TWI661584B - 發光晶粒、封裝結構及其相關製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光晶粒、封裝結構、及其相關製造方法。該發光晶粒，包括：一基板、一第一型層、一發光層、一第二型層、一第一型電極與一第二型電極。該第一型層包括一第一部分與一第二部分。該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方。發光層位於第一部分的該第一型層上方。第二型層位於該發光層上方。第一型電極，接觸於第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊。第二型電極，接觸於該第二型層。

Description

發光晶粒、封裝結構及其相關製造方法
本案係為一種發光元件(lighting emitting device)及其製造方法，尤指具有側邊電極之發光晶粒、封裝結構及其相關製造方法。
眾所周知氮化物系列的發光元件(nitride-based lighting device)係使用藍寶石(sapphire)或碳化矽(SiC)做為基板(substrate)，可發出藍光或者綠光。碳化矽基板可以導電但是單價高，藍寶石基板價格低，所以現今大部分的氮化物系列的發光二極體皆是製作在藍寶石基板上，但是藍寶石基板無法導電，因此現有工藝是將部分磊晶層蝕刻裸露N型半導體層，然後將PN電極形成在磊晶面同側，形成導通。
請參照第1A圖與第1B圖，其所繪示為習知製作於碳化矽基板上的發光晶粒以及封裝結構示意圖。發光晶粒100由下而上依序包括：第一電極154、碳化矽基板110、N型層120、發光層(active layer)130、P型層140、第二電極152。由於碳化矽基板110可以導電，因此第一電極154可以直接形成於碳化矽基 板110的底表面。
基本上，氮化物系列的發光晶粒的結構除了第1A圖所示之外也可以有些微的變化。舉例來說，於碳化矽基板110與N型層之間可以增加緩衝層(buffer layer)。而第二電極152可由一透明電極與一金屬電極所堆疊而成。其中，透明電極可為銦錫氧化膜(ITO)。發光層130可為雙異質結構(Double heterostructure)的作用層或者是量子井(Quantum Well)結構。再者，氮化物系列的發光晶粒100各層與電極的材料已經為大眾所熟知，因此不再贅述。
如第1B圖所示，其為發光晶粒黏著於導線架(lead frame)的封裝結構示意圖。導線架包括第一導電元件184、第二導電元件182。第一導電元件184上有一平台可承載發光晶粒100，而利用導電膠188將第一電極154黏附(adhere)於第一導電元件184。舉例來說，導電膠188可為銀膠(silver paste)或者鋁膠(aluminum paste)等等。
再者，利用連線製程(wire bonding process)將一導線(wire)186連接於第二電極152以及第二導電元件182上。之後，利用不導電材料190包覆發光晶粒100僅露出第一導電元件184以及第二導電材質182而完成封裝結構。舉例來說，不導電材料190可為的樹脂或者矽膠等等。
由第1B圖可知，由於發光晶粒100的碳化矽基板110可以導電，因此利用導電膠188將發光晶粒100的第一電極 154黏附於第一導電元件184上即可完成第一電極154與第一導電元件184之間的電性連接。而第二電極152與第二導電元件182之間則利用導線186達成電性連接。
當然，除了第1B圖的封裝結構外，發光晶粒100也可以利用其他的封裝製程來形成其他的封裝結構。舉例來說，表面黏貼元件(SMD)封裝結構或者高功率封裝(power package)的封裝結構等等。
請參照第2A圖、第2B圖與第2C圖，其所繪示為習知製作於藍寶石基板上的發光晶粒以及封裝結構示意圖。由如第2A圖所示，發光晶粒200包括：藍寶石基板210、N型層220、發光層230、P型層240、N型電極254、P型電極252。
由於藍寶石基板210無法導電，因此需要進行高台蝕刻製程(mesa etching process)以形成一高台結構235，使得N型層220可以暴露出來。如第2A圖所示，高台結構235包括P型層240、發光層230與第一部分的N型層220a。再者，由於第二部分的N型層220b未被蝕刻，因此第二部分的N型層220b未被蝕刻的表面會暴露出來。
換言之，經過高台蝕刻製程之後，N型層220被區分為二個部分。第一部分的N型層220a屬於高台結構235，第二部分的N型層220b則不屬於高台結構235。其中，第二部分的N型層220b其截面積大於第一部分的N型層220a的截面積，因此未被高台結構235覆蓋的第二部分的N型層220b表面會暴露出 來。
當高台蝕刻製程之後，可形成N型電極254接觸於暴露的N型層220表面以及P型電極252接觸於P型層240。再者，P型電極252可以由堆疊的一透明電極與一金屬電極所組成，且透明電極可以為銦錫氧化膜(ITO)。
由以上的說明可知，經過高台蝕刻製程後，發光層230的截面積會小於藍寶石基板210的截面積，而發光層230的截面積大小將影響發光元件的亮度。再者，為了不影響後續連線製程，以圓形的P型電極252以及N型電極254為例，其直徑約在60~100μm之間。明顯地，當發光晶粒200的截面積縮小時，發光晶粒200的出光面積會變小，使得發光晶粒200的亮度急遽下降。
如第2B所示，其為發光晶粒上視圖。而沿著a1與a2的方向的剖面圖即為第2A圖所示的發光晶粒200。
當發光晶粒通過電流而發亮時，電流係由P型電極252流向N型電極254。由於發光晶粒200之N型電極254、P型電極252之結構排列不對稱，因此會造成電流密度不均勻的問題而使得該晶粒200無法產生最佳的發光效率。
如第2C圖所示，其為發光晶粒黏著於導線架的封裝結構示意圖。導線架包括第一導電元件284、第二導電元件282。第一導電元件284上有一平台可承載發光晶粒200，而利用一固定膠288(例如矽膠)將發光晶粒200的藍寶石基板210黏附於 第一導電元件284的平台。再者，利用連線製程將第一導線285連接於N型電極254與第一導電元件284之間；將第二導線286連接P型電極252以及第二導電元件282之間。之後，利用不導電材料290(例如樹脂或者矽膠)包覆發光晶粒200僅露出第一導電元件284以及第二導電材質282而完成封裝結構。
相同地，除了第2C圖的封裝結構外，發光晶粒200也可以利用其他的封裝製程來形成其他的封裝結構。舉例來說，表面黏貼元件(SMD)封裝結構或者高功率封裝(power package)的封裝結構等等。
由第2C圖可知，由於發光晶粒200的藍寶石基板210無法導電，因此利用固定膠288將發光晶粒200的藍寶石基板210黏附於第一導電元件284並無法完成任何電性連接。因此，需利用二次的連線製程並利用第一導線285來達成N型電極254與第一導電元件284之間的電性連接；以及利用第二導線286達成P型電極252以及第二導電元件282之間的電性連接。
本發明係有關於一種發光晶粒，包括：一基板；一第一型層，包括一第一部分與一第二部分，該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方；一發光層，位於第一部分的該第一型層上方；一第二型層，位於該發光層上方；一第一型電極，接觸於 第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊；以及一第二型電極，形成於該第二型層的上方；其中，該第二型層、該發光層、與該第一部分的該第一型層形成一高台結構。
本發明更提出一種發光晶粒的封裝結構，包括：一第一發光晶粒，包括：一基板；一第一型層，包括一第一部分與一第二部分，該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方；一發光層，位於第一部分的該第一型層上方；一第二型層，位於該發光層上方；一第一型電極，接觸於第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊；以及一第二型電極，形成於該第二型層的上方；其中，該第二型層、該發光層、與該第一部分的該第一型層形成一高台結構；一第一導電元件，具有一平台，其中，該基板的一下表面係利用一導電膠附著於該平台上，且該導電膠接觸於該第一型電極，使得該第一導電元件與該第一型電極達成電性連接；一第二導電元件，其中，該第二導電元件與該第二型電極係利用一第一導線達成電性連接；以及一不導電材料包覆該第一發光晶粒。
本發明更提出一種發光晶粒的製造方法，包括下列步驟：提供一晶圓，該晶圓包括：一基板，一第一型層，位於該基板上方，一發光層位於該第一型層上方，以及一第二型層位於該發光層上方；在該晶圓上定義一高台區域，並進行一高台蝕刻 製程以移除該高台區域外的該第二型層、該發光層與部分的該第一型層，並暴露出該第一型層，並形成一高台結構；於該高台結構上方形成一第二型電極；利用一蝕刻製程於該些高台結構旁的區域形成至少一溝渠結構；形成一第一型電極覆蓋於該至少一溝渠結構的側邊。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200、400、601、602、603‧‧‧發光晶粒
110‧‧‧碳化矽基板
120、220、420‧‧‧N型層
130、230、430‧‧‧發光層
140、240、440‧‧‧P型層
152、154‧‧‧電極
182、184、282、284、482、484‧‧‧導電元件
186、285、286、486、604、605、606‧‧‧導線
188、488‧‧‧導電膠
190、290‧‧‧不導電材料
210、410‧‧‧藍寶石基板
235‧‧‧高台結構
252、452‧‧‧P型電極
254、454‧‧‧N型電極
288‧‧‧固定膠
435‧‧‧高台結構
490‧‧‧不導電材料
610、620、630‧‧‧導電元件
第1A圖與第1B圖所繪示為習知製作於碳化矽基板上的發光晶粒以及封裝結構示意圖。
第2A圖、第2B圖與第2C圖所繪示為習知製作於藍寶石基板上的發光晶粒以及封裝結構示意圖。
第3A圖至第3D圖所繪示為本發明發光晶粒以及封裝結構示意圖。
第4A圖至第4F圖所繪示為本發明發光晶粒的製造流程示意圖。
第5A圖與第5B圖所繪示為各種溝渠結構示意圖。
第6圖為多顆發光晶粒的表面黏貼元件(SMD)封裝結構示意圖。
請參照第3A圖至第3D圖，其所繪示為本發明發光 晶粒以及封裝結構示意圖。根據本發明的實施例，N型電極454係位於發光晶粒400的側邊並接觸於N型層420以及藍寶石基板410。以下詳將細說明發光晶粒400、及其封裝結構以及製造方法。
如第3A圖所示，發光晶粒400包括：藍寶石基板410、N型層420、N型電極454、發光層430、P型層440、P型電極452。其中，進行高台蝕刻製程後即形成高台結構435。
如第3A圖所示，高台結構435包括P型層440、發光層430與第一部分的N型層420a。再者，由於第二部分的N型層420b未被蝕刻，因此第二部分的N型層420b未被蝕刻的表面會暴露出來。
換言之，經過高台蝕刻製程之後，N型層420被區分為二個部分。第一部分的N型層420a屬於高台結構435，而第二部分的N型層420b不屬於高台結構435。其中，第二部分的N型層420b的截面積大於高台結構435的截面積，因此未被高台結構435覆蓋的第二部分的N型層420b表面會暴露出來。
當高台蝕刻製程之後，形成P型電極452接觸於P型層440，並形成N型電極454位於發光晶粒400的側邊並接觸於N型層420以及藍寶石基板410。
根據本發明的實施例，N型電極454接觸於第二部分的N型層420b的側邊與上表面。再者，P型電極452可以由堆疊的一透明電極與一金屬電極所組成，且透明電極可以為銦錫氧化膜(ITO)。
基本上，氮化物系列的發光晶粒的各層結構除了第3A圖所示之外也可以有些微的變化。例如，於藍寶石基板410與N型層420之間可以增加緩衝層。再者，發光層430可發出藍光或者綠光，其可為雙異質結構的發光層或者是量子井結構的發光層。再者，氮化物系列的發光晶粒400各層與電極的材料已經為大眾所熟知，因此不再贅述。
根據本發明的實施例，N型電極454係形成於第二部分的N型層420b之側邊與上表面。再者，由於N型電極454於後續的封裝過程中並不需要進行連線製程，因此可以降低N型電極454的尺寸。換句話說，於進行高台蝕刻製程時，不需要考慮N型層420暴露出的表面需要配置直徑約在60~100μm之間的區域以製作N型電極。因此，相較於習知第2A圖的發光晶粒200，本發明發光晶粒400的發光層430具有更大的面積並且可以有效地提高亮度。
根據本發明的實施例，N型電極454可以配置於發光晶粒400側邊的任何位置。如第3B圖的發光晶粒上視圖所示，N型電極454係配置於方形發光晶粒400的四個側邊上。而沿著c1與c2方向的剖面圖即成為第3A圖所示的發光晶粒400。
再者，如第3C圖的發光晶粒上視圖所示，N型電極454係配置於方形發光晶粒400的四個角落上。而沿著c3與c4方向的剖面圖即成為第3A圖所示的發光晶粒400。
再者，本發明實施例中係以四個N型電極454為例 來作說明，但並不限定於N型電極454的數目，在至少有一個N型電極454的情況下即可以讓發光晶粒400發光。另外，在第3A圖的發光晶粒400中，N型電極454係接觸於第二部分的N型層420b之側邊與上表面以及藍寶石基板410的側邊。當然，在此領域的技術人員也可以適度修改N型電極的結構，並設計N型電極454接觸於第二部分的N型層420b之側邊以及藍寶石基板410的側邊即可。
如第3D圖所示，其為本發明發光晶粒黏著於導線架的封裝結構示意圖。導線架包括第一導電元件484、第二導電元件482。第一導電元件484上有一平台可承載發光晶粒400，而利用導電膠488(例如銀膠或者鋁膠)將發光晶粒400的藍寶石基板410黏附於第一導電元件484。再者，由於N型電極454位於發光晶粒400的側邊並延伸至藍寶石基板410的側邊，因此導電膠488也可以達成N型電極454與第一導電元件484之間的電性連接。再者，利用連線製程將一導線486連接於P型電極452以及第二導電元件482上。之後，利用不導電材料490(例如樹脂或者矽膠)包覆發光晶粒400僅露出第一導電元件484以及第二導電材質482而完成封裝結構。
雖然藍寶石基板410無法導電，由於N電極454可與導電膠488接觸而電性連接至第一導電元件484。因此，本發明發光晶粒400的封裝結構僅利用一次的連線製程將P型電極452電性連接至第二導電元件482即可。
相同地，除了第3D圖的封裝結構外，發光晶粒400也可以利用其他的封裝製程來形成其他的封裝結構。舉例來說，表面黏貼元件(SMD)封裝結構或者高功率封裝(power package)的封裝結構等等。
請參照第4A圖至第4F圖，其所繪示為本發明發光晶粒的製造流程示意圖。如第4A所示，提供一磊晶完成的晶圓(wafer)，該晶圓包括：一不導電的藍寶石基板410、一N型層420位於藍寶石基板上方、一發光層430位於N型層420上方、一P型層440位於發光層430上方。
如第4B圖所示，進行高台蝕刻製程。亦即，在晶圓上定義多個高台區域(masa area)，並將高台區域以外的P型層440、發光層430與部分的N型層420移除後，暴露出部分的N型層420並形成多個高台結構435。換言之，當高台蝕刻製程完成後，即暴露出第二部分N形層420的表面。
如第4C圖所示，在高台結構435的P型層440上形成P型電極452。其中，P型電極452可以由堆疊的一透明電極與一金屬電極所組成，且透明電極可以為銦錫氧化膜(ITO)。再者，本發明並未限定P電極452形成的時機，在此領域的技術人員也可以在高台蝕刻製程之後，先形成N型電極454，再形成P型電極452。
再者，如第4D圖所示，本發明更利用蝕刻製程於該些高台結構435旁的區域形成多個不連續的溝渠結構(trench structure)460。其中，該蝕刻製程可為雷射蝕刻製程，乾式蝕刻製程或者濕式蝕刻製程。舉例來說，利用雷射蝕刻製程時，控制雷射光束的能量使得雷射光束無法完全切割藍寶石基板410，並形成溝渠結構460。
如第4E圖所示，其為第4D圖的d1與d2方向的剖面圖。於蝕刻製程後，即可在高台結構435之間形成多個不連續的溝渠結構460，且溝渠結構460內的側邊暴露出第二部分的N型層420b與藍寶石基板410。
如第4F圖所示，形成N型電極454覆蓋於溝渠結構460的側邊以及溝渠結構460外第二部份的N型層420b表面。 亦即，N型電極454接觸於藍寶石基板410的側邊以及第二部分的N型層420b之側邊與上表面。當然，如果側邊的N型電極454厚度不夠時，更可以選擇性地利用電鍍製程來增加N型電極454的厚度。
最後，研磨(polish)藍寶石基板410的底部，使得藍寶石基板410變薄後，再利用雷射背切後，施以應力而互相分離而形成多個發光晶粒。或者，利用雷射背切後，直接施以應力，使得藍寶石基板410互相分離而形成多個發光晶粒。其中，該些發光晶粒的N型電極454位於發光晶粒的側邊。
當然，為了提高發光晶粒的亮度。更可以在分離發光晶粒之前，先於藍寶石基板410背面形成一反射層後，再利用雷射背切後，施以應力而互相分離以形成多個發光晶粒。因此， 每個發光晶粒的藍寶石基板410的下方皆具有反射層，用以反射發光層發出的光以提升發光晶粒的亮度。另外，反射層可以是分散式布拉格反射層(distributed Bragg reflecting layer，簡稱DBR反射層)或者是全方位反射層(omni-directional reflecting layer，簡稱ODR反射層)。
當然，在形成溝渠結構的過程中，也可在高台結構435的角落處形成如第5A圖的多個交叉形溝渠結構460，而d3與d4方向的剖面圖亦相同於第4E圖所示之剖面圖。接著於溝渠結構460中形成N型電極454覆蓋於溝渠結構460的側邊以及溝渠結構460外第二部份的N型層420b之上表面。之後，分離藍寶石基板410而形成多個發光晶粒，其N型電極454位於發光晶粒的角落。
相同地，也可在高台結構435的四邊形成如第5B圖的多個交叉形溝渠結構460，而d5與d6方向的剖面圖亦相同於第4E圖所示之剖面圖。接著於溝渠結構460中形成N型電極454覆蓋於溝渠結構460的側邊以及溝渠結構460外第二部份的N型層420b之上表面。之後，分離藍寶石基板410而形成多個發光晶粒，其N型電極454位於發光晶粒的周圍。當然，在此領域的技術人員於製作N型電極454時，也可以不需要將溝渠結構460完全覆蓋，也可以僅覆部分的蓋溝渠結構460，並確認N型電極454接觸到第二部分N型層420b即可。
本發明的優點係提出一種具側邊電極的發光晶粒、 封裝結構及其相關製造方法。當電流由P型電極452輸入後，會均勻的擴散(spread)至發光晶粒N型層420，並流至的四邊或者四個角落的N型電極454，使得電流可以有效的分散，使得發光層430具有較佳的發光效率。再者，由於N型電極454僅部份覆蓋該發光晶粒的側邊，因此發光晶粒依舊可以由發光晶粒的側邊發射出光線，增加其出光效率。當發光晶粒的尺寸變小時，發光晶粒400仍具有較高的發光面積。
再者，雖然本發明係將N型層形成於藍寶石基板上，將P型層形成於高台結構。在此領域的技術人員也可以將P型層與N型層對調。亦即，將P型層形成於藍寶石基板上，將N型層形成於高台結構，而將N型電極形成於高台結構上方，將P型電極形成於發光晶粒的側邊。
由於發光晶粒400的N型電極454係形成於發光晶粒的側邊。於封裝該發光晶粒時，利用導電膠將發光晶粒固定於第一導電元件時將一併達成N型電極454與第一導電元件的電性連接；並且僅執行一次連線製程再將P型電極452電性連接至第二導電元件。相較於習知藍寶石基板的發光晶粒，本發明可減少一次連線製程，降低封裝成本。
再者，由於第3A圖的發光晶粒400僅需要進行一次連線製程即可，因此將結構相同的多顆發光晶粒封裝在一起時也可以減少連線製程的次數，並降低封裝結構的尺寸。
請參照第6圖，其所繪示為多顆發光晶粒的表面黏 貼元件(SMD)封裝結構示意圖。此封裝結構中包括導電元件610、620、630、640。其中，利用導電膠將三個發光晶粒601、602、603的藍寶石基板黏附於第一導電元件610上，達成發光晶粒601、602、603的N型電極與第一導電元件610的電性連接。
再者，利用連線製程將導線604連接於發光晶粒601的P型電極以及第二導電元件620上；將導線605連接於發光晶粒602的P型電極以及第三導電元件630上；將導線606連接於發光晶粒603的P型電極以及第四導電元件640上。之後，利用不導電材料(例如樹脂或者矽膠)包覆所有發光晶粒601、602、603僅露出四個導電元件610、620、630、640而完成封裝結構。
再者，第6圖的封裝結構中同時封裝3個結構相同的發光晶粒601、602、603。當然，本發明並不限定封裝結構中的發光晶粒的數目。舉例來說，將至少一個發光晶粒的藍寶石基板黏附於第一導電元件610即可形成封裝結構。
或者，分別將二個第3A圖的發光晶粒(例如，藍光晶粒與綠光晶粒)黏附於第一導電元件610上，並將構造相異的另一個發光晶粒(例如，紅光晶粒)也黏附在第一導電元件610上。 接著，利用連線製程將三個晶粒再分別連接至第二導電元件620、第三導電元件630與第四導電元件640。如此，形成藍色晶粒、綠色晶粒、紅色晶粒的表面黏貼元件封裝結構。
當然，除了第6圖的封裝結構外，多個發光晶粒601、602、603也可以利用其他的封裝製程來形成其他的封裝結 構。舉例來說，晶片直接封裝(COB；Chip on Board)的封裝結構等等。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (32)

  1. 一種發光晶粒，包括：一基板；一第一型層，包括一第一部分與一第二部分，該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方；一發光層，位於該第一部分的該第一型層上方；一第二型層，位於該發光層上方；一第一型電極，接觸於第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊；以及一第二型電極，形成於該第二型層的上方；其中，該第二型層、該發光層、與該第一部分的該第一型層形成一高台結構，該基板具有一第一截面積，該第二部分的該第一型層具有一第二截面積，且該第一截面積大於等於該第二截面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，更包括一緩衝層，位於該基板上方以及該第一型層下方。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中該第二型電極包括堆疊的一透明電極與一金屬電極。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中，該發光層係為具雙異質結構的發光層或者是具量子井結構的發光層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中，該基板係為一藍寶石基板。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中，該第一型層係為一N型層，該第二型層係為一P型層，該第一型電極係為一N型電極，以及該第二型電極係為一P型電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中該第一部分的該第一型層具有一第三截面積，該第二部分的該第一型層具有該第二截面積，且該第二截面積大於該第三截面積。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光晶粒，其中該基板的背面更包括一反射層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光晶粒，其中該反射層為一分散式布拉格反射層或者一全方位反射層。
  10. 一種發光晶粒的封裝結構，包括：一第一發光晶粒，包括：一基板；一第一型層，包括一第一部分與一第二部分，該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方；一發光層，位於第一部分的該第一型層上方；一第二型層，位於該發光層上方；一第一型電極，接觸於第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊；以及一第二型電極，形成於該第二型層的上方；其中，該第二型層、該發光層、與該第一部分的該第一型層形成一高台結構；一第一導電元件，具有一平台，其中，該基板的一下表面係利用一導電膠附著於該平台上，且該導電膠接觸於該第一型電極，使得該第一導電元件與該第一型電極達成電性連接；一第二導電元件，其中，該第二導電元件與該第二型電極係利用一第一導線達成電性連接；以及一不導電材料包覆該第一發光晶粒。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，更包括一第二發光晶粒與一第三導電元件；其中，該第二發光晶粒包括：一基板；一第一型層，包括一第一部分與一第二部分，該第二部分的該第一型層位於該基板的上方，且該第一部分的該第一型層位於該第二部分的該第一型層上方；一發光層，位於第一部分的該第一型層上方；一第二型層，位於該發光層上方；一第一型電極，接觸於第二部分的該第一型層的側邊，且該第一型電極接觸於該基板的側邊；以及一第二型電極，形成於該第二型層的上方；其中，該第二發光晶粒的該基板下表面係利用該導電膠附著於第一導電元件的該平台上，且該導電膠接觸於第二發光晶粒的該第一型電極，使得該第一導電元件與第二發光晶粒的該第一型電極達成電性連接；以及其中，該第三導電元件與第二發光晶粒的該第二型電極係利用一第二導線達成電性連接。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中該第一發光晶粒更包括一緩衝層，位於該藍寶石基板上方以及該第一型層下方。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中該第二型電極包括堆疊的一透明電極與一金屬電極。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該發光層係為具雙異質結構的發光層或者是具量子井結構的發光層。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該基板係為一藍寶石基板。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該第一型層係為一N型層，該第二型層係為一P型層，該第一型電極係為一N型電極，以及該第二型電極係為一P型電極。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該導電膠係為一銀膠或者一鋁膠，且該不導電材料係為一樹脂或者一矽膠。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中該第一部分的該第一型層具有一第一截面積，該第二部分的該第一型層具有一第二截面積，且該第二截面積大於該第一截面積。
  19. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中該基板的背面更包括一反射層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之封裝結構，其中該反射層為一分散式布拉格反射層或者一全方位反射層。
  21. 一種發光晶粒的製造方法，包括下列步驟：提供一晶圓，該晶圓包括：一基板，一第一型層，位於該基板上方，一發光層位於該第一型層上方，以及一第二型層位於該發光層上方；在該晶圓上定義一高台區域，並進行一高台蝕刻製程以移除該高台區域外的該第二型層、該發光層與部分的該第一型層，並暴露出該第一型層，並形成一高台結構；於該高台結構上方形成一第二型電極；利用一蝕刻製程於該些高台結構旁的區域形成至少一溝渠結構；形成一第一型電極覆蓋於該至少一溝渠結構的側邊。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該晶圓更包括一緩衝層，位於該基板上方以及該第一型層下方。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該第二型電極包括堆疊的一透明電極與一金屬電極。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該發光層係為具雙異質結構的發光層或者是具量子井結構的發光層。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該第一型電極更覆蓋於暴露的該第一型層的一上表面與一側邊。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該基板係為一藍寶石基板。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該第一型層係為一N型層，該第二型層係為一P型層，該第一型電極係為一N型電極，以及該第二型電極係為一P型電極。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該蝕刻製程為一雷射蝕刻製程、一乾式蝕刻製程或者一濕式蝕刻製程。
  29. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中更包括下列步驟：提供一第一導電元件，並利用一導電膠將該些發光晶粒中之一第一發光晶粒附著於該第一導電元件上，且該導電膠接觸於該第一型電極，使得該第一導電元件與該第一型電極達成電性連接；提供一第二導電元件；利用一導線連接於該第二型電極與該第二導電元件，達成該第二導電元件與該第二型電極的電性連接；以及提供一不導電材料包覆於該第一發光晶粒。
  30. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該導電膠係為一銀膠或者一鋁膠，且該不導電材料為一樹脂或者一矽膠。
  31. 如申請專利範圍第21項所述之方法，更包括形成一反射層位於該基板的下方。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中該反射層為一分散式布拉格反射層或者一全方位反射層。
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