺及び左辺のそれぞれに延びている。ｎ
台座電極１７５は素子の右下角に形成され、これから第
１のｎ補助電極１７６、１７６が右辺と下辺に延び、更
に第２のｎ補助電極１７７が対角線上に延びている。
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極１７
２，１７２が上辺及び左辺のそれぞれに延びている。ｎ
台座電極１７５は素子の右下角に形成され、これから第
１のｎ補助電極１７６、１７６が右辺と下辺に延び、更
に第２のｎ補助電極１７７が対角線上に延びている。
【００４７】図４５の例では、素子の左下角と右上角に
ｐ台座電極１８１、１８１が形成され、各ｐ台座電極１
８１，１８１から各辺に沿って第１のｐ補助電極１８
２，１８２，１８２，１８２が延びている。ｎ台座電極
１８５，１８５は素子の右下角と左上角に形成され、こ
れらを繋ぐように第１のｎ補助電極１８６が形成されて
いる。
ｐ台座電極１８１、１８１が形成され、各ｐ台座電極１
８１，１８１から各辺に沿って第１のｐ補助電極１８
２，１８２，１８２，１８２が延びている。ｎ台座電極
１８５，１８５は素子の右下角と左上角に形成され、こ
れらを繋ぐように第１のｎ補助電極１８６が形成されて
いる。
【００４８】図４６の例では、上辺両端にｐ台座電極１
９１、１９１が形成され、これらを繋ぐように上辺にそ
って第１のｐ補助電極１９２が形成されている。第１の
ｐ補助電極１９２の中央から下方に向けて直角に第２の
ｐ補助電極１９３が延設される。ｎ台座電極１９５，１
９５は下辺の両端に形成されている。各ｎ台座電極１９
５，１９５から第１のｎ補助電極１９６，１９６が左右
両辺にそってたちあがっている。
９１、１９１が形成され、これらを繋ぐように上辺にそ
って第１のｐ補助電極１９２が形成されている。第１の
ｐ補助電極１９２の中央から下方に向けて直角に第２の
ｐ補助電極１９３が延設される。ｎ台座電極１９５，１
９５は下辺の両端に形成されている。各ｎ台座電極１９
５，１９５から第１のｎ補助電極１９６，１９６が左右
両辺にそってたちあがっている。
【００４９】図４７の例では、ｐ台座電極２０１が素子
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極が周辺
部全域に形成されている。ｎ台座電極２０５は素子のほ
ぼ中央に形成されている。
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極が周辺
部全域に形成されている。ｎ台座電極２０５は素子のほ
ぼ中央に形成されている。
【００５０】図４８の例では、ｐ台座電極２１１，２１
１が素子の左下角と右上角に形成されている。各ｐ台座
電極２１１，２１１より各辺に沿って第１のｐ補助電極
２１２、２１２、２１２、２１２が延びている。ｎ台座
電極２１５は素子のほぼ中央に形成され、これからｐ台
座電極のない対角線方向へ第１のｎ補助電極２１６，２
１６が延設されている。
１が素子の左下角と右上角に形成されている。各ｐ台座
電極２１１，２１１より各辺に沿って第１のｐ補助電極
２１２、２１２、２１２、２１２が延びている。ｎ台座
電極２１５は素子のほぼ中央に形成され、これからｐ台
座電極のない対角線方向へ第１のｎ補助電極２１６，２
１６が延設されている。
【００５１】図４９の例では、ｐ台座電極２２１が素子
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極２２２
が左辺に沿って延び、第２のｐ補助電極２２３が上辺に
そってのびて上辺中央よりやや右側から下方に向って垂
直に延びている。ｎ台座電極２２５は素子の右下角に形
成され、これから第１のｎ補助電極２２６が右辺に沿っ
て延び、第２のｎ補助電極２２７が下辺に沿って延びて
下辺中央よりやや左側から上方に向って直角に延びてい
る。
の左上角に形成され、これから第１のｐ補助電極２２２
が左辺に沿って延び、第２のｐ補助電極２２３が上辺に
そってのびて上辺中央よりやや右側から下方に向って垂
直に延びている。ｎ台座電極２２５は素子の右下角に形
成され、これから第１のｎ補助電極２２６が右辺に沿っ
て延び、第２のｎ補助電極２２７が下辺に沿って延びて
下辺中央よりやや左側から上方に向って直角に延びてい
る。
【００５２】図５０の例では、ｐ台座電極２３１が下辺
のほぼ中央に形成され、これから第１のｐ補助電極２３
２が下辺にそって右側へのび更に右辺にそって上側に延
びている。また、第２のｐ補助電極２３３はｐ台座電極
２３１から少し左側に延びて更にそこから上方へ直角に
延びている。ｎ台座電極２３５は下辺のほぼ中央に形成
され、これから第１のｎ補助電極２３６が上辺にそって
左側へのび更に左辺にそって下側に延びている。また、
第２のｎ補助電極２３７はｎ台座電極２３５から少し右
側に延びて更にそこから下方へ直角に延びている。
のほぼ中央に形成され、これから第１のｐ補助電極２３
２が下辺にそって右側へのび更に右辺にそって上側に延
びている。また、第２のｐ補助電極２３３はｐ台座電極
２３１から少し左側に延びて更にそこから上方へ直角に
延びている。ｎ台座電極２３５は下辺のほぼ中央に形成
され、これから第１のｎ補助電極２３６が上辺にそって
左側へのび更に左辺にそって下側に延びている。また、
第２のｎ補助電極２３７はｎ台座電極２３５から少し右
側に延びて更にそこから下方へ直角に延びている。
【００５３】図５１の例は素子が平面視長方形である。
ｐ台座電極２４１は下辺の中央よりやや左側に形成さ
れ、これから第１のｐ補助電極２４２が下辺にそって右
側へのび更に右辺にそって上側に延びている。また、第
２のｐ補助電極２４３はｐ台座電極２４１から少し左側
に延びて更にそこから上方へ直角に延びている。ｎ台座
電極２４５は上辺の中央よりやや右側に形成され、これ
から第１のｎ補助電極２４６が上辺にそって左側へのび
更に左辺にそって下側に延びている。第２のｎ補助電極
２４７は第１の補助電極２４６から下方へ直角に延びて
いる。第３のｎ補助電極２４８はｎ台座電極２４５かや
や右側にのびて更に下方へ直角に延設される。
ｐ台座電極２４１は下辺の中央よりやや左側に形成さ
れ、これから第１のｐ補助電極２４２が下辺にそって右
側へのび更に右辺にそって上側に延びている。また、第
２のｐ補助電極２４３はｐ台座電極２４１から少し左側
に延びて更にそこから上方へ直角に延びている。ｎ台座
電極２４５は上辺の中央よりやや右側に形成され、これ
から第１のｎ補助電極２４６が上辺にそって左側へのび
更に左辺にそって下側に延びている。第２のｎ補助電極
２４７は第１の補助電極２４６から下方へ直角に延びて
いる。第３のｎ補助電極２４８はｎ台座電極２４５かや
や右側にのびて更に下方へ直角に延設される。
【００５４】図５２の例では、ｐ台座電極２５１は素子
の右下角に形成され、これから第１のｐ補助電極２５
２、２５２が右辺及び下辺に沿って少し延び、更に対角
線と平行に左上側に延設されている。ｎ台座電極２５５
は素子の左上角に形成され、これから第１のｎ補助電極
２５６、２５６が上辺及び左辺に沿って形成されてい
る。また、第２のｎ補助電極２５７がｎ台座電極２５５
から対角線上に延びて、ｐ補助電極とくし状に、平行に
配置されている。
の右下角に形成され、これから第１のｐ補助電極２５
２、２５２が右辺及び下辺に沿って少し延び、更に対角
線と平行に左上側に延設されている。ｎ台座電極２５５
は素子の左上角に形成され、これから第１のｎ補助電極
２５６、２５６が上辺及び左辺に沿って形成されてい
る。また、第２のｎ補助電極２５７がｎ台座電極２５５
から対角線上に延びて、ｐ補助電極とくし状に、平行に
配置されている。
【００５５】他の発光素子３０３の電極配置例を図５３
に示した。図５３において、符号３０６は透光性電極、
符号３０７はｐ台座電極、符号３０８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極３０８はｐ台座電極３０７と一体的に形
成されている。ｐ台座電極３０７は図示下辺のほぼ中央
に配置されており、ｐ補助電極３０８はｐ台座電極３０
７の両側から下辺にそって形成されている。ｎ台座電極
３０９は上辺のほぼ中央に形成され、ｎ補助電極３１０
はｎ台座電極３０９と一体的に形成されている。ｎ補助
電極３１０はｎ台座電極３０９から素子の中央部分に向
けてＣ字形状に形成され、その開口部はｐ台座電極３０
７に対向している。符号３１１はｎ電極形成面、符号３
１２はダイシングのために表出した基板材料面である。
この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
に示した。図５３において、符号３０６は透光性電極、
符号３０７はｐ台座電極、符号３０８はｐ補助電極を示
す。ｐ補助電極３０８はｐ台座電極３０７と一体的に形
成されている。ｐ台座電極３０７は図示下辺のほぼ中央
に配置されており、ｐ補助電極３０８はｐ台座電極３０
７の両側から下辺にそって形成されている。ｎ台座電極
３０９は上辺のほぼ中央に形成され、ｎ補助電極３１０
はｎ台座電極３０９と一体的に形成されている。ｎ補助
電極３１０はｎ台座電極３０９から素子の中央部分に向
けてＣ字形状に形成され、その開口部はｐ台座電極３０
７に対向している。符号３１１はｎ電極形成面、符号３
１２はダイシングのために表出した基板材料面である。
この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
【００５６】図５４に図５３の変形態様を示した。図５
４の素子３０３−１では、図５３のものに比べてつぶれ
たＣ字形状のｎ補助電極３２０が採用されている。符号
３２１はｎ電極形成面である。図５４において、図５３
と同一の要素には同一の符号を附してその説明を省略す
る。
４の素子３０３−１では、図５３のものに比べてつぶれ
たＣ字形状のｎ補助電極３２０が採用されている。符号
３２１はｎ電極形成面である。図５４において、図５３
と同一の要素には同一の符号を附してその説明を省略す
る。
【００５７】他の発光素子３２３の電極配置例を図５５
に示した。図５５において、図５３と同一の要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子３
２３では第２のｐ補助電極３２５がほぼ中央に配置さ
れ、第３及び第４の補助電極３２６及び３２７が、第１
の補助電極３０８と対向する角部に形成されている。第
２、３及び３の補助電極３２５、３２６、３２７はｐ台
座電極３０７から分離されている。第２、３及び４の補
助電極３２５、３２６、３２７の電位はそれぞれにおい
てｐ台座電極３０７及び第１のｐ補助電極３０８に最も
近い部分の電位で規定され、各々はその全域において同
一電位となる。従って、Ｃ字形状のｎ補助電極３１０の
内側に対して実質的に等距離に第２のｐ補助電極３２５
が与える同一電位域が存在することとなり、ｎ補助電極
３１０内での電流分布がより均一になる。また、第３及
び第４のｐ補助電極３２６、３２７をみれば、ｐ台座電
極３０７−第１のｐ補助電極３０８から最も遠い位置と
なる対向辺（図で上辺）に対して、各第３及び第４のｐ
補助電極３２６、３２７の下端（第１のｐ補助電極３０
８に最も近い部位）の電位が与えられることとなる。従
って、当該上辺における電流分布を改善できる。この素
子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
に示した。図５５において、図５３と同一の要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子３
２３では第２のｐ補助電極３２５がほぼ中央に配置さ
れ、第３及び第４の補助電極３２６及び３２７が、第１
の補助電極３０８と対向する角部に形成されている。第
２、３及び３の補助電極３２５、３２６、３２７はｐ台
座電極３０７から分離されている。第２、３及び４の補
助電極３２５、３２６、３２７の電位はそれぞれにおい
てｐ台座電極３０７及び第１のｐ補助電極３０８に最も
近い部分の電位で規定され、各々はその全域において同
一電位となる。従って、Ｃ字形状のｎ補助電極３１０の
内側に対して実質的に等距離に第２のｐ補助電極３２５
が与える同一電位域が存在することとなり、ｎ補助電極
３１０内での電流分布がより均一になる。また、第３及
び第４のｐ補助電極３２６、３２７をみれば、ｐ台座電
極３０７−第１のｐ補助電極３０８から最も遠い位置と
なる対向辺（図で上辺）に対して、各第３及び第４のｐ
補助電極３２６、３２７の下端（第１のｐ補助電極３０
８に最も近い部位）の電位が与えられることとなる。従
って、当該上辺における電流分布を改善できる。この素
子は一辺の長さが１０００μｍの正方形である。
【００５８】他の発光素子３３３の電極配置例を図５６
に示した。図５６において、図５３と同一の要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子３
３３では第２のｐ台座電極３３６及び第３のｐ台座電極
３３７がそれぞれ上辺（第１のｐ台座電極３０７と対向
する辺）の両角に形成されている。当該第２及び第３の
ｐ台座電極３３６、３３７へダイボンドが行われれば、
第１、第２及び第３ののｐ台座電極３０７、３３６、３
３７の電位が等しくなる。従って、発光素子の３３３の
ほぼ全面に渡って均等な電流密度が得られることとな
る。この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形であ
る。
に示した。図５６において、図５３と同一の要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子３
３３では第２のｐ台座電極３３６及び第３のｐ台座電極
３３７がそれぞれ上辺（第１のｐ台座電極３０７と対向
する辺）の両角に形成されている。当該第２及び第３の
ｐ台座電極３３６、３３７へダイボンドが行われれば、
第１、第２及び第３ののｐ台座電極３０７、３３６、３
３７の電位が等しくなる。従って、発光素子の３３３の
ほぼ全面に渡って均等な電流密度が得られることとな
る。この素子は一辺の長さが１０００μｍの正方形であ
る。
【００５９】他の発光素子３４３の電極配置例を図５７
に示した。図５７において、符号３４６は透光性電極、
符号３４７は第１のｐ台座電極、符号３４８、３４９は
ｐ補助電極を示し、これらは一体的に形成されている。
第１のｐ台座電極３４７は発光素子３４３の一の角に形
成され、ｐ補助電極３４８が下辺に沿ってその約２／３
の位置まで伸びている。ｐ補助電極３４９は右辺に沿っ
てその約２／３の位置まで伸びている。第１のｐ第座電
極３４７と対向する角部に第２のｐ台座電極３５７が形
成され、これからｐ補助電極が３５８が一体的に形成さ
れ、上辺に沿ってそのほぼ２／３の位置まで伸びてい
る。更に第２のｐ台座電極３５７からはｐ補助電極３５
９が一体的に形成され、左辺に沿ってそのほぼ２／３の
位置まで伸びている。ｎ台座電極３４９はほぼ中央に形
成されている。符号３５１はｎ電極形成面、符号３５２
はダイシングのために表出した基板材料面である。
に示した。図５７において、符号３４６は透光性電極、
符号３４７は第１のｐ台座電極、符号３４８、３４９は
ｐ補助電極を示し、これらは一体的に形成されている。
第１のｐ台座電極３４７は発光素子３４３の一の角に形
成され、ｐ補助電極３４８が下辺に沿ってその約２／３
の位置まで伸びている。ｐ補助電極３４９は右辺に沿っ
てその約２／３の位置まで伸びている。第１のｐ第座電
極３４７と対向する角部に第２のｐ台座電極３５７が形
成され、これからｐ補助電極が３５８が一体的に形成さ
れ、上辺に沿ってそのほぼ２／３の位置まで伸びてい
る。更に第２のｐ台座電極３５７からはｐ補助電極３５
９が一体的に形成され、左辺に沿ってそのほぼ２／３の
位置まで伸びている。ｎ台座電極３４９はほぼ中央に形
成されている。符号３５１はｎ電極形成面、符号３５２
はダイシングのために表出した基板材料面である。
【００６０】他の発光素子３６３の電極配置例を図５８
に示した。図５７において図５６と同一の要素には同一
の符号を付してその説明を省略する。符号３６７は第１
のｐ台座電極、符号３６８はｐ補助電極を示し、これら
は一体的に形成されている。第１のｐ台座電極３６７は
発光素子３６３の一の角に形成され、ｐ補助電極３６８
が下辺から左辺まで伸びてそのほぼ半分の位置まで達し
ている。第１のｐ第座電極３６７と対向する角部に第２
のｐ台座電極３７７形成され、これからｐ補助電極が３
７８が一体的に形成され、上辺から右辺まで伸びてその
ほぼ半分の位置まで達している。
に示した。図５７において図５６と同一の要素には同一
の符号を付してその説明を省略する。符号３６７は第１
のｐ台座電極、符号３６８はｐ補助電極を示し、これら
は一体的に形成されている。第１のｐ台座電極３６７は
発光素子３６３の一の角に形成され、ｐ補助電極３６８
が下辺から左辺まで伸びてそのほぼ半分の位置まで達し
ている。第１のｐ第座電極３６７と対向する角部に第２
のｐ台座電極３７７形成され、これからｐ補助電極が３
７８が一体的に形成され、上辺から右辺まで伸びてその
ほぼ半分の位置まで達している。
【００６１】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００６２】以下、次の事項を開示する。 １１ 素子を平面からみたとき、ｎ台座電極からｎ補助
電極が該素子の中央部分へ延長されている、ことを特徴
とするIII族窒化物系化合物半導体素子。 １２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする１１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １３ 前記素子は、透光性電極と、ｐ台座電極及び該ｐ
台座電極から延長したｐ補助電極を備えてなるｐ電極を
有する、ことを特徴とする１１又は１２に記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 １４ 前記透光性電極の任意の点と前記ｐ台座電極又は
ｐ補助電極との距離が０〜１０００μｍの範囲内にあ
る、ことを特徴とする１３に記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 １５ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配
置されている、ことを特徴とする１３又は１４に記載の
III族窒化物系化合物半導体。 １６ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とは相互に平行
に配置される部分を含む、ことを特徴とする１３〜１５
のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １７ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする１３〜１６の
いずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １８ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする１１〜１７のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ２１ 透光性電極の任意の点とｐ台座電極又はｐ補助電
極との距離が０〜１０００μｍの範囲内にある、ことを
特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする２１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２３ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配
置されている、ことを特徴とする２１又は２２のいずれ
かに記載のIII族窒化物系化合物半導体。 ２４ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とは相互に平行
に配置される部分を含む、ことを特徴とする２１〜２３
のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２５ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする２１〜２４の
いずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２６ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする２１〜２５のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ３１ ｎ台座電極及びｎ補助電極を有するｎ電極と、透
光性電極と、ｐ台座電極及びｐ補助電極を有するｐ電極
と、を備えてなり、素子を平面から見たとき、前記ｎ補
助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配置されている、
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体。 ３２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする３１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ３３ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする３１又は３２
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ３４ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする３１〜３３のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ４１ ｎ台座電極及びｎ補助電極を有するｎ電極と、透
光性電極と、ｐ台座電極及びｐ補助電極を有するｐ電極
と、を備えてなり、素子を平面から見たとき、前記ｎ補
助電極と前記ｐ補助電極は相互に平行に配置される部分
を含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導
体。 ４２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする４１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ４３ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする４１又は４２
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ４４ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする４１〜４３のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ５１ 前記素子は平面からみたとき矩形でありかつ一の
辺の長さが５００μｍ以上であり、複数のｎ台座電極と
複数のｐ台座電極を備える、ことを特徴とするIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ５２ 第１の辺に２つのｎ台座電極が配置され、該第１
の辺に対向する第２の辺に２つのｐ台座電極が配置さ
れ、前記ｎ台座電極からはｎ補助電極が延長され、前記
ｐ台座電極からはｐ補助電極が延長される、ことを特徴
とする５１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ５３ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする５１又は５２に記載のIII族窒化物系化
合物半導体素子。
電極が該素子の中央部分へ延長されている、ことを特徴
とするIII族窒化物系化合物半導体素子。 １２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする１１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １３ 前記素子は、透光性電極と、ｐ台座電極及び該ｐ
台座電極から延長したｐ補助電極を備えてなるｐ電極を
有する、ことを特徴とする１１又は１２に記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 １４ 前記透光性電極の任意の点と前記ｐ台座電極又は
ｐ補助電極との距離が０〜１０００μｍの範囲内にあ
る、ことを特徴とする１３に記載のIII族窒化物系化合
物半導体素子。 １５ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配
置されている、ことを特徴とする１３又は１４に記載の
III族窒化物系化合物半導体。 １６ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とは相互に平行
に配置される部分を含む、ことを特徴とする１３〜１５
のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １７ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする１３〜１６の
いずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 １８ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする１１〜１７のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ２１ 透光性電極の任意の点とｐ台座電極又はｐ補助電
極との距離が０〜１０００μｍの範囲内にある、ことを
特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする２１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２３ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配
置されている、ことを特徴とする２１又は２２のいずれ
かに記載のIII族窒化物系化合物半導体。 ２４ 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とは相互に平行
に配置される部分を含む、ことを特徴とする２１〜２３
のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２５ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする２１〜２４の
いずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２６ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする２１〜２５のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ３１ ｎ台座電極及びｎ補助電極を有するｎ電極と、透
光性電極と、ｐ台座電極及びｐ補助電極を有するｐ電極
と、を備えてなり、素子を平面から見たとき、前記ｎ補
助電極と前記ｐ補助電極とがくし状に配置されている、
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体。 ３２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする３１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ３３ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする３１又は３２
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ３４ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする３１〜３３のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ４１ ｎ台座電極及びｎ補助電極を有するｎ電極と、透
光性電極と、ｐ台座電極及びｐ補助電極を有するｐ電極
と、を備えてなり、素子を平面から見たとき、前記ｎ補
助電極と前記ｐ補助電極は相互に平行に配置される部分
を含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導
体。 ４２ 前記素子は平面からみたとき矩形であり、一の辺
の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴とする４１
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ４３ 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ台座電極
が複数配置されている、ことを特徴とする４１又は４２
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ４４ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする４１〜４３のいずれかに記載のIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ５１ 前記素子は平面からみたとき矩形でありかつ一の
辺の長さが５００μｍ以上であり、複数のｎ台座電極と
複数のｐ台座電極を備える、ことを特徴とするIII族窒
化物系化合物半導体素子。 ５２ 第１の辺に２つのｎ台座電極が配置され、該第１
の辺に対向する第２の辺に２つのｐ台座電極が配置さ
れ、前記ｎ台座電極からはｎ補助電極が延長され、前記
ｐ台座電極からはｐ補助電極が延長される、ことを特徴
とする５１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ５３ 発光素子構造若しくは受光素子構造を有する、こ
とを特徴とする５１又は５２に記載のIII族窒化物系化
合物半導体素子。
【図１】図１はこの発明の実施例の発光素子の層構成を
説明する。
説明する。
【図２】図２は実施例の発光素子の電極配置例を示す平
面図である。
面図である。
【図３】図３は同正面図である。
【図４】図４は同背面図である。
【図５】図５は同左側（右側）側面図である。
【図６】図６は同底面図である。
【図７】図７は透明な部分（透明電極）を示す参考平面
図である。
図である。
【図８】図８は図２におけるＡ−Ａ線拡大一部省略断面
図である。
図である。
【図９】図９は図２におけるＢ−Ｂ線拡大一部省略断面
図である。
図である。
【図１０】図１０は図２におけるＣ−Ｃ線拡大断面図で
ある。
ある。
【図１１】図１１は図２におけるＤ−Ｄ線拡大断面図で
ある。
ある。
【図１２】図１２は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１３】図１３は同正面図である。
【図１４】図１４は同背面図である。
【図１５】図１５は同左側（右側）側面図である。
【図１６】図１６は同底面図である。
【図１７】図１７は透明な部分（透明電極）を示す参考
平面図である。
平面図である。
【図１８】図１８は図１２におけるＡ−Ａ線拡大一部省
略断面図である。
略断面図である。
【図１９】図１９は図１２におけるＢ−Ｂ線拡大一部省
略断面図である。
略断面図である。
【図２０】図２０は図１２におけるＣ−Ｃ線拡大断面図
である。
である。
【図２１】図２１は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２２】図２２は同正面図である。
【図２３】図２３は同背面図である。
【図２４】図２４は同左側（右側）側面図である。
【図２５】図２５は同底面図である。
【図２６】図２６は透明な部分（透明電極）を示す参考
平面図である。
平面図である。
【図２７】図２７は図２１におけるＡ−Ａ線拡大一部省
略断面図である。
略断面図である。
【図２８】図２８は図２１におけるＢ−Ｂ線拡大一部省
略断面図である。
略断面図である。
【図２９】図２９は図２１におけるＣ−Ｃ線拡大断面図
である。
である。
【図３０】図３０は図２１におけるＤ−Ｄ線拡大断面図
である。
である。
【図３１】図３１は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３２】図３２は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３３】図３３は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３４】図３４は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３５】図３５は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３６】図３６は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３７】図３７は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３８】図３８は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３９】図３９は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４０】図４０は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４１】図４１は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４２】図４２は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４３】図４３は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４４】図４４は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４５】図４５は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４６】図４６は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４７】図４７は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４８】図４８は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４９】図４９は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５０】図５０は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５１】図５１は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５２】図５２は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５３】図５３は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５４】図５４は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５５】図５５は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５６】図５６は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５７】図５７は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５８】図５８は他の実施例の発光素子の電極配置例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１０、２３、３３、４３、４３−１、５３、６３、３０
３、３０３−１ 発光素子 ６、１６，２６、３６、４６、５６、６６、３０６ 透
光性電極 ７ ｐ電極 ９ ｎ電極 １７、２７、３７、４７、５７、８１、９１、１０１、
１１１、１２１、１３１、１４１、１５１、１６１、１
７１、１８１、１９１、２０１、２１１、２２１、２３
１、２４１、２５１ ｐ台座電極 １８、２８、３８、４８、５８、８２、９２、９３、１
０２、１１２、１２２、１２３、１３２、１３３、１４
２、１４３、１５２、１６６、１７２、１８２、１９２
１９３、２０２、２１２、２２２、２２３、２３３、
２３２、２４２、２４２ ２５２ ｐ補助電極 １９、２９、３９、４９、５９、８５、９５、１０５、
１１５、１２５、１３５、１４５、１５５、１６５、１
７５、１８５、１９５、２０５、２１５、２２５、２３
５、２４５、２５５ ｎ台座電極 ２０、３０、４０、５０、６０、７０、８６、９６、１
０６、１０７、１１６、１２６ １２７、１３６、１３
７、１４６、１５６、１６６、１７６、１８６、１９６
２１６、２２６、２２７、２３６、２３７、２４６、
２４７、２４８、２５６、３１０、３２０ ｎ補助電極
３、３０３−１ 発光素子 ６、１６，２６、３６、４６、５６、６６、３０６ 透
光性電極 ７ ｐ電極 ９ ｎ電極 １７、２７、３７、４７、５７、８１、９１、１０１、
１１１、１２１、１３１、１４１、１５１、１６１、１
７１、１８１、１９１、２０１、２１１、２２１、２３
１、２４１、２５１ ｐ台座電極 １８、２８、３８、４８、５８、８２、９２、９３、１
０２、１１２、１２２、１２３、１３２、１３３、１４
２、１４３、１５２、１６６、１７２、１８２、１９２
１９３、２０２、２１２、２２２、２２３、２３３、
２３２、２４２、２４２ ２５２ ｐ補助電極 １９、２９、３９、４９、５９、８５、９５、１０５、
１１５、１２５、１３５、１４５、１５５、１６５、１
７５、１８５、１９５、２０５、２１５、２２５、２３
５、２４５、２５５ ｎ台座電極 ２０、３０、４０、５０、６０、７０、８６、９６、１
０６、１０７、１１６、１２６ １２７、１３６、１３
７、１４６、１５６、１６６、１７６、１８６、１９６
２１６、２２６、２２７、２３６、２３７、２４６、
２４７、２４８、２５６、３１０、３２０ ｎ補助電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 光一 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 長坂 尚久 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 最外径が７００μｍ以上の素子におい
て、ｎ電極から最も離れたｐ電極の点までの距離が５０
０μｍ以内にある、ことを特徴とするIII族窒化物系化
合物半導体素子。 - 【請求項２】 前記素子は平面からみたとき矩形であ
り、一の辺の長さが５００μｍ以上である、ことを特徴
とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素
子。 - 【請求項３】 前記ｎ電極はｎ台座電極と該ｎ台座電極
から延長するｎ補助電極とを備えてなり、該ｎ補助電極
の少なくとも一部が、前記素子を平面から見たとき、前
記素子の中央部分へ延長されている、ことを特徴とする
請求項１又は２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素
子。 - 【請求項４】 前記ｐ電極はｐ台座電極及び該ｐ台座電
極から延長したｐ補助電極を備えてなるｐ電極を有す
る、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
III族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項５】 前記透光性電極の任意の点と前記ｐ台座
電極又は前記ｐ補助電極との距離が０〜１０００μｍの
範囲内にある、ことを特徴とする請求項４に記載のIII
族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項６】 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とがく
し状に配置されている、ことを特徴とする請求項４又は
５に記載のIII族窒化物系化合物半導体。 - 【請求項７】 前記ｎ補助電極と前記ｐ補助電極とは相
互に平行に配置される部分を含む、ことを特徴とする請
求項４〜６のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子。 - 【請求項８】 前記ｎ台座電極が複数配置され、前記ｐ
台座電極が複数配置されている、ことを特徴とする請求
項４〜７のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導
体素子。 - 【請求項９】 発光素子構造若しくは受光素子構造を有
する、ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載
のIII族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項１０】 最外径が７００μｍ以上の素子におい
て、ｐ電極上の任意の点からｎ電極までの距離Ｘμｍが
以下の要件を満足する、 Ｘ≦ｔ／ρ 但し、ｔ：ｎ型半導体層の膜厚 ρ：ｎ型半導体層の抵抗率 ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項１１】 最外径が７００μｍ以上の素子であっ
て、ｎ型半導体層の抵抗率が０．００４〜０．０１Ω・
ｃｍでありかつ該ｎ型半導体層の膜厚が３〜５μｍの素
子において、ｎ電極から最も離れたｐ電極の点までの距
離が３００〜５００μｍの範囲である、ことを特徴とす
るIII族窒化物系化合物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101990A JP4810746B2 (ja) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000096865 | 2000-03-31 | ||
| JP2000096865 | 2000-03-31 | ||
| JP2000-96865 | 2000-03-31 | ||
| JP2001101990A JP4810746B2 (ja) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345480A true JP2001345480A (ja) | 2001-12-14 |
| JP2001345480A5 JP2001345480A5 (ja) | 2008-04-17 |
| JP4810746B2 JP4810746B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=26589066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001101990A Expired - Fee Related JP4810746B2 (ja) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4810746B2 (ja) |
Cited By (88)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032252A1 (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Nichia Corporation | 発光ダイオード |
| JP2004363572A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子および発光ダイオード |
| JP2005039264A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
| JP2005039284A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
| JP2005109434A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2005526403A (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード |
| JP2005322913A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 複数の電流拡張層を有するオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法 |
| JP2005322847A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
| WO2005122288A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Showa Denko K.K. | Trnsparent positive electrode for gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and light-emitting device |
| WO2006028118A1 (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-16 | Rohm Co., Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2006310893A (ja) * | 2002-10-03 | 2006-11-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JP2007005813A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体発光デバイス |
| WO2007010793A1 (ja) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光素子実装済み基板 |
| JP2007049160A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2007116153A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2007116158A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2007123517A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2007281426A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| KR100814464B1 (ko) | 2006-11-24 | 2008-03-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP2008123837A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の発光モジュール |
| JP2008159957A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2008244503A (ja) * | 2005-10-07 | 2008-10-09 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008277358A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| CN100461467C (zh) * | 2002-10-03 | 2009-02-11 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管 |
| JP2009182324A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Foxsemicon Intergated Technology Inc | 半導体発光素子 |
| JP2010199395A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| JP2010225771A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100988041B1 (ko) | 2008-05-15 | 2010-10-18 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| KR101000277B1 (ko) | 2008-12-04 | 2010-12-10 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| KR101021974B1 (ko) | 2009-04-08 | 2011-03-16 | (주)더리즈 | 자기조립 패키지용 반도체 칩 |
| EP2296199A2 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-16 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2011068162A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2011114240A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| WO2011074768A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP2011151346A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | フェイスアップ型光半導体装置 |
| KR20110093248A (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| JP2011223039A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| KR101087970B1 (ko) | 2010-10-25 | 2011-12-01 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| JP2012009864A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Theleds Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2012015480A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子 |
| WO2012011458A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
| US8115222B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device |
| EP2423985A2 (en) | 2010-08-26 | 2012-02-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
| JP2012044173A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Chi Mei Lighting Technology Corp | 発光装置 |
| JP2012054525A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2012060181A (ja) * | 2007-01-22 | 2012-03-22 | Cree Inc | ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置 |
| US8168996B2 (en) | 2006-04-17 | 2012-05-01 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| WO2012057469A2 (ko) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| JP2012114343A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2012164782A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US8274070B2 (en) | 2010-02-26 | 2012-09-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element including an auxiliary electrode |
| CN102842665A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及发光器件封装件 |
| WO2013024921A1 (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| US8395263B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2013098515A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR20130053006A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US8461615B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| US8502239B2 (en) | 2003-05-13 | 2013-08-06 | Bridgelux, Inc. | High power allngan based multi-chip light emitting diode |
| KR101354981B1 (ko) | 2007-11-14 | 2014-01-27 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광 다이오드 |
| KR20140028232A (ko) * | 2012-08-28 | 2014-03-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR20140035706A (ko) * | 2012-09-14 | 2014-03-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광 효율이 개선된 반도체 발광 소자 |
| KR20140086866A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| KR20140092508A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| JP2015079953A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| JP2015109332A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| KR20150067032A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| KR101539430B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2015-07-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| JP2016004995A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| KR20160006152A (ko) * | 2015-12-30 | 2016-01-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| US9324691B2 (en) | 2009-10-20 | 2016-04-26 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| KR101625125B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR101625122B1 (ko) * | 2010-01-18 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR101625131B1 (ko) | 2013-12-17 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR20160092465A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| JP2016207870A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US9673355B2 (en) | 2009-12-14 | 2017-06-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| KR20190046738A (ko) * | 2019-04-26 | 2019-05-07 | 에피스타 코포레이션 | 광전소자 |
| KR20190065211A (ko) * | 2019-05-29 | 2019-06-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US11063183B2 (en) | 2015-02-26 | 2021-07-13 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| KR20210096028A (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20220090122A (ko) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 중앙대학교 산학협력단 | C2 대칭성 led 소자 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373185A (ja) * | 1989-01-01 | 1991-03-28 | Hiromitsu Saito | カッターガイド |
| JPH06112535A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードチップ、およびこれを用いた発光ダイオードチップアレイ |
| JPH08316525A (ja) * | 1995-05-13 | 1996-11-29 | Temic Telefunken Microelectron Gmbh | 発光ダイオード |
| JPH0997922A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JPH10117017A (ja) * | 1997-11-13 | 1998-05-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JPH10294493A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体発光デバイス |
| JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001101990A patent/JP4810746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373185A (ja) * | 1989-01-01 | 1991-03-28 | Hiromitsu Saito | カッターガイド |
| JPH06112535A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードチップ、およびこれを用いた発光ダイオードチップアレイ |
| JPH08316525A (ja) * | 1995-05-13 | 1996-11-29 | Temic Telefunken Microelectron Gmbh | 発光ダイオード |
| JPH0997922A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JPH10294493A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体発光デバイス |
| JPH10117017A (ja) * | 1997-11-13 | 1998-05-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
Cited By (170)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526403A (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード |
| JP2006310893A (ja) * | 2002-10-03 | 2006-11-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| KR100998405B1 (ko) * | 2002-10-03 | 2010-12-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광다이오드 |
| CN100461467C (zh) * | 2002-10-03 | 2009-02-11 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管 |
| US7495259B2 (en) | 2002-10-03 | 2009-02-24 | Nichia Corporation | Light-emitting diode |
| JP4635985B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2011-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| WO2004032252A1 (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Nichia Corporation | 発光ダイオード |
| US7075115B2 (en) | 2002-10-03 | 2006-07-11 | Nichia Corporation | Light-emitting diode |
| JP2004363572A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-12-24 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子および発光ダイオード |
| US9006765B2 (en) | 2003-05-13 | 2015-04-14 | Bridelux, Inc. | Multi-chip LED diode apparatus |
| US8502239B2 (en) | 2003-05-13 | 2013-08-06 | Bridgelux, Inc. | High power allngan based multi-chip light emitting diode |
| JP4581540B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
| JP4572604B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
| JP2005039284A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
| JP2005039264A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
| JP2005109434A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9105817B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| JP2005322913A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 複数の電流拡張層を有するオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法 |
| JP4632690B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2011-02-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| JP2005322847A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
| WO2005122288A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Showa Denko K.K. | Trnsparent positive electrode for gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and light-emitting device |
| JPWO2006028118A1 (ja) * | 2004-09-08 | 2008-05-08 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| WO2006028118A1 (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-16 | Rohm Co., Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2007005813A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体発光デバイス |
| WO2007010793A1 (ja) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光素子実装済み基板 |
| US8258539B2 (en) | 2005-08-09 | 2012-09-04 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device |
| JP2007049160A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| US7777245B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device |
| JP2011071540A (ja) * | 2005-10-07 | 2011-04-07 | Samsung Led Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008244503A (ja) * | 2005-10-07 | 2008-10-09 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7994525B2 (en) | 2005-10-07 | 2011-08-09 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light emitting diode |
| US8525196B2 (en) | 2005-10-07 | 2013-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light emitting diode |
| US7977134B2 (en) | 2005-10-07 | 2011-07-12 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same |
| US7893447B2 (en) | 2005-10-07 | 2011-02-22 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light emitting diode |
| JP2007116158A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| US8168995B2 (en) | 2005-10-17 | 2012-05-01 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride based semiconductor light emitting diode |
| JP4620027B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2011-01-26 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2007116153A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| KR100730082B1 (ko) | 2005-10-17 | 2007-06-19 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP2007123517A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2007281426A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| US8168996B2 (en) | 2006-04-17 | 2012-05-01 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8362516B2 (en) | 2006-04-17 | 2013-01-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2008123837A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用灯具の発光モジュール |
| KR100814464B1 (ko) | 2006-11-24 | 2008-03-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP2008159957A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| JP2012060181A (ja) * | 2007-01-22 | 2012-03-22 | Cree Inc | ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置 |
| JP2008277358A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| KR101354981B1 (ko) | 2007-11-14 | 2014-01-27 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광 다이오드 |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US8115222B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device |
| JP2009182324A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Foxsemicon Intergated Technology Inc | 半導体発光素子 |
| KR100988041B1 (ko) | 2008-05-15 | 2010-10-18 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| JP2012511248A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | エピヴァレー カンパニー リミテッド | 半導体発光素子 |
| KR101000277B1 (ko) | 2008-12-04 | 2010-12-10 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| JP2010199395A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| JP2010225771A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US9343630B2 (en) | 2009-03-23 | 2016-05-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element |
| KR101021974B1 (ko) | 2009-04-08 | 2011-03-16 | (주)더리즈 | 자기조립 패키지용 반도체 칩 |
| US8455912B2 (en) | 2009-09-14 | 2013-06-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| EP2296199A2 (en) | 2009-09-14 | 2011-03-16 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2011061127A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| US10665756B2 (en) | 2009-10-20 | 2020-05-26 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| US9324691B2 (en) | 2009-10-20 | 2016-04-26 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| US10418524B2 (en) | 2009-10-20 | 2019-09-17 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| JP2018029217A (ja) * | 2009-10-20 | 2018-02-22 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光電素子 |
| US9985184B2 (en) | 2009-10-20 | 2018-05-29 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| JP2011114240A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| WO2011068162A1 (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2011119519A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| US8779441B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-07-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element with first and second electrode openings arranged at a constant distance |
| US9673355B2 (en) | 2009-12-14 | 2017-06-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| CN105489728A (zh) * | 2009-12-14 | 2016-04-13 | 首尔伟傲世有限公司 | 具有电极焊盘的发光二极管 |
| WO2011074768A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP2011124580A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 電極パッドを有する発光ダイオード |
| JP2015159328A (ja) * | 2009-12-14 | 2015-09-03 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 電極パッドを有する発光ダイオード |
| CN105489728B (zh) * | 2009-12-14 | 2018-11-16 | 首尔伟傲世有限公司 | 具有电极焊盘的发光二极管 |
| JP2011151346A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | フェイスアップ型光半導体装置 |
| KR101625125B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| US9419180B2 (en) | 2010-01-07 | 2016-08-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| US9018669B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-04-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| US9012952B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-04-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP2011142324A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 複数の電極パッドを有する発光ダイオード |
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| WO2011083923A3 (en) * | 2010-01-07 | 2011-09-29 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| US9793440B2 (en) | 2010-01-07 | 2017-10-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP2017041653A (ja) * | 2010-01-07 | 2017-02-23 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 複数の電極パッドを有する発光ダイオード |
| KR101625122B1 (ko) * | 2010-01-18 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR20110093248A (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR101636034B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2016-07-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| US8274070B2 (en) | 2010-02-26 | 2012-09-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element including an auxiliary electrode |
| US8461615B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| US9159878B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2012009864A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Theleds Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR20170035357A (ko) * | 2010-07-02 | 2017-03-30 | 에피스타 코포레이션 | 광전소자 |
| JP2016021595A (ja) * | 2010-07-02 | 2016-02-04 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 光電素子 |
| KR101929867B1 (ko) | 2010-07-02 | 2019-03-14 | 에피스타 코포레이션 | 광전소자 |
| JP2012015480A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子 |
| JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP5170325B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| WO2012011458A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US8466487B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-18 | Nichia Corporation | Light emitting element with extended electrodes structure |
| JP2012054525A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US8653498B2 (en) | 2010-08-04 | 2014-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| US8395263B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8890195B2 (en) | 2010-08-09 | 2014-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2012044173A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Chi Mei Lighting Technology Corp | 発光装置 |
| CN102376831A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 佛山市奇明光电有限公司 | 发光器件 |
| US8592853B2 (en) | 2010-08-26 | 2013-11-26 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
| EP2423985A2 (en) | 2010-08-26 | 2012-02-29 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
| WO2012057469A3 (ko) * | 2010-10-25 | 2012-06-28 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| KR101087970B1 (ko) | 2010-10-25 | 2011-12-01 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| WO2012057469A2 (ko) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| JP2012114343A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2012164782A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US8546840B2 (en) | 2011-02-07 | 2013-10-01 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
| CN102842665A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及发光器件封装件 |
| JP2011223039A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US9130125B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| WO2013024921A1 (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| JP2013098515A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR20130053006A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR20140028232A (ko) * | 2012-08-28 | 2014-03-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR101954204B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2019-06-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR20140035706A (ko) * | 2012-09-14 | 2014-03-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광 효율이 개선된 반도체 발광 소자 |
| KR101973765B1 (ko) | 2012-09-14 | 2019-04-30 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광 효율이 개선된 반도체 발광 소자 |
| KR102093255B1 (ko) | 2012-12-28 | 2020-03-25 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| KR20140086866A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| JP2014143394A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
| KR101986720B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| KR20140092508A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| JP2015079953A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP2015109332A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| US9577152B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| KR102227815B1 (ko) | 2013-12-09 | 2021-03-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| US10276751B2 (en) | 2013-12-09 | 2019-04-30 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| US9882093B2 (en) | 2013-12-09 | 2018-01-30 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| KR20150067032A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
| US11817529B2 (en) | 2013-12-09 | 2023-11-14 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| US12068437B2 (en) | 2013-12-09 | 2024-08-20 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| US10978617B2 (en) | 2013-12-09 | 2021-04-13 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| US10593840B2 (en) | 2013-12-09 | 2020-03-17 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| KR101625131B1 (ko) | 2013-12-17 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| JP2016004995A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| KR101539430B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2015-07-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR102550006B1 (ko) | 2014-09-30 | 2023-07-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR102424325B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2022-07-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20210096028A (ko) * | 2014-09-30 | 2021-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20220110670A (ko) * | 2014-09-30 | 2022-08-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20220088382A (ko) * | 2015-01-27 | 2022-06-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| KR102546262B1 (ko) | 2015-01-27 | 2023-06-23 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| KR20160092465A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| KR102407827B1 (ko) * | 2015-01-27 | 2022-06-13 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| US11063183B2 (en) | 2015-02-26 | 2021-07-13 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| JP2016207870A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| KR101662198B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2016-10-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR20160006152A (ko) * | 2015-12-30 | 2016-01-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| KR102059974B1 (ko) | 2019-04-26 | 2019-12-27 | 에피스타 코포레이션 | 광전소자 |
| KR20190046738A (ko) * | 2019-04-26 | 2019-05-07 | 에피스타 코포레이션 | 광전소자 |
| KR102053426B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2019-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| KR20190065211A (ko) * | 2019-05-29 | 2019-06-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지 |
| KR20220090122A (ko) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 중앙대학교 산학협력단 | C2 대칭성 led 소자 |
| KR102544373B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2023-06-15 | 중앙대학교 산학협력단 | C2 대칭성 led 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4810746B2 (ja) | 2011-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001345480A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| US7042089B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor device | |
| US7291865B2 (en) | Light-emitting semiconductor device | |
| US8679869B2 (en) | Contact for a semiconductor light emitting device | |
| US7057212B2 (en) | Flip chip nitride semiconductor light emitting diode | |
| US6847052B2 (en) | Light-emitting diode device geometry | |
| USRE45217E1 (en) | Semiconductor light emitting device with transparent electrode having holes | |
| US10756134B2 (en) | Light-emitting device | |
| US20020030201A1 (en) | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device | |
| WO2012091311A2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
| JPWO2006082687A1 (ja) | ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置 | |
| JP2002359402A (ja) | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列／並列ｌｅｄアレイ | |
| KR20070105215A (ko) | 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| JP2006237550A (ja) | フリップチップ用窒化物半導体発光素子 | |
| US20130099248A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
| JPH10163531A (ja) | 周縁に電極を有する発光ダイオード | |
| JP2006156590A (ja) | 発光ダイオード | |
| EP1530242B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP5434288B2 (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を備えたランプ、照明装置および電子機器 | |
| JP2003524901A (ja) | 電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法 | |
| US7304325B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device | |
| JP4569858B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| US20130181187A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR100631970B1 (ko) | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 | |
| CN110034219B (zh) | 发光二极管及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100803 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110414 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110808 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4810746 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |