JP3124415B2 - 受発光一体型光半導体装置 - Google Patents
受発光一体型光半導体装置Info
- Publication number
- JP3124415B2 JP3124415B2 JP14999093A JP14999093A JP3124415B2 JP 3124415 B2 JP3124415 B2 JP 3124415B2 JP 14999093 A JP14999093 A JP 14999093A JP 14999093 A JP14999093 A JP 14999093A JP 3124415 B2 JP3124415 B2 JP 3124415B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light receiving
- emitting
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、受発光一体型光半導体
装置に関し、詳しくは発光素子例えば発光ダイオード
（ＬＥＤ）と受光素子例えばフォトダイオードとが一体
化されてなる受発光一体型光半導体装置に関する。
装置に関し、詳しくは発光素子例えば発光ダイオード
（ＬＥＤ）と受光素子例えばフォトダイオードとが一体
化されてなる受発光一体型光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置は、これまで光センサ、デ
ィスプレイの分野で主として用いられてきたが、近年に
おいては光通信用に用いられるようになり、その応用範
囲がさまざま分野に拡がりつつある。
ィスプレイの分野で主として用いられてきたが、近年に
おいては光通信用に用いられるようになり、その応用範
囲がさまざま分野に拡がりつつある。
【０００３】図４は、光通信用に使用される受発光一体
型光半導体装置の一例であって、Ｓｉを用いたＰＩＮフ
ォトダイオードからなる受光素子Ａの上にＧａＡｌＡｓ
発光ダイオードからなる発光素子Ｂが接着されており、
ワンパッケージ内に発光機能と受光機能とを有している
ものである。図４において、１はＮ型ＧａＡｌＡｓ基板
層、２はＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３は発光部とし
てのＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層、４はＰ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層、５はＮ型ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層、６はＺｎ
拡散層、７はＰ型電極、８Ａ，８Ｂは無反射膜、９はＮ
型電極、１０は発光窓としての光取り出し窓、１１はＮ
型Ｓｉ高比抵抗層、１２はＮ型Ｓｉ基盤、１３はチャネ
ルストッパー、１４は受光部としての受光領域、１５は
Ｐ型電極、１６はＮ型電極、１７は接着電極である。
型光半導体装置の一例であって、Ｓｉを用いたＰＩＮフ
ォトダイオードからなる受光素子Ａの上にＧａＡｌＡｓ
発光ダイオードからなる発光素子Ｂが接着されており、
ワンパッケージ内に発光機能と受光機能とを有している
ものである。図４において、１はＮ型ＧａＡｌＡｓ基板
層、２はＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３は発光部とし
てのＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層、４はＰ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層、５はＮ型ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層、６はＺｎ
拡散層、７はＰ型電極、８Ａ，８Ｂは無反射膜、９はＮ
型電極、１０は発光窓としての光取り出し窓、１１はＮ
型Ｓｉ高比抵抗層、１２はＮ型Ｓｉ基盤、１３はチャネ
ルストッパー、１４は受光部としての受光領域、１５は
Ｐ型電極、１６はＮ型電極、１７は接着電極である。
【０００４】このような受発光一体型光半導体装置を用
いると１本の光ファイバにより双方向のデータ伝送が可
能になるので、今後、受発光一体型光半導体装置は幅広
い範囲に応用されるものと考えられる。
いると１本の光ファイバにより双方向のデータ伝送が可
能になるので、今後、受発光一体型光半導体装置は幅広
い範囲に応用されるものと考えられる。
【０００５】以下、上記構造の受発光一体型光半導体装
置の製造方法について説明する。
置の製造方法について説明する。
【０００６】まず、発光素子Ｂの製造方法について説明
する。
する。
【０００７】液相成長法により図示していないＮ型Ｇａ
Ａｓ基板上にＮ型ＧａＡｌＡｓ基板層１、Ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３、Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層４、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層
５を連続的に成長する。その後、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ電流
狭窄層５の一部分を直径３０μｍに亘って選択的に除去
した後、Ｚｎの拡散を行なって高濃度不純物領域６を形
成する。その後、高濃度不純物領域６の上にＰ型電極７
を形成した後、該Ｐ型電極７の上に無反射膜８ＡをＣＶ
Ｄ法により作成する。その後、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板を
完全に除去した後、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ基板層１にＮ型電
極９を形成する。Ｎ型電極９の電極材料には、ＡｕＧｅ
Ｎｉ合金及びＡｕを使用する。その後、光取り出し窓１
０をエッチングにより形成した後、合金処理を行なう。
Ａｓ基板上にＮ型ＧａＡｌＡｓ基板層１、Ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層２、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３、Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層４、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ電流狭窄層
５を連続的に成長する。その後、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ電流
狭窄層５の一部分を直径３０μｍに亘って選択的に除去
した後、Ｚｎの拡散を行なって高濃度不純物領域６を形
成する。その後、高濃度不純物領域６の上にＰ型電極７
を形成した後、該Ｐ型電極７の上に無反射膜８ＡをＣＶ
Ｄ法により作成する。その後、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板を
完全に除去した後、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ基板層１にＮ型電
極９を形成する。Ｎ型電極９の電極材料には、ＡｕＧｅ
Ｎｉ合金及びＡｕを使用する。その後、光取り出し窓１
０をエッチングにより形成した後、合金処理を行なう。
【０００８】次に、受光素子Ａの製造方法について説明
する。
する。
【０００９】高比抵抗層１１を有するＮ型Ｓｉ基盤１２
にチャネルストッパー１３を作製した後、高比抵抗層１
１にボロンを拡散してＰ+ 層からなる受光領域１４を形
成する。その後、Ｐ型電極１５及びＮ型電極１６をそれ
ぞれ形成した後に、受光部分に無反射膜８Ｂを形成す
る。
にチャネルストッパー１３を作製した後、高比抵抗層１
１にボロンを拡散してＰ+ 層からなる受光領域１４を形
成する。その後、Ｐ型電極１５及びＮ型電極１６をそれ
ぞれ形成した後に、受光部分に無反射膜８Ｂを形成す
る。
【００１０】次に、発光素子Ｂと受光素子Ａとを接着金
属１７により接着する。接着金属１７としてはＳｎ、Ａ
ｕＳｎ合金及びＡｕを使用し、接着パターンは受光領域
１４の環状の周辺部の全周である。
属１７により接着する。接着金属１７としてはＳｎ、Ａ
ｕＳｎ合金及びＡｕを使用し、接着パターンは受光領域
１４の環状の周辺部の全周である。
【００１１】ところで、上記のような構造を有する受発
光一体型光半導体装置において重要な課題は次の２点で
ある。すなわち、第１は受光素子Ａと発光素子Ｂとの中
心精度の確保であり、第２は受光素子Ａと発光素子Ｂと
の接着性の問題である。
光一体型光半導体装置において重要な課題は次の２点で
ある。すなわち、第１は受光素子Ａと発光素子Ｂとの中
心精度の確保であり、第２は受光素子Ａと発光素子Ｂと
の接着性の問題である。
【００１２】前者の組立中心精度は受発光一体型光半導
体装置素子の特性を決める重要な要因であり、発光素子
Ｂの発光部の中心軸と受光素子Ａの受光部の中心軸とが
一致していないと、両者の間に光軸ズレが生じ、充分な
光出力及び受光感度が得られず、特性不良になる。とこ
ろが、近年、組立装置の高精度化及び自動化により組立
中心精度は大幅に改善され、著しく向上している。
体装置素子の特性を決める重要な要因であり、発光素子
Ｂの発光部の中心軸と受光素子Ａの受光部の中心軸とが
一致していないと、両者の間に光軸ズレが生じ、充分な
光出力及び受光感度が得られず、特性不良になる。とこ
ろが、近年、組立装置の高精度化及び自動化により組立
中心精度は大幅に改善され、著しく向上している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接着性
という点については受発光一体型光半導体装置の製造工
程や組立工程の点で未解決の問題点が多い。すなわち、
受発光一体型光半導体装置の信頼性は、組立ロットによ
って良否の差が大きいという問題を有している。これ
は、受光素子Ａと発光素子Ｂとが異なる材質で形成され
ているため、両者の熱膨張係数が異なり、このため、充
分な接着強度を得るために行われる熱圧着方法により受
発光一体型光半導体装置に大きな接着ストレスが加わる
ので、該接着ストレスが受発光一体型光半導体装置の寿
命に大きな影響を与えるためである。図４からも明らか
なように、受発光一体型光半導体装置においては、発光
素子Ｂの発光部を透過した光を下方に存在する受光素子
Ａの受光領域で受光する。このため、通常行なわれてい
る発光素子をサブマウントに接着するような全面接着方
法を採用することができず、受光領域の周辺部の環状の
接着領域において両者を接着せざるを得ない。
という点については受発光一体型光半導体装置の製造工
程や組立工程の点で未解決の問題点が多い。すなわち、
受発光一体型光半導体装置の信頼性は、組立ロットによ
って良否の差が大きいという問題を有している。これ
は、受光素子Ａと発光素子Ｂとが異なる材質で形成され
ているため、両者の熱膨張係数が異なり、このため、充
分な接着強度を得るために行われる熱圧着方法により受
発光一体型光半導体装置に大きな接着ストレスが加わる
ので、該接着ストレスが受発光一体型光半導体装置の寿
命に大きな影響を与えるためである。図４からも明らか
なように、受発光一体型光半導体装置においては、発光
素子Ｂの発光部を透過した光を下方に存在する受光素子
Ａの受光領域で受光する。このため、通常行なわれてい
る発光素子をサブマウントに接着するような全面接着方
法を採用することができず、受光領域の周辺部の環状の
接着領域において両者を接着せざるを得ない。
【００１４】ところで、受光領域の周辺部の環状の接着
領域による組立工法によって得られる受発光一体型光半
導体装置においては、応力解析の結果、受光部及び発光
部の各環状の周辺部に、熱膨張係数の差に起因する接着
応力が集中することが分かった。図４から分かるよう
に、特に発光部は応力集中部の近傍に位置しているため
熱膨張係数の差に起因する接着応力の影響を受けやす
い。実際に数種類の受発光一体型光半導体装置を組立て
て通電試験を行なったところ、発光部に明らかに大きな
接着応力が加わっており、該接着応力が受発光一体型光
半導体装置の寿命や信頼性に大きな影響を及ぼすことが
判明した。
領域による組立工法によって得られる受発光一体型光半
導体装置においては、応力解析の結果、受光部及び発光
部の各環状の周辺部に、熱膨張係数の差に起因する接着
応力が集中することが分かった。図４から分かるよう
に、特に発光部は応力集中部の近傍に位置しているため
熱膨張係数の差に起因する接着応力の影響を受けやす
い。実際に数種類の受発光一体型光半導体装置を組立て
て通電試験を行なったところ、発光部に明らかに大きな
接着応力が加わっており、該接着応力が受発光一体型光
半導体装置の寿命や信頼性に大きな影響を及ぼすことが
判明した。
【００１５】上記に鑑み、本発明は、熱圧着工程で導入
される接着応力を可能な限り低減することにより、信頼
性の高い受発光一体型光半導体装置を実現することを目
的とする。
される接着応力を可能な限り低減することにより、信頼
性の高い受発光一体型光半導体装置を実現することを目
的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、発光素子と受光素子とを、受光部の周辺
部の環状の領域の全周に亘って接着するのではなく、充
分な接着強度を確保した上で受光部の環状の周辺部から
開放部が除かれた非環状の領域において接着するもので
ある。
め、本発明は、発光素子と受光素子とを、受光部の周辺
部の環状の領域の全周に亘って接着するのではなく、充
分な接着強度を確保した上で受光部の環状の周辺部から
開放部が除かれた非環状の領域において接着するもので
ある。
【００１７】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、光を発する発光部と該発光部から発せられた光を外
部に出射する発光窓とを有する発光素子と、該発光素子
の発光窓及び発光部を通じて入射した光を受光する受光
部を有する受光素子とからなる受発光一体型光半導体装
置を対象とし、上記発光素子と上記受光素子とは、上記
受光部の環状の周辺部から開放部が除かれてなる非環状
の接着領域において互いに接着されることにより一体化
されている構成とするものである。
は、光を発する発光部と該発光部から発せられた光を外
部に出射する発光窓とを有する発光素子と、該発光素子
の発光窓及び発光部を通じて入射した光を受光する受光
部を有する受光素子とからなる受発光一体型光半導体装
置を対象とし、上記発光素子と上記受光素子とは、上記
受光部の環状の周辺部から開放部が除かれてなる非環状
の接着領域において互いに接着されることにより一体化
されている構成とするものである。
【００１８】請求項２の発明は、発光素子と受光素子と
の接着強度を確保するため、請求項１の構成に、上記発
光素子と上記受光素子とは、上記開放部における上記受
光部から離れた部位に形成された微小面積の補助接着領
域においても互いに接着しているという構成を付加する
ものである。
の接着強度を確保するため、請求項１の構成に、上記発
光素子と上記受光素子とは、上記開放部における上記受
光部から離れた部位に形成された微小面積の補助接着領
域においても互いに接着しているという構成を付加する
ものである。
【００１９】
【作用】請求項１の構成によると、発光素子と受光素子
とは、受光部の環状の周辺部から開放部が除かれてなる
非環状の接着領域において互いに接着されることにより
一体化されているため、熱圧着工程において発光部及び
受光部の各周辺部に加えられた熱は開放部を通って外部
に放散されると共に、接着領域が環状ではないために熱
圧着工程において与えられる接着応力は緩和される。
とは、受光部の環状の周辺部から開放部が除かれてなる
非環状の接着領域において互いに接着されることにより
一体化されているため、熱圧着工程において発光部及び
受光部の各周辺部に加えられた熱は開放部を通って外部
に放散されると共に、接着領域が環状ではないために熱
圧着工程において与えられる接着応力は緩和される。
【００２０】請求項２の構成によると、発光素子と受光
素子とは、受光部の環状の周辺部の開放部における受光
部から離れた部位に形成された微小面積の補助接着領域
においても互いに接着しているため、発光素子と受光素
子とは接着領域及び補助接着領域の２箇所において接着
しているため、発光素子と受光素子との接着強度は向上
している。この場合、補助接着領域は発光部及び受光部
からそれぞれ離れていると共にその面積が小さいので、
開放部からの熱放散は損なわれないと共に熱圧着工程に
おいて与えられる接着応力の緩和に対する影響も少な
い。
素子とは、受光部の環状の周辺部の開放部における受光
部から離れた部位に形成された微小面積の補助接着領域
においても互いに接着しているため、発光素子と受光素
子とは接着領域及び補助接着領域の２箇所において接着
しているため、発光素子と受光素子との接着強度は向上
している。この場合、補助接着領域は発光部及び受光部
からそれぞれ離れていると共にその面積が小さいので、
開放部からの熱放散は損なわれないと共に熱圧着工程に
おいて与えられる接着応力の緩和に対する影響も少な
い。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
尚、本発明に係る受発光一体型光半導体装置を構成する
受光素子Ａ及び発光素子Ｂについては図４に基づき従来
技術の項で説明したものと同じであるから説明は省略す
る。
尚、本発明に係る受発光一体型光半導体装置を構成する
受光素子Ａ及び発光素子Ｂについては図４に基づき従来
技術の項で説明したものと同じであるから説明は省略す
る。
【００２２】受光素子Ａと発光素子Ｂとを接着する接着
金属１７としては従来技術と同様、Ｓｎ、ＡｕＳｎ合金
及びＡｕを使用する。
金属１７としては従来技術と同様、Ｓｎ、ＡｕＳｎ合金
及びＡｕを使用する。
【００２３】図１は本発明の第１実施例に係る接着パタ
ーンを示しており、第１実施例においては、発光素子Ｂ
と受光素子Ａとは、受光領域１４の環状の周辺部から開
放部１９が除かれてなる非環状の接着領域１８において
互いに接着されることにより一体化されている。
ーンを示しており、第１実施例においては、発光素子Ｂ
と受光素子Ａとは、受光領域１４の環状の周辺部から開
放部１９が除かれてなる非環状の接着領域１８において
互いに接着されることにより一体化されている。
【００２４】このような非環状の接着領域１８において
発光素子Ｂと受光素子Ａとを接着すると、熱圧着工程に
おいて発光部及び受光部の各周辺部に加えられた熱は開
放部つまり受光領域１４の周辺部における接着領域１８
が形成されていない領域を通って外部に放散されると共
に、接着領域１８が環状ではないために熱圧着工程にお
いて与えられる接着応力は緩和される。このため、上記
形状の接着領域１８を採用すると、発明が解決しようと
する課題の項で説明した発光部近傍での応力集中は起こ
らず、熱圧着工程での余分な接着応力の導入を阻止で
き、信頼性に優れた受発光一体型光半導体装置を実現す
ることができる。
発光素子Ｂと受光素子Ａとを接着すると、熱圧着工程に
おいて発光部及び受光部の各周辺部に加えられた熱は開
放部つまり受光領域１４の周辺部における接着領域１８
が形成されていない領域を通って外部に放散されると共
に、接着領域１８が環状ではないために熱圧着工程にお
いて与えられる接着応力は緩和される。このため、上記
形状の接着領域１８を採用すると、発明が解決しようと
する課題の項で説明した発光部近傍での応力集中は起こ
らず、熱圧着工程での余分な接着応力の導入を阻止で
き、信頼性に優れた受発光一体型光半導体装置を実現す
ることができる。
【００２５】図３は、上記第１実施例の接着パターンを
有する受発光一体型光半導体装置と従来の接着パターン
を有する受発光一体型光半導体装置との通電特性を比較
した図である。同図に示すように、本発明の接着パター
ンを有する受発光一体型光半導体装置は、従来の接着パ
ターンを有する受発光一体型光半導体装置に比べて良好
な特性を有している。また、受発光一体型光半導体装置
の良品選別工程における歩留りも、本発明の接着パター
ンを有するものの方が従来の接着パターンを有するもの
に比べて約４０％高い。さらに、組立ロット毎の変動も
少なく、極めて安定した組立歩留りが得られた。
有する受発光一体型光半導体装置と従来の接着パターン
を有する受発光一体型光半導体装置との通電特性を比較
した図である。同図に示すように、本発明の接着パター
ンを有する受発光一体型光半導体装置は、従来の接着パ
ターンを有する受発光一体型光半導体装置に比べて良好
な特性を有している。また、受発光一体型光半導体装置
の良品選別工程における歩留りも、本発明の接着パター
ンを有するものの方が従来の接着パターンを有するもの
に比べて約４０％高い。さらに、組立ロット毎の変動も
少なく、極めて安定した組立歩留りが得られた。
【００２６】図２は本発明の第２実施例に係る接着パタ
ーンを示しており、第２実施例においては、発光素子Ｂ
と受光素子Ａとは、開放部１９における受光領域１４か
ら離れた部位に形成された微小面積の補助接着領域２０
においても互いに接着している。
ーンを示しており、第２実施例においては、発光素子Ｂ
と受光素子Ａとは、開放部１９における受光領域１４か
ら離れた部位に形成された微小面積の補助接着領域２０
においても互いに接着している。
【００２７】この場合、補助接着領域２０の大きさ及び
位置は、振動や衝撃時において生じる発光素子Ｂと受光
素子Ａとの相対的な回転力を吸収することにより両者の
接着強度が確保でき、接着応力が集中しないように配慮
されていればよい。本第２実施例の場合には、受光領域
１４の中心よりも約３００μｍ離れた位置に、６０μｍ
角の正方形の補助接着領域２０を形成した。
位置は、振動や衝撃時において生じる発光素子Ｂと受光
素子Ａとの相対的な回転力を吸収することにより両者の
接着強度が確保でき、接着応力が集中しないように配慮
されていればよい。本第２実施例の場合には、受光領域
１４の中心よりも約３００μｍ離れた位置に、６０μｍ
角の正方形の補助接着領域２０を形成した。
【００２８】このように、補助接着領域２０においても
発光素子Ｂと受光素子Ａとを接着すると、発光素子Ｂと
受光素子Ａとは接着領域１８及び補助接着領域２０の２
箇所において接着しているため、発光素子Ｂと受光素子
Ａとの接着強度は向上している。
発光素子Ｂと受光素子Ａとを接着すると、発光素子Ｂと
受光素子Ａとは接着領域１８及び補助接着領域２０の２
箇所において接着しているため、発光素子Ｂと受光素子
Ａとの接着強度は向上している。
【００２９】尚、第２実施例においても、受発光一体型
光半導体装置の通電特性及び良品選別工程における歩留
りについては、第１実施例と同様の優れた特性を得るこ
とができた。
光半導体装置の通電特性及び良品選別工程における歩留
りについては、第１実施例と同様の優れた特性を得るこ
とができた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る受発光一体型光半導体装置によると、発光素子と受
光素子とは、受光部の環状の周辺部から開放部が除かれ
てなる非環状の接着領域において互いに接着されている
ため、熱圧着工程において発光部及び受光部の各周辺部
に加えられた熱が開放部を通って外部に放散されると共
に接着領域が環状ではないために熱圧着工程において与
えられる接着応力は緩和される。
係る受発光一体型光半導体装置によると、発光素子と受
光素子とは、受光部の環状の周辺部から開放部が除かれ
てなる非環状の接着領域において互いに接着されている
ため、熱圧着工程において発光部及び受光部の各周辺部
に加えられた熱が開放部を通って外部に放散されると共
に接着領域が環状ではないために熱圧着工程において与
えられる接着応力は緩和される。
【００３１】このため、請求項１の発明によると、発光
素子には接着時の余分な接着応力は与えられず、接着性
及び放熱特性に優れた受発光一体型光半導体装置を再現
性良く実現でき、受発光一体型光半導体装置の長寿命化
及び高信頼化を達成することが可能になる。
素子には接着時の余分な接着応力は与えられず、接着性
及び放熱特性に優れた受発光一体型光半導体装置を再現
性良く実現でき、受発光一体型光半導体装置の長寿命化
及び高信頼化を達成することが可能になる。
【００３２】請求項２の発明に係る受発光一体型光半導
体装置によると、発光素子と受光素子とは、接着領域部
及び補助接着領域の２箇所において接着されているた
め、発光素子と受光素子との接着強度は向上している。
体装置によると、発光素子と受光素子とは、接着領域部
及び補助接着領域の２箇所において接着されているた
め、発光素子と受光素子との接着強度は向上している。
【００３３】このため、請求項２の発明によると、請求
項１の発明の効果に加えて、振動や衝撃等の機械的な外
的環境要因に対して強く耐久性に優れた受発光一体型光
半導体装置素子を提供できる。
項１の発明の効果に加えて、振動や衝撃等の機械的な外
的環境要因に対して強く耐久性に優れた受発光一体型光
半導体装置素子を提供できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る受発光一体型光半導
体装置の接着パターンを示す図である。
体装置の接着パターンを示す図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る受発光一体型光半導
体装置の接着パターンを示す図である。
体装置の接着パターンを示す図である。
【図３】上記第１実施例に係る受発光一体型光半導体装
置及び従来の受発光一体型光半導体装置の通電特性を示
す図である。
置及び従来の受発光一体型光半導体装置の通電特性を示
す図である。
【図４】従来の受発光一体型光半導体装置の構造を示す
断面図である。
断面図である。
１ Ｎ型ＧａＡｌＡｓ基板層 ２ Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ３ Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層（発光部） ４ Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ５ Ｎ型ＧａＡｌＡｓ狭窄層 ６ Ｚｎ拡散層 ７ Ｐ型電極 ８Ａ，８Ｂ 無反射膜 ９ Ｎ型電極 １０ 光取り出し窓（発光窓） １１ Ｎ型Ｓｉ高比抵抗層 １２ Ｎ型Ｓｉ基盤 １３ チャネルストッパー １４ 受光領域（受光部） １５ Ｐ型電極 １６ Ｎ型電極 １７ 接着金属 １８ 接着領域 １９ 開放部 ２０ 補助接着領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田代 博志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 出口 泰敏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 石黒 永孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−151084（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−272082（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/12 H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50 H01L 27/15
Claims (2)
- 【請求項１】 光を発する発光部と該発光部から発せら
れた光を外部に出射する発光窓とを有する発光素子と、
該発光素子の発光窓及び発光部を通じて入射した光を受
光する受光部を有する受光素子とからなる受発光一体型
光半導体装置であって、上記発光素子と上記受光素子と
は、上記受光部の環状の周辺部から開放部が除かれてな
る非環状の接着領域において互いに接着されることによ
り一体化されていることを特徴とする受発光一体型光半
導体装置。 - 【請求項２】 上記発光素子と上記受光素子とは、上記
開放部における上記受光部から離れた部位に形成された
微小面積の補助接着領域においても互いに接着している
ことを特徴とする請求項１に記載の受発光一体型光半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999093A JP3124415B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 受発光一体型光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999093A JP3124415B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 受発光一体型光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715031A JPH0715031A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3124415B2 true JP3124415B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=15487061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14999093A Expired - Fee Related JP3124415B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 受発光一体型光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124415B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5436349B2 (ja) * | 2010-01-30 | 2014-03-05 | 三菱伸銅株式会社 | Ｌｅｄチップとリードフレームとの接合方法 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP14999093A patent/JP3124415B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715031A (ja) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4501637A (en) | LED having self-aligned lens | |
| US7085300B2 (en) | Integral vertical cavity surface emitting laser and power monitor | |
| US6932522B2 (en) | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices | |
| KR100563853B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP3058077B2 (ja) | 半導体受発光装置 | |
| JP4359201B2 (ja) | 光半導体装置、光コネクタおよび電子機器 | |
| US6275513B1 (en) | Hermetically sealed semiconductor laser device | |
| EP0081554B1 (en) | Led having self-aligned lens | |
| JP3124415B2 (ja) | 受発光一体型光半導体装置 | |
| US7057255B2 (en) | Photodiode, optical receiver device including the same, and method of making the photodiode | |
| US5422905A (en) | Closely spaced dual diode lasers | |
| US5959315A (en) | Semiconductor to optical link | |
| JPS63136684A (ja) | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP2616550B2 (ja) | 光モジュール | |
| JP3717623B2 (ja) | 光電子装置およびその製造方法 | |
| JP2595880B2 (ja) | 半導体光結合装置の製造方法 | |
| JP2002368274A (ja) | 発光モジュール及び半導体発光素子 | |
| JPH07174941A (ja) | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 | |
| US20220209496A1 (en) | Methods to apply microlens on small aperture photodetectors and vcsel for high data rate applications | |
| JP2899286B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS63119282A (ja) | 半導体発光素子構造物 | |
| JP2002043677A (ja) | 光素子実装構造及びその実装方法 | |
| JP2002122760A (ja) | フリップチップアセンブリに適した自己整列ファイバーホルダーを具えるモノリシック光子レシーバー | |
| JPH06314847A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0621506A (ja) | 薄型フォトカプラ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001010 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081027 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111027 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |