TWI495150B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Hideo Nishiuchi
Akiya Kimura
Toshiya Nakayama
Yoshiaki Sugizaki
Akihiro Kojima
Yosuke Akimoto
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Description

半導體發光裝置及其製造方法
實施例係關於半導體發光裝置及其製造方法。
[相關申請案之交互參照]
本申請案係基於2011年3月23日申請的日本專利申請案第2011-064909號並主張其優先權；該案之全部內容係以引用之方式併入本文。
發射可見光或白光的半導體發光裝置係用作發光裝置、顯示器裝置等之光源，且預期其應用將比過去更增加。為增強該等半導體發光裝置之便利性，期望減小其尺寸及成本。例如，需要由氮化物半導體製成之藍色LED(發光二極體)以具有適用於改善生產率或產量之結構，及因此亦需要其製造方法。
根據一實施例，半導體發光裝置包括堆疊體、第一電極、第二電極、第一互連、第二互連、第一支柱、第二支柱及第一絕緣層。該堆疊體包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層及設於該第一半導體層及該第二半導體層之間的發光層，該堆疊體在該第二半導體層側面上自第一主表面發射光。該第一電極係連接至堆疊體之與該第一主表面相反側之第二主表面側面上之該第一半導體層。該第二電極係在該第二主表面側面上連接至該第二半導體層。該第一互連係連接至該第一電極。該第二 互連係連接至該第二電極。該第一支柱係連接至該第一互連。該第二支柱係連接至該第二互連；及該第一絕緣層係設在該第二主表面側面上的該第一互連、該第二互連接、該第一支柱及該第二支柱上。該第一支柱具有在平行於該第一主表面的第一絕緣層之表面中露出的第一監測墊。該第一互連具有在與該第一絕緣層之表面的側面中露出的第一黏合墊。該第二支柱具有在該第一絕緣層之表面中露出的第二監測墊。該第二互連具有在該第一絕緣層之側面中露出的第二黏合墊。
隨後，現將參照該等圖詳細描述本發明之實施例。在以下實施例中，該等圖中的相同組件係以相同參考數字表示，若適當則省略詳細說明，並描述不同組件。此處，將解釋為第一導電型係p型及第二導電型係n型。該第一導電型為n型及該第二導電型為p型亦係可能的。
第一實施例
圖1A係說明根據第一實施例之半導體發光裝置10a的示意性透視圖。圖1B係沿著圖1A中線A-A的橫截面圖。圖1C係沿著圖1A中線B-B的橫截面圖。
如圖1A中顯示，該半導體發光裝置10a具有長方形平行六面體的外觀，包括絕緣樹脂層25(第一絕緣層)及透明樹脂層27。第一黏合墊23a及第二黏合墊24a係在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出。在表面25a上設有第一監測墊33a及第二監測墊34a，該表面25a係該絕緣樹脂層25之與該透 明樹脂層27相反面之一主表面。
如圖1B中顯示，該半導體發光裝置10a包括堆疊體15，該堆疊體15包括p型GaN層12(第一半導體層)、n型GaN層11(第二半導體層)及發光層13。該發光層13係設在該p型GaN層12及該n型GaN層11之間。該堆疊體15具有在該n型GaN層11側面上的第一主表面15a及在其相對側面上的第二主表面15b。該堆疊體15自該第一主表面15a側面發射光，於該處該光係自該發光層發射。
自該堆疊體15發射的光透過該透明樹脂層27，並向外發射。可在該堆疊體15及該透明樹脂層27之間設有透鏡26。該透鏡26收集自該堆疊體15發射的光，並改良方向性。另外，該透鏡26亦可改良發光強度分佈並抑制色度改變。
在該堆疊體15之第二主表面側面上設有電連接至該p型GaN層12的p-側電極16及電連接至該n型GaN層11的n-側電極17。該p-側電極係第一電極及該n-側電極係第二電極。該n-側電極17係設在該n型GaN層11之表面上，於該處該p-型GaN層12及該發光層13係藉由蝕刻選擇性地移除。
設有絕緣層18(第二絕緣層)以覆蓋其上設有該p-側電極16及該n-側電極17之該堆疊體15。該絕緣層18係由例如聚醯亞胺製成。p-側中間電極21及n-側中間電極22係設在該絕緣層18上，於該處該p-側中間電極21及該n-側中間電極22係經由在該絕緣層18中形成的接觸孔18a及18b分別電連接至該p-側電極16及該n-側電極17。該p-側中間電極21係第一中間電極，及該n-側中間電極22係第二中間電極。
該絕緣層18亦可由無機材料，諸如氧化矽、氮化矽(SiN)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(AlO)等製成。此等無機材料比該等有機材料(例如聚醯亞胺)具有更大熱導率並經由該p-側電極16增強自該堆疊體15之熱耗散。從而，使用該等無機材料可改善該發光層13之發光效率。另外，可改善該半導體發光裝置10a之可靠性，原因在於相較該有機材料(諸如聚醯亞胺)，該等無機材料對熱及自該發光層13發射的光具有更高的抗性。
在該p-側中間電極21之表面上設有p-側互連23。該p-側互連23係經由該p-側中間電極21電連接至該p-側電極16。n-側互連24係設在該n-側中間電極22之表面上。該n-側互連24係經由該n-側中間電極22電連接至該n-側電極17。該p-側互連23及該n-側互連24在與該堆疊體15之第二主表面15b平行的方向上延伸。該p-側互連23係第一互連及該n-側互連24係第二互連。
在該p-側互連23及該n-側互連24上分別設有p-側支柱33及n-側支柱34。該p-側支柱33係第一支柱，及該n-側支柱34係第二支柱。
對於該p-側中間電極21、該n-側中間電極22、該p-側互連23、該n-側互連24、該p-側支柱33及該n-側支柱34之材料，可使用銅、金、鎳、銀等。其中，較佳使用銅以獲得優異熱導率、高遷移耐性及優異的對絕緣材料之黏著性。
以該絕緣樹脂層25覆蓋該p-側互連23、該n-側互連24、該p-側支柱33及該n-側支柱34。對於該絕緣樹脂層25之材 料，例如可使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂等。
該p-側支柱33及該n-側支柱34在垂直於該堆疊體15之第二主表面15b的方向上延伸至該絕緣樹脂層25之表面25a，及該等監測墊33a及34b(其等係該p-側支柱33及該n-側支柱34之端面)，係在該絕緣樹脂層25之表面25a中露出。
如圖1C所示，該p-側互連23在與該第二主表面15b平行的方向上延伸，且在側面25b中露出。該側面25b幾乎與該絕緣樹脂層25之表面25a垂直接觸。該n-側互連24類似地在與該第二主表面15b平行的方向上延伸，且在其中露出有該p-側互連23之該側面25b中露出。該p-側互連23及該n-側互連24之端面係露出作為黏合該絕緣樹脂層25之側面25b中之該等黏合墊23a及24a。
當使該半導體發光裝置10a黏合至安裝基板時，例如以焊料使該等黏合墊23a及24a連接至電源互連。另一方面，當例如檢視晶圓狀態之該半導體發光裝置10a的特性時，該等監測墊33a及34b係用作接觸墊。
在將該半導體發光裝置10a分離成個別晶片之後，該等黏合墊23a及24a在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出。因此，該等黏合墊23a及24a在晶圓狀態時尚未出現且由該絕緣樹脂層25所覆蓋，且僅該等監測墊33a及34a在該絕緣樹脂層25之表面25a中露出。
根據該實施例在該半導體發光裝置10a中，設有該等監測墊33a及34a以使得使用測量探針檢視晶圓狀態之特性。即，例如經由該等監測墊33a及34a將驅動電流供應至該堆 疊體15用於例如檢視電流電壓特性及發光特性。因此，變得可篩選出晶圓狀態的不合格晶片，最終改善該製造產率。
圖2係說明使用該半導體發光裝置10a的發光模組之橫截面示意圖。該半導體發光裝置10a係安裝在安裝基板100上。
該半導體發光裝置10a例如經晶粒黏合在安裝基板100上，其中該絕緣樹脂層25及該透明樹脂層27之側面係面向安裝表面103。以該焊料102將露出在該絕緣樹脂層25之側面25b中的黏合墊23a及24a黏接至設在該安裝表面103上的墊101上。在該安裝表面103上設有佈線圖案(未顯示)，及該等黏合墊23a及24a係經由該墊101電連接至該佈線圖案。
該絕緣樹脂層25及該透明樹脂層27之側面係幾乎垂直於該堆疊體15之第一主表面15a。因此，當使該絕緣樹脂層25之側面25b及該透明樹脂層27之側面面向用於晶粒黏合之該安裝表面103時，該第一主表面15a及幾乎與該第一主表面15a平行設置之該透明樹脂層27之表面變成橫向方向。亦即，在其中該安裝表面103係位於水平面中之情況下，於橫向方向發射光之所謂側視型發光裝置及模組可使用該半導體發光裝置10a予以配置。
此發光模組係適用於液晶顯示器裝置之背光部件，其中使該光施加至光導板之側面。根據此實施例之該半導體發光裝置10a具有幾乎與該堆疊體15尺寸相同的尺寸，從而實現有效減小該液晶顯示器裝置尺寸的晶片尺寸光源。
在其中該半導體發光裝置10a黏合至該安裝基板100的狀態下，該p-側互連23、該n-側互連24及該絕緣樹脂層25吸收該焊料102之應力。因此，可減小施加至該堆疊體15之應力，並抑制光學輸出的劣化及增強裝置可靠性。應注意導電糊等可取代該焊料102用於安裝。
接下來，將參考圖3A至圖17B描述根據此實施例之該半導體發光裝置10a之製造方法。該圖說明在各方法步驟中的一部份晶圓。
圖3A說明其中在該基板5之主表面上形成該n-型GaN層11、該p-型GaN層12及該發光層13之磊晶層。圖3B係對應圖3A之仰視圖。
該n-型GaN層11係形成於該基板5之主表面上，且其上形成有該發光層13及該n-型GaN層12。對於該基板5，可使用例如藍寶石基板，及使用MOCVD(金屬有機化學氣相沈積)在該主表面上生長基於GaN的半導體層。該基板5可使用矽基板。
例如，可在該n-型GaN層11及該基板5之間形成緩衝層(未顯示)。該n-型GaN層11含有例如矽(Si)作為n-型雜質。另一方面，該p-型GaN層12含有例如鎂(Mg)作為p-型雜質。該發光層13包括例如由GaN及InGaN製成的量子阱，並發射藍色、紫色、藍紫色光等。對於該發光層13亦可使用AlGaN而發射紫外光。
該堆疊體15之第一主表面15a係與該基板5接觸的該n-型GaN層11之表面。該p-型GaN層12之表面係該堆疊體15之 第二主表面15b。
隨後，如圖4A及圖4B(圖4A之仰視圖)所示，形成凹槽以穿透該等磊晶層並到達基板5之切割區域d1及d2。例如，該等凹槽係藉由使用抗蝕遮罩(未顯示)及RIE(反應性離子蝕刻)方法蝕刻該磊晶層而形成。該切割區域d1及d2係在該基板5上例如以柵格之形式形成。以該等在切割區域d1及d2中形成的凹槽將該等磊晶層分離成包含在該半導體發光裝置10a中的個別單元(該等堆疊體15)。
或者，在選擇性蝕刻該p-型GaN層12之後或形成電極之後，可進行將該等磊晶層分離成該等堆疊體15之製程。
隨後，如圖5A及圖5B(圖5A之仰視圖)所示，使用RIE方法將一部份該p-型GaN層12及該發光層13選擇性移除，並使一部份該n-型GaN層11露出於該第二主表面15b側面上。例如在該堆疊體15之表面上形成抗蝕遮罩(未顯示)用於蝕刻該p-型GaN層12及該發光層。
如圖5B中顯示，該堆疊體15係沿著該切割區域d2排列，例如該n-型GaN層11之露出表面11a係交替並倒置地形成在該排列的方向上。換言之，以面向彼此配置該等露出表面11a，使該切割區域d1夾於其間。該n-型GaN層11之露出表面之配置並不限於此實例，且該露出表面可沿著該切割區域d2在該堆疊體之相同側面中形成。
隨後，如圖6A及圖6B(圖6A之仰視圖)所示，在該第二主表面15b側面上形成該p-側電極16及該n-側電極17。如圖6B中顯示，沿著該切割區域d2的方向上形成該p-側電極16 及該n-側電極17，使得該p-側電極16及該n-側電極17之配置係交替倒置。在該p-型GaN層12之表面上形成該p-側電極16。可在設於該p-型GaN層12之表面上的透明電極上形成該p-側電極16。例如使用鈦(Ti)及鋁(Al)之堆疊膜，在該n-型GaN層11之露出表面11a上形成該n-側電極17。
例如藉由濺鍍、氣相沈積等方法形成該p-側電極16及該n-側電極17。該p-側電極16及該n-側電極17可依此順序及相反順序形成。可使用相同材料同時形成該p-側電極16及該n-側電極17。
較佳地，該p-側電極16具有反射自該發光層13發射的光之性質。該p-側電極16包括例如銀、銀合金、鋁、鋁合金等。該p-側電極16亦可包括金屬保護膜以抑制硫化及氧化。
可在該p-側電極16及該n-側電極17之間，及在該發光層13之端面(側面)上形成鈍化膜。例如使用CVD(化學氣相沈積)形成氮化矽膜或氧化矽膜作為該鈍化膜。若需要則進行活化退火以在該p-側電極16及該n-側電極17與該堆疊體15之間形成歐姆接觸。
隨後，如圖7A所示，在以該絕緣層18覆蓋該基板5之主表面上露出的所有部份後，藉由例如使用濕式蝕刻在該絕緣層18中選擇性地形成該等接觸孔18a及18b。該接觸孔18a係與該p-側電極16連通及該接觸孔18b係與該n-側電極17連通。
對於該絕緣層18，例如可使用有機材料如光敏性聚醯亞 胺及苯并環丁烯。在此例中，可藉由使用光微影法直接使該絕緣層18曝光並顯影而使該絕緣層18圖案化。或者，對於該絕緣層18，可使用無機膜如氮化矽膜或氧化矽膜。在使用無機膜的情況下，在使其上所設之抗蝕塗層圖案化之後，可藉由蝕刻形成所期望的形狀。
隨後，如圖7B所示，在該絕緣層18之與該堆疊層15相反側之表面18c上形成種晶金屬19。該種晶金屬19亦在該接觸孔18a之內壁及底部與該接觸孔18b之內壁及底部上形成。
該種晶金屬係例如藉由濺鍍形成。該種晶金屬19包括例如自該絕緣層18側面依次堆疊的鈦(Ti)及銅(Cu)之堆疊膜。
隨後，如圖7C所示，在該種晶金屬19上選擇性地形成抗蝕遮罩41，並經由該抗蝕遮罩41進行電解銅(Cu)電鍍。電鍍電流流經該種晶金屬19，及在該種晶金屬19表面上形成Cu膜。
因此，如圖8A及8B(圖8A之仰視圖)所示，在該絕緣層18之表面18c上選擇性地形成該p-側中間電極21及該n-側中間電極22。該p-側中間電極21及該n-側中間電極22係由上述電鍍中同時形成的Cu膜製成。
亦在該接觸孔18a之內部形成該p-側中間電極21，並經由該種晶金屬19電連接至該p-側電極16。亦在該接觸孔18b之內部形成該n-側中間電極22，並經由該種晶金屬19電連接至該n-側電極17。
此處，形成該切割區域d2以在沿著該p-側中間電極21之側面21a及該n-側中間電極22之側面22a之方向延伸(圖8B中的橫向方向)。在切割成個別裝置之後，如圖1A及1B所示該側面21a及22a在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出。
圖8B中交替長及短虛線e1及e2表示由切割刀片之兩邊緣切割的邊界。形成圖8B所示的該側面21a及該側面22a使得該側面21a及該側面22a位於超出該等線e1及e2的切割區域d2中。在以下說明中，該交替長及短虛線e1將作為邊緣線e1給出及該交替長及端虛線e2將作為該邊緣線e2給出。
在該側面21a及該側面22a之間的p-側中間電極21之角落處形成凹口21b。因此，在切割之後可增加自該絕緣樹脂層25露出的該側面21a及該層面22a之間的距離，並可避免因安裝中的焊料引起電短路。
另一方面，可使該p-側中間電極21及該n-側中間電極22(除該凹口21b)之間的距離接近加工之極限。即，可增加該p-側中間電極21之面積，而對在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出的該黏合墊23a及24a之間的距離並無限制。因此，可藉由增加該p-側中間電極21及該p-側電極16之間的接觸面積而減小電流密度，並亦可改善熱耗散。例如，可經由複數個接觸孔18a使該p-側中間電極21連接至該p-側電極16。
根據該實施例，如圖8B所示，該等側面21a及該等側面22a係配置為不超過沿著該延伸方向的該切割區域d2之一側面，且甚至設在該切割區域d2之兩側面上。因此，可用 該切割刀片之兩側面均等切割該等側面21a及該等側面22a，同時切割該切割區域d2。結果，甚至在該切割刀片之兩邊緣中可形成切割金屬之負載。即，可抑制該切割刀片之堵塞或損壞而延長該切割刀片之壽命。
在圖8B所示的實例中，在該邊緣線e1側面上的該側面21a及22a與在該邊緣線e2側面上的該側面21a及22a係在其中該切割區域d2延伸的方向上交替配置。然而，該實施例並不限於此佈局。較佳地，該側面21a及該側面22a係配置為不超過該邊緣線e1及該邊緣線e2之一側面。
圖9A係說明其中已移除用於電鍍該p-側中間電極21及該n-側中間電極22的抗蝕遮罩41之狀態的截面圖。該抗蝕遮罩41例如可使用有機溶劑或氧電漿移除。
隨後，如圖9B所示在該等中間電極上形成用於電鍍互連的抗蝕遮罩42。形成比上述抗蝕遮罩41更厚的抗蝕遮罩42。該抗蝕遮罩42亦可位於該抗蝕遮罩41上形成。
如圖10A及圖10B(圖10A之仰視圖)所示，該p-側互連23及該n-側互連24係使用電解銅電鍍形成。例如，使用該抗蝕遮罩42選擇性地電鍍Cu膜。同樣在此例中，電鍍電流流經該種晶金屬19，及在該p-側中間電極21及該n-側中間電極22上形成該等Cu膜。
即，在該抗蝕遮罩42中之開口42a內部及該p-側中間電極21上形成該p-側互連23。在該抗蝕遮罩42中的開口42b內部及該n-側中間電極22上形成該n-側互連24。該p-側互連23及該n-側互連24係例如使用該電解銅電鍍同時形成。
該等p-側互連23及該等n-側互連24係延伸至超出該邊緣線e1及該邊緣線e2的切割區域d2中，以形成該黏合墊23a及該黏合墊24a，其係切割之後在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出的該p-側互連23及該n-側互連24之端面。
如圖10B所示，在沿著其中該切割區域d2延伸方向的兩個側面上，不超過該切割區域d2之一側面上均一設有該p-側互連23及該n-側互連24之突出部分。以該切割刀片的兩個邊緣均一切割該p-側互連23及該n-側互連24，同時切割該切割區域d2。因此，甚至在該切割刀片之兩個邊緣中可形成切割金屬之負載，抑制該切割刀片之堵塞或損壞而用於延長該切割刀片之壽命。
注意在圖10B所示的實例中，在邊緣線e1側面上突出的該p-側互連23及該n-側互連24與在該邊緣線e2側面上突出的該p-側互連23及該n-側互連24係沿著其中該切割區域d2延伸的方向交替配置。然而，該實施例並不限於此佈局。即，該p-側互連23及該n-側互連24之突出部份係經配置為不超過該邊緣線e1及該邊緣線e2之一側面即已足夠。
該p-側互連23及該n-側互連24之間的距離係以該寬度形成，使得在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出的黏合墊23a及24a在安裝中不會因該焊料102而短路。
隨後，如圖11A所示，該抗蝕遮罩42係例如使用溶劑或氧電漿移除。接著，如圖11B所示，在該等互連上形成用於電鍍該p-側支柱33及該n-側支柱34之抗蝕遮罩45。該抗蝕遮罩45可經形成為位於該抗蝕遮罩42上。
隨後，如圖12A及圖12B(圖12A之仰視圖)所示，使用電解銅電鍍形成該p-側支柱33及該n-側支柱34。即，在該p-側互連23及該n-側互連24上藉由使用該抗蝕遮罩45選擇性地電鍍而在開口45a及45b中形成Cu膜。
如圖12B所示，以不同形狀形成該等監測墊33a及34b，其等係該p-側支柱33及該n-側支柱34之端面。因此，可區分在該絕緣樹脂層25之表面25a中露出的該p-側互連23及該n-側互連24之端面。換言之，可區分該半導體發光裝置之陽極及陰極。此處，替代不同形狀，在將該監測墊33a之尺寸及該監測墊34a之尺寸製成彼此不同之情況下，該半導體發光裝置之陽極及陰極亦可彼此區分。
隨後，例如使用溶劑或氧電漿移除該抗蝕遮罩45。圖13A及圖13B(圖13A之仰視圖)說明其中已移除該抗蝕遮罩45之狀態。
如圖13A所示，該p-側支柱33及該n-側支柱34係形成在該p-側互連23及該n-側互連24之表面上並位於該p-側中間電極21及該n-側中間電極22之相對側面上。如圖13B所示，當參見該堆疊體15之第二主表面15b的平面時，該p-側支柱33係形成在該p-側互連23之內部，及該n-側支柱34係形成在該n-側互連24之內部。
如上述，該p-側互連23係形成為小於該p-側中間電極21。因此，如圖13B所示，形成該p-側中間電極21以自該p-側互連23側面延伸至該n-側互連24側面(除該凹口21b以外)。
隨後，如圖14A所示，在該p-側互連23、該n-側互連24及該自該p-側互連23側面延伸的一部份p-側中間電極21之間藉由濕式蝕刻移除該種晶金屬19之露出部份。因此，該p-側中間電極21及該n-側中間電極22係彼此電絕緣。
隨後，如圖14B所示，形成該絕緣樹脂層25以覆蓋該p-側互連23、該n-側互連24及在其間露出的絕緣層18之表面。該絕緣樹脂層25含有例如碳黑以對自該發光層13發射的光提供光遮蔽性質。該絕緣樹脂層25可含有氧化鈦粉末等以反射自該發光層13發射的光。
隨後，如圖15A所示移除該基板5。該基板5可藉由例如使用雷射剝離法移除。例如，自基板5之與該堆疊體15相反側的背面朝該n型GaN層11施加雷射光束。該雷射光束對該基板5具有穿透度，並在該n-型GaN層11中被吸收。在該基板5及該n-型GaN層11之間的介面，鄰近該介面的n-型GaN層11吸收該雷射光束之能量並分解成Ga及N。此分解反應使基板5與該n-型GaN層11分離。
複數次施加該雷射光束並使該整個晶圓上的每一預定區域以預定順序被照射。因此，該基板5係自該堆疊體15之第一主表面15a移除，改善光擷取效率。
或者，當對於該基板5使用該矽基板時，可使用濕式蝕刻移除該基板5。
自該基板5分離的堆疊體15由設在該第二主表面15b側面上的該絕緣樹脂層25支撐。藉由銅電鍍形成足夠厚的該p-側互連23及該n-側互連24，並用該絕緣樹脂層25填充該p- 側互連23及該n-側互連24之間的間隙。因此，可確保移除該基板5後該晶圓之機械強度。
該絕緣樹脂層25及該等中間電極及該互連之金屬比該基板5更軟。因此，當移除該基板5時，在晶體生長過程中，該絕緣樹脂層25可吸收在該堆疊體15中儲存的內部應力。因此，可避免結晶破壞，諸如該堆疊體15中產生的破裂。
隨後，在自其移除該基板之後，清潔該堆疊體15之第一主表面15a。例如，用鹽酸等移除在該第一主表面15a上殘留的鎵(Ga)。
例如用KOH(氫氧化鉀)水溶液、TMAH(氫氧化四甲基銨)等進一步蝕刻該第一主表面15a。因此，如圖15B所示，由於根據結晶平面取向的蝕刻速率之差異，因而在該第一主表面15a上形成突出及凹陷。或者，例如藉由使用抗蝕遮罩圖案化而在該第一主表面15a上形成突出及凹陷。在該第一主表面15a上形成的突出及凹陷改善了自該堆疊體15之光擷取效率。
隨後，如圖16A所示，該透明樹脂層27形成在該第一主表面15a及在該等鄰近的堆疊體15之間露出的絕緣層18上。使用諸如印刷、灌注、模製或壓縮成形之方法，藉由例如供應其中具有分散的螢光粒子的液態透明樹脂並在該第一主表面15a上使其熱固化而形成該透明樹脂層27。對於該透明樹脂，使用例如對於自該發光層13發射的光及自該螢光粒子發射的光可穿透的材料，諸如聚矽氧樹脂、丙烯酸樹脂、液態玻璃。
可在該第一主表面15a及該透明樹脂層27之間形成該透鏡26。對於該透鏡26，例如可使用對於自該發光層13發射的光可穿透的材料，諸如聚矽氧樹脂、丙烯酸樹脂或玻璃。或者，可藉由使用灰階遮罩蝕刻，或例如藉由壓印形成該透鏡26。
應注意其中在該第一主表面15a及該透明樹脂層27之間未設有該透鏡26的結構亦可能。
隨後，如圖16B所示，將該絕緣樹脂層之與該透明樹脂層27相反之主表面磨削得更薄。係該p-側支柱33及該n-側支柱34之端面的該等監測墊33a及34a，在該磨削之後於該絕緣樹脂層25之表面25a露出。
隨後，如圖17A及圖17B所示，藉由沿著以柵格形式形成的切割區域d1及d2切割該透明樹脂層27、該絕緣層18及該絕緣樹脂層25而將該晶圓切割成個別半導體發光裝置10a。例如可使用該切割刀片或雷射光束切割該透明樹脂層27、該絕緣層18及該絕緣樹脂層25。
在該切割方法中切割超出該邊緣線e1及e2的該p-側互連23及該n-側互連24之突出部份。因此，該等黏合墊23a及24a在該絕緣樹脂層25之側面中露出。
類似地，進入該切割區域d2的該p-側中間電極21及該n-側中間電極22之突出部份亦在該切割方法中切割。因此，該p-側中間電極21之側面21a及該n-側中間電極22之側面22a亦在該絕緣樹脂層25之側面25b中露出(參見圖1A)。
在切割之前已移除該基板5，且該堆疊體15並不存在於 該切割區域d1及d2中。從而，可避免在該切割方法中損壞該堆疊體15。該晶粒分離之後，在該半導體發光裝置10a中獲得之結構為其中用該絕緣層18覆蓋並保護該堆疊體15之末端部份(側面)。
應注意該分離成晶粒的半導體發光裝置10a可為包括單一堆疊體15的單一晶片結構，或可為包括複數個堆疊體15的多晶片結構。
當完成該晶圓加工並分離成晶粒時，以覆蓋有樹脂並在該樹脂中露出該等黏合墊的形式完成該半導體發光裝置10a。因此並無必要進行互連並包裝個別晶片之方法，從而顯著減少生產成本。亦即，互連及包裝晶片已以單獨晶粒之形式完成。因此，可改善生產率，並最終促進價格降低。
根據此實施例之該半導體發光裝置10a中，該等監測墊33a及34a係在該絕緣樹脂層25之表面25a中露出。因此，例如，切割之後，可藉由將探針終端與該個別半導體發光裝置10a之監測墊33a及34a接觸而測量特性。因此，可在複數個半導體發光裝置10a中僅選出符合規格的晶片，並可在隨後方法中改善產率。
由於該等監測墊33a及34a(其等分別係該p-側支柱33及該n-側支柱34之端面)之形狀彼此不同，因而例如可自該等監測墊33a及34a自動地辨識欲與陽性探針接觸的監測墊及欲與該陰性探針接觸的監測墊。在半導體發光裝置10a之安裝過程中，可藉由自動辨識該等監測墊33a及34a之形狀區 分該側面之定向並朝向該安裝基板100置放其中露出該等黏合墊23a及24a之該側面25b。
例如，如圖17B所示，在其中該切割區域d2延伸的方向上，在每一半導體發光裝置10a處該等監測墊33a及34a之配置係倒置的。在此例中，該等監測墊33a及34a之不同形狀可有效區分該側面25b與其他面。
當參見該堆疊體15的第二主表面15b側面時，該等監測墊33a及34a之面積分別比該p-側互連23及該n-側互連24更窄。該等監測墊33a及34a係設在每一互連內部。因此，該等黏合墊23a及24a係在該表面25a及25b之間的角落處經由該絕緣樹脂層25與該等監測墊33a及34a分離。
例如，根據圖26A及圖26B所示的比較例之半導體發光裝置10c中，並未設有p-側支柱33及n-側支柱34，及p-側互連23及n-側互連24之端面係在絕緣樹脂層25之表面25a及側面25b中露出。參見該第二主表面15b側面時，在該絕緣樹脂層25之表面25a中露出的監測墊23b及24b之面積係與該p-側互連23及該n-側互連24之面積相同。結果，如圖26B所示，在該絕緣樹脂層25之表面25a及側面25b之間的角落處，該監測墊23b係連接至該黏合墊23a及該監測墊24b係連接至該黏合墊24a。
圖26C係說明黏合在安裝基板100上的半導體發光裝置10c的橫截面圖。由於該黏合墊23a係連接至該監測墊23b，及該黏合墊24a係連接至該監測墊24b，因而如圖26C所示，設置用於安裝該半導體發光裝置10c的焊料102不僅 接觸該黏合墊23a而且在該監測墊23b側面上向上爬行。在此例中，該焊料102之收縮有時會引起發光面27a向上傾斜，導致該發光方向之偏移。
反之，根據該實施例之半導體發光裝置10a中，該等黏合墊23a及24a係經由該絕緣樹脂層25與該等監測墊33a及34a分離。因此，安裝之後可防止該焊料102向上爬行，並抑制該發光方向之偏移。
第二實施例
接下來，根據第二實施例，將參照圖18、圖19A及圖19B描述半導體發光裝置10a之製造方法。
圖18係說明在該半導體發光裝置10a之製造方法中晶圓之橫截面的示意圖。在p-側中間電極21及n-側中間電極22之表面上形成p-側互連43及n-側互連44之後，將一部份在絕緣層18之表面上形成的種晶金屬19移除以使該p-側中間電極21及該n-側中間電極22彼此電絕緣。如圖18所示，例如用切割刀片51磨削在該p-側互連43及該n-側互連44之中間電極的相對側面上的表面以形成p-側支柱43b及n-側支柱44b。
圖19A係說明晶圓之橫截面的示意圖及圖19B係圖19A之仰視圖。該p-側支柱43b及該n-側支柱44b係形成在該p-側互連43及該n-側互連44之表面上。
如圖19B所示，該p-側支柱43b之端面43a及該n-側支柱44b之端面44a係形成不同形狀。例如，該等端面43a及44a可經處理成具有彼此不同寬度的四邊形。
在該實施例中說明的半導體發光裝置10a中，沿著切割區域d2在該堆疊體15之相同側面上形成n-型GaN層11之露出表面11a。該p-側互連43及該n-側互連44係沿著該切割區域d2交替形成。因此，如圖19B所示，在該p-側互連43及n-側互連44之間露出的一部份該p-側中間電極21亦沿著自該p-側互連43側面至該切割區域d2的相同方向延伸。
該p-側中間電極21之凹口21b係形成在其中切割區域d1延伸的方向上在相同側面上的末端部份。形成該p-側互連43及該n-側互連44以在超出該邊緣線e2的切割區域d2中延伸。
隨後，類似於14B，設有絕緣樹脂層25以覆蓋該p-側互連43、該n-側互連44及該絕緣層18表面。該半導體發光裝置10a係經由如上述第一實施例之相同製造方法形成。
根據該實施例之該製造方法中，該p-側支柱43b及該n-側支柱44b係藉由使用該切割刀片磨削形成，使得其可簡化該製造方法並降低成本。
第三實施例
圖20A及20B係說明根據第三實施例之半導體發光裝置10b之製造方法的橫截面圖。
圖20A中顯示的半導體發光裝置10b之製造方法中，將厚度減小的基板5留在該第一主表面15a側面上。例如，使用磨削機磨削該基板5之與該堆疊體15之相反側之主表面以減小該基板5之厚度。
隨後，如圖20B所示，使用切割刀片切割切割區域d1及 切割區域d2(未顯示)，使得該半導體發光裝置10b被分離成晶粒。該基本5可被開裂，其中使用該切割刀片將該等切割區域d1及d2自該絕緣樹脂層25半切割，然後施加雷射光束以完全切割成晶粒。或者，藉由施加雷射光束可切割該基板5之所有部份。
該基板5係例如藍寶石基板，並對自氮化物半導體發光層13發射的光透射。在此例中，在該第一主表面15a側面上並無含有螢光體的層，且僅自該發光層13發射的光向外發射。在該基板5之與該堆疊體15相反側之主表面上亦可形成含有螢光粒子的透明樹脂層。
根據該實施例之半導體發光裝置10b中，保留該基板5，使得可提供具有經改善之機械強度的高可靠性結構。
第四實施例
圖21A及圖21B係說明根據第四實施例之半導體發光裝置之製造方法的橫截面圖。圖21A係說明在圖7A所示的相同方法中的晶圓之橫截面示意圖。圖21B係說明圖16B所示的相同方法中的晶圓之橫截面的示意圖。
根據該實施例之半導體發光裝置之製造方法中，如圖21A所示，在切割區域d1及d2中形成開口53，同時在絕緣層18上形成接觸孔18a及18b。該等隨後方法係類似於該第一實施例之方法進行。
圖21B說明其中絕緣樹脂層25係形成在堆疊體15之第二主表面15b側面上，然後監測墊33a及34a在該絕緣樹脂層25中露出之狀態。該絕緣樹脂層25亦被填入設在該切割區 域d1中的開口53內部。
例如，可用聚醯亞胺或該無機材料(其對自發光層13發射的光係透明)形成該絕緣層18。由於此透明度，光有時會自該半導體發光裝置10a之側面露出的絕緣層18之端面洩漏(參見圖1B及圖1C)。
相反地，根據該實施例之半導體發光裝置中，該絕緣樹脂層覆蓋該絕緣層18之端面。該具有光遮蔽性質的絕緣樹脂層25填入該開口53，從而其變得可抑制該光自該側面洩漏。或者，反射光發射之樹脂可填入該開口53，或可在該開口53之內表面上形成反射膜。
用該絕緣樹脂層25覆蓋該絕緣層18抑制了該側面的吸濕性，從而改善該裝置可靠性。此外，在使用切割刀片的切割過程中，在該等切割區域d1及d2中該簡化層結構使得更容易切割並抑制在該切割面處的損壞。
第五實施例
圖22A、圖22B、圖23A及圖23B係說明根據第五實施例之半導體發光裝置之製造方法的橫截面圖。圖22A及22B係部份說明圖8A及圖8B所示的相同方法中的晶圓之橫截面及底面的示意圖。圖23A及圖23B係部份說明圖10A及圖10B所示的方法中的晶圓之橫截面及底面的示意圖。
如圖22A所示，在絕緣層18之表面18c上選擇性地形成p-側中間電極61及n-側中間電極62。該p-側中間電極61及該n-側中間電極62係例如類似於該-p側中間電極21及該n-側中間電極22，使用該種晶金屬19作為導電層，藉由電解銅 電鍍而同時形成。
如圖22B中顯示，該p-側中間電極61及該n-側中間電極62之端面並不超出邊緣線e1及e2突出至切割區域d2中。此點係不同於圖8A及圖8B所示的製造方法。因此，該p-側中間電極61及該n-側中間電極62之末端係並未藉由切割刀片切割，及其等端面並未在絕緣樹脂層25之側面25b露出。
如圖23A所示，在該p-側中間電極61及該n-側中間電極62上形成p-側互連63及n-側互連64。例如，使用抗蝕遮罩42以選擇性地形成Cu膜。同樣在此例中，電鍍電流流經該種晶金屬19以形成該Cu膜。應注意在形成該p-側中間電極61及該n-側中間電極62之後可形成第二種晶金屬，及該電鍍電流可流經該第二種晶金屬。
在該實施例中，形成該p-側互連63之側面63a及該n-側中間電極64之側面64a以超出該等邊緣線e1及e2突出至該切割區域d2中。因此，用該切割刀片切割該p-側中間電極61及該n-側中間電極62之末端，並使其等各個端面在該絕緣樹脂層25之側面25b露出作為黏合墊之一部份。
圖24A及24B係說明根據第五實施例之變體之半導體發光裝置10d的的橫截面圖。圖24A係說明圖22A及圖22B中顯示的製造方法中的晶圓之平面示意圖。圖24B係示意性地說明該半導體發光裝置10d之透視圖。
根據該實施例，如圖24A所示，該p-側互連73之側面73a及該n-側互連74之側面74a分別超出邊緣線e1及e2突出至切割區域d2中。該p-側互連73之側面73b及該n-側互連74之側 面74b超出邊緣線e3及邊緣線e4突出至切割區域d1中。
因此，除該p-側互連73之側面73a及該n-側互連74之側面74a之外，亦可用切割刀片切割該等側面73b及74b。因此，如圖24B所示，在該半導體發光裝置10d中，該等黏合墊73a及74a係在絕緣樹脂層25之側面25b露出，及該p-側互連73之端面73b及該n-側互連74之端面74b係在兩側面均連接至該側面25b的側面25c中露出。
例如，如圖2所示，當在該安裝基板上安裝該半導體發光裝置10d時，該等黏合墊73a及74a係面向該表面103。該焊料102不僅將該等黏合墊73a及74a連接至墊101，而且在該側面25c中露出的p-側互連73之端面73b及n-側互連74之端面74b上向上爬行。因此，藉由識別該焊料102是否爬行該端面73b及該端面74b，可決定在該半導體發光裝置10d及該安裝基板100之間的連接相符性。
此外，如圖26C所示在該半導體發光裝置10d中該發光方向並不偏移，原因在於該焊料102爬行至該絕緣樹脂層25之兩個側面25c上，其等連接至該黏合表面(該側面25b)。
第六實施例
圖25A及25B係說明根據第六實施例之半導體發光裝置10e的橫截面示意圖。圖25A係對應於沿著圖1A中線A-A之橫截面的橫截面圖。圖25B係對應於沿著圖1A中線B-B之橫截面的橫截面圖。
除圖1B及1C所示的結構以外，該半導體發光裝置10e另外包括覆蓋該p-型GaN層12、該n-型GaN層11及該發光層 13的鈍化膜83。該鈍化膜83係由例如氧化矽或氮化矽製成，並減少在該p-型GaN層12及該n-型GaN層11之間的洩漏電流。該鈍化膜83亦保護各層之表面並改善該裝置可靠性。在選擇性地移除該p-型GaN層12及該發光層13以使一部份該n-型GaN層11在該第二主表面15b側面上露出之後，在圖5所示的步驟中，在每一層上形成該鈍化膜83。隨後，在打開該鈍化膜83中的接觸窗之後，使用例如剝離法形成該p-側電極16及該n-側電極17。接著，經由圖7之後所示的步驟完成該半導體發光元件10e。
或者，當該鈍化膜83係由與該絕緣層18相同的材料製成時，該鈍化膜83可作為該絕緣層18。
在本發明書中，該術語「氮化物半導體」包括III-V化合物半導體Bx Iny Alz Ga1-x-y-z N(0x1、0y1、0z1、0x+y+z1)，且除N(氮)以外亦包括含有磷(P)、砷(As)等的混合晶體作為V族元素。該術語「氮化物半導體」包括彼等含有多種待添加用於控制各種物理性質，諸如導電型的元素，及彼等另外含有各種非刻意含有的元素。
雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅以舉例方式呈現，並不意欲限制本發明之範圍。事實上，本文描述之該等新穎實施例可以各種其他形式具體化；此外，可在不脫離本發明之實質內對文中描述之實施例的形式進行多種省略、取代及改變。附隨申請專利範圍及其等等效物意欲涵蓋落在本發明範圍及實質內的該等形式或改變。
5‧‧‧基板
10a‧‧‧半導體發光裝置
10b‧‧‧半導體發光裝置
10c‧‧‧半導體發光裝置
10d‧‧‧半導體發光裝置
10e‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧n-型GaN層
11a‧‧‧露出的表面
12‧‧‧p-型GaN層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧堆疊體
15a‧‧‧第一主表面
15b‧‧‧第二主表面
16‧‧‧p-側電極
17‧‧‧n-側電極
18‧‧‧絕緣層/第二絕緣層
18a‧‧‧接觸孔
18b‧‧‧接觸孔
18c‧‧‧表面
19‧‧‧種晶金屬
21‧‧‧p-側中間電極
21a‧‧‧側面
21b‧‧‧凹口
22‧‧‧n-側中間電極
22a‧‧‧側面
23‧‧‧p-側互連
23a‧‧‧第一黏合墊
24‧‧‧n-側互連
24a‧‧‧第二黏合墊
25‧‧‧絕緣樹脂層
25a‧‧‧表面
25b‧‧‧側面
26‧‧‧透鏡
27‧‧‧透明樹脂層
33‧‧‧p-側支柱
33a‧‧‧第一監測墊
34‧‧‧n-側支柱
34a‧‧‧第二監測墊
41‧‧‧抗蝕遮罩
42‧‧‧抗蝕遮罩
42a‧‧‧開口
42b‧‧‧開口
43‧‧‧p-側互連
43a‧‧‧端面
43b‧‧‧p-側支柱
44‧‧‧n-側互連
44a‧‧‧端面
44b‧‧‧n-側支柱
45‧‧‧抗蝕遮罩
45a‧‧‧開口
45b‧‧‧開口
53‧‧‧開口
61‧‧‧p-側中間電極
62‧‧‧n-側中間電極
63‧‧‧p-側互連
63a‧‧‧側面
64‧‧‧n-側互連
64a‧‧‧側面
73‧‧‧p-側互連
73a‧‧‧側面
73b‧‧‧側面
74‧‧‧n-側互連
74a‧‧‧側面
74b‧‧‧側面
83‧‧‧鈍化膜
100‧‧‧安裝基板
101‧‧‧墊
102‧‧‧焊料
103‧‧‧安裝表面
d1‧‧‧切割區域
d2‧‧‧切割區域
e1‧‧‧虛線/邊緣線
e2‧‧‧虛線/邊緣線
e3‧‧‧邊緣線
e4‧‧‧邊緣線
圖1A至1C係說明根據第一實施例之半導體發光裝置之示意圖；圖2係說明根據第一實施例之發光模組之橫截面示意圖；圖3A至17B係說明根據第一實施例之該半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖18至19B係說明根據第二實施例之半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖20A及20B係說明根據第三實施例之半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖21A及21B係說明根據第四實施例之半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖22A及23B係說明根據第五實施例之半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖24A及24B係說明根據第五實施例之變體之半導體發光裝置之製造方法的示意圖；圖25A及25B係說明根據第六實施例之半導體發光裝置的示意圖；及圖26A至26C係說明根據比較例之半導體發光裝置的示意圖。
10a‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧n-型GaN層
12‧‧‧p-型GaN層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧堆疊體
15a‧‧‧第一主表面
16‧‧‧p-側電極
17‧‧‧n-側電極
18‧‧‧絕緣層/第二絕緣層
18a‧‧‧接觸孔
18b‧‧‧接觸孔
18c‧‧‧表面
21‧‧‧p-側中間電極
21a‧‧‧側面
22‧‧‧n-側中間電極
22a‧‧‧側面
23‧‧‧p-側互連
23a‧‧‧第一黏合墊
24‧‧‧n-側互連
24a‧‧‧第二黏合墊
25‧‧‧絕緣樹脂層
25a‧‧‧表面
25b‧‧‧側面
26‧‧‧透鏡
27‧‧‧透明樹脂層
33‧‧‧p-側支柱
33a‧‧‧第一監測墊
34‧‧‧n-側支柱
34a‧‧‧第二監測墊

Claims (24)

  1. 一種半導體發光裝置，其係經由將晶圓分離成晶粒而形成，該晶圓包含複數組之：堆疊體，其包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層、及設在該第一半導體層及該第二半導體層之間的發光層，該發光層自該第二半導體層側上之第一主表面發射光；第一電極，其在該堆疊體之與該第一主表面相反側的第二主表面側上，並連接該第一半導體層；第二電極，其在該堆疊體之該第二主表面側上，並連接該第二半導體層；第一中間電極，其連接該第一電極；第二中間電極，其連接該第二電極；第一及第二互連，其分別連接該第一及第二中間電極，並沿該發光方向經過分割在同一表面上形成第一及第二黏合墊；及第一及第二支柱，其分別連接該第一及第二互連，並將用於晶圓狀態之特性檢視之第一及第二監測墊之端部設於與該第一主表面相對側；且該半導體發光裝置，經由第一絕緣層隔開該第一及第二監測墊與該第一及第二黏合墊，並朝向安裝表面安裝該第一及第二黏合墊。
  2. 一種半導體發光裝置，其係經由將晶圓分離成晶粒而形成，該晶圓包含複數組之： 堆疊體，其包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層、及設在該第一半導體層及該第二半導體層之間的發光層，該發光層自該第二半導體層側上的第一主表面發射光；第一電極，其在該堆疊體之與該第一主表面相反側的第二主表面側上，並連接該第一半導體層；第二電極，其在該堆疊體之該第二主表面側上，並連接該第二半導體層；第一及第二互連，其分別連接該第一及第二電極，並沿該發光方向經過分割在同一表面上形成第一及第二黏合墊；及第一及第二支柱，其分別連接該第一及第二互連，並將用於晶圓狀態之特性檢視之第一及第二監測墊之端部設於與該第一主表面相對側；且該半導體發光裝置，經由第一絕緣層分離該第一及第二監測墊與該第一及第二黏合墊，並朝向安裝表面安裝該第一及第二黏合墊。
  3. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中該第一監測墊及該第二監測墊之形狀及尺寸之至少一者彼此不同。
  4. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中該第一監測墊係設在該第一互連之內側，該第二監測墊係設在該第二互連之內側。
  5. 如請求項3之半導體發光裝置，其中該第一監測墊係設在該第一互連之內側，該第二監測墊係設在該第二互連之 內側。
  6. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中在該第一中間電極與該第二中間電極彼此面對之側之該第一中間電極之角落，形成凹口。
  7. 如請求項3之半導體發光裝置，其中在該第一中間電極與該第二中間電極彼此面對之側之該第一中間電極之角落，形成凹口。
  8. 如請求項4之半導體發光裝置，其中在該第一中間電極與該第二中間電極彼此面對之側之該第一中間電極之角落，形成凹口。
  9. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中該第一監測墊及該第一黏合墊係經由該第一絕緣層隔開，該第二監測墊及該第二黏合墊係經由該第一絕緣層隔開。
  10. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其進一步包括設在該第一主表面側之透明樹脂層。
  11. 如請求項10之半導體發光裝置，其進一步包括設在該堆疊體及該透明樹脂層之間的透鏡。
  12. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中該第一絕緣層包括環氧樹脂、聚矽氧樹脂及氟樹脂中之至少一者。
  13. 如請求項12之半導體發光裝置，其中該第一絕緣層對於該發光層之發光具有光遮蔽性質。
  14. 如請求項12之半導體發光裝置，其中該第一絕緣層包括反射該發光層之發光之元件。
  15. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其進一步包括設在該 堆疊體及該第一絕緣膜之間，並覆蓋該堆疊體、該第一電極及該第二電極的第二絕緣膜。
  16. 如請求項15之半導體發光裝置，其中該第一互連係經由設在該第二絕緣膜上的接觸孔電連接該第一電極；且該第二互連係經由設在該第二絕緣膜上的接觸孔電連接該第二電極。
  17. 如請求項15之半導體發光裝置，其中該第二絕緣膜係包括聚醯亞胺或無機膜。
  18. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其在該第一主表面側包括藍寶石基板。
  19. 如請求項1或2之半導體發光裝置，其中該第一絕緣層、該第一互連及該第二互連係比藍寶石基板軟。
  20. 一種具有堆疊體的半導體發光裝置之製造方法，該堆疊體包括第一導電型之第一半導體層、第二導電型之第二半導體層及設在該第一半導體層及該第二半導體層之間的發光層，該發光層自第二半導體層側上的第一主表面發射光，該半導體發光裝置之製造方法包含：在該堆疊體之與該第一主表面相反側之第二主表面側面上，形成經由第一電極連接該第一半導體層的第一中間電極及經由第二電極連接該第二半導體層的第二中間電極；在該第一中間電極上形成第一互連，在該第二中間電極上形成第二互連； 在與該第一互連及該第二互連之該第一電極及該第二電極相對側之表面，於平行該第一主表面之俯視上，形成位在第一互連內側內之第一支柱及位在第二互連內側內之第二支柱；形成覆蓋該第一互連、該第二互連、該第一支柱及該第二支柱的第一絕緣層；拋光或磨削該第一絕緣層之表面，並使該第一支柱及該第二支柱在該第一絕緣層之表面露出，形成監測墊；斷開該第一絕緣層、該第一互連及該第二互連，在面向該第一絕緣層之安裝表面之側面，形成黏合墊；斷開該第一絕緣層、該第一互連及該第二互連前，經由該監測墊供電至該堆疊體，進行該半導體發光裝置之特性檢測。
  21. 如請求項20之半導體發光裝置之製造方法，其中該第一支柱及該第二支柱係使用電鍍選擇性地形成。
  22. 如請求項20之半導體發光裝置之製造方法，其中該第一支柱及該第二支柱係藉由磨削該第一互連及該第二互連之表面而形成。
  23. 如請求項20至22任一項之半導體發光裝置之製造方法，其中在該堆疊體之1個排列方向上，相鄰之2個之該堆疊體中之一上設置之該第一電極及該第二電極之配置，係相對於設置在該堆疊體中另一上之該第一電極及該第二電極之配置形成倒置。
  24. 如請求項20之半導體發光裝置之製造方法，其進一步包 括形成電連接該第一電極的第一中間電極及電連接該第二電極的第二中間電極；在該第一中間電極及該第二中間電極彼此面對之側之該第一中間電極之角落，形成凹口；且在該第一中間電極上形成該第一互連，在該第二中間電極上形成該第二互連。
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