JP3460638B2 - 窒化物半導体発光チップの製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光チップの製造方法Info
- Publication number
- JP3460638B2 JP3460638B2 JP26193899A JP26193899A JP3460638B2 JP 3460638 B2 JP3460638 B2 JP 3460638B2 JP 26193899 A JP26193899 A JP 26193899A JP 26193899 A JP26193899 A JP 26193899A JP 3460638 B2 JP3460638 B2 JP 3460638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- type nitride
- negative electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体発光チ
ップに係り、より詳しくは基板がリードフレーム等の金
属製支持体に導電性材料を介して接合される実装方法に
用いられる窒化物半導体発光チップに関する。
ップに係り、より詳しくは基板がリードフレーム等の金
属製支持体に導電性材料を介して接合される実装方法に
用いられる窒化物半導体発光チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化物半導体を用いた発光チップ
が青色系の発光が可能な発光チップとして注目されてい
る。例えば、特開平９−２９８３１３号公報において、
リードフレーム等の支持体に窒化物半導体からなる発光
チップを固定したＬＥＤが提案されている。従来のＬＥ
Ｄでは、例えば、図２２に示すように、窒化物半導体発
光チップ１０１が、サファイヤ基板１０２上に順次形成
されたｎ型窒化物半導体層１０３とｐ型窒化物半導体層
１０４と、一端が露出したｎ型窒化物半導体層１０３の
上面に形成された負電極１０８と、ｐ型窒化物半導体層
１０４の上面に形成された透明な第１正電極１０５と、
第１正電極１０５の上面の一部に形成されたボンディン
グ用の透明な第２正電極１０６と、ボンディング面以外
の第１正電極１０５、第２正電極１０６そして負電極１
０８の上面に連続して形成され、第１正電極と負電極１
０８とを分離する絶縁層１０７とからなっている。
が青色系の発光が可能な発光チップとして注目されてい
る。例えば、特開平９−２９８３１３号公報において、
リードフレーム等の支持体に窒化物半導体からなる発光
チップを固定したＬＥＤが提案されている。従来のＬＥ
Ｄでは、例えば、図２２に示すように、窒化物半導体発
光チップ１０１が、サファイヤ基板１０２上に順次形成
されたｎ型窒化物半導体層１０３とｐ型窒化物半導体層
１０４と、一端が露出したｎ型窒化物半導体層１０３の
上面に形成された負電極１０８と、ｐ型窒化物半導体層
１０４の上面に形成された透明な第１正電極１０５と、
第１正電極１０５の上面の一部に形成されたボンディン
グ用の透明な第２正電極１０６と、ボンディング面以外
の第１正電極１０５、第２正電極１０６そして負電極１
０８の上面に連続して形成され、第１正電極と負電極１
０８とを分離する絶縁層１０７とからなっている。
【０００３】さらに、上記の窒化物半導体発光チップ１
０１は、図２３に示すように、基板１０２の裏面がマウ
ントリード１１１の上部に設けられた支持部１１１ａ上
に導電性材料１１３を介して接合され、マウントリード
１１１と負電極１０８、そしてインナーリード１１２と
第２正電極１０６とがワイヤボンディングにより接続さ
れている。ｐ型窒化物半導体層１０４とｎ型窒化物半導
体層１０３との接合部の発光層から発光した光は半導体
層側から出力される。
０１は、図２３に示すように、基板１０２の裏面がマウ
ントリード１１１の上部に設けられた支持部１１１ａ上
に導電性材料１１３を介して接合され、マウントリード
１１１と負電極１０８、そしてインナーリード１１２と
第２正電極１０６とがワイヤボンディングにより接続さ
れている。ｐ型窒化物半導体層１０４とｎ型窒化物半導
体層１０３との接合部の発光層から発光した光は半導体
層側から出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
窒化物半導体発光チップでは、ｐ型窒化物半導体の抵抗
がｎ型窒化物半導体に比べ大きいため、第１正電極１０
５の面積を負電極１０８より大きくする必要がある。さ
らに、半導体層側からの光の出力を大きくするために第
１正電極１０５の面積をより大きくする必要があるた
め、負電極１０８の面積は小さくならざるを得ず、負電
極１０８の面積の確保が困難であった。そのため、発光
層全体に均一に電流を注入することが困難となり、窒化
物半導体発光チップの高い発光効率を十分に引き出すこ
とができないという問題があった。
窒化物半導体発光チップでは、ｐ型窒化物半導体の抵抗
がｎ型窒化物半導体に比べ大きいため、第１正電極１０
５の面積を負電極１０８より大きくする必要がある。さ
らに、半導体層側からの光の出力を大きくするために第
１正電極１０５の面積をより大きくする必要があるた
め、負電極１０８の面積は小さくならざるを得ず、負電
極１０８の面積の確保が困難であった。そのため、発光
層全体に均一に電流を注入することが困難となり、窒化
物半導体発光チップの高い発光効率を十分に引き出すこ
とができないという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は上記の課題を解決し、発
光層に均一に電流を注入することができ、発光効率を向
上させることの可能な窒化物半導体発光チップを提供す
ることを目的とした。
光層に均一に電流を注入することができ、発光効率を向
上させることの可能な窒化物半導体発光チップを提供す
ることを目的とした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の窒化物半導体発光チップは、基板上にｎ型
窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを積層して形成
される窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導
電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実
装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、上記
窒化物半導体発光チップが、上記ｎ型窒化物半導体層の
外周側壁のヘキ開面から上記基板の裏面に渡って囲むよ
うに連続して形成され、上記ｎ型窒化物半導体層とオー
ミック接触する第１負電極を有し、上記リード電極から
上記ｎ型窒化物半導体層に通電可能なことを特徴とす
る。
め、本発明の窒化物半導体発光チップは、基板上にｎ型
窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを積層して形成
される窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導
電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実
装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、上記
窒化物半導体発光チップが、上記ｎ型窒化物半導体層の
外周側壁のヘキ開面から上記基板の裏面に渡って囲むよ
うに連続して形成され、上記ｎ型窒化物半導体層とオー
ミック接触する第１負電極を有し、上記リード電極から
上記ｎ型窒化物半導体層に通電可能なことを特徴とす
る。
【０００７】本発明の窒化物半導体発光チップは、ｎ型
窒化物半導体層の外周側壁のヘキ開面から基板の裏面に
渡って囲むように連続して形成され、ｎ型窒化物半導体
層とオーミック接触する第１負電極を有しているため、
従来の比べｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
増大させることができる。そのため、発光層に均一に電
流を注入することが可能となり、発光効率が向上する。
窒化物半導体層の外周側壁のヘキ開面から基板の裏面に
渡って囲むように連続して形成され、ｎ型窒化物半導体
層とオーミック接触する第１負電極を有しているため、
従来の比べｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
増大させることができる。そのため、発光層に均一に電
流を注入することが可能となり、発光効率が向上する。
【０００８】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面に形成された第２負電極を有す
ることが好ましい。露出させたｎ型窒化物半導体層の上
面にも負電極を設けることにより、ｎ型窒化物半導体層
と負電極との接触面積をより増大させることができ、発
光効率の一層の向上が可能となる。
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面に形成された第２負電極を有す
ることが好ましい。露出させたｎ型窒化物半導体層の上
面にも負電極を設けることにより、ｎ型窒化物半導体層
と負電極との接触面積をより増大させることができ、発
光効率の一層の向上が可能となる。
【０００９】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面端部及びｎ型窒化物半導体層の
周囲に露出させた所定幅の基板上面に形成された第２負
電極を有することが好ましい。ｎ型窒化物半導体層と負
電極との接触面積をさらに増大させることができ、発光
効率の一層の向上が可能となる。
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面端部及びｎ型窒化物半導体層の
周囲に露出させた所定幅の基板上面に形成された第２負
電極を有することが好ましい。ｎ型窒化物半導体層と負
電極との接触面積をさらに増大させることができ、発光
効率の一層の向上が可能となる。
【００１０】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、第２負電極が第１負電極に接触するように形成され
ていることが好ましい。第２負電極と第１負電極とを分
離する絶縁層が不要となり、ｎ型窒化物半導体層と負電
極との接触面積をさらに増大させることができ、発光効
率の一層の向上が可能となる。
は、第２負電極が第１負電極に接触するように形成され
ていることが好ましい。第２負電極と第１負電極とを分
離する絶縁層が不要となり、ｎ型窒化物半導体層と負電
極との接触面積をさらに増大させることができ、発光効
率の一層の向上が可能となる。
【００１１】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、第２負電極がリード電極に接続されていることが好
ましい。リード電極からｎ型窒化物半導体層へ直接通電
することが可能なため、第２負電極とリード電極間の抵
抗を低減でき、順方向電圧Ｖｆを下げることができる。
は、第２負電極がリード電極に接続されていることが好
ましい。リード電極からｎ型窒化物半導体層へ直接通電
することが可能なため、第２負電極とリード電極間の抵
抗を低減でき、順方向電圧Ｖｆを下げることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態について説明する。 実施の形態１．図１は、実施の形態１に係る窒化物半導
体発光チップ１の構造を示す模式断面図、そして図２は
電極形状を示す模式平面図である。窒化物半導体発光チ
ップ１は、基板１１の表面に順次形成されたｎ型窒化物
半導体層１２とｐ型窒化物半導体層１３と、ｐ型窒化物
半導体層１３の上面に形成された透明な第１正電極１４
と、第１正電極の上面の一部に形成されたボンディング
用の第２正電極１５と、絶縁層１６と、ｎ型窒化物半導
体層１２の外周側壁から上記基板１１の裏面に渡って囲
むように連続して形成された第１負電極１７とを有して
いる。ここで、絶縁層１６は、ボンディング面以外の第
２正電極１５の上面と、第１正電極１４の上面と、露出
したｐ型窒化物半導体層１３の上面と露出したｎ型窒化
物半導体層１２の上面とに渡って連続して形成され、第
１負電極１７と第１正電極１４とを分離している。
係る実施の形態について説明する。 実施の形態１．図１は、実施の形態１に係る窒化物半導
体発光チップ１の構造を示す模式断面図、そして図２は
電極形状を示す模式平面図である。窒化物半導体発光チ
ップ１は、基板１１の表面に順次形成されたｎ型窒化物
半導体層１２とｐ型窒化物半導体層１３と、ｐ型窒化物
半導体層１３の上面に形成された透明な第１正電極１４
と、第１正電極の上面の一部に形成されたボンディング
用の第２正電極１５と、絶縁層１６と、ｎ型窒化物半導
体層１２の外周側壁から上記基板１１の裏面に渡って囲
むように連続して形成された第１負電極１７とを有して
いる。ここで、絶縁層１６は、ボンディング面以外の第
２正電極１５の上面と、第１正電極１４の上面と、露出
したｐ型窒化物半導体層１３の上面と露出したｎ型窒化
物半導体層１２の上面とに渡って連続して形成され、第
１負電極１７と第１正電極１４とを分離している。
【００１３】次に、図３は、リードに実装した窒化物半
導体発光チップ１の構造を示す模式断面図であり、リー
ド電極としてはマウントリードを用いている。窒化物半
導体発光チップ１は、基板１１を下側にし、導電性材料
３３を介して、マウントリード３１の上部の支持部３１
ａに接合されている。そのため、マウントリード３１と
ｎ型窒化物半導体層１２とが、導電性材料３３と第１負
電極１７を介して電気的に接続されているため、マウン
トリード３１から支持部３１ａを介してｎ型窒化物半導
体層１２に通電することが可能となっている。一方、第
２正電極１５は、インナーリード３２とワイヤボンディ
ングにより接続されている。
導体発光チップ１の構造を示す模式断面図であり、リー
ド電極としてはマウントリードを用いている。窒化物半
導体発光チップ１は、基板１１を下側にし、導電性材料
３３を介して、マウントリード３１の上部の支持部３１
ａに接合されている。そのため、マウントリード３１と
ｎ型窒化物半導体層１２とが、導電性材料３３と第１負
電極１７を介して電気的に接続されているため、マウン
トリード３１から支持部３１ａを介してｎ型窒化物半導
体層１２に通電することが可能となっている。一方、第
２正電極１５は、インナーリード３２とワイヤボンディ
ングにより接続されている。
【００１４】本実施の形態１では、第１負電極１７がｎ
型窒化物半導体層１２の外周側壁から上記基板１１の裏
面に渡って囲むように連続して形成されているため、従
来の発光チップに比べｎ型窒化物半導体層と負電極との
接触面積を大きくすることができる。そのため、発光層
により均一に電流を注入することが可能となり、発光効
率が向上する。また、第１負電極１７が第１正電極１５
の周囲に設けられているため、第１正電極１５の周囲か
ら電流を注入でき、このことも発光層への均一な電流の
注入に寄与する。
型窒化物半導体層１２の外周側壁から上記基板１１の裏
面に渡って囲むように連続して形成されているため、従
来の発光チップに比べｎ型窒化物半導体層と負電極との
接触面積を大きくすることができる。そのため、発光層
により均一に電流を注入することが可能となり、発光効
率が向上する。また、第１負電極１７が第１正電極１５
の周囲に設けられているため、第１正電極１５の周囲か
ら電流を注入でき、このことも発光層への均一な電流の
注入に寄与する。
【００１５】また、ｎ型窒化物半導体層との接触面積の
増加に伴い、接触抵抗が低減され、Ｖｆが低下する効果
も得られる。また、従来の発光チップのように露出させ
たｎ型窒化物半導体層の上面にマウントリードとの接続
用のボンディング用電極を設ける必要がないため、発光
チップをより小型化することできる。
増加に伴い、接触抵抗が低減され、Ｖｆが低下する効果
も得られる。また、従来の発光チップのように露出させ
たｎ型窒化物半導体層の上面にマウントリードとの接続
用のボンディング用電極を設ける必要がないため、発光
チップをより小型化することできる。
【００１６】ここで、第１負電極には、ｎ型窒化物半導
体層とオーミック接触可能な電極材料を用いる必要があ
る。例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｗ，Ｖ等の金属
材料の１種以上を用いることができるが、Ｔｉ，Ｗ，Ｖ
をそれぞれベースとするＴｉ／Ａｌ，Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ａ
ｕ，Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ，Ｖ／Ａｌ等の多層構造
とすることが好ましい。ｎ型窒化物半導体層３とオーミ
ック接触可能な電極材料を用いることによりＶｆを低減
することができる。また、電極に金属材料を用いること
により、発光層から基板の裏面方向に進んだ光を第１負
電極で反射させることができる。そのため、基板の裏面
及び側壁からの光の漏れを防止でき、半導体層側からの
光の出力を大きくすることができ、発光効率を向上させ
ることが可能となる。
体層とオーミック接触可能な電極材料を用いる必要があ
る。例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｗ，Ｖ等の金属
材料の１種以上を用いることができるが、Ｔｉ，Ｗ，Ｖ
をそれぞれベースとするＴｉ／Ａｌ，Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ａ
ｕ，Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ，Ｖ／Ａｌ等の多層構造
とすることが好ましい。ｎ型窒化物半導体層３とオーミ
ック接触可能な電極材料を用いることによりＶｆを低減
することができる。また、電極に金属材料を用いること
により、発光層から基板の裏面方向に進んだ光を第１負
電極で反射させることができる。そのため、基板の裏面
及び側壁からの光の漏れを防止でき、半導体層側からの
光の出力を大きくすることができ、発光効率を向上させ
ることが可能となる。
【００１７】また、ｎ型窒化物半導体層の端面はヘキ開
面であることが好ましい。第１負電極層との良好なオー
ミック接触が得られる。
面であることが好ましい。第１負電極層との良好なオー
ミック接触が得られる。
【００１８】また、導電性材料には、導電性ペーストや
金属ろう材等の従来公知の金属含有の接合材料を用いる
ことが好ましい。熱伝導率が高いため、発光チップから
の発熱を効率良くマウントリードに伝えることができ、
発光チップの放熱性を向上させることができる効果が得
られる。
金属ろう材等の従来公知の金属含有の接合材料を用いる
ことが好ましい。熱伝導率が高いため、発光チップから
の発熱を効率良くマウントリードに伝えることができ、
発光チップの放熱性を向上させることができる効果が得
られる。
【００１９】本実施の形態１に係る窒化物半導体発光チ
ップは、例えば、以下に述べる方法で製造することがで
きる。図４,５は、窒化物半導体発光チップ１の製造工
程を示す模式断面図であり、基板上に順次形成されたｎ
型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層を備えた半導体
ウエハーに対する分割溝形成工程（図４（ａ）〜
（ｆ））と、正電極形成工程（図４（ｇ），（ｈ））
と、絶縁層形成工程（図５（ａ））と、半導体ウエハー
の分割工程（図５（ｂ））と、負電極形成工程（図５
（ｃ）,（ｄ））と転写工程（図５（ｅ））とからな
る。
ップは、例えば、以下に述べる方法で製造することがで
きる。図４,５は、窒化物半導体発光チップ１の製造工
程を示す模式断面図であり、基板上に順次形成されたｎ
型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層を備えた半導体
ウエハーに対する分割溝形成工程（図４（ａ）〜
（ｆ））と、正電極形成工程（図４（ｇ），（ｈ））
と、絶縁層形成工程（図５（ａ））と、半導体ウエハー
の分割工程（図５（ｂ））と、負電極形成工程（図５
（ｃ）,（ｄ））と転写工程（図５（ｅ））とからな
る。
【００２０】以下、各工程について説明する。半導体ウ
エハー４０は、例えばサファイヤ等からなる基板１１上
に、例えば、ＳｉがドープされたＧａＮからなるｎ型窒
化物半導体層１２と例えばＭｇがドープされたＧａＮか
らなるｐ型窒化物半導体層１３とが順次形成されている
（図４（ａ））。半導体ウエハー４０に対する分割溝形
成工程では、例えばＳｉＯからなる絶縁層４１を形成し
（図４（ｂ））、所定パターンのレジスト膜４２を絶縁
層４１上に形成し（図４（ｃ））、絶縁層４１を所定パ
ターンにエッチングする（図４（ｄ））。さらにエッチ
ングしてｎ型窒化物半導体層１２に達する分割溝４３と
基板１１の両端部にｎ型窒化物半導体層１２を露出させ
た第１段部４４を形成し（図４（ｅ））、次いで、絶縁
層４１をエッチングにより除去する（図４（ｆ））。
エハー４０は、例えばサファイヤ等からなる基板１１上
に、例えば、ＳｉがドープされたＧａＮからなるｎ型窒
化物半導体層１２と例えばＭｇがドープされたＧａＮか
らなるｐ型窒化物半導体層１３とが順次形成されている
（図４（ａ））。半導体ウエハー４０に対する分割溝形
成工程では、例えばＳｉＯからなる絶縁層４１を形成し
（図４（ｂ））、所定パターンのレジスト膜４２を絶縁
層４１上に形成し（図４（ｃ））、絶縁層４１を所定パ
ターンにエッチングする（図４（ｄ））。さらにエッチ
ングしてｎ型窒化物半導体層１２に達する分割溝４３と
基板１１の両端部にｎ型窒化物半導体層１２を露出させ
た第１段部４４を形成し（図４（ｅ））、次いで、絶縁
層４１をエッチングにより除去する（図４（ｆ））。
【００２１】正電極形成工程では、まず、露出したｐ型
窒化物半導体層１３上に第１正電極１４を例えばスパッ
タリングにより形成する（図４（ｇ））。次いで、第１
正電極１４の上面の一部に第２正電極１５を例えば蒸着
により形成する（図４（ｈ））。ここで、第２正電極の
厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。第２正電極
をチップ表面から突出させることにより、チップ表面を
粘着シートに接着し易くできる。
窒化物半導体層１３上に第１正電極１４を例えばスパッ
タリングにより形成する（図４（ｇ））。次いで、第１
正電極１４の上面の一部に第２正電極１５を例えば蒸着
により形成する（図４（ｈ））。ここで、第２正電極の
厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。第２正電極
をチップ表面から突出させることにより、チップ表面を
粘着シートに接着し易くできる。
【００２２】絶縁層形成工程では、ボンディング面以外
の第２正電極１５の上面と、第１正電極１４の上面と、
露出したｐ型窒化物半導体層１３の上面と、分割溝４３
及び第１段部４４の表面とを連続して覆う電極分離用の
絶縁層１６を形成する（図５（ａ））。
の第２正電極１５の上面と、第１正電極１４の上面と、
露出したｐ型窒化物半導体層１３の上面と、分割溝４３
及び第１段部４４の表面とを連続して覆う電極分離用の
絶縁層１６を形成する（図５（ａ））。
【００２３】分割工程では、半導体ウエハー４０を絶縁
層１６側を下側にし、粘着シート６２に接着させる。次
いで、基板１１の裏面側から分割溝４３の中央を例えば
スクライバー６１によりスクライブラインを形成し（図
５（ｂ））、ローラ等により外力を加えて半導体ウエハ
ー４０を分割する。スクライバーを用いるこの方法によ
れば、ｎ型窒化物半導体層１２の端面がヘキ開面となる
ため、次工程で形成される第１負電極との間に良好なオ
ーミック接触が得られる。
層１６側を下側にし、粘着シート６２に接着させる。次
いで、基板１１の裏面側から分割溝４３の中央を例えば
スクライバー６１によりスクライブラインを形成し（図
５（ｂ））、ローラ等により外力を加えて半導体ウエハ
ー４０を分割する。スクライバーを用いるこの方法によ
れば、ｎ型窒化物半導体層１２の端面がヘキ開面となる
ため、次工程で形成される第１負電極との間に良好なオ
ーミック接触が得られる。
【００２４】負電極形成工程では、粘着シート６２を各
チップが離間する方向に伸張させ（図５（ｃ））、次い
で、第１負電極１７を、例えばスパッタリングにより基
板１１の裏面からｎ型窒化物半導体層１２の外周側壁に
渡って囲むように連続して形成する（図５（ｄ））。次
いで、転写工程により、基板１１の裏面側に別の粘着シ
ート６３を接着させ、発光チップの向きを反転させて、
粘着シートに固定し、発光チップ１を製造する（図５
（ｅ））。
チップが離間する方向に伸張させ（図５（ｃ））、次い
で、第１負電極１７を、例えばスパッタリングにより基
板１１の裏面からｎ型窒化物半導体層１２の外周側壁に
渡って囲むように連続して形成する（図５（ｄ））。次
いで、転写工程により、基板１１の裏面側に別の粘着シ
ート６３を接着させ、発光チップの向きを反転させて、
粘着シートに固定し、発光チップ１を製造する（図５
（ｅ））。
【００２５】実施の形態２．図６は、本実施の形態２に
係る窒化物半導体発光チップ２の構造を示す模式断面図
である。ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所定幅で露出
させたｎ型窒化物半導体層１２の上面端部に第１負電極
１７と接触する第２負電極１８を設けた以外は、実施の
形態１の窒化物半導体発光チップ１の構造と同様であ
る。
係る窒化物半導体発光チップ２の構造を示す模式断面図
である。ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所定幅で露出
させたｎ型窒化物半導体層１２の上面端部に第１負電極
１７と接触する第２負電極１８を設けた以外は、実施の
形態１の窒化物半導体発光チップ１の構造と同様であ
る。
【００２６】図７は、リードに実装した窒化物半導体発
光チップ２の構造を示す模式断面図である。実施の形態
１の場合と同様に、発光チップ２は、基板１１の裏面側
を下側にして導電性材料３３を介して支持部３１ａに接
合され、第２正電極１５は、インナーリード３２にワイ
ヤボンディングにより接続されている。
光チップ２の構造を示す模式断面図である。実施の形態
１の場合と同様に、発光チップ２は、基板１１の裏面側
を下側にして導電性材料３３を介して支持部３１ａに接
合され、第２正電極１５は、インナーリード３２にワイ
ヤボンディングにより接続されている。
【００２７】ここで、第２負電極１８は第１負電極１７
と接触し、さらに、いずれの負電極もｎ型窒化物半導体
層１２と接触している。したがって、第２負電極１８及
び第１負電極１７の少なくとも一方が、ｎ型窒化物半導
体層１２とオーミック接触可能な電極材料であれば良
く、実施の形態１で述べた電極材料を用いることができ
る。
と接触し、さらに、いずれの負電極もｎ型窒化物半導体
層１２と接触している。したがって、第２負電極１８及
び第１負電極１７の少なくとも一方が、ｎ型窒化物半導
体層１２とオーミック接触可能な電極材料であれば良
く、実施の形態１で述べた電極材料を用いることができ
る。
【００２８】図８,９は、本実施の形態２に係る窒化物
半導体発光素子１１の製造工程を示す模式図である。正
電極形成工程（図８（ｇ）,（ｈ））と絶縁層形成工程
（図９（ｂ））との間に、第２負電極形成工程を設けた
（図９（ａ））以外は、実施の形態１における製造工程
と同様である。分割溝の中央部のｎ型窒化物半導体層上
面に第２負電極４５を形成し、露出したｎ型窒化物半導
体層上面端部には所定幅の第２負電極１８を形成する。
分割溝４３の中央付近に設けられた第２負電極４５は、
分割工程において、発光チップの分割時に均等に分割さ
れる。
半導体発光素子１１の製造工程を示す模式図である。正
電極形成工程（図８（ｇ）,（ｈ））と絶縁層形成工程
（図９（ｂ））との間に、第２負電極形成工程を設けた
（図９（ａ））以外は、実施の形態１における製造工程
と同様である。分割溝の中央部のｎ型窒化物半導体層上
面に第２負電極４５を形成し、露出したｎ型窒化物半導
体層上面端部には所定幅の第２負電極１８を形成する。
分割溝４３の中央付近に設けられた第２負電極４５は、
分割工程において、発光チップの分割時に均等に分割さ
れる。
【００２９】本実施の形態２によれば、露出したｎ型窒
化物半導体層の上面に第１負電極と接触するように第２
負電極が設けられているため、第１負電極と第２負電極
とを分離する絶縁層が不要となり、ｎ型窒化物半導体層
と負電極との接触面積をより増加させることができる。
そのため、発光層により均一に電流を注入することが可
能となり、発光効率をより向上させることができる。
化物半導体層の上面に第１負電極と接触するように第２
負電極が設けられているため、第１負電極と第２負電極
とを分離する絶縁層が不要となり、ｎ型窒化物半導体層
と負電極との接触面積をより増加させることができる。
そのため、発光層により均一に電流を注入することが可
能となり、発光効率をより向上させることができる。
【００３０】実施の形態３．図１０は、本実施の形態３
に係る窒化物半導体発光チップ３の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ３は、ｐ型窒化物半
導体層１３の周囲に露出させた所定幅のｎ型窒化物半導
体層１２の上面端部及びｎ型窒化物半導体層１２の周囲
に露出させた所定幅の基板１１の上面に連続して形成さ
れ、第１負電極１７と接触した第２負電極１９を設けた
以外は、実施の形態１と同様の構造を有する。
に係る窒化物半導体発光チップ３の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ３は、ｐ型窒化物半
導体層１３の周囲に露出させた所定幅のｎ型窒化物半導
体層１２の上面端部及びｎ型窒化物半導体層１２の周囲
に露出させた所定幅の基板１１の上面に連続して形成さ
れ、第１負電極１７と接触した第２負電極１９を設けた
以外は、実施の形態１と同様の構造を有する。
【００３１】図１１は、リードに実装した窒化物半導体
発光チップ３の構造を示す模式断面図である。実施の形
態１の場合と同様に、発光チップ３は、基板１１の裏面
側を下側にして導電性材料３３を介して支持部３１ａに
接合され、第２正電極１５は、インナーリード３２にワ
イヤボンディングにより接続されている。
発光チップ３の構造を示す模式断面図である。実施の形
態１の場合と同様に、発光チップ３は、基板１１の裏面
側を下側にして導電性材料３３を介して支持部３１ａに
接合され、第２正電極１５は、インナーリード３２にワ
イヤボンディングにより接続されている。
【００３２】ここで、第２負電極１９は第１負電極１７
と接触しているが、第２負電極１９のみがｎ型窒化物半
導体層１２と接触している。したがって、第２負電極１
９は、実施の形態１で述べたｎ型窒化物半導体層１２と
オーミック接触可能な電極材料で形成されている必要が
ある。
と接触しているが、第２負電極１９のみがｎ型窒化物半
導体層１２と接触している。したがって、第２負電極１
９は、実施の形態１で述べたｎ型窒化物半導体層１２と
オーミック接触可能な電極材料で形成されている必要が
ある。
【００３３】図１２,１３,１４は、本実施の形態３に係
る窒化物半導体発光チップ３の製造工程の一例を示す模
式断面図である。分割溝形成工程において（図１２
（ａ）〜（ｆ））、基板１１に達する分割溝４６と、ｎ
型窒化物半導体層１２の周囲に露出させた所定幅の基板
１１の端部からなる第１段部４７を形成し（図１２
（ｅ））、次いで、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所
定幅のｎ型窒化物半導体層を露出させ、第２段部５０を
形成する工程を設け（図１２（ｇ）,（ｈ）〜図１３
（ａ），（ｂ），（ｃ））、さらに正電極形成工程後、
第２負電極１９,５１を形成する第２負極形成工程を設
けた以外は実施の形態１における製造工程と同様であ
る。ここで、第２負電極５１は分割溝４６の内面からｎ
型窒化物半導体層１２の露出した端部上面に渡って連続
して形成され、第２負電極１９は基板１１の露出した端
部の上面からｎ型窒化物半導体層１２の露出した上面の
端部に渡って連続して形成されている。第２負電極５１
は、分割工程において、発光チップの分割時に均等に分
割される。
る窒化物半導体発光チップ３の製造工程の一例を示す模
式断面図である。分割溝形成工程において（図１２
（ａ）〜（ｆ））、基板１１に達する分割溝４６と、ｎ
型窒化物半導体層１２の周囲に露出させた所定幅の基板
１１の端部からなる第１段部４７を形成し（図１２
（ｅ））、次いで、ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に所
定幅のｎ型窒化物半導体層を露出させ、第２段部５０を
形成する工程を設け（図１２（ｇ）,（ｈ）〜図１３
（ａ），（ｂ），（ｃ））、さらに正電極形成工程後、
第２負電極１９,５１を形成する第２負極形成工程を設
けた以外は実施の形態１における製造工程と同様であ
る。ここで、第２負電極５１は分割溝４６の内面からｎ
型窒化物半導体層１２の露出した端部上面に渡って連続
して形成され、第２負電極１９は基板１１の露出した端
部の上面からｎ型窒化物半導体層１２の露出した上面の
端部に渡って連続して形成されている。第２負電極５１
は、分割工程において、発光チップの分割時に均等に分
割される。
【００３４】本実施の形態３によれば、ｎ型窒化物半導
体層の周囲に所定幅の基板上面を露出させ、露出した基
板上面から露出したｎ型窒化物半導体層上面の端部に渡
って連続して形成され、第１負電極と接触した第２負電
極が設けられているため、ｎ型窒化物半導体層と負電極
との接触面積をさらに増加させることができる。そのた
め、発光層により均一に電流を注入することが可能とな
り、発光効率をさらに向上させることができる。
体層の周囲に所定幅の基板上面を露出させ、露出した基
板上面から露出したｎ型窒化物半導体層上面の端部に渡
って連続して形成され、第１負電極と接触した第２負電
極が設けられているため、ｎ型窒化物半導体層と負電極
との接触面積をさらに増加させることができる。そのた
め、発光層により均一に電流を注入することが可能とな
り、発光効率をさらに向上させることができる。
【００３５】実施の形態４．図１５は実施の形態４に係
る窒化物半導体発光チップ１の構造を示す模式断面図、
そして図１６は電極形状を示す模式平面図である。窒化
物半導体発光チップ４では、露出させたｎ型窒化物半導
体層１２の上面の一部にマウントリードとの接続用のボ
ンディング面を有する第２負電極２０が第２正電極１５
より所定距離離間して形成され、第２負電極２０が第１
負電極層１７と絶縁層１６で分離されている。
る窒化物半導体発光チップ１の構造を示す模式断面図、
そして図１６は電極形状を示す模式平面図である。窒化
物半導体発光チップ４では、露出させたｎ型窒化物半導
体層１２の上面の一部にマウントリードとの接続用のボ
ンディング面を有する第２負電極２０が第２正電極１５
より所定距離離間して形成され、第２負電極２０が第１
負電極層１７と絶縁層１６で分離されている。
【００３６】図１７は、リードに実装した窒化物半導体
発光チップ４の構造を示す模式断面図である。発光チッ
プ４は、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３３
を介して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５は、
インナーリード３２にワイヤボンディングにより接続さ
れている。さらに、第２負電極２０はマウントリード３
１にワイヤボンディングにより接続されており、マウン
トリードからｎ型窒化物半導体層１２へ直接通電するこ
とが可能となっている。
発光チップ４の構造を示す模式断面図である。発光チッ
プ４は、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３３
を介して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５は、
インナーリード３２にワイヤボンディングにより接続さ
れている。さらに、第２負電極２０はマウントリード３
１にワイヤボンディングにより接続されており、マウン
トリードからｎ型窒化物半導体層１２へ直接通電するこ
とが可能となっている。
【００３７】ここで、第１負電極１７と第２負電極２０
は、それぞれｎ型窒化物半導体層１２と接触しているた
め、ｎ型窒化物半導体層とオーミック接触可能な電極材
料で形成する必要があり、実施の形態１で述べた電極材
料を用いることができる。
は、それぞれｎ型窒化物半導体層１２と接触しているた
め、ｎ型窒化物半導体層とオーミック接触可能な電極材
料で形成する必要があり、実施の形態１で述べた電極材
料を用いることができる。
【００３８】本実施の形態４によれば、露出させたｎ型
窒化物半導体層の上面にマウントリードからのボンディ
ング可能に第２負電極層を形成し、マウントリードと接
続し、マウントリードから直接ｎ型窒化物半導体層へ通
電可能としたので、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接
触面積を増加できるとともに、リードと電極間の抵抗を
低減できる。そのため、発光層へ均一に電流を注入で
き、発光効率を向上させることができ、またＶｆの低下
にも寄与する。なお、ｎ型窒化物半導体層と負電極との
接触面積の増加に伴い、接触抵抗が低減されＶｆを低下
させることができ、また、第１負電極の存在により基板
の裏面及び側壁からの光の漏れを防止できるため、半導
体層側からの光の出力を大きくすることができ、さら
に、導電性材料の存在により発光チップの放熱性を向上
できる効果を有することは言うまでもない。
窒化物半導体層の上面にマウントリードからのボンディ
ング可能に第２負電極層を形成し、マウントリードと接
続し、マウントリードから直接ｎ型窒化物半導体層へ通
電可能としたので、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接
触面積を増加できるとともに、リードと電極間の抵抗を
低減できる。そのため、発光層へ均一に電流を注入で
き、発光効率を向上させることができ、またＶｆの低下
にも寄与する。なお、ｎ型窒化物半導体層と負電極との
接触面積の増加に伴い、接触抵抗が低減されＶｆを低下
させることができ、また、第１負電極の存在により基板
の裏面及び側壁からの光の漏れを防止できるため、半導
体層側からの光の出力を大きくすることができ、さら
に、導電性材料の存在により発光チップの放熱性を向上
できる効果を有することは言うまでもない。
【００３９】実施の形態５．図１８は、本実施の形態５
に係る窒化物半導体発光チップ５の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ５は、第２負電極２
０を第１負電極１７と接触するように形成し、さらにｐ
型窒化物半導体層１３の周囲に露出した所定幅のｎ型窒
化物半導体層１２の端部上面に第２負電極２０及び第１
負電極１７と接触する第２負電極２１を形成した以外
は、実施の形態４の発光チップと同様の構造を有する。
また、図１９に示すように、実施の形態４の場合と同様
に、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３３を介
して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５は、イン
ナーリード３２にワイヤボンディングにより接続されて
いる。
に係る窒化物半導体発光チップ５の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ５は、第２負電極２
０を第１負電極１７と接触するように形成し、さらにｐ
型窒化物半導体層１３の周囲に露出した所定幅のｎ型窒
化物半導体層１２の端部上面に第２負電極２０及び第１
負電極１７と接触する第２負電極２１を形成した以外
は、実施の形態４の発光チップと同様の構造を有する。
また、図１９に示すように、実施の形態４の場合と同様
に、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３３を介
して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５は、イン
ナーリード３２にワイヤボンディングにより接続されて
いる。
【００４０】ここで、第１負電極１７と第２負電極２
０,２１は、それぞれｎ型窒化物半導体層１２と接触し
ているため、ｎ型窒化物半導体層とオーミック接触可能
な電極材料で形成する必要があり、実施の形態１で述べ
た電極材料を用いることができる。
０,２１は、それぞれｎ型窒化物半導体層１２と接触し
ているため、ｎ型窒化物半導体層とオーミック接触可能
な電極材料で形成する必要があり、実施の形態１で述べ
た電極材料を用いることができる。
【００４１】本実施の形態５によれば、第２負電極を第
１負電極に接触させ、さらにｎ型窒化物半導体層の端部
上面を連続して覆うように第２負電極を設けたので、ｎ
型窒化物半導体層と負電極との接触面積をより増加させ
ることができる。そのため、発光層へより均一に電流を
注入でき、発光効率をより向上させることができる。
１負電極に接触させ、さらにｎ型窒化物半導体層の端部
上面を連続して覆うように第２負電極を設けたので、ｎ
型窒化物半導体層と負電極との接触面積をより増加させ
ることができる。そのため、発光層へより均一に電流を
注入でき、発光効率をより向上させることができる。
【００４２】実施の形態６．図２０は、本実施の形態６
に係る窒化物半導体発光チップ６の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ６は、第２負電極を
ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層１２の上面端部とｎ型窒化物半導体層
１２の周囲に露出させた所定幅の基板１１の上面とに連
続して形成し、第１負電極１７と接触させた以外は、実
施の形態４の窒化物半導体発光チップ４と同様の構造で
ある。また、図２１に示すように、実施の形態４の場合
と同様に、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３
３を介して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５
は、インナーリード３２にワイヤボンディングにより接
続されている。
に係る窒化物半導体発光チップ６の構造を示す模式断面
図である。窒化物半導体発光チップ６は、第２負電極を
ｐ型窒化物半導体層１３の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層１２の上面端部とｎ型窒化物半導体層
１２の周囲に露出させた所定幅の基板１１の上面とに連
続して形成し、第１負電極１７と接触させた以外は、実
施の形態４の窒化物半導体発光チップ４と同様の構造で
ある。また、図２１に示すように、実施の形態４の場合
と同様に、基板１１の裏面側を下側にして導電性材料３
３を介して支持部３１ａに接合され、第２正電極１５
は、インナーリード３２にワイヤボンディングにより接
続されている。
【００４３】ここで、第２負電極２２は、ｎ型窒化物半
導体層１２と接触しているため、ｎ型窒化物半導体層と
オーミック接触可能な電極材料で形成する必要があり、
実施の形態１で述べた電極材料を用いることができる。
導体層１２と接触しているため、ｎ型窒化物半導体層と
オーミック接触可能な電極材料で形成する必要があり、
実施の形態１で述べた電極材料を用いることができる。
【００４４】本実施の形態６によれば、第２負電極が、
ｎ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅の基板の
上面にまで連続して形成されているので、ｎ型窒化物半
導体層と負電極との接触面積をさらに増加させることが
できる。そのため、発光層へより均一に電流を注入で
き、発光効率をさらに向上させることができる。
ｎ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅の基板の
上面にまで連続して形成されているので、ｎ型窒化物半
導体層と負電極との接触面積をさらに増加させることが
できる。そのため、発光層へより均一に電流を注入で
き、発光効率をさらに向上させることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の窒化物半導
体発光チップは、ｎ型窒化物半導体層の外周側壁から基
板の裏面に渡って囲むように第１負電極が連続して形成
され、リード電極からｎ型窒化物半導体層に通電可能で
あるため、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
増加させることができる。そのため発光層に均一に電流
を注入することが可能となり、発光効率を向上できる。
体発光チップは、ｎ型窒化物半導体層の外周側壁から基
板の裏面に渡って囲むように第１負電極が連続して形成
され、リード電極からｎ型窒化物半導体層に通電可能で
あるため、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
増加させることができる。そのため発光層に均一に電流
を注入することが可能となり、発光効率を向上できる。
【００４６】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面に第２負電極を形成したので、
さらにｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を増加
させることができ、発光効率をさらに向上できる。
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面に第２負電極を形成したので、
さらにｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を増加
させることができ、発光効率をさらに向上できる。
【００４７】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面端部からｎ型窒化物半導体層の
周囲に露出させた所定幅の基板上面に渡って連続して第
２負電極を形成したので、さらにｎ型窒化物半導体層と
負電極との接触面積を増加させることができ、発光効率
をさらに向上できる。
は、ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定幅のｎ
型窒化物半導体層の上面端部からｎ型窒化物半導体層の
周囲に露出させた所定幅の基板上面に渡って連続して第
２負電極を形成したので、さらにｎ型窒化物半導体層と
負電極との接触面積を増加させることができ、発光効率
をさらに向上できる。
【００４８】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、第２負電極を第１負電極に接触するように形成した
ので、第２負電極と第１負電極とを分離する絶縁層が不
要となり、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
さらに増大させることができ、発光効率を一層向上させ
ることができる。
は、第２負電極を第１負電極に接触するように形成した
ので、第２負電極と第１負電極とを分離する絶縁層が不
要となり、ｎ型窒化物半導体層と負電極との接触面積を
さらに増大させることができ、発光効率を一層向上させ
ることができる。
【００４９】また、本発明の窒化物半導体発光チップ
は、第２負電極をリード電極に接続するようにしたの
で、リード電極からｎ型窒化物半導体層へ直接通電する
ことが可能となり、第２負電極とリード電極間の抵抗を
低減でき、順方向電圧Ｖｆを下げることができる。
は、第２負電極をリード電極に接続するようにしたの
で、リード電極からｎ型窒化物半導体層へ直接通電する
ことが可能となり、第２負電極とリード電極間の抵抗を
低減でき、順方向電圧Ｖｆを下げることができる。
【図１】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体チ
ップの構造を示す模式断面図である。
ップの構造を示す模式断面図である。
【図２】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体チ
ップの電極形状を示す模式平面図である。
ップの電極形状を示す模式平面図である。
【図３】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体チ
ップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図で
ある。
ップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図で
ある。
【図４】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体チ
ップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
ップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
【図５】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体チ
ップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
ップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
【図６】 本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体チ
ップの構造を示す模式断面図である。
ップの構造を示す模式断面図である。
【図７】 本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体チ
ップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図で
ある。
ップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図で
ある。
【図８】 本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体チ
ップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
ップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
【図９】 本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体チ
ップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
ップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
【図１０】 本発明に係る実施の形態３の窒化物半導体
チップの構造を示す模式断面図である。
チップの構造を示す模式断面図である。
【図１１】 本発明に係る実施の形態３の窒化物半導体
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
【図１２】 本発明に係る実施の形態３の窒化物半導体
チップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
チップの製造工程を示す模式断面図（その１）である。
【図１３】 本発明に係る実施の形態３の窒化物半導体
チップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
チップの製造工程を示す模式断面図（その２）である。
【図１４】 本発明に係る実施の形態３の窒化物半導体
チップの製造工程を示す模式断面図（その３）である。
チップの製造工程を示す模式断面図（その３）である。
【図１５】 本発明に係る実施の形態４の窒化物半導体
チップの構造を示す模式断面図である。
チップの構造を示す模式断面図である。
【図１６】 本発明に係る実施の形態４の窒化物半導体
チップの電極形状を示す模式平面図である。
チップの電極形状を示す模式平面図である。
【図１７】 本発明に係る実施の形態４の窒化物半導体
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
【図１８】 本発明に係る実施の形態５の窒化物半導体
チップの構造を示す模式断面図である。
チップの構造を示す模式断面図である。
【図１９】 本発明に係る実施の形態５の窒化物半導体
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
【図２０】 本発明に係る実施の形態６の窒化物半導体
チップの構造を示す模式断面図である。
チップの構造を示す模式断面図である。
【図２１】 本発明に係る実施の形態６の窒化物半導体
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
チップをリードに実装した状態の構造を示す模式断面図
である。
【図２２】 従来の窒化物半導体チップの構造を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図２３】 従来の窒化物半導体チップをリードに実装
した状態の構造を示す模式断面図である。
した状態の構造を示す模式断面図である。
１,２,３,４,５,６ 窒化物半導体発光チップ、１１
基板、１２ ｎ型窒化物半導体層、１３ ｐ型窒化物半
導体層、１４ 第１正電極、１５ 第２正電極、１６,
４１,４８ 絶縁層、１７ 第１負電極、１８,１９,２
０,２１,２２,４５,５１ 第２負電極、３１ マウント
リード、３１ａ マウントリード上の支持部、３２ イ
ンナーリード、４２,４９ レジスト膜、４３,４６ 分
離溝、４４,４７ 第１段部、５０ 第２段部、６１
スクライバー、６２,６３ 粘着シート。
基板、１２ ｎ型窒化物半導体層、１３ ｐ型窒化物半
導体層、１４ 第１正電極、１５ 第２正電極、１６,
４１,４８ 絶縁層、１７ 第１負電極、１８,１９,２
０,２１,２２,４５,５１ 第２負電極、３１ マウント
リード、３１ａ マウントリード上の支持部、３２ イ
ンナーリード、４２,４９ レジスト膜、４３,４６ 分
離溝、４４,４７ 第１段部、５０ 第２段部、６１
スクライバー、６２,６３ 粘着シート。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化
物半導体層とを積層して形成される窒化物半導体発光チ
ップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電
極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導
体発光チップの製造方法であって、 上記基板上に上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｐ型窒化物
半導体層とを積層してなる半導体ウエハーをｐ型窒化物
半導体層が対向するように第１の支持シートに接合し、
該接合した半導体ウエハーを基板の裏面側からチップ状
に分割してｎ型窒化物半導体層の外周側壁にヘキ開面を
形成し、該外周側壁のヘキ開面から上記基板の裏面に渡
って囲むように上記ｎ型窒化物半導体層とオーミック接
触する第１負電極を連続して形成し、基板の裏面側に第
２の支持シートを接合した後、第１の支持シートを除去
する窒化物半導体発光チップの製造方法。 - 【請求項２】 上記第１の支持シートを接合するに先立
って、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定
幅の上記ｎ型窒化物半導体層の上面に第２負電極を形成
する請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化
物半導体層とを積層して形成される窒化物半導体発光チ
ップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電
極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導
体発光チップの製造方法であって、 上記基板上に上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｐ型窒化物
半導体層とを積層してなる半導体ウエハーをｐ型窒化物
半導体層が対向するように第１の支持シートに接合し、
該接合した半導体ウエハーを基板の裏面側からチップ状
に分割し、第１の支持シートを各チップが離間する方向
に伸張させ、ｎ型窒化物半導体層の外周側壁から上記基
板の裏面に渡って囲むように第１負電極を連続して形成
し、基板の裏面側に第２の支持シートを接合した後、第
１の支持シートを除去する窒化物半導体発光チップの製
造方法。 - 【請求項４】 上記第１の支持シートを接合するに先立
って、上記ｐ型窒化物半導体層の周囲に露出させた所定
幅の上記ｎ型窒化物半導体層の上面に第２負電極を形成
する請求項３記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26193899A JP3460638B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 窒化物半導体発光チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26193899A JP3460638B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 窒化物半導体発光チップの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003156350A Division JP2004031945A (ja) | 2003-06-02 | 2003-06-02 | 窒化物半導体発光チップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085750A JP2001085750A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3460638B2 true JP3460638B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=17368777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26193899A Expired - Fee Related JP3460638B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 窒化物半導体発光チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3460638B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW493284B (en) * | 2000-09-06 | 2002-07-01 | Highlink Technology Corp | LED device and the manufacturing method thereof |
| JP2003023180A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4023121B2 (ja) | 2001-09-06 | 2007-12-19 | 豊田合成株式会社 | ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| JP4766845B2 (ja) | 2003-07-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100996447B1 (ko) | 2007-10-02 | 2010-11-25 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| CN101222015B (zh) * | 2008-01-19 | 2010-05-12 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法 |
| JP5848600B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-01-27 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| CN103390709B (zh) * | 2013-07-25 | 2015-09-16 | 圆融光电科技有限公司 | 一种具有双重作用电极的发光二极管及其制作方法 |
| TWI661584B (zh) * | 2018-05-18 | 2019-06-01 | 光磊科技股份有限公司 | 發光晶粒、封裝結構及其相關製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06152072A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JP3199594B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2001-08-20 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法 |
| JP3333356B2 (ja) * | 1995-07-12 | 2002-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| AU6946196A (en) * | 1995-09-18 | 1997-04-09 | Hitachi Limited | Semiconductor material, method of producing the semiconductor material, and semiconductor device |
| JP3087831B2 (ja) * | 1996-11-27 | 2000-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JPH10303460A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26193899A patent/JP3460638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001085750A (ja) | 2001-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6949773B2 (en) | GaN LED for flip-chip bonding and method of fabricating the same | |
| KR101017395B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
| KR101313973B1 (ko) | 기판으로부터 전기적으로 절연된 ｐ 콘택트 및 ｎ 콘택트를 갖는 박막 ｌｅｄ | |
| TWI422065B (zh) | 發光二極體晶片、包含其之封裝結構以及其製造方法 | |
| JP3693468B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| TWI495150B (zh) | 半導體發光裝置及其製造方法 | |
| JP3627822B2 (ja) | 半導体発光素子、およびその製造方法 | |
| TWI300277B (en) | Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices | |
| JP2697572B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| KR101093117B1 (ko) | 교류용 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JP3068914U (ja) | フリップ―チップ発光デバイス | |
| KR20100035846A (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR20100108906A (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JP3460638B2 (ja) | 窒化物半導体発光チップの製造方法 | |
| JPH06177429A (ja) | 青色ｌｅｄ素子 | |
| JP4393306B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置 | |
| JP2004207325A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20100075420A (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JP3303154B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3916726B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| GB2426123A (en) | Substrate-free flip chip light emitting diode | |
| JP2004311677A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004356213A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4236738B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2004031945A (ja) | 窒化物半導体発光チップ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070815 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |