JP2020530941A - 表面実装対応可能なvcselアレイ - Google Patents
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- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/18377—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising layers of different kind of materials, e.g. combinations of semiconducting with dielectric or metallic layers
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
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Abstract
Description
本出願は、2017年8月14日に出願された米国仮特許出願第62/545,363に基づいて優先権を主張する。
Claims (60)
- 単一の半導体ダイにおける垂直共振器面発光レーザ又は他の半導体発光デバイスのアレイであって、
共振器内接触層及び分布ブラッグ反射器(DBR)であって、前記共振器内接触層は、半導体ウェーハをわたる横方向の伝導を可能にするように構成されている、前記共振器内接触層及び分布ブラッグ反射器(DBR)と、
前記共振器内接触層の上の層をエッチングすることによって作製され複数のメサであって、前記複数のメサのp-n接合領域が分離され、前記共振器内接触層の表面への電気的接触を作製するために前記共振器内接触層が露出されるように作製され、前記複数のメサのうち一部が短絡メサであって、前記短絡メサは、短絡メサ構造の上部及び側面に堆積された金属によって電気的に短絡され、電流が各短絡メサの各p-n接合領域を短絡して流れ、直接に前記共振器内接触層上の接触金属へ流れ、前記複数のメサのうち一部がレーザメサであって、前記レーザメサは、各レーザメサ構造の上部に電気的接触を有し、前記レーザメサ構造の側面において、誘電体層によって絶縁されており、前記誘電体層は、各レーザメサの各p-n接合領域の短絡を防ぎ、電流が各前記レーザメサの各p-n接合領域を通って流れることによって光を放出する、前記複数のメサと、
前記共振器内接触層上に堆積された金属接触であって、前記共振器内接触層内の電流拡散損失を低減するように、各前記レーザメサの付近から電流を横方向に伝導して前記短絡メサに接続するように構成された、前記共振器内接触層上に堆積された金属接触と、
第1の厚い金属コーティングであって、前記レーザメサの上に適用され、腐食に対する保護と、追加のヒートシンクと、第1の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第1の厚い金属コーティングと、
第2の厚い金属コーティングであって、前記短絡メサの上に適用され、前記金属接触と重なって、前記短絡メサと前記共振器内接触層との間の電気接続と、第2の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第2の厚い金属コーティングと、
を備え、
前記金属でカバーされたメサにより、前記半導体ウェーハの一方の側に前記半導体ウェーハの反対側から光が放射されて陽極接触と陰極接触が作製され、
前記一方の側は、堆積された絶縁材料を使用する平坦化プロセスが行われ、2つ以上のパターン化金属パッドが設けられ、第1のパターン化金属パッドは、2つ以上の前記短絡メサの陰極接触間に第1の平面電気相互接続を提供し、第2のパターン化金属パッドは、1つ以上のレーザメサの陽極接触に第2の平面電気相互接続を提供し、前記第1の平面電気相互接続は、前記第2の平面相互接続から分離されており、
前記一方の側は、半導体ウェーハから半導体ダイを個片化した後に、追加のパッケージングを利用する必要なく、表面実装部品として、直接にプリント回路基板にはんだ付けされるように構成されている、
アレイ。 - トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、機械的に又は化学的に薄くされた基板と、反射防止コーティングとを含む、請求項1に記載のアレイ。
- 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされたレンズを有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、各レンズのレンズプロファイル及びオフセットを選択することによって変更可能であり、
前記オフセットは、各レンズのアライメントを、対応するレーザメサのレーザ軸から変更させる、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされた回折光学素子を有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、前記回折光学素子によって変更可能であり、
前記光ビームの特性は、発散と、形状と、方向とを含む、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサの前記開口部に整列して基板内にエッチングされたビアを有する基板を含み、
レーザ透過中に前記基板に吸収される波長において、低損失動作のために基板吸収を低減させる、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、機械的支持のために結合可能な透明な支持基板に置き換えられる、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、光ビームの特性が変更可能なように、前記レーザメサと整列されたレンズ又は他の回折表面を含み、
前記光ビームの特性は、発散、形状、及び方向のうちの1つ又は複数を含む、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングを含む、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、凸面又は凹面のレンズ表面と、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングとを含む、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、交換用の支持基板に置き換えられ、
前記交換用の支持基板は、ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体を含み、前記ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体は、前記共振器内接触層の表面に結合されてVCSEL励起固体レーザアレイを提供することができる反射コーティングを有する、
請求項1に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッド上の電気的接触として設けられた導電性金属パッド、ポスト、又はバンプを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記導電性金属パッド、ポスト、又はバンプがはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項1に記載のアレイ。 - 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触との表面に対する予め錫メッキを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項12に記載のアレイ。
- 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触とにはんだボールを予め取り付けることを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項12に記載のアレイ。
- 第2の誘電体平坦化層を更に備え、
前記第2の誘電体平坦化層は、前記陽極接触及び前記陰極接触に適用され、前記陽極接触及び前記陰極接触の露出面又はそれらへの電気接続を保護し、更なる機械的支持を提供し、前記陽極接触と前記陰極接触との間の空間の汚染、並びに前記陽極接触及び前記陰極接触への電気接続間の空間の汚染を防止する、
請求項1に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッドに対するはんだ濡れを制限するように、片側のパターン化金属パッドにパターン化はんだ濡れバリアを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記2つ以上のパターン化金属パッドをはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記陽極接触及び前記陰極接触の表面に予め錫メッキされたはんだを更に含む、請求項16に記載のアレイ。
- 前記陽極接触及び前記陰極接触に予め取り付けられたはんだボールを更に含む、請求項16に記載のアレイ。
- トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項16に記載のアレイ。 - 腐食防止と、共通のはんだからの拡散防止のために、少なくとも2つ以上のパターン化金属パッドの上の保護金属コーティングを更に含む、請求項1に記載のアレイ。
- 単一の半導体ダイにおける垂直共振器面発光レーザ又は他の半導体発光デバイスのアレイであって、
半導体ウェーハ上に配置された第1の共振器内接触層及び第1の成長分布ブラッグ反射器(DBR)であって、前記第1の共振器内接触層は、前記半導体ウェーハをわたる横方向の伝導を可能にするように構成されている、前記第1の共振器内接触層及び第1の成長分布ブラッグ反射器(DBR)と、
反射率を下げるように構成された、後成長の第2のDBRと、
前記第2のDBRの上に配置された第2の共振器内接触層と、
前記第2の共振器内接触層上に作製された環状オーミック接触であって、前記環状オーミック接触は、レーザ開口の過剰な回折損失を引き起こさないように、適切なサイズの開口部を有する、前記環状オーミック接触と、
前記環状オーミック接触の前記開口部に堆積された一連の誘電体又は金属層であって、レーザ共振器の一部又は共鳴LED共振器として使用される場合に、第2のDBRの反射率を高めるように構成され、前記環状オーミック接触の表面を露出するようにパターン化された、前記一連の誘電体又は金属層と、
前記第2の共振器内接触層の上の層をエッチングすることによって作製され複数のメサであって、前記複数のメサのp-n接合領域が分離され、前記第2の共振器内接触層の表面への電気的接触を作製するために前記第2の共振器内接触層が露出されるように作製され、前記複数のメサのうち一部が短絡メサであって、前記短絡メサは、短絡メサ構造の上部及び側面に堆積された金属によって電気的に短絡され、電流が各短絡メサの各p-n接合領域を短絡して流れ、直接に前記共振器内接触層上の接触金属へ流れ、前記複数のメサのうち一部がレーザメサであって、前記レーザメサは、各レーザメサ構造の上部に電気的接触を有し、前記レーザメサ構造の側面において、誘電体層によって絶縁されており、前記誘電体層は、各レーザメサの各p-n接合領域の短絡を防ぎ、電流が各前記レーザメサの各p-n接合領域を通って流れることによって光を放出する、前記複数のメサと、
前記第2の共振器内接触層上に堆積された金属接触であって、前記第2の共振器内接触層内の電流拡散損失を低減するように、各前記レーザメサの付近から電流を横方向に伝導して前記短絡メサに接続するように構成された、前記共振器内接触層上に堆積された金属接触と、
第1の厚い金属コーティングであって、前記レーザメサの上に適用され、腐食に対する保護と、追加のヒートシンクと、第1の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第1の厚い金属コーティングと、
第2の厚い金属コーティングであって、前記短絡メサの上に適用され、前記金属接触と重なって、前記短絡メサと前記第2の共振器内接触層との間の電気接続と、第2の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第2の厚い金属コーティングと、
を備え、
前記金属でカバーされたメサにより、前記半導体ウェーハの一方の側に前記半導体ウェーハの反対側から光が放射されて陽極接触と陰極接触が作製され、
前記一方の側は、堆積された絶縁材料を使用する平坦化プロセスが行われ、2つ以上のパターン化金属パッドが設けられ、第1のパターン化金属パッドは、2つ以上の前記短絡メサの陰極接触間に第1の平面電気相互接続を提供し、第2のパターン化金属パッドは、1つ以上のレーザメサの陽極接触に第2の平面電気相互接続を提供し、前記第1の平面電気相互接続は、前記第2の平面相互接続から分離されており、
前記一方の側は、半導体ウェーハから半導体ダイを個片化した後に、追加のパッケージングを利用する必要なく、表面実装部品として、直接にプリント回路基板にはんだ付けされるように構成されている、
アレイ。 - トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記第2の共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、機械的に又は化学的に薄くされた基板と、反射防止コーティングとを含む、請求項21に記載のアレイ。
- 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされたレンズを有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、各レンズのレンズプロファイル及びオフセットを選択することによって変更可能であり、
前記オフセットは、各レンズのアライメントを、対応するレーザメサのレーザ軸から変更させる、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされた回折光学素子を有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、前記回折光学素子によって変更可能であり、
前記光ビームの特性は、発散と、形状と、方向とを含む、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサの前記開口部に整列して基板内にエッチングされたビアを有する基板を含み、
レーザ透過中に前記基板に吸収される波長において、低損失動作のために基板吸収を低減させる、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、機械的支持のために結合可能な透明な支持基板に置き換えられる、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、光ビームの特性が変更可能なように、前記レーザメサと整列されたレンズ又は他の回折表面を含み、
前記光ビームの特性は、発散、形状、及び方向のうちの1つ又は複数を含む、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングを含む、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、凸面又は凹面のレンズ表面と、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングとを含む、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、交換用の支持基板に置き換えられ、
前記交換用の支持基板は、ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体を含み、前記ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体は、前記第2の共振器内接触層の表面に結合されてVCSEL励起固体レーザアレイを提供することができる反射コーティングを有する、
請求項21に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッド上の電気的接触として設けられた導電性金属パッド、ポスト、又はバンプを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記導電性金属パッド、ポスト、又はバンプがはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項21に記載のアレイ。 - 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触との表面に対する予め錫メッキを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項32に記載のアレイ。
- 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触とにはんだボールを予め取り付けることを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項32に記載のアレイ。
- 第2の誘電体平坦化層を更に備え、
前記第2の誘電体平坦化層は、前記陽極接触及び前記陰極接触に適用され、前記陽極接触及び前記陰極接触の露出面又はそれらへの電気接続を保護し、更なる機械的支持を提供し、前記陽極接触と前記陰極接触との間の空間の汚染、並びに前記陽極接触及び前記陰極接触への電気接続間の空間の汚染を防止する、
請求項21に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッドに対するはんだ濡れを制限するように、片側のパターン化金属パッドにパターン化はんだ濡れバリアを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記2つ以上のパターン化金属パッドをはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項21に記載のアレイ。 - 前記陽極接触及び前記陰極接触の表面に予め錫メッキされたはんだを更に含む、請求項36に記載のアレイ。
- 前記陽極接触及び前記陰極接触に予め取り付けられたはんだボールを更に含む、請求項36に記載のアレイ。
- トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項36に記載のアレイ。 - 腐食防止と、共通のはんだからの拡散防止のために、少なくとも2つ以上のパターン化金属パッドの上の保護金属コーティングを更に含む、請求項21に記載のアレイ。
- 単一の半導体ダイにおける垂直共振器面発光レーザ又は他の半導体発光デバイスのアレイであって、
半導体ウェーハ上に配置された第1の共振器内接触層及び成長分布ブラッグ反射器(DBR)であって、前記第1の共振器内接触層は、前記半導体ウェーハをわたる横方向の伝導を可能にするように構成されている、前記第1の共振器内接触層及び成長分布ブラッグ反射器(DBR)と、
前記DBRの上に配置された第2の共振器内接触層と、
前記第2の共振器内接触層上に作製された環状オーミック接触であって、前記環状オーミック接触は、レーザ開口の過剰な回折損失を引き起こさないように、適切なサイズの開口部を有する、前記環状オーミック接触と、
前記環状オーミック接触の前記開口部に堆積された一連の誘電体又は金属層であって、前記一連の誘電体又は金属層がレーザ共振器の一部又は共鳴LED共振器として使用される場合に、反射率を高めるように構成され、前記環状オーミック接触の表面を露出するようにパターン化された、前記一連の誘電体又は金属層と、
前記第2の共振器内接触層の上の層をエッチングすることによって作製され複数のメサであって、前記複数のメサのp-n接合領域が分離され、前記第2の共振器内接触層の表面への電気的接触を作製するために前記第2の共振器内接触層が露出されるように作製され、前記複数のメサのうち一部が短絡メサであって、前記短絡メサは、短絡メサ構造の上部及び側面に堆積された金属によって電気的に短絡され、電流が各短絡メサの各p-n接合領域を短絡して流れ、直接に前記共振器内接触層上の接触金属へ流れ、前記複数のメサのうち一部がレーザメサであって、前記レーザメサは、各レーザメサ構造の上部に電気的接触を有し、前記レーザメサ構造の側面において、誘電体層によって絶縁されており、前記誘電体層は、各レーザメサの各p-n接合領域の短絡を防ぎ、電流が各前記レーザメサの各p-n接合領域を通って流れることによって光を放出する、前記複数のメサと、
前記第2の共振器内接触層上に堆積された金属接触であって、前記第2の共振器内接触層内の電流拡散損失を低減するように、各前記レーザメサの付近から電流を横方向に伝導して前記短絡メサに接続するように構成された、前記共振器内接触層上に堆積された金属接触と、
第1の厚い金属コーティングであって、前記レーザメサの上に適用され、腐食に対する保護と、追加のヒートシンクと、第1の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第1の厚い金属コーティングと、
第2の厚い金属コーティングであって、前記短絡メサの上に適用され、前記金属接触と重なって、前記短絡メサと前記第2の共振器内接触層との間の電気接続と、第2の頑丈な電気的接触面とを提供する、前記第2の厚い金属コーティングと、
を備え、
前記金属でカバーされたメサにより、前記半導体ウェーハの一方の側に前記半導体ウェーハの反対側から光が放射されて陽極接触と陰極接触が作製され、
前記一方の側は、堆積された絶縁材料を使用する平坦化プロセスが行われ、2つ以上のパターン化金属パッドが設けられ、第1のパターン化金属パッドは、2つ以上の前記短絡メサの陰極接触間に第1の平面電気相互接続を提供し、第2のパターン化金属パッドは、1つ以上のレーザメサの陽極接触に第2の平面電気相互接続を提供し、前記第1の平面電気相互接続は、前記第2の平面相互接続から分離されており、
前記一方の側は、半導体ウェーハから半導体ダイを個片化した後に、追加のパッケージングを利用する必要なく、表面実装部品として、直接にプリント回路基板にはんだ付けされるように構成されている、
アレイ。 - トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記第2の共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、機械的に又は化学的に薄くされた基板と、反射防止コーティングとを含む、請求項41に記載のアレイ。
- 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされたレンズを有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、各レンズのレンズプロファイル及びオフセットを選択することによって変更可能であり、
前記オフセットは、各レンズのアライメントを、対応するレーザメサのレーザ軸から変更させる、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサと整列して基板内にエッチングされた回折光学素子を有する基板を含み、
各レーザメサの光ビームの特性は、前記回折光学素子によって変更可能であり、
前記光ビームの特性は、発散と、形状と、方向とを含む、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは、前記レーザメサの前記開口部に整列して基板内にエッチングされたビアを有する基板を含み、
レーザ透過中に前記基板に吸収される波長において、低損失動作のために基板吸収を低減させる、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、機械的支持のために結合可能な透明な支持基板に置き換えられる、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、光ビームの特性が変更可能なように、前記レーザメサと整列されたレンズ又は他の回折表面を含み、
前記光ビームの特性は、発散、形状、及び方向のうちの1つ又は複数を含む、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングを含む、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、透明な支持基板に置き換えられ、
前記透明な支持基板は、凸面又は凹面のレンズ表面と、前記共振器内接触層の表面に結合されて各レーザメサの外部レーザ共振器を提供することができる反射コーティングとを含む、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記半導体ウェーハは基板を含み、
前記基板は、機械的及び化学的手段によって除去され、交換用の支持基板に置き換えられ、
前記交換用の支持基板は、ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体を含み、前記ガラス又は結晶構造の固体レーザ利得媒体は、前記第2の共振器内接触層の表面に結合されてVCSEL励起固体レーザアレイを提供することができる反射コーティングを有する、
請求項41に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッド上の電気的接触として設けられた導電性金属パッド、ポスト、又はバンプを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記導電性金属パッド、ポスト、又はバンプがはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項41に記載のアレイ。 - 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触との表面に対する予め錫メッキを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項52に記載のアレイ。
- 金属間拡散の防止、及び前記陽極接触と前記陰極接触とにはんだボールを予め取り付けることを回避するために、前記陽極接触及び前記陰極接触におけるアンダーバンプメタライゼーションを更に含む、請求項52に記載のアレイ。
- 第2の誘電体平坦化層を更に備え、
前記第2の誘電体平坦化層は、前記陽極接触及び前記陰極接触に適用され、前記陽極接触及び前記陰極接触の露出面又はそれらへの電気接続を保護し、更なる機械的支持を提供し、前記陽極接触と前記陰極接触との間の空間の汚染、並びに前記陽極接触及び前記陰極接触への電気接続間の空間の汚染を防止する、
請求項41に記載のアレイ。 - 2つ以上のパターン化金属パッドに対するはんだ濡れを制限するように、片側のパターン化金属パッドにパターン化はんだ濡れバリアを更に含み、
2つ以上のパターン化金属パッドは、従来のプリント回路製造技術において、前記2つ以上のパターン化金属パッドをはんだパッドとして利用可能なように、サイズ、ピッチ、及び高さを有する、
請求項41に記載のアレイ。 - 前記陽極接触及び前記陰極接触の表面に予め錫メッキされたはんだを更に含む、請求項56に記載のアレイ。
- 前記陽極接触及び前記陰極接触に予め取り付けられたはんだボールを更に含む、請求項56に記載のアレイ。
- トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせを更に備え、
前記トレンチ、又は打ち込み領域、又はそれらの組み合わせは、前記共振器内接触層の領域を非導電性にすることにより、複数のメサのうちの1つ以上のレーザメサと1つ以上の短絡メサとを他のメサから電気的に隔離し、
前記2つ以上のパターン化金属パッドが、平坦化後にパターン化され、隔離された前記メサは、プリント回路基板の金属ポスト又はバンプを介して別々に電気的接触可能である、
請求項56に記載のアレイ。 - 腐食防止と、共通のはんだからの拡散防止のために、少なくとも2つ以上のパターン化金属パッドの上の保護金属コーティングを更に含む、請求項21に記載のアレイ。
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