JPH11186612A - チップ型ｌｅｄ - Google Patents
チップ型ｌｅｄInfo
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- JPH11186612A JPH11186612A JP9349176A JP34917697A JPH11186612A JP H11186612 A JPH11186612 A JP H11186612A JP 9349176 A JP9349176 A JP 9349176A JP 34917697 A JP34917697 A JP 34917697A JP H11186612 A JPH11186612 A JP H11186612A
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- Japan
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- led
- light emitting
- chip type
- emitting element
- type led
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤ発光素子から放出されてプリント配線
基板に達した光を真上方向に反射させることで、チップ
型ＬＥＤの発光効率を高くする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。プリント配線基板２は凹曲面状の反射パラボラ８を
有しており、反射パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素
子１がプリント配線基板２上にボンディングされてい
る。光が反射パラボラ８によって真上方向に反射して一
方向に揃えられるので、チップ型ＬＥＤ１０の発光効率
は向上する。
基板に達した光を真上方向に反射させることで、チップ
型ＬＥＤの発光効率を高くする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。プリント配線基板２は凹曲面状の反射パラボラ８を
有しており、反射パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素
子１がプリント配線基板２上にボンディングされてい
る。光が反射パラボラ８によって真上方向に反射して一
方向に揃えられるので、チップ型ＬＥＤ１０の発光効率
は向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、表示用や光情報
伝送用の光源等に利用されるチップ型ＬＥＤに関するも
のである。
伝送用の光源等に利用されるチップ型ＬＥＤに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型ＬＥＤは、プリント配線基板上
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図７に示されるチップ型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ
発光素子１の表面に形成された電極５，６がワイヤレス
ボンディング法でプリント配線基板２上の配線パターン
９に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、いわゆるフ
ェースダウンの状態でプリント配線基板２に実装され
て、エポキシ樹脂１１で封止される。ＬＥＤ発光素子１
から放出された光７（図８参照）は、エポキシ樹脂１１
を透過してから空気中に放出される。
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図７に示されるチップ型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ
発光素子１の表面に形成された電極５，６がワイヤレス
ボンディング法でプリント配線基板２上の配線パターン
９に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、いわゆるフ
ェースダウンの状態でプリント配線基板２に実装され
て、エポキシ樹脂１１で封止される。ＬＥＤ発光素子１
から放出された光７（図８参照）は、エポキシ樹脂１１
を透過してから空気中に放出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤ発光素子１が青
色発光素子のように透明基板（サファイア基板）を含む
場合、図８に示されるように、ＬＥＤ発光素子１内部の
発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板（図示略）を透過してからエポキシ
樹脂１１を一方向に無駄なく透過していく。しかしなが
ら発光点Ｐ1 ，Ｐ 2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光７
は、プリント配線基板２の表面で多方向に反射してしま
う。
色発光素子のように透明基板（サファイア基板）を含む
場合、図８に示されるように、ＬＥＤ発光素子１内部の
発光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板（図示略）を透過してからエポキシ
樹脂１１を一方向に無駄なく透過していく。しかしなが
ら発光点Ｐ1 ，Ｐ 2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光７
は、プリント配線基板２の表面で多方向に反射してしま
う。
【０００４】多方向に反射する光７が多いと、チップ型
ＬＥＤの発光効率は低くなる。チップ型ＬＥＤの発光効
率を高めるには、反射する光７を一方向（発光点Ｐ1 〜
Ｐ3の真上方向）に反射させる必要がある。
ＬＥＤの発光効率は低くなる。チップ型ＬＥＤの発光効
率を高めるには、反射する光７を一方向（発光点Ｐ1 〜
Ｐ3の真上方向）に反射させる必要がある。
【０００５】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、ＬＥＤ発光素子から放出されて
プリント配線基板に到達した光を真上方向に反射させる
ことで、チップ型ＬＥＤの発光効率を高くすることをそ
の課題としている。
出されたものであって、ＬＥＤ発光素子から放出されて
プリント配線基板に到達した光を真上方向に反射させる
ことで、チップ型ＬＥＤの発光効率を高くすることをそ
の課題としている。
【０００６】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００７】すなわち、本願発明は、プリント配線基板
にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチップ型Ｌ
ＥＤにおいて、上記プリント配線基板には、上記ＬＥＤ
発光素子に覆われる部位に凹曲面状の反射パラボラが形
成されていることを特徴としている。
にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチップ型Ｌ
ＥＤにおいて、上記プリント配線基板には、上記ＬＥＤ
発光素子に覆われる部位に凹曲面状の反射パラボラが形
成されていることを特徴としている。
【０００８】本願発明は、プリント配線基板に反射パラ
ボラを設け、この反射パラボラでＬＥＤ発光素子から放
出された光を真上方向に反射させ、チップ型ＬＥＤの発
光効率を向上させている。反射パラボラは、フラットな
面がなく表面が凹曲面である。ＬＥＤ発光素子から下方
向に放出されて反射パラボラに達した光は、反射パラボ
ラの凹曲面によって真上方向に反射される。反射パラボ
ラで一方向（真上方向）に反射された光がＬＥＤ発光素
子の封止体であるエポキシ樹脂を無駄なく透過していく
ので、チップ型ＬＥＤの発光効率が向上する。
ボラを設け、この反射パラボラでＬＥＤ発光素子から放
出された光を真上方向に反射させ、チップ型ＬＥＤの発
光効率を向上させている。反射パラボラは、フラットな
面がなく表面が凹曲面である。ＬＥＤ発光素子から下方
向に放出されて反射パラボラに達した光は、反射パラボ
ラの凹曲面によって真上方向に反射される。反射パラボ
ラで一方向（真上方向）に反射された光がＬＥＤ発光素
子の封止体であるエポキシ樹脂を無駄なく透過していく
ので、チップ型ＬＥＤの発光効率が向上する。
【０００９】本願発明のさらに好ましい実施形態とし
て、上記反射パラボラは、表面に金属メッキを有する構
成としている。プリント配線基板の反射率が低い場合
に、反射率の高い金属メッキを反射パラボラの表面に形
成し、上記金属メッキで光を真上方向に反射させること
で、チップ型ＬＥＤの発光効率が高められる。
て、上記反射パラボラは、表面に金属メッキを有する構
成としている。プリント配線基板の反射率が低い場合
に、反射率の高い金属メッキを反射パラボラの表面に形
成し、上記金属メッキで光を真上方向に反射させること
で、チップ型ＬＥＤの発光効率が高められる。
【００１０】上記金属メッキは、Ａｇメッキであること
が望ましい。Ａｇメッキは、反射率が高く、光を吸収す
ることがない。反射パラボラの表面に形成されたＡｇメ
ッキは、ＬＥＤ発光素子から放出してきた光を真上方向
に反射する。反射した光が一方向に揃えられてエポキシ
樹脂を無駄なく透過していくので、チップ型ＬＥＤは発
光効率に優れたものとなる。
が望ましい。Ａｇメッキは、反射率が高く、光を吸収す
ることがない。反射パラボラの表面に形成されたＡｇメ
ッキは、ＬＥＤ発光素子から放出してきた光を真上方向
に反射する。反射した光が一方向に揃えられてエポキシ
樹脂を無駄なく透過していくので、チップ型ＬＥＤは発
光効率に優れたものとなる。
【００１１】このように、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄは、ＬＥＤ発光素子から放出されてきた光を反射パラ
ボラの凹曲面で真上方向に反射させるものである。反射
パラボラによって光が一方向（真上方向）に揃えられる
ので、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの発光効率は、従
来より優れたものとなる。プリント配線基板の反射率が
低い場合には、反射層としてＡｇメッキを反射パラボラ
の表面に形成してやればチップ型ＬＥＤの発光効率を高
めることができる。
Ｄは、ＬＥＤ発光素子から放出されてきた光を反射パラ
ボラの凹曲面で真上方向に反射させるものである。反射
パラボラによって光が一方向（真上方向）に揃えられる
ので、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの発光効率は、従
来より優れたものとなる。プリント配線基板の反射率が
低い場合には、反射層としてＡｇメッキを反射パラボラ
の表面に形成してやればチップ型ＬＥＤの発光効率を高
めることができる。
【００１２】上記手段をとることによって、チップ型Ｌ
ＥＤの発光効率は高くなる。発光効率の高められたチッ
プ型ＬＥＤで表示される文字等は、従来のチップ型ＬＥ
Ｄで表示される文字よりも見やすいものとなる。また、
本願発明に係るチップ型ＬＥＤを光情報伝送用光源に使
用すれば、光通信を効率良く行うことができる。
ＥＤの発光効率は高くなる。発光効率の高められたチッ
プ型ＬＥＤで表示される文字等は、従来のチップ型ＬＥ
Ｄで表示される文字よりも見やすいものとなる。また、
本願発明に係るチップ型ＬＥＤを光情報伝送用光源に使
用すれば、光通信を効率良く行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて、添付図面を参照して説明する。
いて、添付図面を参照して説明する。
【００１４】図１は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主としてプリント配線基板２と、Ｌ
ＥＤ発光素子１とから構成されている。プリント配線基
板２は凹曲面を持つ反射パラボラ８を有しており、反射
パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素子１がプリント配
線基板２上にフェースダウンの状態で実装されている。
ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，６は
プリント配線基板２上の配線パターン９に接合され、Ｌ
ＥＤ発光素子１は透明性のエポキシ樹脂１１で封止され
ている。
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主としてプリント配線基板２と、Ｌ
ＥＤ発光素子１とから構成されている。プリント配線基
板２は凹曲面を持つ反射パラボラ８を有しており、反射
パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素子１がプリント配
線基板２上にフェースダウンの状態で実装されている。
ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，６は
プリント配線基板２上の配線パターン９に接合され、Ｌ
ＥＤ発光素子１は透明性のエポキシ樹脂１１で封止され
ている。
【００１５】上記チップ型ＬＥＤ１０におけるＬＥＤ発
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に導通されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に導通されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
【００１６】図３は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤ１
０の一部拡大断面図である。ＬＥＤ発光素子１内部の発
光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板２１（図２参照）を透過してからエ
ポキシ樹脂１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光７は、プリン
ト配線基板２に設けられた反射パラボラ８に到達する。
この光７は、反射パラボラ８の凹曲面によって真上方向
に反射し、一方向に揃えられてエポキシ樹脂１１を無駄
なく透過していく。従って、チップ型ＬＥＤ１０は、発
光効率に優れたものとなる。
０の一部拡大断面図である。ＬＥＤ発光素子１内部の発
光点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から真上方向に放出された光７
は、サファイア基板２１（図２参照）を透過してからエ
ポキシ樹脂１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐ
1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 から下方向に放出された光７は、プリン
ト配線基板２に設けられた反射パラボラ８に到達する。
この光７は、反射パラボラ８の凹曲面によって真上方向
に反射し、一方向に揃えられてエポキシ樹脂１１を無駄
なく透過していく。従って、チップ型ＬＥＤ１０は、発
光効率に優れたものとなる。
【００１７】チップ型ＬＥＤ１０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成した材料基板に複数の溝をほり、溝の内面
にも導体被膜を形成する。次に、穴あけ用の工具を使用
して、材料基板における溝と溝との間の棒状部分の上面
に反射パラボラ８を形成する。ＬＥＤ発光素子１の電極
５，６と配線パターン９とをボンディングし、ＬＥＤ発
光素子１をいわゆるフェースダウンの状態で材料基板に
実装する。実装工程終了後、金型を被せてＬＥＤ発光素
子１を覆う。金型には、封止体注入用の穴が開いてい
る。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型内に流し
込み、エポキシ樹脂１１を固めて材料基板に接合する。
接合が終了してから金型を取り外し、材料基板の棒状部
分を溝に対して垂直方向にカットすると、チップ型ＬＥ
Ｄ１０を複数得ることができる。
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成した材料基板に複数の溝をほり、溝の内面
にも導体被膜を形成する。次に、穴あけ用の工具を使用
して、材料基板における溝と溝との間の棒状部分の上面
に反射パラボラ８を形成する。ＬＥＤ発光素子１の電極
５，６と配線パターン９とをボンディングし、ＬＥＤ発
光素子１をいわゆるフェースダウンの状態で材料基板に
実装する。実装工程終了後、金型を被せてＬＥＤ発光素
子１を覆う。金型には、封止体注入用の穴が開いてい
る。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型内に流し
込み、エポキシ樹脂１１を固めて材料基板に接合する。
接合が終了してから金型を取り外し、材料基板の棒状部
分を溝に対して垂直方向にカットすると、チップ型ＬＥ
Ｄ１０を複数得ることができる。
【００１８】上記製造工程では、穴あけ用工具で材料基
板に反射パラボラ８を形成しているが、材料基板を成形
する段階で予め反射パラボラ８を形成しておいてもよ
い。
板に反射パラボラ８を形成しているが、材料基板を成形
する段階で予め反射パラボラ８を形成しておいてもよ
い。
【００１９】図４は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。このチップ型ＬＥ
Ｄ４０は、図１に示されるチップ型ＬＥＤ１０と基本的
には同様の構造であるが、反射パラボラ８の表面にＡｇ
メッキ１２が施されている。Ａｇメッキ１２は反射層と
なり、ＬＥＤ発光素子１から放出された光７はＡｇメッ
キ１２によって真上方向に反射する。光７が一方向（真
上方向）に揃えられてエポキシ樹脂１１を透過していく
ので、チップ型ＬＥＤ４０の発光効率は優れたものとな
る。
他の実施例を示す要部断面図である。このチップ型ＬＥ
Ｄ４０は、図１に示されるチップ型ＬＥＤ１０と基本的
には同様の構造であるが、反射パラボラ８の表面にＡｇ
メッキ１２が施されている。Ａｇメッキ１２は反射層と
なり、ＬＥＤ発光素子１から放出された光７はＡｇメッ
キ１２によって真上方向に反射する。光７が一方向（真
上方向）に揃えられてエポキシ樹脂１１を透過していく
ので、チップ型ＬＥＤ４０の発光効率は優れたものとな
る。
【００２０】チップ型ＬＥＤ４０の製造工程は、チップ
型ＬＥＤ１０の製造工程と基本的に同じであるが、材料
基板にＬＥＤ発光素子１をボンディングする前に予め反
射パラボラ８にＡｇメッキ１２を形成しておく。その後
の製造工程は、チップ型ＬＥＤ１０の場合と同様であ
る。
型ＬＥＤ１０の製造工程と基本的に同じであるが、材料
基板にＬＥＤ発光素子１をボンディングする前に予め反
射パラボラ８にＡｇメッキ１２を形成しておく。その後
の製造工程は、チップ型ＬＥＤ１０の場合と同様であ
る。
【００２１】上記チップ型ＬＥＤ４０では、Ａｇメッキ
１２を反射層としているが、反射層は蒸着によって形成
されたＡｇ薄膜でもよい。尚、反射層を形成する金属は
Ａｇに限らず、反射率が高ければ他の金属でもよい。
１２を反射層としているが、反射層は蒸着によって形成
されたＡｇ薄膜でもよい。尚、反射層を形成する金属は
Ａｇに限らず、反射率が高ければ他の金属でもよい。
【００２２】図５は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主としてプリント配線基
板２、ＬＥＤ発光素子１、ワイヤＷから構成されてい
る。プリント配線基板２は凹曲面状の反射パラボラ８を
有しており、反射パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素
子１がプリント配線基板２上にボンディングされてい
る。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，
６は、ワイヤＷによってプリント配線基板２上の配線パ
ターン９と電気的に接合している。プリント配線基板２
上にボンディングされたＬＥＤ発光素子１は、透明性の
エポキシ樹脂１１で封止されている。
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主としてプリント配線基
板２、ＬＥＤ発光素子１、ワイヤＷから構成されてい
る。プリント配線基板２は凹曲面状の反射パラボラ８を
有しており、反射パラボラ８を覆うようにＬＥＤ発光素
子１がプリント配線基板２上にボンディングされてい
る。ＬＥＤ発光素子１の表面に形成されている電極５，
６は、ワイヤＷによってプリント配線基板２上の配線パ
ターン９と電気的に接合している。プリント配線基板２
上にボンディングされたＬＥＤ発光素子１は、透明性の
エポキシ樹脂１１で封止されている。
【００２３】図６は、上記チップ型ＬＥＤ５０における
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９にボンディングされるサファイア基板６１に
はバッファ層６２が形成されており、バッファ層６２上
にはｎ型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６５
からなる積層部６０が形成されている。ｎ型半導体層６
３の表面にはワイヤボンディング用の電極６が設けら
れ、ｐ型半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用
の電極５が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１
は、ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層
６２〜６５を成長させ、その後、電極５，６を形成する
ことによって得られる。
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９にボンディングされるサファイア基板６１に
はバッファ層６２が形成されており、バッファ層６２上
にはｎ型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６５
からなる積層部６０が形成されている。ｎ型半導体層６
３の表面にはワイヤボンディング用の電極６が設けら
れ、ｐ型半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用
の電極５が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１
は、ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層
６２〜６５を成長させ、その後、電極５，６を形成する
ことによって得られる。
【００２４】ＬＥＤ発光素子５１から下方向に放出され
た光７は、プリント配線基板２に設けられた反射パラボ
ラ８に達し、反射パラボラ８の凹曲面によって真上方向
に反射する。光７が一方向（真上方向）に揃えられてエ
ポキシ樹脂１１を無駄なく透過するので、チップ型ＬＥ
Ｄ５０も発光効率に優れたものとなる。
た光７は、プリント配線基板２に設けられた反射パラボ
ラ８に達し、反射パラボラ８の凹曲面によって真上方向
に反射する。光７が一方向（真上方向）に揃えられてエ
ポキシ樹脂１１を無駄なく透過するので、チップ型ＬＥ
Ｄ５０も発光効率に優れたものとなる。
【００２５】チップ型ＬＥＤ５０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成した材料基板に複数の溝をほり、溝の内面
にも導体被膜を形成する。次に、穴あけ用工具によっ
て、材料基板における溝と溝との間の棒状部分の上面に
反射パラボラ８を形成してから、ＬＥＤ発光素子５１に
おけるサファイア基板６１を材料基板にボンディングす
る。ＬＥＤ発光素子５１表面に形成されている電極５，
６にワイヤＷをボンディングし、ワイヤＷの他端部を配
線パターン９にボンディングする。ワイヤボンディング
終了後、金型を被せて材料基板上のＬＥＤ発光素子１お
よびワイヤＷを覆う。金型には、封止体注入用の穴が開
いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型内
に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めて材料基板に接合
する。接合が終了してから金型を取り外し、材料基板の
棒状部分を溝に対して垂直方向にカットすると、チップ
型ＬＥＤ５０を複数得ることができる。
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成した材料基板に複数の溝をほり、溝の内面
にも導体被膜を形成する。次に、穴あけ用工具によっ
て、材料基板における溝と溝との間の棒状部分の上面に
反射パラボラ８を形成してから、ＬＥＤ発光素子５１に
おけるサファイア基板６１を材料基板にボンディングす
る。ＬＥＤ発光素子５１表面に形成されている電極５，
６にワイヤＷをボンディングし、ワイヤＷの他端部を配
線パターン９にボンディングする。ワイヤボンディング
終了後、金型を被せて材料基板上のＬＥＤ発光素子１お
よびワイヤＷを覆う。金型には、封止体注入用の穴が開
いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型内
に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めて材料基板に接合
する。接合が終了してから金型を取り外し、材料基板の
棒状部分を溝に対して垂直方向にカットすると、チップ
型ＬＥＤ５０を複数得ることができる。
【００２６】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一
実施例を説明したが、本願発明は、これらに限定され
ず、下記のように種々変形することが可能である。
実施例を説明したが、本願発明は、これらに限定され
ず、下記のように種々変形することが可能である。
【００２７】上記実施形態における反射パラボラ８の形
状は、図１や図５に示されるような凹曲面であるが、本
願発明は反射パラボラ８の形状を限定するものではな
い。反射パラボラ８は、光を真上方向に反射させてチッ
プ型ＬＥＤの発光効率を向上させることができれば、特
に形状にはとらわれない。
状は、図１や図５に示されるような凹曲面であるが、本
願発明は反射パラボラ８の形状を限定するものではな
い。反射パラボラ８は、光を真上方向に反射させてチッ
プ型ＬＥＤの発光効率を向上させることができれば、特
に形状にはとらわれない。
【００２８】反射パラボラ８を有するプリント配線基板
２は、反射率の高いものであることが望まれる。具体的
にはセラミックスからなるプリント配線基板２が本願発
明に適している。プリント配線基板２の材質をセラミッ
クスとすることで、光７が反射パラボラ８で真上方向に
反射しやすくなり、チップ型ＬＥＤの発光効率が向上す
る。
２は、反射率の高いものであることが望まれる。具体的
にはセラミックスからなるプリント配線基板２が本願発
明に適している。プリント配線基板２の材質をセラミッ
クスとすることで、光７が反射パラボラ８で真上方向に
反射しやすくなり、チップ型ＬＥＤの発光効率が向上す
る。
【００２９】上記実施形態におけるＬＥＤ発光素子１，
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各部の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各部の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
【００３０】上記実施形態では、ＬＥＤ発光素子１，５
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
【００３１】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの実
施例を説明したが、本願発明は、これらに限定されず、
特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変形を施すこ
とも可能であり、その中には各構成要素を均等物で置換
したものも含まれる。
施例を説明したが、本願発明は、これらに限定されず、
特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変形を施すこ
とも可能であり、その中には各構成要素を均等物で置換
したものも含まれる。
【図１】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】図１に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図３】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一部拡大断面
図である。
図である。
【図４】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図５】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図６】図５に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図７】従来のチップ型ＬＥＤの一例を示す要部断面図
である。
である。
【図８】従来のチップ型ＬＥＤの一部拡大断面図であ
る。
る。
１ ＬＥＤ発光素子 ２ プリント配線基板 ５，６ 電極 ７ 光 ８ 反射パラボラ ９ 配線パターン １０ チップ型ＬＥＤ １１ エポキシ樹脂 １２ Ａｇメッキ ５１ ＬＥＤ発光素子 ４０ チップ型ＬＥＤ ５０ チップ型ＬＥＤ Ｗ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント配線基板にＬＥＤ発光素子がボ
ンディングされているチップ型ＬＥＤにおいて、上記プ
リント配線基板には、上記ＬＥＤ発光素子に覆われる部
位に凹曲面状の反射パラボラが形成されていることを特
徴とする、チップ型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 上記反射パラボラは、表面に金属メッキ
を有することを特徴とする、請求項１に記載のチップ型
ＬＥＤ。 - 【請求項３】 上記金属メッキは、Ａｇメッキであるこ
とを特徴とする、請求項１または２に記載のチップ型Ｌ
ＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349176A JPH11186612A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | チップ型ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349176A JPH11186612A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | チップ型ｌｅｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186612A true JPH11186612A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18401991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9349176A Pending JPH11186612A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | チップ型ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244152A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP9349176A patent/JPH11186612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244152A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| JP4530739B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050405 |