JP2528020Y2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP2528020Y2 JP2528020Y2 JP1989122742U JP12274289U JP2528020Y2 JP 2528020 Y2 JP2528020 Y2 JP 2528020Y2 JP 1989122742 U JP1989122742 U JP 1989122742U JP 12274289 U JP12274289 U JP 12274289U JP 2528020 Y2 JP2528020 Y2 JP 2528020Y2
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- JP
- Japan
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- individual
- electrodes
- semiconductor laser
- chip
- laser chip
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Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は一方向に複数本のレーザビームを出射する半
導体レーザ装置に関する。
導体レーザ装置に関する。
（ロ）従来の技術 書換可能な光情報機器の光源として例えば実開昭63-8
9273号公報に記載されている如く、複数のレーザ共振器
が並設され、各レーザ共振器からレーザビームを夫々独
立に出射可能な半導体レーザチップを用いた半導体レー
ザ装置が提案されている。
9273号公報に記載されている如く、複数のレーザ共振器
が並設され、各レーザ共振器からレーザビームを夫々独
立に出射可能な半導体レーザチップを用いた半導体レー
ザ装置が提案されている。
一方、半導体レーザチップをヒートシンクに載置固着
する方法として、チップの基板側で載置するジャンクシ
ョンアップ組立法と、チップのエピタキシャル積層側で
載置するジャンクションダウン組立法がある。
する方法として、チップの基板側で載置するジャンクシ
ョンアップ組立法と、チップのエピタキシャル積層側で
載置するジャンクションダウン組立法がある。
従来一方向に複数本のレーザビームを出射可能な半導
体レーザチップにおいては基板側主面に共通駆動電極が
設けられ、エピタキシャル積層側主面に複数のレーザ共
振器に対応した複数の個別駆動電極が設けられており、
斯る半導体レーザチップを用いた半導体レーザ装置で
は、製造の容易性により共通駆動電極側でヒートシンク
に載置するジャンクションアップ組立法が採用されてい
た。
体レーザチップにおいては基板側主面に共通駆動電極が
設けられ、エピタキシャル積層側主面に複数のレーザ共
振器に対応した複数の個別駆動電極が設けられており、
斯る半導体レーザチップを用いた半導体レーザ装置で
は、製造の容易性により共通駆動電極側でヒートシンク
に載置するジャンクションアップ組立法が採用されてい
た。
近年、情報処理の高速化、多様化に伴い、この種半導
体レーザ装置において、レーザビーム数の増加及び高出
力動作が必要とされている。しかし、レーザビームの数
を増やしたり、高出力動作をした場合、半導体レーザチ
ップの発熱量が増加し、その寿命が短くなるため、装置
の信頼性が低下する。そこで半導体レーザチップの放熱
性を向上させるため、放熱性に優れるジャンクションダ
ウン組立法が採用される。
体レーザ装置において、レーザビーム数の増加及び高出
力動作が必要とされている。しかし、レーザビームの数
を増やしたり、高出力動作をした場合、半導体レーザチ
ップの発熱量が増加し、その寿命が短くなるため、装置
の信頼性が低下する。そこで半導体レーザチップの放熱
性を向上させるため、放熱性に優れるジャンクションダ
ウン組立法が採用される。
（ハ）考案が解決しようとする課題 この種半導体レーザ装置においてジャンクションダウ
ン組立法を採用した場合、ヒートシンク上に、半導体レ
ーザチップに設けられた複数の個別駆動電極に対応した
複数の個別引出電極を設け、これらと個別駆動電極との
位置合わせを行わなければならない。しかし乍ら、この
場合個別駆動電極と個別引出電極が半導体レーザチップ
によって隠れるため斯る位置合わせを目視によって行う
ことはできず、正確に位置合わせを行うことは非常に困
難であった。
ン組立法を採用した場合、ヒートシンク上に、半導体レ
ーザチップに設けられた複数の個別駆動電極に対応した
複数の個別引出電極を設け、これらと個別駆動電極との
位置合わせを行わなければならない。しかし乍ら、この
場合個別駆動電極と個別引出電極が半導体レーザチップ
によって隠れるため斯る位置合わせを目視によって行う
ことはできず、正確に位置合わせを行うことは非常に困
難であった。
本考案は、ジャンクションダウン組立法を採用した場
合にも半導体レーザチップの個別駆動電極とヒートシン
クの個別引出電極との位置合わせが正確に且つ容易に行
える半導体レーザ装置を提供することを技術的課題とす
る。
合にも半導体レーザチップの個別駆動電極とヒートシン
クの個別引出電極との位置合わせが正確に且つ容易に行
える半導体レーザ装置を提供することを技術的課題とす
る。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案は、互いに対向する一主面と他主面とを有し、
該主面間に並設された複数のレーザ共振器と、上記一主
面上に複数個並設され、上記複数のレーザ共振器を夫々
独立に駆動する個別駆動電極と、上記他主面上に設けら
れた共通駆動電極と、を備えた半導体レーザチップが、
上記個別駆動電極に対応する複数の個別引出電極を並設
したヒートシンクの一主面上に、上記複数の個別駆動電
極と上記複数の個別引出電極とを夫々対応接続して載置
固着された半導体レーザ装置において、上記複数の個別
引出電極は、内部に並設されている該電極の電極幅、及
び隣接電極間隔を上記個別駆動電極のそれと略同一とす
ると共に、夫々上記半導体レーザチップの外側の上記レ
ーザ共振器長方向に延在し、該複数の個別引出電極の並
設方向における両最外電極の最外端辺間の長さは上記半
導体レーザチップのレーザ共振器並設方向におけるチッ
プ幅よりもわずかに大きく、その差は各個別駆動電極と
各個別引出電極とを位置合わせするためのものであり、
上記個別引出電極の隣接する離間距離の２倍以内である
ことを特徴とする。
該主面間に並設された複数のレーザ共振器と、上記一主
面上に複数個並設され、上記複数のレーザ共振器を夫々
独立に駆動する個別駆動電極と、上記他主面上に設けら
れた共通駆動電極と、を備えた半導体レーザチップが、
上記個別駆動電極に対応する複数の個別引出電極を並設
したヒートシンクの一主面上に、上記複数の個別駆動電
極と上記複数の個別引出電極とを夫々対応接続して載置
固着された半導体レーザ装置において、上記複数の個別
引出電極は、内部に並設されている該電極の電極幅、及
び隣接電極間隔を上記個別駆動電極のそれと略同一とす
ると共に、夫々上記半導体レーザチップの外側の上記レ
ーザ共振器長方向に延在し、該複数の個別引出電極の並
設方向における両最外電極の最外端辺間の長さは上記半
導体レーザチップのレーザ共振器並設方向におけるチッ
プ幅よりもわずかに大きく、その差は各個別駆動電極と
各個別引出電極とを位置合わせするためのものであり、
上記個別引出電極の隣接する離間距離の２倍以内である
ことを特徴とする。
（ホ）作用 本考案装置によれば、ヒートシンク上に形成される複
数の個別引出電極の配列方向における両最外電極の最外
端辺間の長さを半導体レーザチップのチップ幅よりもわ
ずかに大きくなるように形成し、個別引出電極の並設方
向の両端部分が現れるように半導体レーザチップをヒー
トシンク上に配置することによって、半導体レーザチッ
プの個別駆動電極が予め当該個別駆動電極に対応する様
に形成された個別引出電極に自動的に位置合わせされ
る。
数の個別引出電極の配列方向における両最外電極の最外
端辺間の長さを半導体レーザチップのチップ幅よりもわ
ずかに大きくなるように形成し、個別引出電極の並設方
向の両端部分が現れるように半導体レーザチップをヒー
トシンク上に配置することによって、半導体レーザチッ
プの個別駆動電極が予め当該個別駆動電極に対応する様
に形成された個別引出電極に自動的に位置合わせされ
る。
（ヘ）実施例 第１図は本考案装置の一実施例を示し、第１図（ａ）
は半導体レーザチップをそのエピタキシャル積層側から
見た平面図である。図において（１）は半導体レーザチ
ップで、互いに対向する一主面（1a）と図示されない他
主面の間に例えば100μｍ間隔で４個のレーザ共振器（1
c）（1c）…が並設されている。（２）（２）…は各レ
ーザ共振器（1c）（1c）…に対応して半導体レーザチッ
プ（１）のエピタキシャル積層側表面である一主面（1
a）上に並設された個別駆動電極で、各レーザ共振器に
独立して電流を供給する。
は半導体レーザチップをそのエピタキシャル積層側から
見た平面図である。図において（１）は半導体レーザチ
ップで、互いに対向する一主面（1a）と図示されない他
主面の間に例えば100μｍ間隔で４個のレーザ共振器（1
c）（1c）…が並設されている。（２）（２）…は各レ
ーザ共振器（1c）（1c）…に対応して半導体レーザチッ
プ（１）のエピタキシャル積層側表面である一主面（1
a）上に並設された個別駆動電極で、各レーザ共振器に
独立して電流を供給する。
第１図（ｂ）はヒートシンクの平面図を示し、（３）
は絶縁性のヒートシンク、（４）（４）…はヒートシン
ク（３）の半導体レーザチップ（１）載置側表面上に、
当該半導体レーザチップ（１）の個別駆動電極（２）
（２）…に対応して並設されたIn等の融材からなる個別
引出電極である。また個別引出電極（４）（４）…の並
設方向における両最外電極の最外端辺間の長さ（以後単
に電極間長さと略記する）Ｗ′は半導体レーザチップ
（１）のレーザ共振器（1c）並設方向におけるチップ幅
Ｗよりもわずかに大きくなるように形成される。
は絶縁性のヒートシンク、（４）（４）…はヒートシン
ク（３）の半導体レーザチップ（１）載置側表面上に、
当該半導体レーザチップ（１）の個別駆動電極（２）
（２）…に対応して並設されたIn等の融材からなる個別
引出電極である。また個別引出電極（４）（４）…の並
設方向における両最外電極の最外端辺間の長さ（以後単
に電極間長さと略記する）Ｗ′は半導体レーザチップ
（１）のレーザ共振器（1c）並設方向におけるチップ幅
Ｗよりもわずかに大きくなるように形成される。
ここで斯る個別引出電極（４）（４）…の電極間長さ
Ｗ′と半導体レーザチップ（１）のチップ幅Ｗとの差
は、個別駆動電極（２）（２）…の各離間距離ｄの２倍
以内に設定される。これは、個別駆動電極（２）（２）
…と個別引出電極（４）（４）…との位置合わせの際
に、その並列方向のいずれか左右に離間距離ｄ分ずつ許
容できることに基づく。即ち、ずれがｄ以内であれば各
個別電極（２）（２）…がその対応する個別引出電極
（４）（４）…以外の個別引出電極（４）（４）…に接
触することはないからである。例えば個別駆動電極
（２）（２）…の離間距離を40μｍとすると個別引出電
極（４）（４）の電極間長さＷ′は半導体レーザチップ
（１）のチップ幅Ｗよりも左右に夫々40μｍまで長く設
定できる。しかし斯る個別引出電極（４）（４）…の電
極間長さＷ′は個別引出電極（４）（４）…上に半導体
レーザチップ（１）を載置した際に、その両端が同時に
半導体レーザチップ（１）によって隠れないような長
さ、即ちＷ′＞Ｗであればよく、実際には半導体レーザ
チップ（１）のチップ幅Ｗの、左右に夫々20μｍ程度ず
つ加えた長さに設定すればよい。
Ｗ′と半導体レーザチップ（１）のチップ幅Ｗとの差
は、個別駆動電極（２）（２）…の各離間距離ｄの２倍
以内に設定される。これは、個別駆動電極（２）（２）
…と個別引出電極（４）（４）…との位置合わせの際
に、その並列方向のいずれか左右に離間距離ｄ分ずつ許
容できることに基づく。即ち、ずれがｄ以内であれば各
個別電極（２）（２）…がその対応する個別引出電極
（４）（４）…以外の個別引出電極（４）（４）…に接
触することはないからである。例えば個別駆動電極
（２）（２）…の離間距離を40μｍとすると個別引出電
極（４）（４）の電極間長さＷ′は半導体レーザチップ
（１）のチップ幅Ｗよりも左右に夫々40μｍまで長く設
定できる。しかし斯る個別引出電極（４）（４）…の電
極間長さＷ′は個別引出電極（４）（４）…上に半導体
レーザチップ（１）を載置した際に、その両端が同時に
半導体レーザチップ（１）によって隠れないような長
さ、即ちＷ′＞Ｗであればよく、実際には半導体レーザ
チップ（１）のチップ幅Ｗの、左右に夫々20μｍ程度ず
つ加えた長さに設定すればよい。
第１図（ｃ）は半導体レーザチップ（１）を個別駆動
電極（２）（２）…側でヒートシンク（３）上に載置固
着した平面図を示し、（５）は半導体レーザチップ
（１）の他主面（1b）、即ち基板側主面に、各レーザ共
振器（1c）（1c）…を覆うように設けられた共通駆動電
極である。図に示すように、半導体レーザチップ（１）
は、個別引出電極（４）（４）…の並設方向の両端部分
が現れるようにヒートシンク（３）上に配置される。こ
の時、半導体レーザチップ（１）のレーザ共振器並列方
向のずれはｄ以下になるので、前述した如く、半導体レ
ーザチップ（１）の個別駆動電極（２）（２）…とヒー
トシンク（３）の個別引出電極（４）（４）…は各々対
応する電極同志のみが接続されることとなる。
電極（２）（２）…側でヒートシンク（３）上に載置固
着した平面図を示し、（５）は半導体レーザチップ
（１）の他主面（1b）、即ち基板側主面に、各レーザ共
振器（1c）（1c）…を覆うように設けられた共通駆動電
極である。図に示すように、半導体レーザチップ（１）
は、個別引出電極（４）（４）…の並設方向の両端部分
が現れるようにヒートシンク（３）上に配置される。こ
の時、半導体レーザチップ（１）のレーザ共振器並列方
向のずれはｄ以下になるので、前述した如く、半導体レ
ーザチップ（１）の個別駆動電極（２）（２）…とヒー
トシンク（３）の個別引出電極（４）（４）…は各々対
応する電極同志のみが接続されることとなる。
また、斯る半導体レーザチップ（１）の載置工程に際
して、ヒートシンク（３）上に形成された個別引出電極
（４）（４）…の並設方向の両端部分は半導体レーザチ
ップ（１）の配置によって同時に隠れることはないの
で、半導体レーザチップ（１）は目視で容易にヒートシ
ンク（３）上の所定の位置に載置される。
して、ヒートシンク（３）上に形成された個別引出電極
（４）（４）…の並設方向の両端部分は半導体レーザチ
ップ（１）の配置によって同時に隠れることはないの
で、半導体レーザチップ（１）は目視で容易にヒートシ
ンク（３）上の所定の位置に載置される。
（ト）考案の効果 本考案によれば、ヒートシンク上に複数個並設される
個別引出電極の並設方向における両最外電極の最外端辺
間の長さを半導体レーザチップのレーザ共振器並設方向
におけるチップ幅よりもわずかに大きくすることによっ
て、半導体レーザチップの載置の際に個別引出電極全部
が隠れることがないので半導体レーザチップをヒートシ
ンクの所定の場所に位置合わせすることが容易となる。
またこの時、半導体レーザチップを個別引出電極の並設
方向における両端部分が現れるようにヒートシンク上に
載置することによって、対応する個別駆動電極と個別引
出電極とが自動的に位置合わせされ、半導体レーザ装置
の製造が容易となる。
個別引出電極の並設方向における両最外電極の最外端辺
間の長さを半導体レーザチップのレーザ共振器並設方向
におけるチップ幅よりもわずかに大きくすることによっ
て、半導体レーザチップの載置の際に個別引出電極全部
が隠れることがないので半導体レーザチップをヒートシ
ンクの所定の場所に位置合わせすることが容易となる。
またこの時、半導体レーザチップを個別引出電極の並設
方向における両端部分が現れるようにヒートシンク上に
載置することによって、対応する個別駆動電極と個別引
出電極とが自動的に位置合わせされ、半導体レーザ装置
の製造が容易となる。
第１図は本考案装置の一実施例を示し、同図（ａ）は、
半導体レーザチップの平面図、同図（ｂ）はヒートシン
クの平面図、同図（ｃ）は半導体レーザチップをヒート
シンク上に載置したときの平面図である。
半導体レーザチップの平面図、同図（ｂ）はヒートシン
クの平面図、同図（ｃ）は半導体レーザチップをヒート
シンク上に載置したときの平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−239895（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−181490（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−154583（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−48062（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】互いに対向する一主面と他主面とを有し、
該主面間に並設された複数のレーザ共振器と、上記一主
面上に複数個並設され、上記複数のレーザ共振器を夫々
独立に駆動する個別駆動電極と、上記他主面上に設けら
れた共通駆動電極と、を備えた半導体レーザチップが、
上記個別駆動電極に対応する複数の個別引出電極を並設
したヒートシンクの一主面上に、上記複数の個別駆動電
極と上記複数の個別引出電極とを夫々対応接続して載置
固着された半導体レーザ装置において、上記複数の個別
引出電極は、内部に並設されている該電極の電極幅、及
び隣接電極間隔を上記個別駆動電極のそれと略同一とす
ると共に、夫々上記半導体レーザチップの外側の上記レ
ーザ共振器長方向に延在し、該複数の個別引出電極の並
設方向における両最外電極の最外端辺間の長さは上記半
導体レーザチップのレーザ共振器並設方向におけるチッ
プ幅よりもわずかに大きく、その差は各個別駆動電極と
各個別引出電極とを位置合わせするためのものであり、
上記個別引出電極の隣接する離間距離の２倍以内である
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989122742U JP2528020Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989122742U JP2528020Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361364U JPH0361364U (ja) | 1991-06-17 |
| JP2528020Y2 true JP2528020Y2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=31670735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989122742U Expired - Lifetime JP2528020Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2528020Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181490A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
| JPH01239895A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-10-19 JP JP1989122742U patent/JP2528020Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361364U (ja) | 1991-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |